JPH04326066A - 光学式電圧合成器及び光学式零相電流センサ - Google Patents
光学式電圧合成器及び光学式零相電流センサInfo
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- JPH04326066A JPH04326066A JP3125541A JP12554191A JPH04326066A JP H04326066 A JPH04326066 A JP H04326066A JP 3125541 A JP3125541 A JP 3125541A JP 12554191 A JP12554191 A JP 12554191A JP H04326066 A JPH04326066 A JP H04326066A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ポッケルス素子を用い
た横型光変調方式による光学式電圧合成器及び光学式零
相電流センサに関する。
た横型光変調方式による光学式電圧合成器及び光学式零
相電流センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、柱上開閉器等の開閉器においては
、送，配電線の故障時に発生する零相電流を検出する場
合、開閉器で得た検出信号が外部ノイズ等の影響を受け
ないよう、これを光信号に変換して電気的に絶縁し、外
部へ取り出すようにしている。
、送，配電線の故障時に発生する零相電流を検出する場
合、開閉器で得た検出信号が外部ノイズ等の影響を受け
ないよう、これを光信号に変換して電気的に絶縁し、外
部へ取り出すようにしている。
【０００３】例えば、図２に示す柱上開閉器では、開閉
器ケース１の対向する両側壁にそれぞれＡ相，Ｂ相，Ｃ
相の３相のブッシング２，３が貫設され、各相において
両ブッシング２，３のそれぞれの主回路導体４，５間に
真空バルブ６が連結導体７及び可撓導体８を介して接続
されると共に、ケース１内において各相のブッシング３
の外側にそれぞれ変流器９が取り付けられている。なお
、真空バルブ６のオン，オフは操作軸１０の回動により
絶縁レバー１１を介して連結導体７を左右動することに
より行われる。
器ケース１の対向する両側壁にそれぞれＡ相，Ｂ相，Ｃ
相の３相のブッシング２，３が貫設され、各相において
両ブッシング２，３のそれぞれの主回路導体４，５間に
真空バルブ６が連結導体７及び可撓導体８を介して接続
されると共に、ケース１内において各相のブッシング３
の外側にそれぞれ変流器９が取り付けられている。なお
、真空バルブ６のオン，オフは操作軸１０の回動により
絶縁レバー１１を介して連結導体７を左右動することに
より行われる。
【０００４】そして、各相の変流器９においては、図３
に示すように、２次側に負担抵抗１２を接続して２次電
流をそれぞれ電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃに変換し、この電圧
Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃをそれぞれポッケルス素子を用いた電
圧センサ１３にて光信号に変換し、さらに、この光信号
を光ファイバーケーブル１４を用いて開閉器外部に引き
出し、電子回路１５内で光電変換した後、各相の電圧を
アンプ等を通して３相合成し、零相電流を得るようにし
ている。
に示すように、２次側に負担抵抗１２を接続して２次電
流をそれぞれ電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃに変換し、この電圧
Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃをそれぞれポッケルス素子を用いた電
圧センサ１３にて光信号に変換し、さらに、この光信号
を光ファイバーケーブル１４を用いて開閉器外部に引き
出し、電子回路１５内で光電変換した後、各相の電圧を
アンプ等を通して３相合成し、零相電流を得るようにし
ている。
【０００５】ここで、前記電圧センサ１３について説明
する。各相の電圧センサ１３は、図４に示すように、例
えばニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３ ）よりなるポッ
ケルス素子１６の光軸（Ｚ軸）に平行な対向する２面に
金属蒸着等により電極１７，１８を形成し、この両電極
１７，１８間に負担抵抗１２の両端電圧を印加してポッ
ケルス素子１６に光軸に直交する方向の電界を形成する
いわゆる横型光変調方式を構成するようになっている。 なお、ポッケルス素子１６の光軸に直交する２面，すな
