JPH1166650A - 微小開口を有する突起の製造方法と微小開口を有する突起、及びそれらによるプローブまたはマルチプローブ - Google Patents
微小開口を有する突起の製造方法と微小開口を有する突起、及びそれらによるプローブまたはマルチプローブInfo
- Publication number
- JPH1166650A JPH1166650A JP9244803A JP24480397A JPH1166650A JP H1166650 A JPH1166650 A JP H1166650A JP 9244803 A JP9244803 A JP 9244803A JP 24480397 A JP24480397 A JP 24480397A JP H1166650 A JPH1166650 A JP H1166650A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- light
- minute
- probe
- projection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
- G01Q60/18—SNOM [Scanning Near-Field Optical Microscopy] or apparatus therefor, e.g. SNOM probes
- G01Q60/22—Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y35/00—Methods or apparatus for measurement or analysis of nanostructures
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Optical Head (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、微小な開口を再現性良く形成するこ
とができ、また、基板上に集積化が容易で、複数の微小
開口を形成したときに開口径のばらつきが小さく、バッ
チプロセスでの形成により生産性の高い、微小開口を有
する突起の製造方法と微小開口を有する突起、及びそれ
らによるプローブまたはマルチプローブを提供すること
を目的としている。 【解決手段】本発明の微小開口を有する突起の製造方法
または微小開口を有する突起は、表面に先端部が先鋭化
された形状を有する凹部が形成された第１基板を備え、
該第１基板に形成された凹部の先端部を除いて遮光材料
を堆積することによって、先端部に微小開口を有する遮
光層からなる突起を形成し、該突起を第２基板に転写す
ることを特徴とするものであり、また、本発明はそれら
によって構成したプローブまたはマルチプローブを提供
することを特徴とするものである。
とができ、また、基板上に集積化が容易で、複数の微小
開口を形成したときに開口径のばらつきが小さく、バッ
チプロセスでの形成により生産性の高い、微小開口を有
する突起の製造方法と微小開口を有する突起、及びそれ
らによるプローブまたはマルチプローブを提供すること
を目的としている。 【解決手段】本発明の微小開口を有する突起の製造方法
または微小開口を有する突起は、表面に先端部が先鋭化
された形状を有する凹部が形成された第１基板を備え、
該第１基板に形成された凹部の先端部を除いて遮光材料
を堆積することによって、先端部に微小開口を有する遮
光層からなる突起を形成し、該突起を第２基板に転写す
ることを特徴とするものであり、また、本発明はそれら
によって構成したプローブまたはマルチプローブを提供
することを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微小開口を有する
突起の製造方法と微小開口を有する突起、及びそれらに
よるプローブまたはマルチプローブに関し、特に、近視
野光学顕微鏡等に用いられるエバネッセント光検出また
は照射用の微小開口を有する突起、及び該突起を有する
プローブ、及びこれらの製造方法に関するものである。
突起の製造方法と微小開口を有する突起、及びそれらに
よるプローブまたはマルチプローブに関し、特に、近視
野光学顕微鏡等に用いられるエバネッセント光検出また
は照射用の微小開口を有する突起、及び該突起を有する
プローブ、及びこれらの製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、導体の表面原子の電子構造を直接
観察できる走査型トンネル顕微鏡（以下、「ＳＴＭ」と
いう）が開発されて（Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇ ｅｔ ａ
ｌ．，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ，４９，５７（１９
８２））、単結晶、非晶質を問わず実空間像を高い分解
能で測定ができるようになって以来、走査型プローブ顕
微鏡（以下、「ＳＰＭ」という）が材料の微細構造評価
の分野でさかんに研究されるようになってきた。ＳＰＭ
としては、微小探針を有するプローブを評価する試料に
近接させることにより得られるトンネル電流、原子間
力、磁気力、光等を用いて表面の構造を検出する走査型
トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）、原子間力顕微鏡（ＡＦ
Ｍ）、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）等がある。また、ＳＴＭ
を発展させたものとして、尖鋭なプローブ先端の微小開
口からしみ出すエバネッセント光を試料表面から光プロ
ーブで検出して試料表面を調べる走査型近接場光顕微鏡
（以下ＳＮＯＭと略す）［Ｄｕｒｉｇ他，Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．５９，３３１８（１９８６）］が開発さ
れた。さらに、試料裏面からプリズムを介して全反射の
条件で光を入射させ、試料表面へしみ出すエバネッセン
ト光を試料表面から光プローブで検出して試料表面を調
べるＳＮＯＭの一種であるフォトンＳＴＭ（以下ＰＳＴ
Ｍと略す）［Ｒｅｄｄｉｃｋ他，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ
３９，７６７（１９８９）］も開発された。
観察できる走査型トンネル顕微鏡（以下、「ＳＴＭ」と
いう）が開発されて（Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇ ｅｔ ａ
ｌ．，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ，４９，５７（１９
８２））、単結晶、非晶質を問わず実空間像を高い分解
能で測定ができるようになって以来、走査型プローブ顕
微鏡（以下、「ＳＰＭ」という）が材料の微細構造評価
の分野でさかんに研究されるようになってきた。ＳＰＭ
としては、微小探針を有するプローブを評価する試料に
近接させることにより得られるトンネル電流、原子間
力、磁気力、光等を用いて表面の構造を検出する走査型
トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）、原子間力顕微鏡（ＡＦ
Ｍ）、磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）等がある。また、ＳＴＭ
を発展させたものとして、尖鋭なプローブ先端の微小開
口からしみ出すエバネッセント光を試料表面から光プロ
ーブで検出して試料表面を調べる走査型近接場光顕微鏡
（以下ＳＮＯＭと略す）［Ｄｕｒｉｇ他，Ｊ．Ａｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．５９，３３１８（１９８６）］が開発さ
れた。さらに、試料裏面からプリズムを介して全反射の
条件で光を入射させ、試料表面へしみ出すエバネッセン
ト光を試料表面から光プローブで検出して試料表面を調
べるＳＮＯＭの一種であるフォトンＳＴＭ（以下ＰＳＴ
Ｍと略す）［Ｒｅｄｄｉｃｋ他，Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｂ
３９，７６７（１９８９）］も開発された。
【０００３】さて、上記のＳＮＯＭにおいては、光プロ
ーブの先端径が分解能を決定するため、プローブ表面を
遮光し、先端に微小な開口を形成することにより光の出
口を小さくする方法が取られている。このような微小開
口の形成方法としては、透明結晶の劈開面の交点を金属
でコーティングし、これを固い面に押しつけ交点部分の
金属を除去して交点を露出させ微小開口をする方法（図
１０（ａ）参照）が提案されている（欧州特許ＥＰＯ１
１２４０２号）。また、光ファイバープローブを回転さ
せながらある方向からのみメタルを蒸着することによ
り、メタルの堆積しない部分を作って微小開口を形成す
る方法がある（図１０（ｂ）参照）。
ーブの先端径が分解能を決定するため、プローブ表面を
遮光し、先端に微小な開口を形成することにより光の出
口を小さくする方法が取られている。このような微小開
口の形成方法としては、透明結晶の劈開面の交点を金属
でコーティングし、これを固い面に押しつけ交点部分の
金属を除去して交点を露出させ微小開口をする方法（図
１０（ａ）参照）が提案されている（欧州特許ＥＰＯ１
１２４０２号）。また、光ファイバープローブを回転さ
せながらある方向からのみメタルを蒸着することによ
り、メタルの堆積しない部分を作って微小開口を形成す
る方法がある（図１０（ｂ）参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例においては、ファイバープローブ１本に対する微小
開口形成プロセスが不可欠であり、生産性が低く、か
つ、微小開口の集積化が困難であるという問題点があっ
た。また、微小開口の径を厳密に制御するのが困難で再
現性が得にくいという問題点があった。そこで、本発明
は、上記従来技術の課題を解決し、微小な開口を再現性
良く形成することができ、また、基板上に集積化が容易
で、複数の微小開口を形成したときに開口径のばらつき
が小さく、バッチプロセスでの形成により生産性の高
い、微小開口を有する突起の製造方法と微小開口を有す
る突起、及びそれらによるプローブまたはマルチプロー
ブを提供することを目的としている。
来例においては、ファイバープローブ１本に対する微小
開口形成プロセスが不可欠であり、生産性が低く、か
つ、微小開口の集積化が困難であるという問題点があっ
た。また、微小開口の径を厳密に制御するのが困難で再
現性が得にくいという問題点があった。そこで、本発明
は、上記従来技術の課題を解決し、微小な開口を再現性
良く形成することができ、また、基板上に集積化が容易
で、複数の微小開口を形成したときに開口径のばらつき
が小さく、バッチプロセスでの形成により生産性の高
い、微小開口を有する突起の製造方法と微小開口を有す
る突起、及びそれらによるプローブまたはマルチプロー
ブを提供することを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、微小開口を有する突起の製造方法と微小開
口を有する突起、及びそれらによるプローブまたはマル
チプローブを、つぎのように構成したことを特徴とする
ものである。すなわち、本発明の微小開口を有する突起
の製造方法は、表面に先端部が先鋭化された形状を有す
る凹部が形成された第１基板を備え、該第１基板に形成
された凹部の先端部を除いて遮光材料を堆積することに
よって、先端部に微小開口を有する遮光層からなる突起
を形成し、該突起を第２基板に転写することを特徴とし
ている。また、本発明の微小開口を有する突起の製造方
法は、（ａ）第１基板の表面に凹部を形成する工程であ
