JPH04325680A - サブストレート上に反応性の膜を付着する装置 - Google Patents

サブストレート上に反応性の膜を付着する装置

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JPH04325680A
JPH04325680A JP4045175A JP4517592A JPH04325680A JP H04325680 A JPH04325680 A JP H04325680A JP 4045175 A JP4045175 A JP 4045175A JP 4517592 A JP4517592 A JP 4517592A JP H04325680 A JPH04325680 A JP H04325680A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電気絶縁材例えば二酸
化珪素（ＳｉＯ２），交流源を備えており、前記交流源
は排気可能な付着室内に配置された電極と接続され、前
記電極はターゲットと電気的に接続され、ターゲットが
スパッタされてそのスパッタされた粒子がサブストレー
ト上に沈着し、付着室内へプロセスガスと反応性ガスと
を供給することが可能である、サブストレート上に電気
絶縁材、例えば二酸化珪素から成る反応性の膜を付着す
る装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】カソードスパッタリング及び反応性ガス
に対して親和性の高い物質を用いた従来のサブストレー
ト上に膜を付着する方法では、サブストレートの他にプ
ロセス室の内壁あるいはシャッタの部分あるいはターゲ
ットの表面といった装置の部品自体にも非導電性あるい
は導電性の低い物質の膜が付着し、屡々プロセスパラメ
ータが変化されかつ特にフラッシュオーバをも発生する
ため、しばしばプロセスの中断やまたクリーニングある
いは装置の部品の交換が必要となるという問題があった
。
【０００３】高周波、例えば１３，５６ＭＨｚで作動す
るスパッタ装置は公知であり（米国特許第３，８６０，
５０７号明細書）、このスパッタ装置ではプロセス室内
に互いに直径方向に対向している２つのターゲットを設
け、これらターゲットはそれぞれ電極を介して交流トラ
ンスの２次巻線の２つの出力側と接続され、２次巻線は
中央のタップを有し、この中央タップは２つのターゲッ
トの間でグロー放電が生じるように、プロセス室の内壁
に電気的に接続されている。
【０００４】さらにプラズマから形成された物質でサブ
ストレート上に膜を付着する装置は公知であり（ドイツ
特許公開第３８０２８５２号公報）、この装置では、第
１の電極と第２の電極との間にサブストレートを設け、
第１の電極は交流源の第１の端子にそして第２の電極は
交流源の第２の端子に接続されている。この場合交流源
は磁気漏れトランスとして形成されており、この磁気漏
れトランスはイナートガス溶接機あるいは同じような制
御された交流源に使用されている。さらに２つの電極は
場合によって直流の給電源と接続することも可能である
。
【０００５】最後に、磁石系とその上に配置された少な
くとも２つの電極から成るスパッタリング装置が公知で
あり（東独特許公開第２５２２０５号公報）、この電極
は、スパッタされるべき物質から成っており、これらの
電極が交互にガス放電のカソードとアノードとなるよう
に接続されており、その際電極は有利には５０Ｈｚの正
弦波交流電圧に接続されている。この場合、各電極には
独自の磁石系が対応して設けられており、一方の磁石系
の１つの磁極が同時に隣接する磁石系の磁極であって、
かつこれらの電極はひとつの平面内に配置されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、反応
性ガスに対して比較的親和性の高い物質のスパッタのた
めの、均一で安定したプロセスが可能でかつ作動時間が
長い場合であっても障害が生じたりとりわけフラッシュ
オーバが生じたりすることなく作動し、例えばＳｉＯ２
，Ａｌ２Ｏ３，ＮｉＳｉ２酸化物、ＺｒＯ２，ＴｉＯ２
，ＺｎＯ，ＳｎＯ２，Ｓｉ３Ｎ４というような絶縁膜を
形成する場合、この膜をサブストレート上に確実に付着
する装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この課題は本発明に記載
の互いに並べて配置されているが電気的には互いに分離
されかつスパッタ室と隔離されている電極を設け、この
電極はマグネトロンカソードとして形成されており、こ
のマグネトロンカソードでは各カソード体とターゲット
の物質とが交流源のアースに接続されていない出力側に
接続されており、そのために電流供給部の出力側が例え
ばトランス２次巻線の両端から成る２つの端子を有して
