JPH04326538A - 微小プローブの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は走査型トンネル顕微鏡ま
たはその原理を応用した高密度記録再生装置等に用いら
れる微小プローブ及びカンチレバー型プローブの製造方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年において、導体の表面原子の電子構
造を直接観測できる走査型トンネル顕微鏡（以下、ＳＴ
Ｍと略す）が開発され（Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇ　　ｅｔａｌ
．，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．４９（１９８２）５
７）、単結晶、非晶質を問わず実空間像を著しく高い分
解能（ナノメートル以下）で測定できるようになった。 ＳＴＭは金属のプローブと導電性物質の間に電圧を加え
て、１ｎｍ程度の距離まで近づけるとトンネル電流が流
れることを利用している。この電流は両者の距離変化に
非常に敏感で指数関数的に変化するので、トンネル電流
を一定に保つようにプローブを走査することにより実空
間の表面構造を原子オーダの分解能で観察することがで
きる。ＳＴＭを用いた解析は導電性材料に限られるが、
導電性材料の表面に薄く形成された絶縁膜の構造解析に
も応用され始めている。更に、係る装置・手段は微小電
流を検知する方法を用いているため、媒体に損傷を与え
ずに、かつ低電力で観測できる利点をも有する。また、
大気中での動作も可能である。

【０００３】このＳＴＭは試料表面と対向するプローブ
先端の曲率半径が小さいほど分解能が高いとされている
。理想的には先端が１原子程度まで尖っていることが望
まれている。更にこのＳＴＭの応用例の一つとして超高
密度記録・再生装置があるが、勿論、高い記録密度を達
成するために先端部の曲率半径が小さいことが要求され
ている。と同時に、記録・再生システムの機能向上、特
に高速化の観点から、多数のプローブを同時に駆動する
こと（プローブのマルチ化）が提案され、この為に同一
基板上に作製された特性の揃ったプローブが求められて
いる。

【０００４】従来、上記の様な微小プローブの形成方法
として、半導体製造プロセス技術を使いシリコンの異方
性エッチングにより、マルチに配列した微小プローブが
記載されている（特開昭６１−２０６１４８号公報）。 又、リフトオフ法を応用した微小プローブの形成方法が
提案されている。

【０００５】以下、この方法による微小プローブの製造
方法を図２に示す。まず最初に、支持体１上に、プロー
ブ引き出し電極２とリフトオフ層３と円形ないし多角形
のマスク開口部６を有するマスク層４からなる層状構造
の複合薄膜を用意する。

【０００６】次に、図２（ａ）に示すように、支持体１
を回転させた状態で支持体１上の複合薄膜に対して斜め
方向から開口部に向かって、所望のプローブ材料８を蒸
着する。この時、マスク層４上にもプローブ材料８が蒸
着され、かつ、マスク層４の開口部端にも蒸着されるた
めに、蒸着の進行に伴ってマスク開口部６が覆われ開口
部面積が減少する（図２（ｂ））。その結果、マスク層
４下に先端の尖った円錐ないし角錐状の蒸着物質による
微小突起が形成される。

【０００７】その後、リフトオフ層３を化学処理等によ
って取り除くことによって、前記支持体上の微小プロー
ブ９を得ることができる（図２（ｃ））。

【０００８】一方、記録媒体との間隔が微調整可能な駆
動手段上に存在するトンネル電流発生用プローブからな
る変換器から電圧印加することによって記録媒体表面の
仕事関数を変化させ、記録書き込みし、また、仕事関数
の変化によるトンネル電流の変化を検知して、情報の読
み出しを行う、最小記録面積が１０ｎｍ平方となる記録
再生装置が提案されている。