って、該凹部の最深部に相当する先端部の形状を、先鋭
化された形状に形成する工程と、（ｂ）真空装置を用い
て前記第１基板表面に遮光材料を堆積し、微小開口を有
する遮光層を形成するに当たり、該第１基板表面の斜め
上方に前記遮光材料のソースがある位置関係を保持しな
がら、該第１基板表面に形成された凹部の先端部を除く
ように該第１基板上に遮光材料を堆積して、該第１基板
表面に形成された凹部の先端部に微小開口を有する遮光
層を形成する工程と、（ｃ）第２基板上に前記第１基板
の遮光層を接合し、前記第１基板を除去することによ
り、該第２基板上に微小開口を有する該遮光層よりなる
突起を転写する工程と、を少なくとも有することを特徴
としている。また、本発明の微小開口を有する突起の製
造方法は、（ａ）第１基板の表面に略角錐型の凹部を形
成する工程であって、該凹部の内壁と該第１基板表面と
のなす角θ１が、先端部において局所的にθ２まで（θ
２＞θ１）先鋭化された該凹部を形成する工程と、
（ｂ）真空装置を用いて前記第１基板表面に遮光材料を
堆積し、微小開口を有する遮光層を形成するに当たり、
該第１基板と遮光材料よりなるソースとを結ぶ線分と該
第１基板の表面とがθ１〜θ２の範囲の一定角度を保持
した状態で、該第１基板を回転させながら、該遮光材料
を該第１基板上に堆積することにより、前記凹部先端部
に微小開口を有する遮光層を形成する工程と、（ｃ）第
２基板上に前記第１基板の遮光層を接合し、前記第１基
板を除去することにより、該第２基板上に微小開口を有
する該遮光層よりなる突起を転写する工程と、を少なく
とも有することを特徴としている。また、本発明のこれ
らの製造方法において、前記表面に凹部が形成される基
板は、シリコン基板からなり、該凹部の表面が該基板を
熱酸化した二酸化シリコン層であることを特徴としてい
る。また、本発明のこれらの製造方法において、前記二
酸化シリコン層は、その膜厚が２００ｎｍ以上であるこ
とを特徴としている。また、本発明のこれらの製造方法
において、前記第２基板上への微小開口を有する遮光層
よりなる突起の転写は、第１基板と遮光層との間に形成
された剥離層を介して該第１基板と該剥離層との界面で
剥離することにより該第１基板を除去して、前記第２基
板の接合層上に該遮光層よりなる微小開口を有する突起
を転写して行われることを特徴としている。また、本発
明のこれらの製造方法において、前記遮光材料の堆積
は、真空蒸着法またはスパッタリング法で行われること
を特徴としている。また、本発明の微小開口を有する突
起は、該微小開口を有する突起が、基板に形成された凹
部の先端部を除いて遮光材料を堆積することによって、
先端部に微小開口を有する遮光層からなる突起を形成
し、該突起を第２基板に転写することにより構成されて
いることを特徴としている。また、本発明の微小開口を
有する突起を具備した微小光検出または微小光照射用の
プローブは、該プローブが、上記した本発明のいずれか
の微小開口を有する突起の製造方法によって形成された
微小開口を有する突起、または上記した本発明の微小開
口を有する突起で構成されていることを特徴としてい
る。また、本発明の微小光検出または微小光照射用のマ
ルチプローブは、上記した本発明のプローブを、基板上
に複数個形成したことを特徴としている。また、本発明
の微小光検出または微小光照射用のプローブは、上記し
た本発明のプローブを、光ファイバーの先端に接合した
ことを特徴としている。また、本発明の微小光検出また
は微小光照射用あるいは微小力検出用のプローブは、上
記した本発明のプローブを、弾性体の自由端部に搭載し
たことを特徴としている。また、本発明の微小光検出ま
たは微小光照射用あるいは微小力検出用のマルチプロー
ブは、上記した弾性体の自由端部に搭載した本発明のプ
ローブを、複数個形成したことを特徴としている。
決するため、微小開口を有する突起の製造方法と微小開
口を有する突起、及びそれらによるプローブまたはマル
チプローブを、つぎのように構成したことを特徴とする
ものである。すなわち、本発明の微小開口を有する突起
の製造方法は、表面に先端部が先鋭化された形状を有す
る凹部が形成された第１基板を備え、該第１基板に形成
された凹部の先端部を除いて遮光材料を堆積することに
よって、先端部に微小開口を有する遮光層からなる突起
を形成し、該突起を第２基板に転写することを特徴とし
ている。また、本発明の微小開口を有する突起の製造方
法は、（ａ）第１基板の表面に凹部を形成する工程であ
って、該凹部の最深部に相当する先端部の形状を、先鋭
化された形状に形成する工程と、（ｂ）真空装置を用い
て前記第１基板表面に遮光材料を堆積し、微小開口を有
する遮光層を形成するに当たり、該第１基板表面の斜め
上方に前記遮光材料のソースがある位置関係を保持しな
がら、該第１基板表面に形成された凹部の先端部を除く
ように該第１基板上に遮光材料を堆積して、該第１基板
表面に形成された凹部の先端部に微小開口を有する遮光
層を形成する工程と、（ｃ）第２基板上に前記第１基板
の遮光層を接合し、前記第１基板を除去することによ
り、該第２基板上に微小開口を有する該遮光層よりなる
突起を転写する工程と、を少なくとも有することを特徴
としている。また、本発明の微小開口を有する突起の製
造方法は、（ａ）第１基板の表面に略角錐型の凹部を形
成する工程であって、該凹部の内壁と該第１基板表面と
のなす角θ１が、先端部において局所的にθ２まで（θ
２＞θ１）先鋭化された該凹部を形成する工程と、
（ｂ）真空装置を用いて前記第１基板表面に遮光材料を
堆積し、微小開口を有する遮光層を形成するに当たり、
該第１基板と遮光材料よりなるソースとを結ぶ線分と該
第１基板の表面とがθ１〜θ２の範囲の一定角度を保持
した状態で、該第１基板を回転させながら、該遮光材料
を該第１基板上に堆積することにより、前記凹部先端部
に微小開口を有する遮光層を形成する工程と、（ｃ）第
２基板上に前記第１基板の遮光層を接合し、前記第１基
板を除去することにより、該第２基板上に微小開口を有
する該遮光層よりなる突起を転写する工程と、を少なく
とも有することを特徴としている。また、本発明のこれ
らの製造方法において、前記表面に凹部が形成される基
板は、シリコン基板からなり、該凹部の表面が該基板を
熱酸化した二酸化シリコン層であることを特徴としてい
る。また、本発明のこれらの製造方法において、前記二
酸化シリコン層は、その膜厚が２００ｎｍ以上であるこ
とを特徴としている。また、本発明のこれらの製造方法
において、前記第２基板上への微小開口を有する遮光層
よりなる突起の転写は、第１基板と遮光層との間に形成
された剥離層を介して該第１基板と該剥離層との界面で
剥離することにより該第１基板を除去して、前記第２基
板の接合層上に該遮光層よりなる微小開口を有する突起
を転写して行われることを特徴としている。また、本発
明のこれらの製造方法において、前記遮光材料の堆積
は、真空蒸着法またはスパッタリング法で行われること
を特徴としている。また、本発明の微小開口を有する突
起は、該微小開口を有する突起が、基板に形成された凹
部の先端部を除いて遮光材料を堆積することによって、
先端部に微小開口を有する遮光層からなる突起を形成
し、該突起を第２基板に転写することにより構成されて
いることを特徴としている。また、本発明の微小開口を
有する突起を具備した微小光検出または微小光照射用の
プローブは、該プローブが、上記した本発明のいずれか
の微小開口を有する突起の製造方法によって形成された
微小開口を有する突起、または上記した本発明の微小開
口を有する突起で構成されていることを特徴としてい
る。また、本発明の微小光検出または微小光照射用のマ
ルチプローブは、上記した本発明のプローブを、基板上
に複数個形成したことを特徴としている。また、本発明
の微小光検出または微小光照射用のプローブは、上記し
た本発明のプローブを、光ファイバーの先端に接合した
ことを特徴としている。また、本発明の微小光検出また
は微小光照射用あるいは微小力検出用のプローブは、上
記した本発明のプローブを、弾性体の自由端部に搭載し
たことを特徴としている。また、本発明の微小光検出ま
たは微小光照射用あるいは微小力検出用のマルチプロー
ブは、上記した弾性体の自由端部に搭載した本発明のプ
ローブを、複数個形成したことを特徴としている。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明の上記した微小開口を有す
る突起は、特に、エバネッセント光を検知または照射す
るために構成したものである。つぎに、本発明の微小開
口を有する突起の製造方法について、図１に基づいて説
明する。第一に、第１基板表面に、凹部の内壁と基板表
面とのなす角θ１が先端部（最深部）においてθ２（θ
２＞θ１）にまで先鋭化されるような凹部を形成する。
そのような凹部の作製方法としては以下の方法がある。
まず、（１００）方位のシリコン単結晶よりなる第１基
板１の表面に保護層２を形成し、次に、保護層２の所望
の箇所を、フォトリソグラフィとエッチングによりパタ
ーニングしてシリコンの一部を露出させ、次に、結晶軸
異方性エッチング等を用いてシリコンをエッチングして
凹部３を形成する。保護層２としては二酸化シリコンや
窒化シリコンを用いることができる。シリコンのエッチ
ングにはティップ先端部を鋭利に形成できる結晶軸異方
性エッチングを用いることが好ましい。エッチング液に
水酸化カリウム水溶液等を用いることにより（１１１）
面と等価な４つの面で囲まれた逆ピラミッド状の凹部３
を形成することができる（図１（ａ）参照）。この場
合、４つの凹部の内壁と第１基板表面とのなす角はほぼ
５５°である。次に、第１基板１のシリコン表面を熱酸
化することにより二酸化シリコン（ＳｉＯ2）よりなる
剥離層４を形成する（図１（ｂ）参照）。この方法によ
り凹部３の先端部を先鋭化することができる。これは、
シリコンの形状により、熱酸化した時の二酸化シリコン
の厚みに差が生じることを利用している。先鋭化の形状
は全体の熱酸化膜の厚さを変えることにより制御するこ
とが可能であり、２００ｎｍ以上の二酸化シリコン膜厚
により先鋭化される。また、剥離層４として二酸化シリ
コンを用いることにより、後の工程で述べる遮光層５と
の剥離が容易となる。先鋭化した凹部を形成する他の方
法としては、ＦＩＢ（集束イオンビーム）をもちいて基
板に凹部を形成する方法がある。すなわち、ＦＩＢによ
り基板に凹部を形成する際、先端部のビーム密度を大き
くして先端部を先鋭化することが可能である。
る突起は、特に、エバネッセント光を検知または照射す
るために構成したものである。つぎに、本発明の微小開
口を有する突起の製造方法について、図１に基づいて説
明する。第一に、第１基板表面に、凹部の内壁と基板表
面とのなす角θ１が先端部（最深部）においてθ２（θ
２＞θ１）にまで先鋭化されるような凹部を形成する。
そのような凹部の作製方法としては以下の方法がある。
まず、（１００）方位のシリコン単結晶よりなる第１基
板１の表面に保護層２を形成し、次に、保護層２の所望
の箇所を、フォトリソグラフィとエッチングによりパタ
ーニングしてシリコンの一部を露出させ、次に、結晶軸
異方性エッチング等を用いてシリコンをエッチングして
凹部３を形成する。保護層２としては二酸化シリコンや
窒化シリコンを用いることができる。シリコンのエッチ
ングにはティップ先端部を鋭利に形成できる結晶軸異方
性エッチングを用いることが好ましい。エッチング液に
水酸化カリウム水溶液等を用いることにより（１１１）
面と等価な４つの面で囲まれた逆ピラミッド状の凹部３
を形成することができる（図１（ａ）参照）。この場
合、４つの凹部の内壁と第１基板表面とのなす角はほぼ
５５°である。次に、第１基板１のシリコン表面を熱酸
化することにより二酸化シリコン（ＳｉＯ2）よりなる
剥離層４を形成する（図１（ｂ）参照）。この方法によ
り凹部３の先端部を先鋭化することができる。これは、