わち光の入射面及び出射面には透明電極１９，２０が設
けられ、この間を短絡してピロ電気による光軸方向の電
界成分を排除している。
する。各相の電圧センサ１３は、図４に示すように、例
えばニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３ ）よりなるポッ
ケルス素子１６の光軸（Ｚ軸）に平行な対向する２面に
金属蒸着等により電極１７，１８を形成し、この両電極
１７，１８間に負担抵抗１２の両端電圧を印加してポッ
ケルス素子１６に光軸に直交する方向の電界を形成する
いわゆる横型光変調方式を構成するようになっている。 なお、ポッケルス素子１６の光軸に直交する２面，すな
わち光の入射面及び出射面には透明電極１９，２０が設
けられ、この間を短絡してピロ電気による光軸方向の電
界成分を排除している。
【０００６】そして、ＬＥＤ等の光源からの光を偏光子
２１に通すことにより直線偏光となった光は、１／４波
長板２２において直線偏光のＸ，Ｙ方向のそれぞれの電
界成分相互間に１／４波長の位相差が与えられ、円偏光
となり、この光がポッケルス素子１６を透過する際、Ｘ
，Ｙ方向の電界成分相互間に電極１７，１８間の電圧に
比例したポッケルス効果による位相差Δφが与えられ、
楕円偏光となる。
２１に通すことにより直線偏光となった光は、１／４波
長板２２において直線偏光のＸ，Ｙ方向のそれぞれの電
界成分相互間に１／４波長の位相差が与えられ、円偏光
となり、この光がポッケルス素子１６を透過する際、Ｘ
，Ｙ方向の電界成分相互間に電極１７，１８間の電圧に
比例したポッケルス効果による位相差Δφが与えられ、
楕円偏光となる。
【０００７】ここで、ポッケルス効果による位相差Δφ
は、光の波長をλ，ポッケルス素子１６の屈折率及びポ
ッケルス定数をそれぞれｎ０ 及びγ２２，電極１７，
１８間の印加電圧をＶ，電極１７，１８の光軸方向の長
さをＬ，電極１７，１８間の距離をＤとすると、つぎの
数１の式で表わすことができる。
は、光の波長をλ，ポッケルス素子１６の屈折率及びポ
ッケルス定数をそれぞれｎ０ 及びγ２２，電極１７，
１８間の印加電圧をＶ，電極１７，１８の光軸方向の長
さをＬ，電極１７，１８間の距離をＤとすると、つぎの
数１の式で表わすことができる。
【０００８】
【数１】
【０００９】このように楕円偏光となった光は、検光子
２３により光強度Ｉに変換され、印加電圧Ｖに応じた光
信号に変換されることになる。いま、偏光子２１を透過
した直線偏光の電界Ｅｉをつぎの数２の式のように設定
すると、そのＸ，Ｙ方向の電界成分Ｅｉｘ，Ｅｉｙはそ
れぞれつぎの数３及び数４の式で表わすことができる。 ただし、Ｆは任意の定数とする。
２３により光強度Ｉに変換され、印加電圧Ｖに応じた光
信号に変換されることになる。いま、偏光子２１を透過
した直線偏光の電界Ｅｉをつぎの数２の式のように設定
すると、そのＸ，Ｙ方向の電界成分Ｅｉｘ，Ｅｉｙはそ
れぞれつぎの数３及び数４の式で表わすことができる。 ただし、Ｆは任意の定数とする。
【００１０】
【数２】
【００１１】
【数３】
【００１２】
【数４】
【００１３】また、この直線偏光が１／４波長板２２及
びポッケルス素子１６を透過した後のＸ，Ｙ方向の電界
成分Ｅｘ，Ｅｙはそれぞれ、ポッケルス効果によるＸ，
Ｙ方向の位相変化量をφｘ，φｙとすると、つぎの数５
及び数６の式のようになる。
びポッケルス素子１６を透過した後のＸ，Ｙ方向の電界
成分Ｅｘ，Ｅｙはそれぞれ、ポッケルス効果によるＸ，
Ｙ方向の位相変化量をφｘ，φｙとすると、つぎの数５
及び数６の式のようになる。
【００１４】
【数５】
【００１５】
【数６】
【００１６】さらに、検光子２３を透過した光のＸ，Ｙ
方向の電界成分Ｅｏｘ，Ｅｏｙはそれぞれ数７及び数８
の式で示され、検光子２３を透過した光波の電界振幅つ
まりトータルの電界Ｅｔは数９の式のようになる。
方向の電界成分Ｅｏｘ，Ｅｏｙはそれぞれ数７及び数８
の式で示され、検光子２３を透過した光波の電界振幅つ
まりトータルの電界Ｅｔは数９の式のようになる。
【００１７】
【数７】
【００１８】
【数８】
【００１９】
【数９】
【００２０】したがって、出力光の光強度Ｉは、トータ
ル電界Ｅｔの共役複素数をＥｔ＊とすると、つぎの数１
０の式で得られる。なお、ＩｏはＶ＝０のときの光強度
である。
ル電界Ｅｔの共役複素数をＥｔ＊とすると、つぎの数１
０の式で得られる。なお、ＩｏはＶ＝０のときの光強度
である。
【００２１】
【数１０】
【００２２】ここで、位相変化量φｘ，φｙの差が全体
として数１の式で示した位相差Δφとなるため、すなわ
ちΔφ＝φｘ−φｙであるため、数１０の式はつぎの数
１１の式のようになる。
として数１の式で示した位相差Δφとなるため、すなわ
ちΔφ＝φｘ−φｙであるため、数１０の式はつぎの数
１１の式のようになる。
【００２３】
【数１１】
【００２４】一方、ポッケルス素子１６の半波長電圧Ｖ
πはつぎの数１２の式のように表わされるから、光強度
Ｉはつぎの数１３の式のようになる。
πはつぎの数１２の式のように表わされるから、光強度
Ｉはつぎの数１３の式のようになる。
【００２５】
【数１２】
【００２６】
【数１３】
【００２７】このようにして、各相の変流器９における
２次側負担抵抗１２の両端電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃがそれ
ぞれ電圧センサ１３にて光信号に変換される。
２次側負担抵抗１２の両端電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃがそれ
ぞれ電圧センサ１３にて光信号に変換される。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来技術にあ
っては、３相の変流器９の２次側に設けた負担抵抗１２
の両端電圧をそれぞれ電圧センサ１３により計測し、こ
れを電子回路１５内で３相合成して零相電流の検出を行
う構成であるため、各相毎に電圧センサ１３を必要とす
るうえ、電子回路１５に各相毎の光電変換部，増幅部並
びに３相合成部を備える必要があり、構成部品が非常に
多くなり、高価になる欠点がある。
っては、３相の変流器９の２次側に設けた負担抵抗１２
の両端電圧をそれぞれ電圧センサ１３により計測し、こ
れを電子回路１５内で３相合成して零相電流の検出を行
う構成であるため、各相毎に電圧センサ１３を必要とす
るうえ、電子回路１５に各相毎の光電変換部，増幅部並
びに３相合成部を備える必要があり、構成部品が非常に
多くなり、高価になる欠点がある。
【００２９】また、各相毎に電圧センサ１３を用いるた
め、各センサ１３の精度及び温度特性のばらつきにより
大きな残留電流が発生し、これが測定誤差を招く問題が
あり、しかも、電子回路１５において各相毎に光電変換
し増幅するため、この電子回路１５による各相の比誤差
，位相差のずれが検出結果に大きく影響することになり
、このため、電子回路１５の高精度化が要求されるとい
った問題がある。
め、各センサ１３の精度及び温度特性のばらつきにより
大きな残留電流が発生し、これが測定誤差を招く問題が
あり、しかも、電子回路１５において各相毎に光電変換
し増幅するため、この電子回路１５による各相の比誤差
，位相差のずれが検出結果に大きく影響することになり
、このため、電子回路１５の高精度化が要求されるとい
った問題がある。
【００３０】本発明は、従来の技術の有するこのような
問題点に留意してなされたものであり、その第１の目的
は、各相の変流器の２次側負担抵抗の両端電圧を３相合
成する場合のように複数種の電圧を合成する際に、高精
度な電子回路を用いることなく容易に電圧合成が行える
光学式電圧合成器を提供することにあり、その第２の目
的は、この電圧合成器を用いることにより簡単な構成で
高精度に零相電流の検出が行える光学式零相電流センサ
を提供することにある。
問題点に留意してなされたものであり、その第１の目的
は、各相の変流器の２次側負担抵抗の両端電圧を３相合
成する場合のように複数種の電圧を合成する際に、高精
度な電子回路を用いることなく容易に電圧合成が行える
光学式電圧合成器を提供することにあり、その第２の目
的は、この電圧合成器を用いることにより簡単な構成で
高精度に零相電流の検出が行える光学式零相電流センサ
を提供することにある。
【００３１】
【課題を解決するための手段】前記第１の目的を達成す
るために、本発明の光学式電圧合成器においては、ポッ
ケルス素子の光軸に平行な対向する２面に、互いに向か
い合う複数対の電極を光軸方向に配列して装着し、この
各対の電極間にそれぞれ複数種の電圧を印加し、各電圧
を横型光変調方式により合成するものである。
るために、本発明の光学式電圧合成器においては、ポッ
ケルス素子の光軸に平行な対向する２面に、互いに向か
い合う複数対の電極を光軸方向に配列して装着し、この
各対の電極間にそれぞれ複数種の電圧を印加し、各電圧
を横型光変調方式により合成するものである。
【００３２】また、前記第２の目的を達成するために、
本発明の光学式零相電流センサにおいては、ポッケルス
素子の光軸に平行な対向する２面に、互いに向かい合う
３対の電極を光軸方向に配列して装着し、開閉器の３相