【０００９】かかる装置においては、試料を探針で数ｎ
ｍ〜数μｍの範囲で走査する必要があり、その際の移動
機構として圧電体素子（バイモルフ）が用いられる。こ
の例としては、３本の圧電体素子をｘ，ｙ，ｚ方向に沿
って互いに直行するように組み合わせ、その交点に探針
を配置したトライポッド型や、円筒型の圧電体素子の外
周面の電極を分割して一端を固定し、他端に探針を取り
付け、各々の分割電極に対応させて円筒を変形させて走
査する円筒型などのタイプがある。

【００１０】さらに圧電体バイモルフを用いたカンチレ
バー型プローブが提案されている（ＵＳＰ　　Ｎｏ．４
，９１２，８２２）。以下このカンチレバー型プローブ
の製造方法について図５を用いて説明する。

【００１１】まずシリコン基板２１上に形成された保護
層２２の裏面の一部に開口部を設け、しかる後にＫＯＨ
水溶液を用いた異方性エッチングにより、シリコンメン
ブレン２３を形成する（図５（ａ））。次に金属電極２
４，２６，２８と圧電体２５，２７の積層構造から成る
圧電体バイモルフを保護層２２上に形成する（図５（ｂ
））。次にリフトオフ層２９を該圧電バイモルフ上を含
めた基板上に形成した後、該圧電体バイモルフ上に開口
部を形成する。続いて、プローブ材料３０を蒸着により
形成する（図５（ｃ））。次にリフトオフ層２９を溶解
して不用のプローブ材料３０を除去することにより、プ
ローブ３１を得る。続いて、保護膜３２を表面に形成す
る（図５（ｄ））。次に裏面方向からプラズマエッチン
グを行い、シリコンメンブレン３を除去し、続いて保護
層３２を除去することでカンチレバー型プローブを製造
している（図５（ｅ））。

【００１２】この様に作製されたカンチレバー型プロー
ブは■　　プローブが圧電変位素子上に形成されている
ため、プローブ位置をＸ，Ｙ，Ｚの３次元的に移動させ
ることができる。■　　半導体製造プロセス技術を用い
て形成されるため小型化及びマルチ化が容易であり、さ
らに大量生産も可能である。というような利点がある。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示す従来のプローブ製造法ではリフトオフ層にフォトレ
ジスト等の有機材料、又はＡｌ２Ｏ３等を用い、マスク
開口部下のリフトオフ層の加工方法としては等方性エッ
チングにより加工し、アンダーカットを生じさせている
。 しかしこの方法ではエッチングむらのためアンダーカッ
トを制御するのは難しく、特にリフトオフ層にフォトレ
ジストを用い、アセトンで加工する場合には加工時間が
数秒と短いため、アンダーカットを制御するのは困難で
あった。このためプローブを形成する際にアンダーカッ
トが小さいとプローブ下にレジストが残り、リフトオフ
時にプローブも除去されてたり、又アンダーカットが大
きいとマスク層が湾曲し、開口部の高さ位置が変化する
ため、プローブの高さ、形状がバラツクという問題があ
った。

【００１４】一方、図５に示す従来のカンチレバー型プ
ローブの製造方法に於いて、この製造工程順序は重要で
ある。というのは先にシリコンメンブレンを除去し、圧
電バイモルフからなるカンチレバーを形成した後にプロ
ーブ形成を行う場合には、カンチレバーは厚さがたかだ
か１〜２μｍの片持ち梁形状となっているため、その先
端にプローブ用の開口部を形成することは極めて困難だ
からである。そこで従来例の様にプローブ形成後にシリ
コンメンブレンを除去しカンチレバー型プローブを製造
している。しかしながらこの場合には以下の様な問題点
があった。■　　プローブの保護が有機材料等の比較的
軟らかい材料で行われていたため、後工程であるプラズ
マエッチング時にプローブが損傷、又は変形する場合が
あった。これはプラズマエッチング時にプローブの形成
された面をエッチング装置の陰極電極上に設置するため
に生じていた。■　　プローブに直接、保護膜が形成さ
れるため、後で保護膜を除去する時に完全に除去するこ
とが困難であったため、プローブが汚染されプローブの
特性を劣化させていた。