シリコンの形状により、熱酸化した時の二酸化シリコン
の厚みに差が生じることを利用している。先鋭化の形状
は全体の熱酸化膜の厚さを変えることにより制御するこ
とが可能であり、２００ｎｍ以上の二酸化シリコン膜厚
により先鋭化される。また、剥離層４として二酸化シリ
コンを用いることにより、後の工程で述べる遮光層５と
の剥離が容易となる。先鋭化した凹部を形成する他の方
法としては、ＦＩＢ（集束イオンビーム）をもちいて基
板に凹部を形成する方法がある。すなわち、ＦＩＢによ
り基板に凹部を形成する際、先端部のビーム密度を大き
くして先端部を先鋭化することが可能である。
【０００７】第二に、第１基板１の表面に真空装置を用
いて遮光層５を堆積する。遮光層５としては例えばＡ
ｕ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｐｄ，Ｔａ，Ｉｒ，Ｒｅ，
Ｒｈ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ等の金属が好まし
いが、目的に応じて半導体や誘電体が選択されても良
い。特にＡｕ，Ｐｔは、表面の反応性が低いために後工
程で述べる剥離プロセスに有利である。この際、基板面
の斜め上方に遮光材料のソースを配置し、基板を自転さ
せながら堆積させることにより、凹部内壁の影となって
先端部に遮光層が堆積しない微小開口領域が形成され
る。この様子を図９を用いて説明する。すなわち凹部の
内壁が先端部においてθ１からθ２に変化する場合、蒸
着粒子が基板に入射角θ（θ１＜θ＜θ２）で入射する
ようソースを配置し、この状態で基板を自転させること
により、図のように先端部に蒸着粒子の堆積しない微小
開口部が形成される。ソースとは真空蒸着法の場合の蒸
着源であり、また、スパッタリング法の場合のターゲッ
トである。この後、遮光層にて囲まれた領域の内側に光
透過性の材料を形成しても良い。
いて遮光層５を堆積する。遮光層５としては例えばＡ
ｕ，Ｐｔ，Ｗ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｐｄ，Ｔａ，Ｉｒ，Ｒｅ，
Ｒｈ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ等の金属が好まし
いが、目的に応じて半導体や誘電体が選択されても良
い。特にＡｕ，Ｐｔは、表面の反応性が低いために後工
程で述べる剥離プロセスに有利である。この際、基板面
の斜め上方に遮光材料のソースを配置し、基板を自転さ
せながら堆積させることにより、凹部内壁の影となって
先端部に遮光層が堆積しない微小開口領域が形成され
る。この様子を図９を用いて説明する。すなわち凹部の
内壁が先端部においてθ１からθ２に変化する場合、蒸
着粒子が基板に入射角θ（θ１＜θ＜θ２）で入射する
ようソースを配置し、この状態で基板を自転させること
により、図のように先端部に蒸着粒子の堆積しない微小
開口部が形成される。ソースとは真空蒸着法の場合の蒸
着源であり、また、スパッタリング法の場合のターゲッ
トである。この後、遮光層にて囲まれた領域の内側に光
透過性の材料を形成しても良い。
【０００８】第三に、堆積した遮光層５または光透過層
をフォトリソグラフィーとエッチングの手法を用いて所
望の形状にパターニングする（図１（ｃ）参照）。第四
に、上記遮光層５または光透過層を転写する対象となる
第２基板あるいは被転写物を用意し、必要に応じて第２
基板あるいは被転写物上に遮光層５または光透過層と第
２基板との接合を容易にするための接合層を形成する
（図１（ｄ）参照）。例えば光ファイバーを被転写物と
することにより微小開口プローブを有する光ファイバー
とすることができる。また、カンチレバー等の弾性体を
被転写物とすることによりＡＦＭ／ＳＮＯＭ複合プロー
ブとすることができる。
をフォトリソグラフィーとエッチングの手法を用いて所
望の形状にパターニングする（図１（ｃ）参照）。第四
に、上記遮光層５または光透過層を転写する対象となる
第２基板あるいは被転写物を用意し、必要に応じて第２
基板あるいは被転写物上に遮光層５または光透過層と第
２基板との接合を容易にするための接合層を形成する
（図１（ｄ）参照）。例えば光ファイバーを被転写物と
することにより微小開口プローブを有する光ファイバー
とすることができる。また、カンチレバー等の弾性体を
被転写物とすることによりＡＦＭ／ＳＮＯＭ複合プロー
ブとすることができる。
【０００９】第五に、剥離層４上の遮光層５または光透
過層を第２基板８または第２基板８上の接合層７に接合
する。これには、それぞれの基板を真空チャック等によ
り保持できるアライメント装置を用い、第１基板１と第
２基板８とを位置合わせして対向・接触させ、更に荷重
を加えることにより遮光層５または光透過層と、第２基
板８または第２基板８上の接合層７との接合（圧着）を
行う（図１（ｅ）参照）。第六に、剥離層４と遮光層５
の界面で剥離を行い第２基板８または第２基板８上の接
合層７上に遮光層５を転写する。すなわち、第１基板１
と第２基板８を引き離すことにより、剥離層４と遮光層
５との界面で剥離させる（図１（ｆ）参照）。本発明に
よる微小開口を有する突起の形成方法は、微小開口の大
きさが、シリコンの熱酸化の条件と蒸着時の入射角とい
う２つのプロセス条件により決定されるため、従来の方
法と比較して小さい微小開口を再現性良く作製すること
ができる。また、基板上に複数の微小開口を形成した際
もそれぞれの開口径ばらつきを非常に小さく形成するこ
とができる。
過層を第２基板８または第２基板８上の接合層７に接合
する。これには、それぞれの基板を真空チャック等によ
り保持できるアライメント装置を用い、第１基板１と第
２基板８とを位置合わせして対向・接触させ、更に荷重
を加えることにより遮光層５または光透過層と、第２基
板８または第２基板８上の接合層７との接合（圧着）を
行う（図１（ｅ）参照）。第六に、剥離層４と遮光層５
の界面で剥離を行い第２基板８または第２基板８上の接
合層７上に遮光層５を転写する。すなわち、第１基板１
と第２基板８を引き離すことにより、剥離層４と遮光層
５との界面で剥離させる（図１（ｆ）参照）。本発明に
よる微小開口を有する突起の形成方法は、微小開口の大
きさが、シリコンの熱酸化の条件と蒸着時の入射角とい
う２つのプロセス条件により決定されるため、従来の方
法と比較して小さい微小開口を再現性良く作製すること
ができる。また、基板上に複数の微小開口を形成した際
もそれぞれの開口径ばらつきを非常に小さく形成するこ
とができる。
【００１０】本発明には上記製造方法にて作製した微小
開口を有する突起よりなるプローブまたはマルチプロー
ブ及び、これらを用いた表面観察装置、露光装置、情報
処理装置も含む。本発明によるプローブを試料に接近さ
せて、ｘｙアクチュエータにより試料面内方向に２次元
の相対走査を行い、試料表面からしみだすエバネッセン
ト光を検知することにより試料の表面状態を観察するこ
とが可能である。また、本発明によるプローブを用いて
レジストに露光することにより光の波長よりも微細なパ
ターンを形成できる露光装置を作製することが可能であ
る。また、このプローブを用いて記録媒体の微小領域に
おける表面状態を変化させ、また、これを観察すること
により記録再生装置とすることが可能である。この際、
試料または記録媒体との間隔制御・接触力制御はＳＮＯ
Ｍ信号自体を使うことが可能である。また、ＳＴＭの手
法やシェアフォースによる手法も用いることができ、こ
れらの手段は本発明を限定するものではない。また、本
発明によるマルチプローブを用いて情報を並列処理する
ことにより転送レートの大きい表面観察装置または露光
装置または記録再生装置を提供することが可能である。
この場合の記録媒体としては、電圧印加により光学特性
が変化する記録媒体の例として、特開平４−９０１５２
号公報に記載されているような電圧印加により、局所的
に流れる電流によるジュール熱によりジアセチレン誘導
体重合体に構造変化が起こり、光の吸収帯のピーク波長
がシフトするような１０，１２−ペンタコサジイン酸が
挙げられる。また、光照射下の電圧印加により光学特性
が変化する記録媒体の例として、特開平２−９８８４９
号公報に記載されているような光を照射した場合のみシ
ス型⇔トランス型の光異性反応を起こしてレドックス・
ペアを形成し、電界印加によりこのレドックス・ペア間
でプロトン移動を起こすようなキノン基およびヒドロキ
ノン基を有するアゾ化合物が挙げられる。
開口を有する突起よりなるプローブまたはマルチプロー
ブ及び、これらを用いた表面観察装置、露光装置、情報
処理装置も含む。本発明によるプローブを試料に接近さ
せて、ｘｙアクチュエータにより試料面内方向に２次元
の相対走査を行い、試料表面からしみだすエバネッセン
ト光を検知することにより試料の表面状態を観察するこ
とが可能である。また、本発明によるプローブを用いて
レジストに露光することにより光の波長よりも微細なパ
ターンを形成できる露光装置を作製することが可能であ
る。また、このプローブを用いて記録媒体の微小領域に
おける表面状態を変化させ、また、これを観察すること
により記録再生装置とすることが可能である。この際、
試料または記録媒体との間隔制御・接触力制御はＳＮＯ
Ｍ信号自体を使うことが可能である。また、ＳＴＭの手
法やシェアフォースによる手法も用いることができ、こ
れらの手段は本発明を限定するものではない。また、本
発明によるマルチプローブを用いて情報を並列処理する
ことにより転送レートの大きい表面観察装置または露光
装置または記録再生装置を提供することが可能である。
この場合の記録媒体としては、電圧印加により光学特性
が変化する記録媒体の例として、特開平４−９０１５２
号公報に記載されているような電圧印加により、局所的
に流れる電流によるジュール熱によりジアセチレン誘導
体重合体に構造変化が起こり、光の吸収帯のピーク波長
がシフトするような１０，１２−ペンタコサジイン酸が
挙げられる。また、光照射下の電圧印加により光学特性
が変化する記録媒体の例として、特開平２−９８８４９
号公報に記載されているような光を照射した場合のみシ
ス型⇔トランス型の光異性反応を起こしてレドックス・
ペアを形成し、電界印加によりこのレドックス・ペア間
でプロトン移動を起こすようなキノン基およびヒドロキ
ノン基を有するアゾ化合物が挙げられる。
【００１１】
【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。 ［実施例１］実施例１は、微小開口を有する突起をシリ
コン基板上にマトリックス状に配置した微小光照射用マ
ルチプローブ（図２参照）及びその形成方法である。本
実施例によるマルチプローブの使用方法は、例えば図３
に示すように、微小開口を有する面と反対側から光を照
射し、微小開口から出るエバネッセント光が及ぶ距離ま
でフォトレジストを接近させることにより、微細なパタ
ーンの露光を行うために用いる。図１は本実施例による
微小光照射用マルチプローブの製造工程を示す断面図で
あり、以下これをもちいて製造方法を説明する。まず、
第１基板１として面方位（１００）の単結晶シリコンウ
エハを用意し、保護層２としてシリコン熱酸化膜を１０
０ｎｍ形成した。次に、表面の保護層２の所望の箇所
を、フォトリソグラフィとフッ化水素とフッ化アンモニ
ウムの水溶液によるエッチングによりパターニングし、
一辺が１０μｍの正方形のシリコンを露出した。次に、
水酸化カリウム水溶液を用いた結晶軸異方性エッチング
によりパターニング部のシリコンを濃度３０％、液温９
０℃の水酸化カリウム水溶液を用いてエッチングした。
この工程により（１１１）面と等価な４つの面で囲まれ
た深さ約７μｍの逆ピラミッド状の凹部３が形成された
（図１（ａ）参照）。この際、凹部３の４つの面それぞ
れと基板１表面とのなす角度θ１は結晶方位により決ま
り、ほぼ５５°であった。次に、保護層２をフッ化水素