いることにより解決される。
【０００８】本発明により種々の実施例が可能であり、
その１つを図を用いてより詳細に説明する。
【０００９】
【実施例】図１には、例えば二酸化珪素あるいは酸化ア
ルミニウムである酸化物から成る薄膜２，２′，２″を
それぞれ有するサブストレート１，１′，１″が支持体
２７上に設けられている。スパッタされるべきターゲッ
ト３，３ａはこれらのサブストレート１，１′，１″に
対向して設けられている。ターゲット３，３ａはそれぞ
れカソード体１１，１１ａと接合されており、カソード
体１１，１１ａは、それぞれ３つの磁石１９，１９ａ，
１９ｂあるいは１９ｃ，１９ｄ，１９ｅを有する磁石ヨ
ーク１１ｂ，１１ｃを収容している。
【００１０】６個の磁石の磁極のターゲット３，３ａへ
向いた極性は交番するので、それぞれ２つの外側の磁石
１９，１９ｂまたは１９ｃ，１９ｅのＳ極はそれぞれ内
側にある磁石１９ａまたは１９ｄのＮ極と共に、ターゲ
ット３，３ａ上にほぼ円弧状の磁場を発生する。これら
の磁場はターゲットの前でプラズマを密にし、その結果
プラズマは磁場が円弧の最大値をとるところで、最大の
密度を有する。プラズマの中のイオンは電源１０から供
給される交流電圧によって生ずる電界によって加速され
る。
【００１１】この交流源１０は、トランス２次巻線２５
の端部から形成されかつ２つのカソード５，５ａに接続
される２つ端子１２，１３を有している。トランス２次
巻線の２つの導体８，９は、２つのターゲット３，３ａ
に接続されている。
【００１２】さらにターゲット３は導線１４を介してア
ースに接続された電圧実効値検出器２０に接続されてお
り、電圧実効値検出器２０はさらに別の導線２１を介し
て調整器１６に接続されており、調整器１６は導線１７
を介して制御弁１８に接続され、制御弁１８は貯蔵容器
２２内の反応性ガスの真空室１５，１５ａの分配管２４
への流入を制御する。
【００１３】付着室１５，１５ａはリング状またはフレ
ーム状の遮断板ないしシャッタ（アノード）４を備え、
シャッタ４はスリット６を有し、このスリット６を通っ
て分配管２４からのプロセスガスが矢印方向に付着室１
５内へ流入可能である。さらにシャッタ４の下側の縁部
は冷却管７により囲繞されており、冷却管７を通って冷
却剤が流れシャッタの加熱を防止する。
【００１４】交流源１０の周波数はスパッタ工程の間、
イオンが交番電磁界に追従できるように選ばれており、
それは約１ＫＨｚ〜１００ＫＨｚの周波数である。
【００１５】導線１４を介して取り出される放電電圧は
電圧実効値検出器２０を用いて導線２１を介して直流電
圧として調整器１６に供給され、調整器１６は、測定さ
れた電圧により必要な反応性ガスの量を決定できるよう
に、導線１７を介して反応性ガスの供給のための電磁弁
１８を制御する。
【００１６】なおプロセスガスは貯蔵容器２３の中に貯
蔵されており、制御弁２８を介して分配管に供給される
。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による２つのマグネトロンスパッタカソ
ードを有するスパッタ装置の断面図である。
【符号の説明】

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　交流源（１０）を備えており、前記交
    流源（１０）は排気可能な付着室（１５，１５ａ）内に
    設けられた磁石（１９，１９ａ，１９ｂまたは１９ｃ，
    １９ｄ，１９ｅ）を取囲むカソード（５，５ａ）と接続
    されており、前記カソードはターゲット（３，３ａ）と
    電気的に共働し、ターゲット（３，３ａ）がスパッタさ
    れそのスパッタされた粒子がサブストレート上に沈着し
    前記付着室（１５，１５ａ）内へプロセスガスと反応性
    ガス例えばアルゴンと酸素を供給可能になっている、サ
    ブストレート上に反応性の膜を付着する装置において、
    交流源（１０）のアースに接続されていない２つの出力
    側（１２，１３）を、ターゲット（３，３ａ）を支持す
    るそれぞれ１つのカソード（５，５ａ）に接続し、２つ
    のカソード（５，５ａ）はプラズマ空間（１５）の中の
    付着室（１５，１５ａ）中に互いに並べて設けられてお
    り、かつそれぞれ対向するサブストレート（１，１′，
    １′，１″）に対してほぼ等しい空間的距離（Ａ１また
    はＡ２）を有することを特徴とする、サブストレート上
    に反応性の膜を付着する装置。
  2. 【請求項２】　　各ターゲット（３，３ａ）はアルミニ
    ュウム，珪素，チタン，タンタル，亜鉛，錫，ジルコン
    あるいはこれらの物質の化合物から成り、スパッタ工程
    の間付着室をアルゴンを含有する雰囲気に調整し、膜（