【００１５】本発明の目的は上述の従来技術の問題点に
鑑みなされたものであって、プローブを再現性よく形成
でき、且つマルチ化した場合に形状のそろったプローブ
が得られる微小プローブの製造方法を提供することにあ
る。

【００１６】本発明の目的は、プローブの損傷を低減さ
せ、特性の向上が図れるカンチレバー型プローブの製造
方法を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段及び作用】本発明の微小プ
ローブ製造方法によれば、リフトオフ層にポジ型フォト
レジストを用い、斜め露光を用いたフォトリソグラフィ
により、リフトオフ層の開口部を逆テーパー形状に形成
するものである。ここでフォトマスクとなるマスク層は
リフトオフ層上に形成されているため、容易に斜め露光
が任意の角度で行える。さらにフォトリソグラフィーを
用いることにより、リフトオフ層の開口部の形状を容易
に制御できるようにしたものである。

【００１８】すなわち、本発明の特徴とするところは蒸
着及びリフトオフ法により形成される微小プローブの製
造方法に於いて、リフトオフ層にポジ型フォトレジスト
を用い、該リフトオフ層上に開口部を有するマスク層を
形成したのち斜め露光により、該マスク層開口部下のリ
フトオフ層を感光させ、その後現像により開口部下に逆
テーパーパターンを形成する微小プローブの製造方法で
ある。

【００１９】また、本発明のカンチレバー型プローブの
製造方法によれば、プローブ材料の堆積後に形成された
、リフトオフ層上のプローブ材料を後工程でのプローブ
の保護膜として用いることにより、プローブに直接保護
膜を形成することなくプローブの保護ができる様にした
ものである。

【００２０】すなわち本発明の特徴とするところは、基
板及び基板上に形成された梁状の圧電変位素子、該圧電
変位素子の自由端側に設けられたプローブから構成され
るカンチレバー型プローブの製造方法に於いて、基板上
に金属電極と圧電体の積層よりなる圧電バイモルフを形
成する第１工程、前記第１工程を完了した基板の前記圧
電バイモルフのある側の全面上にリフトオフ層を形成す
る第２工程、前記第２工程を完了した前記圧電バイモル
フ上の前記リフトオフ層に開口部を形成する第３工程、
前記第３工程を完了した前記リフトオフ層上にプローブ
材料を堆積する第４工程、前記第４工程を完了した基板
の前記圧電バイモルフ下の基板をエッチングにより除去
し梁形状とする第５工程、前記第５工程を完了した基板
の前記リフトオフ層を除去する第６工程を連続して含ん
で形成されるカンチレバー型プローブの製造方法である
。

【００２１】続いて図面を用いて本発明を説明する。図
１は本発明の微小プローブの製造工程図である。

【００２２】図１（ａ）に於いて、先ず支持体１を用意
する。該支持体１は表面凹凸の小さい材料が好ましく、
例えば＃７０５９フュージョン、溶融石英さらには表面
を研磨した＃７０５９、石英、シリコンウェハー等を用
いることができる。又駆動機構を有する基板、例えばＰ
ＬＺＴ圧電体、基板に形成された圧電素子、さらには静
電力を用いた片持ち梁（カンチレバー）及び両持ち梁等
を用いることができる。次に支持体１上にプローブ引き
出し電極２を形成する。該プローブ引き出し電極２はト
ンネル電流を取り出す配線であるから高導電性を有して
いれば良い。次にプローブ引き出し電極２上にリフトオ
フ層３を形成する。該リフトオフ層３としてはポジ型フ
ォトレジストを用いて、感光性を失わない条件でベーキ
ングをする必要がある。次にマスク層４をリフトオフ層
３上に形成する。該マスク層４は後工程でフォトマスク
としての役割りがあるため、紫外線を通さない金属材料
が好ましい。次にマスク層４上にレジスト層５を形成す
る。該レジスト層５のベーキング条件としては、リフト
オフ層のベーキング温度以下とすることが好ましい。