とフッ化アンモニウムの水溶液により除去した後、水素
と酸素の混合ガスを用いて１０００℃にて熱酸化し、剥
離層４として二酸化シリコンを４００ｎｍ堆積した（図
１（ｂ）参照）。この方法により凹部３は先端領域にお
いて先鋭化され、先端部の内壁と基板１表面とのなす角
度θ２はほぼ７５°となった。
コン基板上にマトリックス状に配置した微小光照射用マ
ルチプローブ（図２参照）及びその形成方法である。本
実施例によるマルチプローブの使用方法は、例えば図３
に示すように、微小開口を有する面と反対側から光を照
射し、微小開口から出るエバネッセント光が及ぶ距離ま
でフォトレジストを接近させることにより、微細なパタ
ーンの露光を行うために用いる。図１は本実施例による
微小光照射用マルチプローブの製造工程を示す断面図で
あり、以下これをもちいて製造方法を説明する。まず、
第１基板１として面方位（１００）の単結晶シリコンウ
エハを用意し、保護層２としてシリコン熱酸化膜を１０
０ｎｍ形成した。次に、表面の保護層２の所望の箇所
を、フォトリソグラフィとフッ化水素とフッ化アンモニ
ウムの水溶液によるエッチングによりパターニングし、
一辺が１０μｍの正方形のシリコンを露出した。次に、
水酸化カリウム水溶液を用いた結晶軸異方性エッチング
によりパターニング部のシリコンを濃度３０％、液温９
０℃の水酸化カリウム水溶液を用いてエッチングした。
この工程により（１１１）面と等価な４つの面で囲まれ
た深さ約７μｍの逆ピラミッド状の凹部３が形成された
（図１（ａ）参照）。この際、凹部３の４つの面それぞ
れと基板１表面とのなす角度θ１は結晶方位により決ま
り、ほぼ５５°であった。次に、保護層２をフッ化水素
とフッ化アンモニウムの水溶液により除去した後、水素
と酸素の混合ガスを用いて１０００℃にて熱酸化し、剥
離層４として二酸化シリコンを４００ｎｍ堆積した（図
１（ｂ）参照）。この方法により凹部３は先端領域にお
いて先鋭化され、先端部の内壁と基板１表面とのなす角
度θ２はほぼ７５°となった。
【００１２】次に、第１基板１上に金Ａｕを真空蒸着法
により１００ｎｍ堆積し、遮光層５とした。この際、第
１基板１とＡｕの蒸着源とを結ぶ線分と第１基板１の表
面のなす角度が６５°となるように保持し、第１基板１
を面内方向に自転させながらＡｕを蒸着することによ
り、凹部３の先端部分にＡｕの堆積しない部分（微小開
口）を形成することができた。次に、遮光層５をフォト
リソグラフィーとエッチングによりパターニングした
（図１（ｃ）参照）。次に、第２基板８として面方位
（１００）の単結晶シリコンウエハを用意し、マスク層
１０として低圧化学気相成長法により窒化シリコンを１
００ｎｍ堆積した。次に、裏面マスク層１０の所望の箇
所を、フォトリソグラフィと四フッ化炭素によるドライ
エッチングによりパターニングし、一部のシリコンを露
出した。次に、接合層として真空蒸着法によりクロムＣ
ｒを１０ｎｍ、金Ａｕを１００ｎｍ堆積した。次に、水
酸化カリウム水溶液を用いた結晶軸異方性エッチングに
よりパターニング部のシリコンを濃度３０％、液温１１
０℃の水酸化カリウム水溶液を用いて表面マスク層１０
までエッチングした。次に、表面マスク層を裏面からエ
ッチング除去した（図１（ｄ）参照）。
により１００ｎｍ堆積し、遮光層５とした。この際、第
１基板１とＡｕの蒸着源とを結ぶ線分と第１基板１の表
面のなす角度が６５°となるように保持し、第１基板１
を面内方向に自転させながらＡｕを蒸着することによ
り、凹部３の先端部分にＡｕの堆積しない部分（微小開
口）を形成することができた。次に、遮光層５をフォト
リソグラフィーとエッチングによりパターニングした
（図１（ｃ）参照）。次に、第２基板８として面方位
（１００）の単結晶シリコンウエハを用意し、マスク層
１０として低圧化学気相成長法により窒化シリコンを１
００ｎｍ堆積した。次に、裏面マスク層１０の所望の箇
所を、フォトリソグラフィと四フッ化炭素によるドライ
エッチングによりパターニングし、一部のシリコンを露
出した。次に、接合層として真空蒸着法によりクロムＣ
ｒを１０ｎｍ、金Ａｕを１００ｎｍ堆積した。次に、水
酸化カリウム水溶液を用いた結晶軸異方性エッチングに
よりパターニング部のシリコンを濃度３０％、液温１１
０℃の水酸化カリウム水溶液を用いて表面マスク層１０
までエッチングした。次に、表面マスク層を裏面からエ
ッチング除去した（図１（ｄ）参照）。
【００１３】次に、第１基板１の遮光層５と第２基板８
の接合層７とを、荷重を加えることにより接合した（図
１（ｅ）参照）。次に、第１基板１と第２基板とを引き
離すことにより、遮光層５と剥離層４との界面で剥離
し、遮光層５を第２基板８に転写した（図１（ｆ）参
照）。こうして作製した複数の微小突起を電子顕微鏡で
観察したところ、各微小開口は長方形に近い形をしてお
りその短径は２０ｎｍ±５ｎｍである。すなわち本実施
例に示したプロセスにより従来形成方法と比較して開口
径が小さく、かつ、開口径の再現性の高い微小開口を有
する突起を形成することができた。また、本実施例によ
るマルチプローブを露光装置に用いてレジストの露光を
行ったところ、近接場露光による微細なパターンを形成
でき、かつ、露光の速度を大きくすることが可能となっ
た。
の接合層７とを、荷重を加えることにより接合した（図
１（ｅ）参照）。次に、第１基板１と第２基板とを引き
離すことにより、遮光層５と剥離層４との界面で剥離
し、遮光層５を第２基板８に転写した（図１（ｆ）参
照）。こうして作製した複数の微小突起を電子顕微鏡で
観察したところ、各微小開口は長方形に近い形をしてお
りその短径は２０ｎｍ±５ｎｍである。すなわち本実施
例に示したプロセスにより従来形成方法と比較して開口
径が小さく、かつ、開口径の再現性の高い微小開口を有
する突起を形成することができた。また、本実施例によ
るマルチプローブを露光装置に用いてレジストの露光を
行ったところ、近接場露光による微細なパターンを形成
でき、かつ、露光の速度を大きくすることが可能となっ
た。
【００１４】［実施例２］実施例２は、微小開口を有す
る突起よりなる光プローブを基板上にマトリックス状に
配置した微小光検出用マルチプローブ及びその形成方法
であり、それぞれの光プローブはフォトダィオードより
なる受光素子を有している。本実施例によるマルチプロ
ーブの使用方法は、例えば図５に示すように、プリズム
に入射した光が試料２１の接面で全反射する時に試料２
１の表面に発生するエバネッセント光の状態を観察する
走査型近接場光顕微鏡（ＳＮＯＭ）として用いられる。
この観察を、各プローブを面内方向に走査しながら行う
ことにより、プローブが１つの場合と比べて観察速度を
向上させることができる。また、本実施例においては、
微小開口プローブを受光素子と組み合わせたが、レーザ
ーダイオード等の発光素子と組み合わせてマルチ発光素
子とすることも可能である。
る突起よりなる光プローブを基板上にマトリックス状に
配置した微小光検出用マルチプローブ及びその形成方法
であり、それぞれの光プローブはフォトダィオードより
なる受光素子を有している。本実施例によるマルチプロ
ーブの使用方法は、例えば図５に示すように、プリズム
に入射した光が試料２１の接面で全反射する時に試料２
１の表面に発生するエバネッセント光の状態を観察する
走査型近接場光顕微鏡（ＳＮＯＭ）として用いられる。
この観察を、各プローブを面内方向に走査しながら行う
ことにより、プローブが１つの場合と比べて観察速度を
向上させることができる。また、本実施例においては、
微小開口プローブを受光素子と組み合わせたが、レーザ
ーダイオード等の発光素子と組み合わせてマルチ発光素
子とすることも可能である。
【００１５】図４は本実施例による微小光検出用マルチ
プローブの製造工程を示す断面図であり、以下これを用
いて製造方法を説明する。まず、実施例１と同様の手法
を用いて第１基板１の表面に、４つの面それぞれと基板
１表面とのなす角度θ１がほぼ５５°で、先端部の内壁
と基板１表面とのなす角度θ２はほぼ７５°となる凹部
３を形成した（図４（ａ）（ｂ）参照）。次に、第１基
板１上に白金Ｐｔをスパッタリング法により１００ｎｍ
堆積し、遮光層５とした。この際、第１基板１とＰｔタ
ーゲットとを結ぶ線分と第１基板１の表面のなす角度が
６５°となるように保持し、第１基板１を面内方向に自
転させながらＰｔをスパッタリングすることにより、凹
部３の先端部分にＰｔの堆積しない部分（微小開口）を
形成することができた。次にポリイミド１５を凹部３を
含む第１基板上に塗布した。次に、遮光層５及びポリイ
ミド１５をフォトリソグラフィーとエッチングによりパ
ターニングした（図４（ｃ）参照）。
プローブの製造工程を示す断面図であり、以下これを用
いて製造方法を説明する。まず、実施例１と同様の手法
を用いて第１基板１の表面に、４つの面それぞれと基板
１表面とのなす角度θ１がほぼ５５°で、先端部の内壁
と基板１表面とのなす角度θ２はほぼ７５°となる凹部
３を形成した（図４（ａ）（ｂ）参照）。次に、第１基
板１上に白金Ｐｔをスパッタリング法により１００ｎｍ
堆積し、遮光層５とした。この際、第１基板１とＰｔタ
ーゲットとを結ぶ線分と第１基板１の表面のなす角度が
６５°となるように保持し、第１基板１を面内方向に自
転させながらＰｔをスパッタリングすることにより、凹
部３の先端部分にＰｔの堆積しない部分（微小開口）を
形成することができた。次にポリイミド１５を凹部３を
含む第１基板上に塗布した。次に、遮光層５及びポリイ
ミド１５をフォトリソグラフィーとエッチングによりパ
ターニングした（図４（ｃ）参照）。
【００１６】次に、ダイオードよりなる受光素子１１を
搭載した第２基板８を作製した（図４（ｄ）参照）。次
に、第１基板１と第２基板８を２００℃に加熱すること
により接合した（図４（ｅ）参照）。次に、第１基板１
と第２基板８を引き離すことにより、剥離層４と遮光層
５との界面で剥離し、第２基板上に微小開口を有する遮
光層５及びポリイミド１５よりなる微小突起を転写した
（図４（ｆ）参照）。こうして作製した複数の微小突起
を電子顕微鏡で観察したところ、各微小開口は長方形に
近い形をしておりその短径は２０ｎｍ±５ｎｍである。
すなわち本実施例に示したプロセスにより従来形成方法
と比較して開口径が小さく、かつ、開口径の再現性の高
い微小開口を有する突起を形成することができた。ま
た、本実施例によるマルチプローブを用いた表面観察装
置において、高分解能のＳＮＯＭ像を得ることができ、
かつ、観察の速度を大きくすることが可能となった。
搭載した第２基板８を作製した（図４（ｄ）参照）。次
に、第１基板１と第２基板８を２００℃に加熱すること
により接合した（図４（ｅ）参照）。次に、第１基板１
と第２基板８を引き離すことにより、剥離層４と遮光層
５との界面で剥離し、第２基板上に微小開口を有する遮
光層５及びポリイミド１５よりなる微小突起を転写した
（図４（ｆ）参照）。こうして作製した複数の微小突起
を電子顕微鏡で観察したところ、各微小開口は長方形に
近い形をしておりその短径は２０ｎｍ±５ｎｍである。
すなわち本実施例に示したプロセスにより従来形成方法
と比較して開口径が小さく、かつ、開口径の再現性の高
い微小開口を有する突起を形成することができた。ま
た、本実施例によるマルチプローブを用いた表面観察装
置において、高分解能のＳＮＯＭ像を得ることができ、
かつ、観察の速度を大きくすることが可能となった。
【００１７】［実施例３］実施例３は、本発明による微
小開口を有する突起を光ファイバーの先端に搭載した微
小光検出または微小光照射用のプローブであり、その製
造方法を図６に示す。まず、実施例２と同様の方法によ
り、第１基板１上に凹部３を形成し、先端に微小開口を
有する遮光層５とポリイミド１５よりなる突起を形成し
た（図６（ａ）（ｂ）（ｃ）参照）。次に、端面を有す
る光ファイバーを用意し、コア１７の延長線上に微小開
口が来るように図６（ｄ）のように載置し、２００℃に
加熱することにより接合を行った。