の主回路導体にそれぞれ変流器を取り付けると共に、こ
の各変流器の２次電流をそれぞれ電圧に変換する素子を
設け、各素子からの各相の電圧を各対の電極間にそれぞ
れ印加し、横型光変調方式により、各相の電圧を合成し
て零相電流を検出するものである。
本発明の光学式零相電流センサにおいては、ポッケルス
素子の光軸に平行な対向する２面に、互いに向かい合う
３対の電極を光軸方向に配列して装着し、開閉器の３相
の主回路導体にそれぞれ変流器を取り付けると共に、こ
の各変流器の２次電流をそれぞれ電圧に変換する素子を
設け、各素子からの各相の電圧を各対の電極間にそれぞ
れ印加し、横型光変調方式により、各相の電圧を合成し
て零相電流を検出するものである。
【００３３】
【作用】前述のように構成された光学式電圧合成器にあ
っては、ポッケルス素子に光軸方向に配列して装着した
複数対の電極間にそれぞれ複数種の電圧を印加すること
により、ポッケルス素子を透過する光に対し、各電極間
でそれぞれ、光軸に直交する２軸の電界成分相互間に印
加電圧に比例した位相差が順次与えられ、ポッケルス素
子を透過後の位相差が各電極間で順次与えられた位相差
の和になり、各電圧の合成電圧に比例した位相差に等し
くなり、したがって、出力光の光強度から合成電圧を検
出することが可能となる。
っては、ポッケルス素子に光軸方向に配列して装着した
複数対の電極間にそれぞれ複数種の電圧を印加すること
により、ポッケルス素子を透過する光に対し、各電極間
でそれぞれ、光軸に直交する２軸の電界成分相互間に印
加電圧に比例した位相差が順次与えられ、ポッケルス素
子を透過後の位相差が各電極間で順次与えられた位相差
の和になり、各電圧の合成電圧に比例した位相差に等し
くなり、したがって、出力光の光強度から合成電圧を検
出することが可能となる。
【００３４】また、前述のように構成された光学式零相
電流センサにあっては、３相の変流器のそれぞれの２次
電流を電圧に変換してポッケルス素子の３対の電極間に
それぞれ印加するため、ポッケルス素子を透過した出力
光の光強度から３相の合成電圧を検出でき、したがって
、３相の主回路電流を合成した零相電流を検出できる。
電流センサにあっては、３相の変流器のそれぞれの２次
電流を電圧に変換してポッケルス素子の３対の電極間に
それぞれ印加するため、ポッケルス素子を透過した出力
光の光強度から３相の合成電圧を検出でき、したがって
、３相の主回路電流を合成した零相電流を検出できる。
【００３５】
【実施例】実施例につき、図１を用いて説明する。なお
、前記と同一記号は同一もしくは相当するものを示すも
のとする。この実施例は、本発明による光学式電圧合成
器を用いて構成した光学式零相電流センサを示したもの
であり、前記図２で説明したように、開閉器ケース１内
においてＡ相，Ｂ相，Ｃ相の３相のブッシング３の外側
にそれぞれ主回路導体５を流れる主回路電流を検出する
変流器９を取り付け、各相の変流器９の２次電流をそれ
ぞれ負担抵抗１２により電圧に変換すると共に、各負担
抵抗１２の両端電圧をそれぞれ光学式電圧合成器２４に
おいて３相合成するようにしたものである。
、前記と同一記号は同一もしくは相当するものを示すも
のとする。この実施例は、本発明による光学式電圧合成
器を用いて構成した光学式零相電流センサを示したもの
であり、前記図２で説明したように、開閉器ケース１内
においてＡ相，Ｂ相，Ｃ相の３相のブッシング３の外側
にそれぞれ主回路導体５を流れる主回路電流を検出する
変流器９を取り付け、各相の変流器９の２次電流をそれ
ぞれ負担抵抗１２により電圧に変換すると共に、各負担
抵抗１２の両端電圧をそれぞれ光学式電圧合成器２４に
おいて３相合成するようにしたものである。
【００３６】この電圧合成器２４は、ポッケルス素子１
６の光軸に平行な対向する２面に互いに向かい合う３対
の電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１８ａ，１８ｂ，１８
ｃを光軸方向に配列して装着すると共に、これに偏光子
２１，１／４波長板２２及び検光子２３を組み合わせる
ことにより構成され、各対の電極１７ａ，１８ａ間，１
７ｂ，１８ｂ間，１７ｃ，１８ｃ間にそれぞれ各変流器
９の２次側負担抵抗１２の両端電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃを
印加するようにしている。
６の光軸に平行な対向する２面に互いに向かい合う３対
の電極１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１８ａ，１８ｂ，１８
