JPH04326073A - 半導体装置の測定装置 - Google Patents
半導体装置の測定装置Info
- Publication number
- JPH04326073A JPH04326073A JP3096019A JP9601991A JPH04326073A JP H04326073 A JPH04326073 A JP H04326073A JP 3096019 A JP3096019 A JP 3096019A JP 9601991 A JP9601991 A JP 9601991A JP H04326073 A JPH04326073 A JP H04326073A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pulse
- test signal
- transistor
- semiconductor device
- test
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000012216 screening Methods 0.000 abstract description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の測定装置に
関し、特に内部の電気的接続状態の測定に関する。
関し、特に内部の電気的接続状態の測定に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の半導体装置の測定装置は、
単に被試験半導体装置の外部端子間の直流特性をテスト
する測定装置であった。この直流特性測定装置は、本来
その半導体装置自体が有している特性を測定するための
もので、具体的には直流リーク特性，直流耐圧特性の測
定が主であり、しかもその測定条件は特定の一条件を用
いている。
単に被試験半導体装置の外部端子間の直流特性をテスト
する測定装置であった。この直流特性測定装置は、本来
その半導体装置自体が有している特性を測定するための
もので、具体的には直流リーク特性，直流耐圧特性の測
定が主であり、しかもその測定条件は特定の一条件を用
いている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置の測定装置は、内部のワイヤーボンディングのボン
ディング不良による接続不安定状態、いわゆるルーズコ
ンタクト不良があっても単なる直流特性の測定だけでは
検出出来ずに電気的特性上良品と誤判断するという問題
があった。
装置の測定装置は、内部のワイヤーボンディングのボン
ディング不良による接続不安定状態、いわゆるルーズコ
ンタクト不良があっても単なる直流特性の測定だけでは
検出出来ずに電気的特性上良品と誤判断するという問題
があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の測
定装置は、被試験半導体装置の端子間に過電流パルスを
供給する電流パルス発生部とランダムパルスを供給する
ランダムパルス発生部とを有するテスト信号発生部と、
前記被試験半導体装置が前記ランダムパルス発生部の出
力するテスト信号を受けて出力するテスト結果信号と前
記テスト信号とを入力して波形を比較する比較回路とを
含んで構成されている。
定装置は、被試験半導体装置の端子間に過電流パルスを
供給する電流パルス発生部とランダムパルスを供給する
ランダムパルス発生部とを有するテスト信号発生部と、
前記被試験半導体装置が前記ランダムパルス発生部の出
力するテスト信号を受けて出力するテスト結果信号と前
記テスト信号とを入力して波形を比較する比較回路とを
含んで構成されている。
【０００５】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図１は本発明の一実施例のブロック図である。測定装
置は、被試験トランジスタ１にスイッチ４を介してそれ
ぞれ電流パルスＰＩおよびランダムパルスＰＲを供給す
るスクリーニング用電流パルス発生部２ＩＰおよびラダ
ムパルス発生部２ＲＰを有するテスト信号発生部２と、
テスト信号ＶＴおよび被試験トランジスタ１の出力する
テスト結果信号ＶＲとを入力して比較する比較回路３と
を有している。
。図１は本発明の一実施例のブロック図である。測定装
置は、被試験トランジスタ１にスイッチ４を介してそれ
ぞれ電流パルスＰＩおよびランダムパルスＰＲを供給す
るスクリーニング用電流パルス発生部２ＩＰおよびラダ
ムパルス発生部２ＲＰを有するテスト信号発生部２と、
テスト信号ＶＴおよび被試験トランジスタ１の出力する
テスト結果信号ＶＲとを入力して比較する比較回路３と
を有している。
【０００６】次に図２を参照してブロックの動作を説明
する。まず電流パルス発生部２ＩＰから被試験トランジ
スタ１の最大定格電流Ｐ２よりも大きいスクリーニング
パルス電流ＰＳと定格電流Ｐ２を被試験トランジスタ１
のベース・エミッタに順に印加する。次に、パルス幅の
ランダムなパルス群ＰＲを印加する。比較回路３はテス
ト信号ＶＴとトランジスタ１の出力する結果パルスＶＲ
のパルス数，パルス幅等について比較し、一致しない場
合は被試験トランジスタ１にルーズ・コンタクトがあり
不良と判定する。
する。まず電流パルス発生部２ＩＰから被試験トランジ
スタ１の最大定格電流Ｐ２よりも大きいスクリーニング
パルス電流ＰＳと定格電流Ｐ２を被試験トランジスタ１
のベース・エミッタに順に印加する。次に、パルス幅の
ランダムなパルス群ＰＲを印加する。比較回路３はテス
ト信号ＶＴとトランジスタ１の出力する結果パルスＶＲ
のパルス数，パルス幅等について比較し、一致しない場
合は被試験トランジスタ１にルーズ・コンタクトがあり
不良と判定する。
【０００７】この測定装置によれば、従来はルーズ・コ
ンタクト不良品の約１％が良品と誤判定されていたのに
対しほぼ全数不良と判定し正確なスクリーニング試験が
できる。また、さらに確実にするために、被試験トラン
ジスタ１の測定中に機械的な振動を加えても良い。
ンタクト不良品の約１％が良品と誤判定されていたのに
対しほぼ全数不良と判定し正確なスクリーニング試験が
できる。また、さらに確実にするために、被試験トラン
ジスタ１の測定中に機械的な振動を加えても良い。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、テ
スト信号として大電流パルスとランダムパルムを被試験
半導体装置に順次供給し、そのテスト結果信号とテスト
信号を比較するので、ルーズコンタクト不良の測定が正
確実に行える。
スト信号として大電流パルスとランダムパルムを被試験
半導体装置に順次供給し、そのテスト結果信号とテスト
信号を比較するので、ルーズコンタクト不良の測定が正
確実に行える。
【図１】本発明の一実施例のブロック図である。
【図２】図１のブロックの動作を説明するためのテスト
信号波形図である。
信号波形図である。
１ 被試験トランジスタ
２ テスト信号発生部
２ＩＰ スクリーニング用電流パルス発生部２Ｒ
Ｐ ランダムパルス発生部 ３ ランダムパルス比較回路 ４ スイッチ ＰＩ 電流パルス ＰＲ ランダムパルス ＶＴ テスト信号
Ｐ ランダムパルス発生部 ３ ランダムパルス比較回路 ４ スイッチ ＰＩ 電流パルス ＰＲ ランダムパルス ＶＴ テスト信号
Claims (1)
- 【請求項１】 被試験半導体装置の端子間に過電流パ
ルスを供給する電流パルス発生部とランダムパルスを供
給するランダムパルス発生部とを有するテスト信号発生
部と、前記被試験半導体装置が前記ランダムパルス発生
部の出力するテスト信号を受けて出力するテスト結果信
号と前記テスト信号とを入力して波形を比較する比較回
路とを含むことを特徴とする半導体装置の測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3096019A JPH04326073A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 半導体装置の測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3096019A JPH04326073A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 半導体装置の測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04326073A true JPH04326073A (ja) | 1992-11-16 |
Family
ID=14153567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3096019A Pending JPH04326073A (ja) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | 半導体装置の測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04326073A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100721467B1 (ko) * | 1999-11-09 | 2007-05-23 | 바스프 악티엔게젤샤프트 | 포름산의 제조 방법 |
| CN105021969A (zh) * | 2015-07-10 | 2015-11-04 | 湘潭大学 | 一种半导体三极管放大倍数脉冲测试方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5039073A (ja) * | 1973-08-08 | 1975-04-10 | ||
| JPH02216475A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Nec Corp | 半導体装置の検査方法 |
-
1991
- 1991-04-26 JP JP3096019A patent/JPH04326073A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5039073A (ja) * | 1973-08-08 | 1975-04-10 | ||
| JPH02216475A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Nec Corp | 半導体装置の検査方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100721467B1 (ko) * | 1999-11-09 | 2007-05-23 | 바스프 악티엔게젤샤프트 | 포름산의 제조 방법 |
| CN105021969A (zh) * | 2015-07-10 | 2015-11-04 | 湘潭大学 | 一种半导体三极管放大倍数脉冲测试方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971014 |