小開口を有する突起を光ファイバーの先端に搭載した微
小光検出または微小光照射用のプローブであり、その製
造方法を図６に示す。まず、実施例２と同様の方法によ
り、第１基板１上に凹部３を形成し、先端に微小開口を
有する遮光層５とポリイミド１５よりなる突起を形成し
た（図６（ａ）（ｂ）（ｃ）参照）。次に、端面を有す
る光ファイバーを用意し、コア１７の延長線上に微小開
口が来るように図６（ｄ）のように載置し、２００℃に
加熱することにより接合を行った。
【００１８】次に、第１基板１とファイバー１６とを引
き離すことにより、剥離層４と遮光層５との界面で剥離
し、ファイバー１６の先端に微小開口を有する遮光層５
及びポリイミド１５よりなる微小突起を転写した（図６
（ｅ）参照）。こうして作製した光プローブを電子顕微
鏡で観察したところ、微小開口は長方形に近い形をして
おりその短径は２０ｎｍ±５ｎｍである。すなわち本実
施例に示したプロセスにより従来形成方法と比較して開
口径が小さく、かつ、開口径の再現性の高い微小開口を
有する突起を形成することができた。また、本実施例に
よるプローブを用いた表面観察装置において、高分解能
のＳＮＯＭ像を得ることができた。
き離すことにより、剥離層４と遮光層５との界面で剥離
し、ファイバー１６の先端に微小開口を有する遮光層５
及びポリイミド１５よりなる微小突起を転写した（図６
（ｅ）参照）。こうして作製した光プローブを電子顕微
鏡で観察したところ、微小開口は長方形に近い形をして
おりその短径は２０ｎｍ±５ｎｍである。すなわち本実
施例に示したプロセスにより従来形成方法と比較して開
口径が小さく、かつ、開口径の再現性の高い微小開口を
有する突起を形成することができた。また、本実施例に
よるプローブを用いた表面観察装置において、高分解能
のＳＮＯＭ像を得ることができた。
【００１９】［実施例４］実施例４は、本発明による微
小開口を有する突起をカンチレバー上に搭載した微小光
検出または微小光照射及び微小力検出用のプローブであ
る。本実施例によるプローブの製造方法を図７に示す。
まず、実施例２と同様の方法により、第１基板１上に剥
離層４よりなる凹部３を形成し、先端に微小開口を有す
る遮光層５よりなる突起を形成した（図７（ａ）参
照）。次に第２基板８として単結晶シリコン基板を用意
し、第２基板８両面に二酸化シリコン１３を０．３μ
ｍ、窒化シリコン１４を０．５μｍ成膜した。次に表面
の窒化シリコン１４をフォトリソグラフィとエッチング
によりカンチレバー９（片持ち梁）の形状にパターニン
グした。このとき、カンチレバーの寸法は幅５０μｍ、
長さ３００μｍとした。次に、裏面の窒化シリコン１４
及び二酸化シリコン１３を同様にエッチングマスク形状
にパターニングした。次に、チタンＴｉを３ｎｍ、金Ａ
ｕを５０ｎｍ成膜し、フォトリソグラフィとエッチング
によりパターン形成を行い、カンチレバー上に接合層７
を形成した。
小開口を有する突起をカンチレバー上に搭載した微小光
検出または微小光照射及び微小力検出用のプローブであ
る。本実施例によるプローブの製造方法を図７に示す。
まず、実施例２と同様の方法により、第１基板１上に剥
離層４よりなる凹部３を形成し、先端に微小開口を有す
る遮光層５よりなる突起を形成した（図７（ａ）参
照）。次に第２基板８として単結晶シリコン基板を用意
し、第２基板８両面に二酸化シリコン１３を０．３μ
ｍ、窒化シリコン１４を０．５μｍ成膜した。次に表面
の窒化シリコン１４をフォトリソグラフィとエッチング
によりカンチレバー９（片持ち梁）の形状にパターニン
グした。このとき、カンチレバーの寸法は幅５０μｍ、
長さ３００μｍとした。次に、裏面の窒化シリコン１４
及び二酸化シリコン１３を同様にエッチングマスク形状
にパターニングした。次に、チタンＴｉを３ｎｍ、金Ａ
ｕを５０ｎｍ成膜し、フォトリソグラフィとエッチング
によりパターン形成を行い、カンチレバー上に接合層７
を形成した。
【００２０】次に、第１基板１上の遮光層５と第２基板
８上の接合層７とを位置合わせして対向・接触させ、更
に荷重を加えることにより遮光層５と接合層７の接合
（圧着）を行った（図７（ｂ）参照）。次に、第１基板
１と第２基板８を引き離すことに、剥離層４と探針５と
の界面で剥離させた（図７（ｃ）参照）。次に、表面保
護層としてポリイミド層をスピンコートにより塗布した
後、２００℃にて熱処理を行った。次に、裏面の窒化シ
リコン１４をエッチングマスクにして、９０℃に加熱し
た３０％水酸化カリウム水溶液により裏面からシリコン
基板８のエッチングを行った。次に、フッ酸とフッ化ア
ンモニウム混合水溶液により二酸化シリコン層１３を除
去した。最後に、酸素プラズマを用いて表面保護層を除
去してカンチレバー型プローブを形成した。
８上の接合層７とを位置合わせして対向・接触させ、更
に荷重を加えることにより遮光層５と接合層７の接合
（圧着）を行った（図７（ｂ）参照）。次に、第１基板
１と第２基板８を引き離すことに、剥離層４と探針５と
の界面で剥離させた（図７（ｃ）参照）。次に、表面保
護層としてポリイミド層をスピンコートにより塗布した
後、２００℃にて熱処理を行った。次に、裏面の窒化シ
リコン１４をエッチングマスクにして、９０℃に加熱し
た３０％水酸化カリウム水溶液により裏面からシリコン
基板８のエッチングを行った。次に、フッ酸とフッ化ア
ンモニウム混合水溶液により二酸化シリコン層１３を除
去した。最後に、酸素プラズマを用いて表面保護層を除
去してカンチレバー型プローブを形成した。
【００２１】本実施例のプローブを用いたＡＦＭ／ＳＮ
ＯＭ複合装置のブロック図を図８に示す。本装置はカン
チレバー９と接合層７と接合層７に接合した遮光層５か
らなるプローブと、カンチレバー自由端の裏面に照射す
るレーザー光６１とカンチレバーのたわみ変位による光
の反射角の変化を検出するポジションセンサー６３と、
ポジションセンサーからの信号により変位検出を行う変
位検出回路６６と、ＸＹＺ軸駆動ピエゾ素子６５と、Ｘ
ＹＺ軸駆動ピエゾ素子をＸＹＺ方向に駆動するためのＸ
ＹＺ駆動用ドライバー６７と、微小開口から染み出した
エバネッセント光が試料６４表面で散乱されて出た伝播
光を検出する微小光検出器６８からなる。本実施例にお
いてはＳＮＯＭプローブをカンチレバーに搭載すること
により、試料表面の光学的な情報と形状の情報を同時に
測定することが可能となった。また、硬いプローブの場
合は試料との接触によりダメージを受け易かったが、カ
ンチレバー上に搭載することによりプローブのダメージ
を押さえることが可能となった。また、接触状態で光学
的な情報を観察することによりＺ方向（高さ方向）のフ
ィードバック制御が不要なＳＮＯＭ装置を提供すること
ができた。
ＯＭ複合装置のブロック図を図８に示す。本装置はカン
チレバー９と接合層７と接合層７に接合した遮光層５か
らなるプローブと、カンチレバー自由端の裏面に照射す
るレーザー光６１とカンチレバーのたわみ変位による光
の反射角の変化を検出するポジションセンサー６３と、
ポジションセンサーからの信号により変位検出を行う変
位検出回路６６と、ＸＹＺ軸駆動ピエゾ素子６５と、Ｘ
ＹＺ軸駆動ピエゾ素子をＸＹＺ方向に駆動するためのＸ
ＹＺ駆動用ドライバー６７と、微小開口から染み出した
エバネッセント光が試料６４表面で散乱されて出た伝播
光を検出する微小光検出器６８からなる。本実施例にお
いてはＳＮＯＭプローブをカンチレバーに搭載すること
により、試料表面の光学的な情報と形状の情報を同時に
測定することが可能となった。また、硬いプローブの場
合は試料との接触によりダメージを受け易かったが、カ
ンチレバー上に搭載することによりプローブのダメージ
を押さえることが可能となった。また、接触状態で光学
的な情報を観察することによりＺ方向（高さ方向）のフ
ィードバック制御が不要なＳＮＯＭ装置を提供すること
ができた。
【００２２】
【発明の効果】本発明は、以上のように半導体プロセス
技術、特に、シリコン基板の熱酸化と、真空装置を用い
た斜入射による薄膜形成という半導体プロセス技術を用
いることにより、所望の径の微小開口を再現性良く形成
でき、基板上の複数の微小開口径のばらつきが小さく、
バッチプロセスで形成できるため生産性が高く、かつ、
集積化が容易な微小開口を有する突起の製造方法を実現
することができる。また、本発明の微小開口を有する突
起で構成したプローブによって、表面観察の分解能が向
上した表面観察装置や、あるいは記録の際の記録ビット
径を小さくすることの可能な情報処理装置を実現するこ
とができる。また、本発明の微小開口を有する突起で構
成したプローブを用いることによって、微細なパターン
を高速で形成できる露光装置を提供することが可能とな
り、また、このプローブでマルチプローブを構成するこ
とにより、小型化・大容量の光メモリーを実現すること
ができる。また、本発明のプローブでＡＦＭ／ＳＮＯＭ
プローブを構成することにより、試料表面の光学的な情
報と形状の情報を同時に測定することができ、また、プ
ローブのダメージを押さえることが可能となる。また、
これによって接触状態で光学的な情報を観察することが
可能となり、Ｚ方向（高さ方向）のフィードバック制御
が不要なＳＮＯＭ装置を実現することができる。
技術、特に、シリコン基板の熱酸化と、真空装置を用い
た斜入射による薄膜形成という半導体プロセス技術を用
いることにより、所望の径の微小開口を再現性良く形成
でき、基板上の複数の微小開口径のばらつきが小さく、
バッチプロセスで形成できるため生産性が高く、かつ、
集積化が容易な微小開口を有する突起の製造方法を実現
することができる。また、本発明の微小開口を有する突
起で構成したプローブによって、表面観察の分解能が向
上した表面観察装置や、あるいは記録の際の記録ビット
径を小さくすることの可能な情報処理装置を実現するこ
とができる。また、本発明の微小開口を有する突起で構
成したプローブを用いることによって、微細なパターン
を高速で形成できる露光装置を提供することが可能とな
り、また、このプローブでマルチプローブを構成するこ
とにより、小型化・大容量の光メモリーを実現すること
ができる。また、本発明のプローブでＡＦＭ／ＳＮＯＭ
プローブを構成することにより、試料表面の光学的な情
報と形状の情報を同時に測定することができ、また、プ
ローブのダメージを押さえることが可能となる。また、
これによって接触状態で光学的な情報を観察することが
可能となり、Ｚ方向（高さ方向）のフィードバック制御
が不要なＳＮＯＭ装置を実現することができる。
【図１】実施例１によるプローブの製造工程を示す断面
図である。
図である。
【図２】実施例１によるプローブを示す斜視図である。
【図３】実施例１によるプローブの使用方法を示す図で
ある。
ある。
【図４】実施例２によるプローブの製造工程を示す断面
図である。
図である。
【図５】実施例２によるプローブの使用方法を示す図で
ある。
ある。
【図６】実施例３によるプローブの製造工程を示す断面
図である。
図である。
【図７】実施例４によるプローブの製造工程を示す断面
図である。
図である。
【図８】実施例４によるプローブを用いたＡＦＭ／ＳＮ
ＯＭ装置を示すブロック図である。
ＯＭ装置を示すブロック図である。
【図９】本発明のプローブ製造方法における一製造工程
の説明図である。
の説明図である。
【図１０】従来例によるプローブの製造方法を示す図で
ある。
ある。
１：第１基板 ２：保護層 ３：凹部 ４：剥離層 ５：遮光層 ６：微小開口 ７：接合層 ８：第２基板 ９：カンチレバー １０：マスク層 １１：受光素子 １３：二酸化シリコン １４：窒化シリコン １５：ポリイミド １６：光ファイバー １７：コア ２０：フォトレジスト ２１：試料 ２２：エバネッセント光 ６１：レーザー光源 ６２：レンズ ６３：ポジションセンサ ６４：試料 ６５：ＸＹＺ軸駆動ピエゾ素子 ６６：変位検出回路 ６７：ＸＹＺ駆動用ドライバー ６８：微小光検出器
Claims (13)