ｃを光軸方向に配列して装着すると共に、これに偏光子
２１，１／４波長板２２及び検光子２３を組み合わせる
ことにより構成され、各対の電極１７ａ，１８ａ間，１
７ｂ，１８ｂ間，１７ｃ，１８ｃ間にそれぞれ各変流器
９の２次側負担抵抗１２の両端電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃを
印加するようにしている。
【００３７】そして、偏光子２１により直線偏光となっ
た光は１／４波長板２２による位相差π／２を与えられ
て円偏光となるが、この光がポッケルス素子１６を透過
する際、両電極１７ａ，１８ａ間において、Ｘ，Ｙ方向
の電界成分相互間に印加電圧Ｖａに比例したポッケルス
効果による位相差Δφａが与えられて楕円偏光となり、
同様に、両電極１７ｂ，１８ｂ間及び両電極１７ｃ，１
８ｃ間をそれぞれ透過する際に、印加電圧Ｖｂ，Ｖｃに
比例した位相差Δφｂ，Δφｃが順に与えられることに
なる。
た光は１／４波長板２２による位相差π／２を与えられ
て円偏光となるが、この光がポッケルス素子１６を透過
する際、両電極１７ａ，１８ａ間において、Ｘ，Ｙ方向
の電界成分相互間に印加電圧Ｖａに比例したポッケルス
効果による位相差Δφａが与えられて楕円偏光となり、
同様に、両電極１７ｂ，１８ｂ間及び両電極１７ｃ，１
８ｃ間をそれぞれ透過する際に、印加電圧Ｖｂ，Ｖｃに
比例した位相差Δφｂ，Δφｃが順に与えられることに
なる。
【００３８】この各位相差Δφａ，Δφｂ，Δφｃはそ
れぞれ、各電極の光軸方向の長さをｌとすると下記の数
１４，数１５，数１６の各式で表すことができ、ポッケ
ルス素子１６を透過することにより与えられる位相差Δ
φは各位相差Δφａ，Δφｂ，Δφｃの和であり、つぎ
の数１７の式のようになる。
れぞれ、各電極の光軸方向の長さをｌとすると下記の数
１４，数１５，数１６の各式で表すことができ、ポッケ
ルス素子１６を透過することにより与えられる位相差Δ
φは各位相差Δφａ，Δφｂ，Δφｃの和であり、つぎ
の数１７の式のようになる。
【００３９】
【数１４】
【００４０】
【数１５】
【００４１】
【数１６】
【００４２】
【数１７】
【００４３】したがって、ポッケルス素子１６を透過し
た光の偏光状態の変化を検光子２３にて光強度Ｉに変換
すると、前記数１１の式と同様にしてつぎの数１８の式
で表わすことができる。
た光の偏光状態の変化を検光子２３にて光強度Ｉに変換
すると、前記数１１の式と同様にしてつぎの数１８の式
で表わすことができる。
【００４４】
【数１８】
【００４５】ここで、半波長電圧Ｖπは下記の数１９の
式で表わされるから、数１８の式はつぎの数２０の式の
ようになる。
式で表わされるから、数１８の式はつぎの数２０の式の
ようになる。
【００４６】
【数１９】
【００４７】
【数２０】
【００４８】この結果、数２０の式より明らかなように
、３相の電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃの合成電圧（Ｖａ＋Ｖｂ
＋Ｖｃ）に応じた光信号が得られることになり、この電
圧合成器２４において電圧合成が行われ、得られた光信
号で零相電流の検出が実現することになる。
、３相の電圧Ｖａ，Ｖｂ，Ｖｃの合成電圧（Ｖａ＋Ｖｂ
＋Ｖｃ）に応じた光信号が得られることになり、この電
圧合成器２４において電圧合成が行われ、得られた光信
号で零相電流の検出が実現することになる。
【００４９】ここで、ポッケルス素子１６のＹ軸方向の
厚み，すなわち対の電極間距離Ｄと各電極の光軸方向の
長さｌとを可変することにより検出感度が変化すること
から、感度設計が可能となり、高感度の零相電流の検出
が可能になるものである。
厚み，すなわち対の電極間距離Ｄと各電極の光軸方向の
長さｌとを可変することにより検出感度が変化すること
から、感度設計が可能となり、高感度の零相電流の検出
が可能になるものである。
【００５０】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているため、つぎに記載する効果を奏する。請求項１に
記載の光学式電圧合成器にあっては、ポッケルス素子に
配列した複数対の電極間に複数種の電圧をそれぞれ印加
することにより各電圧を光学的に合成することができ、
高精度かつ複雑な電子回路等を用いることなく容易に電
圧合成が行え、新規な電圧合成器を提供できるものであ
る。
ているため、つぎに記載する効果を奏する。請求項１に
記載の光学式電圧合成器にあっては、ポッケルス素子に
配列した複数対の電極間に複数種の電圧をそれぞれ印加
することにより各電圧を光学的に合成することができ、