【００２３】続いて図１（ｂ）に於いて、レジスト層５
をフォトリソグラフィーを用いてパターニングし、露出
したマスク層４をエッチング除去する。しかる後、支持
体を露光光源に対して傾斜させ、回転させながら全面を
露光させることによりマスク開口部下を感光させる。尚
ここでは支持体を回転させながら露光しているが、多方
向から露光を行っても同様の効果が得られる。

【００２４】続いて図１（ｃ）に於いて、感光部分の現
像を行うことにより、露光入射角に対応した逆テーパー
形状の開口部が得られる。又レジスト層５も同様に除去
される。尚、ここでは斜め露光と現像により逆テーパー
形状を得ているが、露光入射角が深く（基板面に対して
平行に近い角度）なった場合には開口部直下が感光され
ないことが生じるため、一度基板面に対して垂直方向か
ら露光し感光させた方が良い。

【００２５】続いて図１（ｄ）に於いて、支持体を回転
させながら、斜め蒸着により、プローブ材料８を形成す
る。該形成方法としては従来公知の薄膜形成技術で充分
であるが、リフトオフ法によりプローブを形成するため
、蒸着時に方向性の高い方法が好ましい。例えば真空蒸
着法、イオンビームスパッタ法等が挙げられる。更にプ
ローブ材料８としては酸化しにくい、高導電性の材料が
好ましく、例えばプラチナ、金、パラジウム等が挙げら
れる。さらに好ましくは硬い材料であるＷＣ，ＴｉＣ等
が良い。

【００２６】続いて図１（ｅ）に於いて、リフトオフ層
３を有機溶剤等を用いて除去することにより、プローブ
９が形成される。

【００２７】以下、図面を参照しつつ本発明のカンチレ
バー型プローブの製造方法を説明する。図３は本発明の
各製造工程の断面図である。

【００２８】まず図３（ａ）に於いてシリコン基板２１
上に保護層２２を形成し、続いてフォトエッチングによ
り該保護層２２に開口部を設けた後、異方性エッチング
により露出したシリコンを途中まで加工しシリコンメン
ブレンを形成する。尚該保護層２２としては、該シリコ
ン基板２１と選択的にエッチング可能な材料、例えば窒
化シリコン、酸化シリコン等が適用できる。又異方性エ
ッチングのエッチング液としては基板の結晶方位により
エッチング速度が異なる液、例えば水酸化カリウム水溶
液、アンモニア水、ヒドラジン、エチレンジアミンとピ
ロカテコールの水溶液等が適用できる。

【００２９】次に図３（ｂ）に於いて、該保護層２２上
に下電極２４を形成後、圧電体２５、中電極２６、圧電
体２７、上電極２８を順次形成し圧電バイモルフを形成
する。尚、該上、中、下電極は圧電体の駆動用電極であ
り、Ａｌ，Ａｕ，Ｃｒ等の金属を堆積させて形成される
。又圧電体５，７としてはＺｎＯ，ＡｌＮ等の圧電材料
を用い、マグネトロンスパッタ等によりＣ軸配向の膜を
形成する。

【００３０】次に図３（ｃ）に於いて、リフトオフ層２
９を該圧電バイモルフを含む基板上に形成し、その後該
圧電バイモルフ上に開口部を形成する。尚リフトオフ層
２９としてはフォトレジスト材料であるＲＤ−２０００
Ｎ（日立化成製）や有機材料上に形成された無機材料の
２層構成等の逆テーパー形状又は下層のアンダーカット
などにより開口部を形成する。続いて該リフトオフ層２
９上にプローブ材料を蒸着等により形成する。この時蒸
着に伴い開口部径が徐々に小さくなるため、開口部下に
円錐状の突起が形成されることを利用している。尚この
方法は従来公知の技術である。又該プローブ材料として
は貴金属及び貴金属合金又はＷＣ，ＴｉＣ等の金属炭化
物を適用できる。