- 【請求項１】微小開口を有する突起の製造方法であっ
て、表面に先端部が先鋭化された形状を有する凹部が形
成された第１基板を備え、該第１基板に形成された凹部
の先端部を除いて遮光材料を堆積することによって、先
端部に微小開口を有する遮光層からなる突起を形成し、
該突起を第２基板に転写することを特徴とする微小開口
を有する突起の製造方法。 - 【請求項２】微小開口を有する突起の製造方法であっ
て、（ａ）第１基板の表面に凹部を形成する工程であっ
て、該凹部の最深部に相当する先端部の形状を、先鋭化
された形状に形成する工程と、（ｂ）真空装置を用いて
前記第１基板表面に遮光材料を堆積し、微小開口を有す
る遮光層を形成するに当たり、該第１基板表面の斜め上
方に前記遮光材料のソースがある位置関係を保持しなが
ら、該第１基板表面に形成された凹部の先端部を除くよ
うに該第１基板上に遮光材料を堆積して、該第１基板表
面に形成された凹部の先端部に微小開口を有する遮光層
を形成する工程と、（ｃ）第２基板上に前記第１基板の
遮光層を接合し、前記第１基板を除去することにより、
該第２基板上に微小開口を有する該遮光層よりなる突起
を転写する工程と、 を少なくとも有することを特徴とする微小開口を有する
突起の製造方法。 - 【請求項３】微小開口を有する突起の製造方法であっ
て、（ａ）第１基板の表面に略角錐型の凹部を形成する
工程であって、該凹部の内壁と該第１基板表面とのなす
角θ１が、先端部において局所的にθ２まで（θ２＞θ
１）先鋭化された該凹部を形成する工程と、（ｂ）真空
装置を用いて前記第１基板表面に遮光材料を堆積し、微
小開口を有する遮光層を形成するに当たり、該第１基板
と遮光材料よりなるソースとを結ぶ線分と該第１基板の
表面とがθ１〜θ２の範囲の一定角度を保持した状態
で、該第１基板を回転させながら、該遮光材料を該第１
基板上に堆積することにより、前記凹部先端部に微小開
口を有する遮光層を形成する工程と、（ｃ）第２基板上
に前記第１基板の遮光層を接合し、前記第１基板を除去
することにより、該第２基板上に微小開口を有する該遮
光層よりなる突起を転写する工程と、 を少なくとも有することを特徴とする微小開口を有する
突起の製造方法。 - 【請求項４】前記表面に凹部が形成される基板は、シリ
コン基板からなり、該凹部の表面が該基板を熱酸化した
二酸化シリコン層であることを特徴とする請求項１〜請
求項３のいずれか１項に記載の微小開口を有する突起の
製造方法。 - 【請求項５】前記二酸化シリコン層は、その膜厚が２０
０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項４に記載の微
小開口を有する突起の製造方法。 - 【請求項６】前記第２基板上への微小開口を有する遮光
層よりなる突起の転写は、第１基板と遮光層との間に形
成された剥離層を介して該第１基板と該剥離層との界面
で剥離することにより該第１基板を除去して、前記第２
基板の接合層上に該遮光層よりなる微小開口を有する突
起を転写して行われることを特徴とする請求項１〜請求
項５のいずれか１項に記載の微小開口を有する突起の製
造方法。 - 【請求項７】前記遮光材料の堆積は、真空蒸着法または
スパッタリング法で行われることを特徴とする請求項１
〜請求項６のいずれか１項に記載の微小開口を有する突
起の製造方法。 - 【請求項８】微小開口を有する突起であって、該微小開
口を有する突起が、基板に形成された凹部の先端部を除
いて遮光材料を堆積することによって、先端部に微小開
口を有する遮光層からなる突起を形成し、該突起を第２
基板に転写することにより構成されていることを特徴と
する微小開口を有する突起。 - 【請求項９】微小開口を有する突起を具備した微小光検
出または微小光照射用のプローブであって、該プローブ
が、請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の微小開
口を有する突起の製造方法によって形成された微小開口
を有する突起、または請求項８に記載の微小開口を有す
る突起、で構成されていることを特徴とする微小光検出
または微小光照射用のプローブ。 - 【請求項１０】請求項９に記載のプローブを、基板上に
複数個形成したことを特徴とする微小光検出または微小
光照射用のマルチプローブ。 - 【請求項１１】請求項９に記載のプローブを、光ファイ
バーの先端に接合したことを特徴とする微小光検出また
は微小光照射用のプローブ。 - 【請求項１２】請求項９に記載のプローブを、弾性体の
自由端部に搭載したことを特徴とする微小光検出または
微小光照射用あるいは微小力検出用のプローブ。 - 【請求項１３】請求項１２に記載のプローブを、複数個
形成したことを特徴とする微小光検出または微小光照射
用あるいは微小力検出用のマルチプローブ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24480397A JP3697034B2 (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | 微小開口を有する突起の製造方法、及びそれらによるプローブまたはマルチプローブ |
| US09/138,399 US6156215A (en) | 1997-08-26 | 1998-08-24 | Method of forming a projection having a micro-aperture, projection formed thereby, probe having such a projection and information processor comprising such a probe |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24480397A JP3697034B2 (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | 微小開口を有する突起の製造方法、及びそれらによるプローブまたはマルチプローブ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1166650A true JPH1166650A (ja) | 1999-03-09 |
| JP3697034B2 JP3697034B2 (ja) | 2005-09-21 |
Family
ID=17124182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24480397A Expired - Fee Related JP3697034B2 (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | 微小開口を有する突起の製造方法、及びそれらによるプローブまたはマルチプローブ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6156215A (ja) |
| JP (1) | JP3697034B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000028536A1 (en) * | 1998-11-09 | 2000-05-18 | Seiko Instruments Inc. | Near-field optical head and production method thereof |
| US6408122B1 (en) | 1999-10-14 | 2002-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Probe for irradiating with or detecting light and method for manufacturing the same |
| JP2002267589A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-18 | Jasco Corp | 多光路アレイ型ファイバー、プローブ、光ヘッド及びその製造方法 |
| US6785445B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Near field light probe, near field optical microscope, near field light lithography apparatus, and near field light storage apparatus that have the near field light probe |
| US6891151B2 (en) | 2000-06-16 | 2005-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Probe with hollow waveguide and method for producing the same |
| JP2006514274A (ja) * | 2003-01-31 | 2006-04-27 | フラウンホファー‐ゲゼルシャフト ツール フォーダールング デル アンゲヴァンテン フォーシュング エー・ファウ | 散乱光を抑制した近接場光学顕微鏡プローブおよびその製造方法 |
| JP2011511270A (ja) * | 2008-01-06 | 2011-04-07 | ユニフェルジテイト・トウェンテ | ナノサブ構造を有する３次元ナノ構造を製作するための方法、および、この方法によって得ることのできる金属先端を有する絶縁角錐、ナノ開口を有する角錐、および、水平および／または垂直なナノワイヤを有する角錐 |
| CN104808017A (zh) * | 2014-01-26 | 2015-07-29 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 用于近场光学显微镜的探针及其制备方法 |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2773261B1 (fr) | 1997-12-30 | 2000-01-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede pour le transfert d'un film mince comportant une etape de creation d'inclusions |
| JP2000035396A (ja) * | 1998-07-16 | 2000-02-02 | Canon Inc | 微小突起を有するプローブ、及びその製造方法 |
| JP4020225B2 (ja) * | 1998-10-27 | 2007-12-12 | セイコーインスツル株式会社 | 近視野光プローブ |
| JP4073569B2 (ja) * | 1999-02-03 | 2008-04-09 | セイコーインスツル株式会社 | 近視野光を利用して再生可能な記録媒体 |
| US6406636B1 (en) * | 1999-06-02 | 2002-06-18 | Megasense, Inc. | Methods for wafer to wafer bonding using microstructures |
| JP4356208B2 (ja) * | 2000-08-01 | 2009-11-04 | ソニー株式会社 | 窒化物半導体の気相成長方法 |
| US6970413B2 (en) * | 2001-05-25 | 2005-11-29 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Data storage medium utilizing directed light beam and near-field optical sources |