高精度かつ複雑な電子回路等を用いることなく容易に電
圧合成が行え、新規な電圧合成器を提供できるものであ
る。
【００５１】請求項２に記載の光学式零相電流センサに
あっては、３相の変流器のそれぞれの２次電流に比例し
た電圧を１個のポッケルス素子で３相合成して零相電流
を検出する構成であるため、従来のように各相毎に電圧
センサを用いる必要がなく、しかも、３相合成のための
高精度かつ複雑な電子回路を用いる必要がなく、構成部
品が非常に少なくなり、かつ安価になるものである。
あっては、３相の変流器のそれぞれの２次電流に比例し
た電圧を１個のポッケルス素子で３相合成して零相電流
を検出する構成であるため、従来のように各相毎に電圧
センサを用いる必要がなく、しかも、３相合成のための
高精度かつ複雑な電子回路を用いる必要がなく、構成部
品が非常に少なくなり、かつ安価になるものである。
【００５２】そのうえ、共通のポッケルス素子に各相の
２次側電圧を印加するため、各相毎に電圧センサを用い
る場合のような各センサのばらつきによる残留電流は発
生せず、光源の波長分散や波長シフトに対しても検出感
度が変化するだけで、残留電流を発生させることがなく
、高精度な零相電流の検出が実現するものである。
２次側電圧を印加するため、各相毎に電圧センサを用い
る場合のような各センサのばらつきによる残留電流は発
生せず、光源の波長分散や波長シフトに対しても検出感
度が変化するだけで、残留電流を発生させることがなく
、高精度な零相電流の検出が実現するものである。
【図１】本発明による光学式零相電流センサの１実施例
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【図２】柱上開閉器の概略構成を示す断面図である。
【図３】従来の零相電流センサの構成図である。
【図４】図３の電圧センサの斜視図である。
５ 主回路導体
９ 変流器
１２ 負担抵抗
１６ ポッケルス素子
１７ａ，１７ｂ，１７ｃ 電極
１８ａ，１８ｂ，１８ｃ 電極
Claims (2)
- 【請求項１】 ポッケルス素子の光軸に平行な対向す
る２面に、互いに向かい合う複数対の電極を光軸方向に
配列して装着し、前記各対の電極間にそれぞれ複数種の
電圧を印加し、前記各電圧を横型光変調方式により合成
することを特徴とする光学式電圧合成器。 - 【請求項２】 ポッケルス素子の光軸に平行な対向す
る２面に、互いに向かい合う３対の電極を光軸方向に配
列して装着し、開閉器の３相の主回路導体にそれぞれ変
流器を取り付けると共に、前記各変流器の２次電流をそ
れぞれ電圧に変換する素子を設け、前記各素子からの各
相の電圧を前記各対の電極間にそれぞれ印加し、横型光
変調方式により前記各相の電圧を合成して零相電流を検
出することを特徴とする光学式零相電流センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3125541A JPH04326066A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 光学式電圧合成器及び光学式零相電流センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3125541A JPH04326066A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 光学式電圧合成器及び光学式零相電流センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04326066A true JPH04326066A (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=14912754
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3125541A Pending JPH04326066A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | 光学式電圧合成器及び光学式零相電流センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04326066A (ja) |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP3125541A patent/JPH04326066A/ja active Pending
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