【００３１】次に図３（ｄ）に於いて、シリコンメンブ
レン２３を裏面よりエッチングしシリコンメンブレン２
３を除去し、さらにリフトオフ層２９を除去することに
よりカンチレバー型プローブを製造する（図３（ｅ））
。以上の製造工程に係る薄膜の作製方法は従来公知の技
術、例えば半導体産業で一般に用いられている真空蒸着
法やスパッタ法、化学気相成長法などの薄膜作製技術や
フォトリソグラフ技術およびエッチング技術を適用する
ことができ、その作製方法は本発明を制限するものでは
ない。

【００３２】

【実施例】以下、本発明の実施例にてさらに具体的に説
明する。

【００３３】実施例１ 微小プローブの製造を実施した。製造工程は図１に沿っ
ている。

【００３４】先ず図１（ａ）に示すように支持体１上に
厚さ１００ｎｍの金蒸着膜をパターニングし、プローブ
引き出し電極２を形成する。続いてポジ型フォトレジス
トＡＺ４６２０（ヘキスト社製）をスピナーによって塗
布し、更に１００℃，３０分でプリベークを行いリフト
オフ層３を形成した。スピナーの回転数は５０００ｒｐ
ｍとし、この時得られたレジスト膜厚は６．０μｍであ
った。続いてリフトオフ層３上に厚さ３００ｎｍのアル
ミニウム蒸着膜を形成しマスク層４とした。続いて、マ
スク層４上にポジ型フォトレジストＡＺ１３７０（ヘキ
スト社製）をスピナーによって塗布し、更に８０℃，１
５分でプリベークを行い、膜厚１．３μｍのレジスト層
５を形成した。

【００３５】次に図１（ｂ）に示すように微小プローブ
を形成しようとする領域に対して紫外線光を照射、レジ
スト層５を露光し現像処理によって露光部分のレジスト
を除去した。この時現像液にはＭＩＦ−３１２（ヘキス
ト社製）を水で半分に希釈したものを用い、現像時間を
３０秒とした。さらに露出したＡｌをりん酸系のエッチ
ャントでエッチングし、マスク開口部６を形成した。続
いて紫外線光源に対して基板面を１５°傾斜させ、基板
を回転させながら、紫外線７を全面に照射した。この時
、露光装置にはＭＡ−１０（ミカサ製）を用い、露光時
間を４０秒とした。

【００３６】次に図１（ｃ）に示すように現像処理を行
い、リフトオフ層３に逆テーパー形状の開口部を形成し
た。この時、現像液にはＡＺデベロッパー（ヘキスト社
製）を用い、現像時間は６０秒とした。

【００３７】次に図１（ｄ）に示すように、係る形状の
構造体上に、プローブ材料８として金を蒸着した。蒸着
は基板を回転させた状態で、斜め方向（基板鉛直方向に
対して１５°方向）から行った。該蒸着によってプロー
ブ材料８がマスク開口部６下の基板１上に成長すると同
時にマスク層４上にも成長し、蒸着の進行とともにマス
ク開口部６の面積が減少した。

【００３８】更に図１（ｅ）に示すようにリフトオフに
より、不用部分を除去し、先端の尖ったプローブ９を得
た。この時リフトオフにはアセトンを用い、超音波洗浄
により、リフトオフ層３を溶解した。

【００３９】次に上述した方法により作製した微小プロ
ーブをＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）で観察したところ、
先端が鋭利に形成されているプローブを確認した。尚プ
ローブ形状は底部の直径６μｍ、高さ６．５μｍであり
先端曲率半径は０．０６μｍであった。

【００４０】実施例２ プローブをマルチにし、プローブ材料をＴｉＣに変更し
た以外は全て実施例１と同様にしてプローブを作製した
。尚ＴｉＣの成膜にはイオンビームスパッタを用いた。 プローブ数はマトリックス状に配置し、２５個とした。 尚プローブ間のピッチは２０μｍとし、開口径は４μｍ
とした。こうして形成したプローブをＳＥＭで観察した
ところ、プローブ形状は底部の直径６μｍ±０．２μｍ
、高さ６．４μｍ±０．１μｍ、先端曲率半径は０．０
５μｍ±０．０２μｍのバラツキ内に収っており、マル
チにした場合に形状のそろったプローブが得られる事が
判った。

【００４１】実施例３ カンチレバー型プローブの製造を実施した。製造工程は
図３に沿っている。

【００４２】まずシリコン半導体基板２１上に保護層２
２として膜厚２００ｎｍの窒化シリコン膜をＬＰ−ＣＶ
Ｄ法により形成し、続いてフォトエッチング法により該
保護層２２に開口部を設けた後、水酸化カリウム水溶液
を用いた異方性エッチングにより露出したシリコンを加
工し、厚さ３０μｍのシリコンメンブレン２３を形成し
た（図３（ａ））。

【００４３】次に保護層２２上に下電極２４を形成後に
圧電体２５、中電極２６、圧電体２７、上電極２８を順
次形成し圧電バイモルフを形成した。ここで該電極には
蒸着による厚さ１００ｎｍの金を用いた。又、圧電体に
は、マグネトロンスパッタ法により厚さ３００ｎｍのＺ
ｎＯを用いた（図３（ｂ））。

【００４４】次にリフトオフ層２９としてＲＤ−２００
０Ｎフォトレジスト（日立化成製）を２．０μｍ全面に
塗布し、フォトリソグラフィー法によりφ２μｍの開口
部を形成した。続いて該リフトオフ層２９上にプローブ
材料としてパラジウムを蒸着により、３μｍ堆積させた
。尚この時に開口部にプローブ３１が形成された（図３
（ｃ））。

【００４５】次にプラズマエッチングによりシリコンメ
ンブレン２３を加工したのち、リフトオフ層２９をアセ
トンで除去することにより、カンチレバー型プローブを
製造した（図３（ｄ），（ｅ））。

【００４６】以上の様にして作製したカンチレバー型プ
ローブを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて観察した
ところ、プローブは高さ３μｍ、底部の直径２．８μｍ
の円錐形状であった。又プローブ先端の変形は生じてい
なかった。さらに該カンチレバー型プローブをＳＴＭ装
置に組み込み評価を行った。図４はＳＴＭ装置のブロッ
ク図であり、図中２０１はバイアス印加用電源、２０２
はトンネル電流増幅回路、２０３はカンチレバー駆動用
ドライバ、２０４はカンチレバー、２０５はプローブ、
２０６はサンプルである。ここでプローブ２０５とサン
プル２０６との間を流れるトンネル電流Ｉｔを検出し、
Ｉｔが一定となるようにフィードバックをかけ、カンチ
レバーを駆動し、プローブ２０５とサンプル２０６との
間隔を一定に、保っている。ここでサンプルにはＨＯＰ
Ｇ基板を用い、バイアス電流１ｎＡ，スキャンエリア１
００Å×１００Åで観察したところ、良好な原子像を再
現性良く得ることができた。このことからプローブがレ
ジスト残渣等の汚染を受けていないことが確認できた。

【００４７】実施例４ リフトオフ層２９以外は実施例３と全く同様の製造方法
でカンチレバー型プローブを形成した。この時リフトオ
フ層２９としてはポジ型フォトレジストＡＺ４６２０（
ヘキスト社製）を５μｍ厚に塗布した上にアルミニウム
を３００ｎｍ厚形成し、アルミニウムにフォトエッチン
グ法で開口部を形成したのち、露出したＡＺ４６２０を
等方的に加工したものを用いた。又プローブ材料には厚
さ６μｍのパラジウムとし、リフトオフにはアセトンを
用いた。

【００４８】以上の様に作製したカンチレバー型プロー
ブをＳＥＭで観察したところ、プローブは高さ５．５μ
ｍ、底部の直径４μｍに形成されており、先端部の変形
は生じていなかった。さらに実施例３と同様にＳＴＭに
組み込んで評価したところ、実施例３と同等の結果を得
た。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように本発明の微小プロー
ブ製造方法によれば、リフトオフ層の開口部を斜め露光
を用いたフォトリソグラフィーにより形成するため、開
口部形状を再現性よく制御できる様になった。このこと
から微小プローブを再現性よく形成でき、且つマルチ化
した場合に形状のそろったプローブが得られるという効
果がある。

【００５０】また、本発明のカンチレバー型プローブの
製造方法では、プローブ材料の堆積後に形成されたリフ
トオフ層のプローブ材料を保護膜として用いることによ
り以下の効果が得られる。■　　プローブがプローブ材
料により保護されているため、後工程での損傷、変形が
生じにくいことにより、歩留りが向上する。■　　プロ
ーブに直接保護層が形成されないため、プローブ表面を
汚染しなくなり、ＳＴＭプローブに用いた場合特性が向
上する。■　　新たに保護膜を形成しないで済むため、
製造工程の短縮が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の微小プローブの製造工程図を示す。

【図２】従来の微小プローブの製造工程図を示す。

【図３】本発明のカンチレバー型プローブの製造工程図
を示す。

【図４】ＳＴＭ装置のブロック図を示す。

【図５】従来のカンチレバー型プローブの製造工程図を
示す。

【符号の説明】

１　　支持体 ２　　プローブ引き出し電極 ３　　リフトオフ層 ４　　マスク層 ５　　レジスト層 ６　　マスク開口部 ７　　紫外線 ８　　プローブ材料 ９　　プローブ ２１　　基板 ２２　　保護層 ２３　　シリコンメンブレン ２４　　下電極 ２５　　圧電体 ２６　　中電極 ２７　　圧電体 ２８　　上電極 ２９　　リフトオフ層 ３０　　プローブ材料 ３１　　プローブ ３２　　保護膜 ２０１　　バイアス印加用電源 ２０２　　トンネル電流増幅回路 ２０３　　カンチレバー駆動用ドライバ２０４　　カン
チレバー ２０５　　プローブ ２０６　　サンプル

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　蒸着及びリフトオフ法により形成され
   る微小プローブの製造方法に於いて、該リフトオフ法に
   用いるリフトオフ層にポジ型フォトレジストを用い、該
   リフトオフ層上に開口部を有するマスク層を形成したの
   ち、斜め露光により、該マスク層開口部下のリフトオフ
   層を感光させ、その後現像により開口部下に逆テーパー
   パターンを形成することを特徴とする微小プローブの製
   造方法。
2. 【請求項２】　　基板及び基板上に形成された梁状の圧
   電変位素子、該圧電変位素子の自由端側に設けられたプ
   ローブから構成されるカンチレバー型プローブの製造方
   法に於いて、基板上に金属電極と圧電体の積層よりなる
   圧電バイモルフを形成する第１工程、前記第１工程を完
   了した基板の前記圧電バイモルフのある側の全面上にリ
   フトオフ層を形成する第２工程、前記第２工程を完了し
   た前記圧電バイモルフ上の前記リフトオフ層に開口部を
   形成する第３工程、前記第３工程を完了した前記リフト
   オフ層上にプローブ材料を堆積する第４工程、前記第４
   工程を完了した基板の前記圧電バイモルフ下の基板をエ
   ッチングにより除去し梁形状とする第５工程、前記第５
   工程を完了した基板の前記リフトオフ層を除去する第６
   工程を連続して含んでなることを特徴とするカンチレバ
   ー型プローブの製造方法。