| US7082095B2 (en) * | 2001-05-25 | 2006-07-25 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | System and method for storing data |
| JP2003042930A (ja) * | 2001-08-03 | 2003-02-13 | Pioneer Electronic Corp | 近接場光発生素子及びこれを具備してなる光学装置 |
| US7106935B2 (en) * | 2002-01-07 | 2006-09-12 | Seagate Technology Llc | Apparatus for focusing plasmon waves |
| DE10236150A1 (de) * | 2002-08-05 | 2004-02-26 | Universität Kassel | Verfahren zur Herstellung wenigstens einer kleinen Öffnung in einer Schicht auf einem Substrat und damit hergestellte Bauelemente |
| FR2848336B1 (fr) | 2002-12-09 | 2005-10-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de realisation d'une structure contrainte destinee a etre dissociee |
| US7217396B2 (en) * | 2003-05-05 | 2007-05-15 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Microfabricated micro fluid channels |
| US20040228962A1 (en) * | 2003-05-16 | 2004-11-18 | Chang Liu | Scanning probe microscopy probe and method for scanning probe contact printing |
| FR2856844B1 (fr) | 2003-06-24 | 2006-02-17 | Commissariat Energie Atomique | Circuit integre sur puce de hautes performances |
| FR2857953B1 (fr) * | 2003-07-21 | 2006-01-13 | Commissariat Energie Atomique | Structure empilee, et procede pour la fabriquer |
| FR2861497B1 (fr) | 2003-10-28 | 2006-02-10 | Soitec Silicon On Insulator | Procede de transfert catastrophique d'une couche fine apres co-implantation |
| USD505924S1 (en) * | 2003-11-13 | 2005-06-07 | Sony Corporation | Semiconductor element |
| USD505923S1 (en) * | 2003-11-13 | 2005-06-07 | Sony Corporation | Semiconductor element |
| FR2889887B1 (fr) | 2005-08-16 | 2007-11-09 | Commissariat Energie Atomique | Procede de report d'une couche mince sur un support |
| US7281419B2 (en) * | 2005-09-21 | 2007-10-16 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Multifunctional probe array system |
| FR2891281B1 (fr) * | 2005-09-28 | 2007-12-28 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un element en couches minces. |
| US7719685B2 (en) | 2006-11-30 | 2010-05-18 | Chian Chiu Li | Near-field optical apparatus and method using photodetector array |
| FR2910179B1 (fr) | 2006-12-19 | 2009-03-13 | Commissariat Energie Atomique | PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHES MINCES DE GaN PAR IMPLANTATION ET RECYCLAGE D'UN SUBSTRAT DE DEPART |
| DE102007027509A1 (de) * | 2007-06-08 | 2008-12-11 | Technische Universität Dresden | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Partikel-Sonden für die Rastersondenmikroskopie |
| WO2010096593A2 (en) * | 2009-02-18 | 2010-08-26 | Northwestern University | Beam pen lithography |
| US20100245816A1 (en) * | 2009-03-27 | 2010-09-30 | Renishaw Plc | Near-field Raman spectroscopy |
| FR2947098A1 (fr) | 2009-06-18 | 2010-12-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de transfert d'une couche mince sur un substrat cible ayant un coefficient de dilatation thermique different de celui de la couche mince |
| DE202010013458U1 (de) | 2010-09-23 | 2010-12-30 | Eberhard-Karls-Universität Tübingen | Sonde für aperturlose Nahfeldmikroskopie und/oder für Ramanspektroskopie |
| US8689361B1 (en) * | 2012-10-29 | 2014-04-01 | Oicmicro, LLC | Method of making thin film probe tip for atomic force microscopy |
| WO2014070444A1 (en) | 2012-10-29 | 2014-05-08 | Northwestern University | Heat actuated and projected lithography systems and methods |
| US10144633B2 (en) | 2016-02-25 | 2018-12-04 | Universiteit Twente | Method of manufacturing a plurality of through-holes in a layer of material |
| EP3210937B1 (en) | 2016-02-25 | 2018-09-05 | SmartTip B.V. | A method of manufacturing a plurality of through-holes in a layer |
| CN107879309B (zh) * | 2017-11-13 | 2020-05-05 | 上海交通大学 | 用于微纳尺度物质投送及提取的中空悬臂探针 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3276917D1 (en) * | 1982-12-27 | 1987-09-10 | Ibm | Light waveguide with a submicron aperture, method for manufacturing the waveguide and application of the waveguide in an optical memory |
| JPH0298849A (ja) * | 1988-10-04 | 1990-04-11 | Canon Inc | 記録・再生装置及び該装置を用いた記録・再生方法 |
| JP2744339B2 (ja) * | 1990-08-03 | 1998-04-28 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置及び情報処理方法 |
| JP3268797B2 (ja) * | 1991-10-09 | 2002-03-25 | オリンパス光学工業株式会社 | 光導入装置 |
| US5633455A (en) * | 1993-10-05 | 1997-05-27 | Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Jr. University | Method of detecting particles of semiconductor wafers |
| US5517280A (en) * | 1994-04-12 | 1996-05-14 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Jr. University | Photolithography system |
| US5923033A (en) * | 1994-09-14 | 1999-07-13 | Olympus Optical Co., Ltd. | Integrated SPM sensor having a photodetector mounted on a probe on a free end of a supported cantilever |
| JP3192887B2 (ja) * | 1994-09-21 | 2001-07-30 | キヤノン株式会社 | プローブ、該プローブを用いた走査型プローブ顕微鏡、および前記プローブを用いた記録再生装置 |
| US5883387A (en) * | 1994-11-15 | 1999-03-16 | Olympus Optical Co., Ltd. | SPM cantilever and a method for manufacturing the same |
| JP3679519B2 (ja) * | 1995-09-14 | 2005-08-03 | キヤノン株式会社 | トンネル電流または微小力または磁気力検出用の微小ティップの製造方法、並びにその微小ティップを有するプローブの製造方法とそのプローブ、該プローブを有するプローブユニットと走査型プローブ顕微鏡及び情報記録再生装置 |