    ２，２′，２″）は酸素及び／又は窒素の添加の下に選
    択されたターゲットの物質に応じてＡｌ２Ｏ３，ＡｌＮ
    ，ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４，ＳｉＯｘＮｙ，ＴｉＯ２，Ｔ
    ａ２Ｏ５，ＳｎＯ２，ＺｎＯまたはＺｒＯ２としてスパ
    ッタされることを特徴とする請求項１に記載のサブスト
    レート上に反応性の膜を付着する装置。
  3. 【請求項３】　　カソード（５）に導線（１４）を介し
    て接続された電圧実効値検出器（２０）によって放電電
    圧の実効値を測定し、直流電圧として調整器（１６）に
    導線（２１）を介して供給し、前記調整器（１６）は制
    御弁（１８）、例えば圧電弁または電磁弁を介して容器
    （２２）から分配管（２４）への反応性ガスの流れを、
    測定電圧が目標電圧と一致するように制御することを特
    徴とする請求項２に記載のサブストレート上に反応性の
    膜を付着する装置。
  4. 【請求項４】　　交流源の周波数を、イオンが交番電磁
    界に追従できるよう上方で１　　ＭＨｚまでに制限する
    ことを特徴とする請求項１から３までのいずれか１項に
    記載のサブストレート上に反応性の膜を付着する装置。
  5. 【請求項５】　　２つのカソード（５，５ａ）はそれぞ
    れの分配管（２４，２４ａ）を有し、２つの分配管への
    反応性ガス流の分配は、第２の調整器によりコンダクタ
    ンス制御弁（１８）を介して、２つのカソードの実効値
    の測定された電位差が目標電圧と一致するよう制御する
    ことを特徴とする請求項３に記載のサブストレート上に
    反応性の膜を付着する装置。
  6. 【請求項６】　　２つの隣接するマグネトロンカソード
    （５，５ａ）が１８０°と１１０°との間の角度をなす
    ことを特徴とする請求項１に記載のサブストレート上に
    反応性の膜を付着する装置。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010507728A (ja) * 2006-10-26 2010-03-11 ハウザー テクノ−コーティング ベー．フェー． デュアルマグネトロンスパッタリング電源およびマグネトロンスパッタリング装置
JP2011089213A (ja) * 2011-02-10 2011-05-06 Utec:Kk 対向ターゲット式スパッタ装置及び対向ターゲット式スパッタ方法
US7967957B2 (en) 2002-08-09 2011-06-28 Kobe Steel, Ltd. Method for preparing alumna coating film having alpha-type crystal structure as primary structure
US8163140B2 (en) 2002-05-29 2012-04-24 Kobe Steel, Ltd. Reactive sputtering method and device
JP2014189827A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 酸化アルミニウムの成膜方法

Families Citing this family (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05148634A (ja) * 1991-11-22 1993-06-15 Nec Corp スパツタリング装置
US5415757A (en) * 1991-11-26 1995-05-16 Leybold Aktiengesellschaft Apparatus for coating a substrate with electrically nonconductive coatings
DE4138793C2 (de) * 1991-11-26 2001-03-01 Leybold Ag Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
DE4237517A1 (de) * 1992-11-06 1994-05-11 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats, insbesondere mit elektrisch nichtleitenden Schichten
CH686747A5 (de) * 1993-04-01 1996-06-14 Balzers Hochvakuum Optisches Schichtmaterial.
DE4311360C2 (de) * 1993-04-06 2002-10-24 Applied Films Gmbh & Co Kg Anordnung zum reaktiven Abscheiden von Werkstoffen als Dünnfilm durch Mittelfrequenz-Kathodenzerstäubung
US5346601A (en) * 1993-05-11 1994-09-13 Andrew Barada Sputter coating collimator with integral reactive gas distribution
US6605198B1 (en) * 1993-07-22 2003-08-12 Sputtered Films, Inc. Apparatus for, and method of, depositing a film on a substrate
DE69418542T2 (de) 1993-07-28 1999-09-16 Asahi Glass Co. Ltd., Tokio/Tokyo Verfahren zur Herstellung funktioneller Beschichtungen
DE4326100B4 (de) * 1993-08-04 2006-03-23 Unaxis Deutschland Holding Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten in einer Vakuumkammer, mit einer Einrichtung zur Erkennung und Unterdrückung von unerwünschten Lichtbögen
US5698082A (en) * 1993-08-04 1997-12-16 Balzers Und Leybold Method and apparatus for coating substrates in a vacuum chamber, with a system for the detection and suppression of undesirable arcing
IL108677A (en) * 1994-02-17 1997-11-20 Thin Films Ltd Sputtering method and apparatus for depositing a coating onto a substrate
GB9405442D0 (en) * 1994-03-19 1994-05-04 Applied Vision Ltd Apparatus for coating substrates
DE4413655A1 (de) * 1994-04-20 1995-10-26 Leybold Ag Beschichtungsanlage
US6033483A (en) * 1994-06-30 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Electrically insulating sealing structure and its method of use in a high vacuum physical vapor deposition apparatus
DE19537212A1 (de) * 1994-10-06 1996-04-11 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Substraten im Vakuum
DE4438463C1 (de) * 1994-10-27 1996-02-15 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Schaltung zur bipolaren pulsförmigen Energieeinspeisung in Niederdruckplasmen
DE19506515C1 (de) * 1995-02-24 1996-03-07 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur reaktiven Beschichtung
DE19508406A1 (de) * 1995-03-09 1996-09-12 Leybold Ag Kathodenanordnung für eine Vorrichtung zum Zerstäuben eines Target-Paares
US5849162A (en) * 1995-04-25 1998-12-15 Deposition Sciences, Inc. Sputtering device and method for reactive for reactive sputtering
WO1996034124A1 (en) * 1995-04-25 1996-10-31 The Boc Group, Inc. Sputtering system using cylindrical rotating magnetron electrically powered using alternating current
US5812405A (en) * 1995-05-23 1998-09-22 Viratec Thin Films, Inc. Three variable optimization system for thin film coating design
DE59611403D1 (de) 1995-10-27 2007-01-25 Applied Materials Gmbh & Co Kg Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats
DE19540543A1 (de) * 1995-10-31 1997-05-07 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats mit Hilfe des Chemical-Vapor-Deposition-Verfahrens
DE19540794A1 (de) 1995-11-02 1997-05-07 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten eines Substrats von einem elektrisch leitfähigen Target
DE19604454A1 (de) * 1996-02-08 1997-08-14 Balzers Prozes System Gmbh Vorrichtung zum Beschichten von flachen Substraten mit zwei Sputterkathoden
DE19605932A1 (de) * 1996-02-17 1997-08-21 Leybold Systems Gmbh Verfahren zum Ablagern einer optisch transparenten und elektrisch leitenden Schicht auf einem Substrat aus durchscheinendem Werkstoff
DE19617057C2 (de) * 1996-04-29 1998-07-23 Ardenne Anlagentech Gmbh Sputteranlage mit zwei längserstreckten Magnetrons
US6013155A (en) * 1996-06-28 2000-01-11 Lam Research Corporation Gas injection system for plasma processing
AU3145197A (en) 1996-06-28 1998-01-21 Lam Research Corporation Apparatus and method for high density plasma chemical vapor deposition
TW335504B (en) * 1996-07-09 1998-07-01 Applied Materials Inc A method for providing full-face high density plasma deposition
DE19644752A1 (de) * 1996-10-28 1998-04-30 Leybold Systems Gmbh Interferenzschichtensystem
DE19651378A1 (de) * 1996-12-11 1998-06-18 Leybold Systems Gmbh Vorrichtung zum Aufstäuben von dünnen Schichten auf flache Substrate
US6184158B1 (en) * 1996-12-23 2001-02-06 Lam Research Corporation Inductively coupled plasma CVD
DE19703791C2 (de) * 1997-02-01 2001-10-11 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Regelung von Glimmentladungen mit pulsförmiger Energieversorgung
DE19711137C1 (de) * 1997-03-07 1998-08-13 Siemens Ag Verfahren zum Aufbringen texturierter YSZ-Schichten durch Sputter-Beschichten
DE19715647C2 (de) * 1997-04-15 2001-03-08 Ardenne Anlagentech Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Regelung der reaktiven Schichtabscheidung auf Substraten mittels längserstreckten Magnetrons
US6217720B1 (en) * 1997-06-03 2001-04-17 National Research Council Of Canada Multi-layer reactive sputtering method with reduced stabilization time
DE19726966C1 (de) 1997-06-25 1999-01-28 Flachglas Ag Verfahren zur Herstellung einer transparenten Silberschicht mit hoher spezifischer elektrischer Leitfähigkeit , Glasscheibe mit einem Dünnschichtsystem mit einer solchen Silberschicht und deren Verwendung
US6042687A (en) * 1997-06-30 2000-03-28 Lam Research Corporation Method and apparatus for improving etch and deposition uniformity in plasma semiconductor processing
EP0896481B1 (de) * 1997-08-05 2006-08-23 Micronas Semiconductor Holding AG Adaptives Filter
DE19740793C2 (de) 1997-09-17 2003-03-20 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Beschichtung von Oberflächen mittels einer Anlage mit Sputterelektroden und Verwendung des Verfahrens
DE29717418U1 (de) * 1997-09-26 1998-01-22 Leybold Systems GmbH, 63450 Hanau Vorrichtung zum Aufbringen dünner Schichten auf ein Substrat
US5976334A (en) * 1997-11-25 1999-11-02 Applied Materials, Inc. Reliable sustained self-sputtering
DE19756162C2 (de) * 1997-12-17 1999-10-14 Ardenne Anlagentech Gmbh Sputtereinrichtung
DE19825056C1 (de) * 1998-06-04 2000-01-13 Fraunhofer Ges Forschung Schaltungsanordnung und Verfahren zum Einspeisen von Elektroenergie in ein Plasma
DE19827587A1 (de) * 1998-06-20 1999-12-23 Ardenne Anlagentech Gmbh Einrichtung zur plasmagestützten Schichtabscheidung
JP2000017457A (ja) * 1998-07-03 2000-01-18 Shincron:Kk 薄膜形成装置および薄膜形成方法
US6488824B1 (en) 1998-11-06 2002-12-03 Raycom Technologies, Inc. Sputtering apparatus and process for high rate coatings
WO2000028104A1 (en) 1998-11-06 2000-05-18 Scivac Sputtering apparatus and process for high rate coatings
US6499425B1 (en) * 1999-01-22 2002-12-31 Micron Technology, Inc. Quasi-remote plasma processing method and apparatus
JP2001003166A (ja) * 1999-04-23 2001-01-09 Nippon Sheet Glass Co Ltd 基体表面に被膜を被覆する方法およびその方法による基体
DE19919742A1 (de) * 1999-04-30 2000-11-02 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum Beschichten von Substraten aus dotiertem Silizium mit einer Antireflexschicht für Solarzellen mittels einer in einer Vakuumkammer betriebenen Zerstäubungskathode mit einem Magnetsystem
US6537428B1 (en) * 1999-09-02 2003-03-25 Veeco Instruments, Inc. Stable high rate reactive sputtering
US6258217B1 (en) * 1999-09-29 2001-07-10 Plasma-Therm, Inc. Rotating magnet array and sputter source
DE10015244C2 (de) * 2000-03-28 2002-09-19 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Schaltungsanordnung zur pulsförmigen Energieeinspeisung in Magnetronentladungen
AU2002308503A1 (en) 2001-04-30 2002-11-25 Isoflux, Inc. Relationship to other applications and patents
DE10122431A1 (de) * 2001-05-09 2002-11-28 Fraunhofer Ges Forschung Elektrodenanordnung für die magnetfeldgeführte plasmagestützte Abscheidung dünner Schichten im Vakuum
DE10154229B4 (de) * 2001-11-07 2004-08-05 Applied Films Gmbh & Co. Kg Einrichtung für die Regelung einer Plasmaimpedanz
US20040149575A1 (en) * 2002-04-29 2004-08-05 Isoflux, Inc. System for unbalanced magnetron sputtering with AC power
DE10224128A1 (de) * 2002-05-29 2003-12-18 Schmid Rhyner Ag Adliswil Verfahren zum Auftrag von Beschichtungen auf Oberflächen
US20040182701A1 (en) * 2003-01-29 2004-09-23 Aashi Glass Company, Limited Sputtering apparatus, a mixed film produced by the sputtering apparatus and a multilayer film including the mixed film
DE10306347A1 (de) * 2003-02-15 2004-08-26 Hüttinger Elektronik GmbH & Co. KG Leistungszufuhrregeleinheit
DE10323258A1 (de) * 2003-05-23 2004-12-23 Applied Films Gmbh & Co. Kg Magnetron-Sputter-Kathode
WO2005071134A1 (en) * 2004-01-15 2005-08-04 Deposition Sciences, Inc. Method and apparatus for monitoring optical characteristics of thin films in a deposition process
DE102004014855A1 (de) * 2004-03-26 2004-10-21 Applied Films Gmbh & Co. Kg Einrichtung zum reaktiven Sputtern
US20050224343A1 (en) * 2004-04-08 2005-10-13 Richard Newcomb Power coupling for high-power sputtering
JP2006045611A (ja) * 2004-08-04 2006-02-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> スパッタ成膜装置
US20060065524A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Richard Newcomb Non-bonded rotatable targets for sputtering
ATE392007T1 (de) * 2004-10-18 2008-04-15 Bekaert Advanced Coatings Endblock für eine sputter-vorrichtung mit drehbarem target
US20060096855A1 (en) * 2004-11-05 2006-05-11 Richard Newcomb Cathode arrangement for atomizing a rotatable target pipe
US20060278521A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-14 Stowell Michael W System and method for controlling ion density and energy using modulated power signals
US20060278524A1 (en) * 2005-06-14 2006-12-14 Stowell Michael W System and method for modulating power signals to control sputtering
US7842355B2 (en) * 2005-11-01 2010-11-30 Applied Materials, Inc. System and method for modulation of power and power related functions of PECVD discharge sources to achieve new film properties
US20070095281A1 (en) * 2005-11-01 2007-05-03 Stowell Michael W System and method for power function ramping of microwave liner discharge sources
WO2007086276A1 (ja) * 2006-01-25 2007-08-02 Ulvac, Inc. スパッタリング装置及び成膜方法
WO2009052874A1 (en) * 2007-10-26 2009-04-30 Hauzer Techno Coating Bv Dual magnetron sputtering power supply and magnetron sputtering apparatus
US8137463B2 (en) * 2007-12-19 2012-03-20 Applied Materials, Inc. Dual zone gas injection nozzle
US8182662B2 (en) * 2009-03-27 2012-05-22 Sputtering Components, Inc. Rotary cathode for magnetron sputtering apparatus
EP2425036B8 (en) 2009-04-27 2017-12-20 Evatec AG Reactive sputtering with multiple sputter sources
DE102009041184A1 (de) * 2009-09-14 2011-09-15 Solarworld Innovations Gmbh Beschichtungs-Vorrichtung und -Verfahren
WO2011158828A1 (ja) * 2010-06-17 2011-12-22 株式会社アルバック スパッタ成膜装置及び防着部材
JP5743266B2 (ja) * 2010-08-06 2015-07-01 キヤノンアネルバ株式会社 成膜装置及びキャリブレーション方法
US9941100B2 (en) 2011-12-16 2018-04-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Adjustable nozzle for plasma deposition and a method of controlling the adjustable nozzle
US9790596B1 (en) * 2013-01-30 2017-10-17 Kyocera Corporation Gas nozzle and plasma device employing same
CN105555990B (zh) * 2013-07-17 2018-01-09 先进能源工业公司 在脉冲双磁控管溅射(dms)工艺中平衡靶消耗的系统和方法
US10465288B2 (en) * 2014-08-15 2019-11-05 Applied Materials, Inc. Nozzle for uniform plasma processing
KR102678733B1 (ko) * 2015-12-04 2024-06-26 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Hdp-cvd 챔버 아킹을 방지하기 위한 첨단 코팅 방법 및 재료들
KR102553629B1 (ko) * 2016-06-17 2023-07-11 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
DE102016118799B4 (de) 2016-10-05 2022-08-11 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Verfahren zum Magnetronsputtern
CN114666965B (zh) 2017-06-27 2025-08-01 佳能安内华股份有限公司 等离子体处理装置
PL3648554T3 (pl) 2017-06-27 2021-11-22 Canon Anelva Corporation Urządzenie do przetwarzania plazmowego
EP4017223B1 (en) 2017-06-27 2025-10-15 Canon Anelva Corporation Plasma processing apparatus
EP3648550B1 (en) 2017-06-27 2021-06-02 Canon Anelva Corporation Plasma treatment device
PL3817517T3 (pl) 2018-06-26 2024-10-28 Canon Anelva Corporation Urządzenie do obróbki plazmą, sposób obróbki plazmą, program oraz nośnik pamięci

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR95311E (fr) * 1967-03-24 1970-08-21 Varian Associates Appareil de pulvérisation cathodique pour déposer des pellicules minces sur des surfaces a revetir.
GB1172106A (en) * 1967-06-29 1969-11-26 Edwards High Vacuum Int Ltd Improvements in or relating to Pressure Control in Vacuum Apparatus
US3860507A (en) * 1972-11-29 1975-01-14 Rca Corp Rf sputtering apparatus and method
US4166784A (en) * 1978-04-28 1979-09-04 Applied Films Lab, Inc. Feedback control for vacuum deposition apparatus
JPS61179864A (ja) * 1985-02-06 1986-08-12 Hitachi Ltd スパツタ装置
DD252205B5 (de) * 1986-09-01 1993-12-09 Fraunhofer Ges Forschung Zerstaeubungseinrichtung
US4738761A (en) * 1986-10-06 1988-04-19 Microelectronics Center Of North Carolina Shared current loop, multiple field apparatus and process for plasma processing
DE3802852A1 (de) * 1988-02-01 1989-08-03 Leybold Ag Einrichtung fuer die beschichtung eines substrats mit einem material, das aus einem plasma gewonnen wird
JPH01268869A (ja) * 1988-04-20 1989-10-26 Fuji Photo Film Co Ltd スパッタリング装置
DE3925536A1 (de) * 1989-08-02 1991-02-07 Leybold Ag Anordnung zur dickenmessung von duennschichten

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8163140B2 (en) 2002-05-29 2012-04-24 Kobe Steel, Ltd. Reactive sputtering method and device
US7967957B2 (en) 2002-08-09 2011-06-28 Kobe Steel, Ltd. Method for preparing alumna coating film having alpha-type crystal structure as primary structure
US9260776B2 (en) 2002-08-09 2016-02-16 Kobe Steel, Ltd. Method of producing α crystal structure-based alumina films
JP2010507728A (ja) * 2006-10-26 2010-03-11 ハウザー テクノ−コーティング ベー．フェー． デュアルマグネトロンスパッタリング電源およびマグネトロンスパッタリング装置
JP2011089213A (ja) * 2011-02-10 2011-05-06 Utec:Kk 対向ターゲット式スパッタ装置及び対向ターゲット式スパッタ方法
JP2014189827A (ja) * 2013-03-27 2014-10-06 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 酸化アルミニウムの成膜方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5169509A (en) 1992-12-08
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EP0502242B1 (de) 1997-08-27

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