| JP3576655B2 (ja) * | 1995-09-14 | 2004-10-13 | キヤノン株式会社 | 微小探針の製造方法及びその製造用雌型基板、並びにその微小探針を有するプローブの製造方法 |
| JP3618896B2 (ja) * | 1996-03-29 | 2005-02-09 | キヤノン株式会社 | 微小開口を有するプローブの作製法とそれによるプローブ、並びに該プローブを用いた走査型近接場光顕微鏡と走査型トンネル顕微鏡との複合装置、および該プローブを用いた記録再生装置 |
| JPH10246730A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Canon Inc | プローブとその製造方法、及び該プローブを備えた情報処理装置 |
| US5969345A (en) * | 1997-04-30 | 1999-10-19 | University Of Utah Research Foundation | Micromachined probes for nanometer scale measurements and methods of making such probes |
-
1997
- 1997-08-26 JP JP24480397A patent/JP3697034B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-08-24 US US09/138,399 patent/US6156215A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000028536A1 (en) * | 1998-11-09 | 2000-05-18 | Seiko Instruments Inc. | Near-field optical head and production method thereof |
| US6408122B1 (en) | 1999-10-14 | 2002-06-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Probe for irradiating with or detecting light and method for manufacturing the same |
| US6891151B2 (en) | 2000-06-16 | 2005-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Probe with hollow waveguide and method for producing the same |
| US6982419B2 (en) | 2000-06-16 | 2006-01-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Probe with hollow waveguide and method for producing the same |
| US7151250B2 (en) | 2000-06-16 | 2006-12-19 | Canon Kabushiki Kaishi | Probe with hollow waveguide and method for producing the same |
| JP2002267589A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-18 | Jasco Corp | 多光路アレイ型ファイバー、プローブ、光ヘッド及びその製造方法 |
| US6785445B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Near field light probe, near field optical microscope, near field light lithography apparatus, and near field light storage apparatus that have the near field light probe |
| JP2006514274A (ja) * | 2003-01-31 | 2006-04-27 | フラウンホファー‐ゲゼルシャフト ツール フォーダールング デル アンゲヴァンテン フォーシュング エー・ファウ | 散乱光を抑制した近接場光学顕微鏡プローブおよびその製造方法 |
| JP2011511270A (ja) * | 2008-01-06 | 2011-04-07 | ユニフェルジテイト・トウェンテ | ナノサブ構造を有する３次元ナノ構造を製作するための方法、および、この方法によって得ることのできる金属先端を有する絶縁角錐、ナノ開口を有する角錐、および、水平および／または垂直なナノワイヤを有する角錐 |
| CN104808017A (zh) * | 2014-01-26 | 2015-07-29 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 用于近场光学显微镜的探针及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6156215A (en) | 2000-12-05 |
| JP3697034B2 (ja) | 2005-09-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3697034B2 (ja) | 微小開口を有する突起の製造方法、及びそれらによるプローブまたはマルチプローブ | |
| US6333497B2 (en) | Probe with tip having micro aperture for detecting or irradiating light, near-field optical microscope, recording/reproduction apparatus, and exposure apparatus using the probe, and method of manufacturing the probe | |
| JP3618896B2 (ja) | 微小開口を有するプローブの作製法とそれによるプローブ、並びに該プローブを用いた走査型近接場光顕微鏡と走査型トンネル顕微鏡との複合装置、および該プローブを用いた記録再生装置 | |
| JP3639684B2 (ja) | エバネッセント波検出用の微小探針とその製造方法、及び該微小探針を備えたプローブとその製造方法、並びに該微小探針を備えたエバネッセント波検出装置、近視野走査光学顕微鏡、情報再生装置 | |
| JP3554233B2 (ja) | 光プローブの製造方法 | |
| US6891151B2 (en) | Probe with hollow waveguide and method for producing the same | |
| JP3524343B2 (ja) | 微小開口の形成方法と微小開口を有する突起、及びそれらによるプローブまたはマルチプローブ、並びに該プローブを用いた表面観察装置、露光装置、情報処理装置 | |
| JP3576655B2 (ja) | 微小探針の製造方法及びその製造用雌型基板、並びにその微小探針を有するプローブの製造方法 | |
| US6337477B1 (en) | Probe having micro-projection and manufacturing method thereof | |
| JP2001116678A (ja) | 光照射用または光検出用プローブの製造方法、および光照射用または光検出用プローブ | |
| JP3817498B2 (ja) | 近接場光用の探針を有するプローブの製造方法 | |
| JP3600433B2 (ja) | 走査型プローブとその製造方法及び走査型プローブ顕微鏡 | |
| KR100928233B1 (ko) | 나노미러가 형성된 집중형 광프로브 | |
| JP2003194697A (ja) | グレーティングカップラを有する探針及びその製造方法、該探針を有するプローブ、及び該プローブを有する情報処理装置、表面観察装置、露光装置、該露光装置による光学素子 | |
| JPH1186364A (ja) | 微小開口の形成方法、微小開口を含んでなるメンブレンと該メンブレンによるプローブ、及び該プローブによる表面観察装置、露光装置、情報処理装置 | |
| JPH07311207A (ja) | Ｓｐｍカンチレバー及びその製造方法 | |
| JPH05299015A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバーの作製方法 | |
| JPH11352134A (ja) | 光検出または照射用プローブとその製造方法、及びこれらのプローブを備えた走査型プローブ顕微鏡 | |
| JP3814409B2 (ja) | 光検出または照射用プローブの製造方法 | |
| JP2004020349A (ja) | 導波路層構造、導波路層構造を有するプローブの製造方法、該導波路層構造を有するプローブ、該プローブを有するストレージ装置、表面観察装置、露光装置、デバイス製造方法 | |
| JPH10197540A (ja) | 微小探針の製造方法及びプローブの製造方法 | |
| JPH10206436A (ja) | トンネル電流または微小力検出用の微小ティップの製造方法とプローブの製造方法、及びそのプローブ | |
| JPH11316242A (ja) | 光ファイバプローブおよびその製造方法 | |
| JP2002286616A (ja) | エバネッセント光を検知または照射する探針、該探針の製造方法、及びこれらの探針によって構成された表面観察装置、露光装置と該露光装置による光学素子、情報処理装置 | |
| JPH04326538A (ja) | 微小プローブの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040908 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041108 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050328 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050527 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050621 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050701 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080708 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090708 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090708 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100708 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100708 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110708 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120708 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |