JPH04328876A - 半導体導波路型受光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体導波路上にショ
ットキー接合を設けて構成した半導体導波路型受光素子
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】導波路型受光素子は、光の入射方向が光
励起キャリアの走行方向と垂直であるので、光電変換効
率の要因となる光の入射方向の素子長と高速性の要因と
なる素子厚とを独立に設定することが可能であり、した
がって高速かつ高効率な受光素子として好適である。さ
らにまた、その構造の類似性から半導体レーザや導波路
型光スイッチ等とのモノリシック集積化が容易であると
いう利点を持っている。

【０００３】従来の一般的な導波路型受光素子は、長波
長系の場合を例に取ると、図４に示すように、ショット
キー接合形成層１００としてのＧａＡｓ、光吸収層１０
１としてのＩｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ、上部クラッ
ド層１０２としてのＩｎＰ、コア層１０３としてのＩｎ
１−ｘ　Ｇａｘ　Ａｓｙ　Ｐ１−ｙ　（０≦ｘ≦１、０
≦ｙ≦１）および下部クラッド層１０４としてのＩｎＰ
によって構成される（たとえば、Ｊ．Ｂ．Ｄ．Ｓｏｏｌ
ｅ　　ｅｔ　　ａｌ．、ＯＦＣ９０、ＷＢ５、１９９０
年参照）。１０５は電極である。

【０００４】導波路の上部に配置された光吸収層１０１
は高い屈折率を有するため、光吸収層１０１の下部の導
波路層は導波路として機能せず、導波路内を進行してき
た信号光は散乱され、上部クラッド層１０２を通過して
光吸収層１０１に達して光電変換される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、受光素子の
下部において、信号光は広い角度をもって散乱されるの
で、効率よく信号光を吸収するためには、光吸収層１０
１の面積を広くする必要がある。しかし、光吸収層１０
１の面積を広くすると、受光素子の静電容量が増大する
ため、高速性が損なわれるという問題があった。

【０００６】そこで、本発明の目的は、上記従来技術の
問題点を解消し、高効率かつ高速な導波路型受光素子を
提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の第一形態は、半導体基板上に第１の
半導体による第１クラッド層、第２の半導体によるコア
層および第３の半導体による第２クラッド層をこの順序
で配置した半導体導波路型受光素子において、前記第２
クラッド層の少なくとも一部分を、光を吸収する半導体
層と光に対して透明な半導体層とを交互に積層して配置
した半導体多層膜となし、前記第２クラッド層の少なく
とも一部分をリッジ状の形状に構成し、かつ前記第２ク
ラッド層の上部にショットキー接合形成層を配置したこ
とを特徴とする。

【０００８】本発明の第二形態は、光に対して透明であ
り、かつ前記第２クラッド層の等価的な屈折率と等しい
屈折率を有する単層の半導体層を前記第２クラッド層に
隣接して前記コア層の上に配置し、該単層の半導体の一
部分をリッジ状の形状に構成したことを特徴とする。

【０００９】本発明の第三形態は、前記第２クラッド層
は、光に対して透明であり、かつ前記半導体多層膜の等
価的な屈折率と等しい屈折率を有する第１の単層の半導
体層を有し、該半導体層を前記コア層の上に配置したこ
とを特徴とする。

【００１０】本発明の第四形態は、光に対して透明であ
り、かつ前記第２クラッド層の等価的な屈折率と等しい
屈折率を有する第２の単層の半導体層を前記第２クラッ
ド層に隣接して前記第１の単層の半導体層の上に配置し
、該第２の単層の半導体層の一部分をリッジ状の形状に
構成したことを特徴とする。

【００１１】本発明の第五形態は、ＩｎＰ基板と、Ｉｎ
Ｐに格子整合し、光に対し透明なＩｎ１−ｘ１Ｇａｘ１
Ａｓｙ１Ｐ１−ｙ１（０≦ｘ１　≦１，０≦ｙ１　≦１
）からなる第１の半導体層と、該第１の半導体層の屈折
率よりも高い屈折率を有するＩｎ１−ｘ２Ｇａｘ２Ａｓ
ｙ２Ｐ１−ｙ２（０≦ｘ２≦１，０≦ｙ２　≦１）から
なる第２の半導体層と、光を吸収するノンドープＩｎ１
−ｘ３Ｇａｘ３Ａｓｙ３Ｐ１−ｙ３（０≦ｘ３　≦１，
０≦ｙ３　≦１）層と光に対し透明なノンドープＩｎ１
−ｘ４Ｇａｘ４Ａｓｙ４Ｐ１−ｙ４（０≦ｘ４　≦１，
０≦ｙ４　≦１）層とを交互にそれぞれ２層以上繰り返
し積層して配置した半導体多層膜から成り、かつその等
価的な屈折率が前記第２の半導体層の屈折率よりも低い
第３の半導体層と、該第３の半導体層の上に配置された
Ｉｎ１−ｘ５Ａｌｘ５Ａｓ（０≦ｘ５　≦１）層からな
る第４の半導体層と、該第３の半導体層の上部に配置さ
れたショットキー性の金属による電極層とを具え、少な
くとも前記第１，第２，第３および第４の半導体層を前
記ＩｎＰ基板上にこの順序に配置し、かつ前記第３の半
導体層の少なくとも一部分および前記第４の半導体層を
リッジ状の形状に構成したことを特徴とする。

【００１２】本発明の第六形態は、ＩｎＰ基板と、Ｉｎ
Ｐに格子整合し、光に対し透明なＩｎ１−ｘ　Ｇａｘ１
Ａｓｙ１Ｐ１−ｙ１（０≦ｘ１　≦１、０≦ｙ１　≦１
）からなる第１の半導体層と、該第１の半導体層の屈折
率よりも高い屈折率を有するＩｎ１−ｘ２Ｇａｘ２Ａｓ
ｙ２Ｐ１−ｙ２（０≦ｘ２≦１、０≦ｙ２　≦１）から
なる第２の半導体層と、光を吸収するノンドープＩｎ１
−ｘ３Ｇａｘ３Ａｓｙ３Ｐ１−ｙ３（０≦ｘ３　≦１、
０≦ｙ３　≦１）層と光に対し透明なノンドープＩｎ１
−ｘ４Ｇａｘ４Ａｓｙ４Ｐ１−ｙ４（０≦ｘ４　≦１、
０≦ｙ４　≦１）層とを交互にそれぞれ２層以上繰り返
し積層して配置した半導体多層膜から成り、かつその等
価的な屈折率が前記第２の半導体層の屈折率よりも低い
第３の半導体層と、該第３の半導体層の上に配置された
Ｉｎ１−ｘ５Ａｌｘ５Ａｓ（０≦ｘ５　≦１）層からな
る第４の半導体層と、光に対して透明であり、かつ前記
第３の半導体層の等価的な屈折率と等しい屈折率を有す
る第５の半導体層と、前記第４の半導体層の上部に配置
されたショットキー性の金属による電極層とを具え、少
なくとも前記第１、第２，第５，第３および第４の半導
体層を前記ＩｎＰ基板上にこの順序に配置し、かつ前記
第３および第４の半導体層をリッジ状の形状に構成した
ことを特徴とする。

【００１３】

【作用】本発明によれば、導波路型受光素子のクラッド
層に光吸収層としての機能を持たせるようにしたので、
光吸収層の面積が狭くても導波路としての機能は保持さ
れるため十分に光電変換でき、従って、高効率性を保ち
つつ、高速応答可能な導波路型受光素子を実現できる。

【００１４】本発明では、導波路型受光素子のクラッド
層の一部を、たとえば信号光を吸収し得るＩｎ１−ｘ１
Ｇａｘ１Ａｓｙ１Ｐ１−ｙ１（ｘ１　≧０．３７、ｙ１
　≧０．８）層（厚さｄ１　、屈折率ｎ１　）と、信号
光に対して透明なＩｎ１−ｘ２Ｇａｘ２Ａｓｙ２Ｐ１−
ｙ２（ｘ２　＜０．３７、ｙ２　＜０．８）層（厚さｄ
２　、屈折率ｎ２　）とを交互に積層した構造とするこ
とにより、（ｎ１　ｄ１　＋ｎ２　ｄ２　）／（ｄ１　
＋ｄ２　）で表される等価的な屈折率がコア層の屈折率
よりも低く、かつ光吸収層としての機能をもったクラッ
ド層を有するので、従来技術における導波路上に光吸収
層を配置した導波路型受光素子に比べて、光吸収層の面
積を狭くすることができ、以て高速動作できるという利
点がある。

【００１５】さらにまた、本発明によれば、コア層を入
出力光導波路と共用するように構成できるので、入出力
光導波路と受光素子とを個別に設けた場合に生じうるコ
ア層での接合損失を除去し、かつ光集積化に好適である
。

【００１６】

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。

【００１７】（実施例１）図１は本発明の第一の実施例
の構成を示す斜視図であって、１は半絶縁性ＩｎＰ基板
、２は厚さ２μｍ、バンドギャップ波長１．３７μｍの
ノンドープＩｎ１−Ｘ　Ｇａｘ　Ａｓｙ　Ｐ１−ｙ　（
ｘ＝０．３３、ｙ＝０．７）下部クラッド層、３は厚さ
０．１μｍ、バンドギャップ波長１．４２μｍのノンド
ープＩｎ１−ｘ　Ｇａｘ　Ａｓｙ　Ｐ１−ｙ　（ｘ＝０
．３５、ｙ＝０．７６）コア層、４および５は上部クラ
ッド層の大部分を占めるノンドープの半導体多層膜であ
り、厚さ０．００５μｍおよびバンドギャップ波長１．
５７μｍのＩｎ１−ｘ　Ｇａｘ　Ａｓｙ　Ｐ１−ｙ　（
ｘ＝０．４２、ｙ＝０．９）と厚さ０．０１μｍおよび
バンドギャップ波長１．２９μｍのＩｎ１−ｘ　Ｇａｘ
　Ａｓｙ　Ｐ１−ｙ　（ｘ＝０．２８、ｙ＝０．６）と
を交互に２０周期積層して構成されている。 ６はショットキー接合形成層としてのノンドープのＩｎ
１−ｘ　Ａｌｘ　Ａｓｙ　Ｐ１−ｙ　（０≦ｘ≦１、０
≦ｙ≦１）、たとえば厚さ０．０５μｍのノンドープＩ
ｎ１−ｘ　Ａｌｘ　Ａｓ（ｘ＝０．４８）層、７は一対
の櫛形ＴｉＰｔＡｕショットキー電極層である。

【００１８】ここで、Ｉｎ１−ｘ　Ｇａｘ　Ａｓｙ　Ｐ
１−ｙ　（ｘ＝０．３３、ｙ＝０．７）、Ｉｎ１−ｘ　
Ｇａｘ　Ａｓｙ　Ｐ１−ｙ　（ｘ＝０．３５、ｙ＝０．
７６）、Ｉｎ１−ｘ　Ｇａｘ　ＡｓｙＰ１−ｙ　（ｘ＝
０．２８、ｙ＝０．６）、Ｉｎ１−ｘ　Ｇａｘ　Ａｓｙ
　Ｐ１−ｙ　（ｘ＝０．４２、ｙ＝０．９）、Ｉｎ１−
ｘ　Ａｌｘ　Ａｓ（ｘ＝０．４８）はすべてＩｎＰと格
子整合した材料である。これらのうち多層膜４および５
を形成するＩｎ１−ｘ　Ｇａｘ　Ａｓｙ　Ｐ１−ｙ　（
ｘ＝０．４２、ｙ＝０．９）のみが波長１．５５μｍの
光を吸収し得る。多層膜４および５を形成するＩｎ１−
ｘ　Ｇａｘ　Ａｓｙ　Ｐ１−ｙ　（ｘ＝０．２８、ｙ＝
０．６）は光に対して透明な半導体層である。

【００１９】図１に示した受光素子を製造するにあたっ
ては、各層１〜６を順次にエピタキシャル成長させて形
成した後に、層５および６をエッチングにより長さ１０
μｍ、幅２μｍのリッジ状または島状に加工する。つい
で、Ｉｎ１−ｘ　Ａｌｘ　Ａｓ（ｘ＝０．４８）層６の
上に一対の櫛形ショットキー電極７を蒸着して形成する
。

【００２０】光ファイバから出射された波長１．５５μ
ｍの信号光は、図１に示すように、素子の端面に照射さ
れ、コア層３を通して素子内を導波して多層膜４および
５を形成するＩｎ１−ｘ　Ｇａｘ　Ａｓｙ　Ｐ１−ｙ　
（ｘ＝０．４２、ｙ＝０．９）にて吸収され、２つの電
極７間に加えられた電位差により光電変換される。

【００２１】以上に示した本発明の実施例においては、
層４として半導体多層膜を用いた例を示しているが、こ
れを半導体多層膜の等価的な屈折率と等しい屈折率を有
する単層１の半導体としても同様の効果が期待できる。

【００２２】あるいはまた、コア層として、本実施例に
おいては、信号光に対して透明なＩｎ１−ｘ　Ｇａｘ　
Ａｓｙ　Ｐ１−ｙ　（ｘ＝０．３５、ｙ＝０．７６）を
用いた例を示しているが、これを信号光を吸収し得る材
料としても同様の効果が期待できる。

【００２３】（実施例２）図２は本発明の第２の実施例
の構成を示す斜視図である。ここで、図１に示した実施
例と同様の箇所には同一符号を付してある。１０は実施
例１の多層膜４の位置に配置され、多層膜５の等価的な
屈折率と等しい屈折率を有するバンドギャップ波長１．
３７μｍのノンドープＩｎ１−ｘ　Ｇａｘ　Ａｓｙ　Ｐ
１−ｙ　（ｘ＝０．３３、ｙ＝０．７）層である。１１
は厚さ０．３５μｍおよびバンドギャップ波長１．３７
μｍのノンドープＩｎ１−ｘ　Ｇａｘ　Ａｓｙ　Ｐ１−
ｙ　（ｘ＝０．３３、ｙ＝０．７）であり、層５および
層６の積層構造に密接して配置される。図２において、
層　１、２、３、１０、５および６のうち、符号Ａで示
す部分が受光素子であり、層１、２、３、１０および１
１のうち、符号Ｂで示す部分が受光素子に信号光を導く
ための光導波路である。

【００２４】この素子を製造するにあたっては、ＩｎＰ
基板１上に層２、３、１０、５および６をこの順序にエ
ピタキシャル成長させて形成した後に、層５および６を
エッチングにより長さ１０μｍ、幅２μｍのリッジ状ま
たは島状に加工し、さらに層１１を層１０の上に選択的
に成長させて、同じく幅２μｍのリッジ状または島状に
加工する。その後、層６の上に一対の櫛形ショットキー
電極７を蒸着して素子を形成する。

【００２５】光ファイバから出射された波長１．５５μ
ｍの信号光は、光導波路Ｂの端面に照射され、この光導
波路Ｂ内を導波して受光素子Ａ内に導かれ、多層膜５を
形成するＩｎ１−ｘ　Ｇａｘ　Ａｓｙ　Ｐ１−ｙ　（ｘ
＝０．４２、ｙ＝０．９）にて吸収され、光電変換され
る。導波路型受光素子Ａはコア層を光電変換層としてい
ないため、受光素子Ａと光導波路Ｂのコア層を共通とす
ることができ、かかる受光素子Ａと光導波路Ｂとの極め
て効率の高い光結合が可能となる。

【００２６】以上に示した本発明の実施例ににおいては
、導波路型受光素子に１つの光導波路を結合した例を示
したが、導波路型受光素子の他方の側にさらに別の光導
波路を結合することにより、この導波路型受光素子を、
導波路光の一部を光電変換させるいわゆる光タップとし
て機能させることも可能である。この実施例によれば、
コア層を部分ＡとＢとで共用できるので、光集積回路を
製造するにあたり、微小寸法のコア層の位置合わせをす
る困難さがない利点、および両部分ＡとＢの個別のコア
層を接合する場合に接合部分で生じる損失がない利点が
ある。

【００２７】（実施例３）図３は本発明の第三の実施例
の構成を示す斜視図である。ここで、図１に示した実施
例と同様の箇所には同一符号を付してある。１１は厚さ
０．３５μｍおよびバンドギャップ波長１．３７μｍの
ノンドープＩｎ１−ｘ　Ｇａｘ　Ａｓｙ　Ｐ１−ｙ　（
ｘ＝０．３３、ｙ＝０．７）層であり、層５および層６
の積層構造に密接して配置される。図３において、層１
、２、３、５および６の符号Ａで示す部分が受光素子で
あり、層１、２、３、および１１の符号Ｂで示す部分が
受光素子に信号光を導くための光導波路である。

【００２８】本実施例においても、実施例２で述べた利
点を発揮することができる。

【００２９】上述した本発明の実施例１、２および３に
おいては、多層膜を構成する化合物半導体を二種類とし
てあるが、入射信号を吸収するＩｎ１−ｘ１Ｇａｘ１Ａ
ｓｙ１Ｐ１−ｙ１（０≦ｘ１　　≦１、０≦ｙ１　≦１
）を含む三種類以上の化合物半導体により構成された多
層膜としても同様の効果が期待できる。

【００３０】これら実施例１、２および３ではクラッド
層およびコア層の材料としてＩｎＰ基板と格子整合する
材料を用いた例を示したが、これらの一部あるいは全て
をＩｎＰ基板と格子整合しない材料としても同様の効果
が期待できる。

【００３１】あるいはまた、クラッド層およびコア層の
材料として、Ｉｎ１−ｘ　Ｇａｘ　ＡｓｙＰ１−ｙ　（
０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）系半導体を用いる上述した実
施例の他に、Ｉｎ１−ｘ−ｙ　Ａｌｘ　Ｇａｙ　Ａｓ（
０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を用いても同様の効果が期待
できる。そしてまた、本発明は、信号光波長が１．５５
μｍの場合にのみ限られるものではなく、材料を適当に
選ぶことにより、波長１．５５μｍ以外の信号光に対し
ても上記実施例と同様の効果を発揮することのできる導
波路型受光素子を実現できる。

【００３２】さらに加えて、本発明導波路型受光素子を
、ＧａＡｓ基板とＡｌ１−Ｘ　Ｇａｘ　Ａｓ（０≦ｘ≦
１）、ＧａＳｂ基板とＡｌ１−ｘ　Ｇａｘ　Ａｓｙ　Ｓ
ｂ１−ｙ　（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）半導体層で構成
することも可能である。

【００３３】さらにまた、本発明の実施例１、２および
３においては、櫛型の２つのショットキー電極で構成さ
れた、いわゆる金属−半導体−金属型受光素子の例を示
したが、このようにする代わりに、１つのショットキー
電極と１つのオーミック電極で構成される、いわゆるシ
ョットキー型受光素子としても上記実施例と同様の効果
がある導波路型受光素子を実現できる。この場合には、
層１、２、３および１０をｎ型の導電層とし、かつ層６
の上部にＴｉＰｔＡｕショットキー電極層（櫛型とは限
らない。）、ＩｎＰ基板裏面にＡｕＧｅＮｉオーミック
電極層を形成する。

【００３４】さらにまた、本発明の実施例１、２および
３では、２つのショットキー電極は櫛形型としたが、こ
れらショットキー電極は、櫛形に限定されず、例えば、
コプレーナ型電極配置等であっても良いことは言うまで
もない。

【００３５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
導波路型受光素子のクラッド層に光吸収層としての機能
を持たせるようにしたので、光吸収層の面積が狭くても
導波路としての機能は保持され、その結果、十分に光電
変換でき、従って、高効率性を保ちつつ、高速応答可能
な導波路型受光素子を実現できる。

【００３６】本発明によれば、コア層を入出力光導波路
と共用するように構成できるので、入出力光導波路と受
光素子とを個別に設けた場合に生じうるコア層での接合
損失を除去し、かつ光集積化に好適である効果をも発揮
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１において例示した導波路型受
光素子の構成を示す斜視図である。

【図２】本発明の実施例２において例示した導波路集積
化導波路型受光素子の構成を示す斜視図である。

【図３】本発明の実施例３において例示した導波路型集
積化導波路型受光素子の構成を示す斜視図である。

【図４】従来の一般的な導波路型受光素子を示す斜視図
である。

【符号の説明】

１　　半絶縁性ＩｎＰ基板 ２　　下部クラッド層 ３　　コア層 ４　　半導体多層膜 ５　　半導体多層膜 ６　　ノンドープＩｎ１−ｘ　Ａｌｘ　Ａｓ（ｘ＝０．
４８）層７　　ＴｉＰｔＡｕショットキー電極層１０　
　ノンドープＩｎ１−ｘ　Ｇａｘ　Ａｓｙ　Ｐ１−ｙ　
（ｘ１　＝０．３３、ｙ１　＝０．７）層 １１　　ノンドープＩｎ１−ｘ　Ｇａｘ　Ａｓｙ　Ｐ１
−ｙ　（ｘ１　＝０．３３、ｙ１　＝０．７）層

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　半導体基板上に第１の半導体による第
   １クラッド層、第２の半導体によるコア層および第３の
   半導体による第２クラッド層をこの順序で配置した半導
   体導波路型受光素子において、前記第２クラッド層の少
   なくとも一部分を、光を吸収する半導体層と光に対して
   透明な半導体層とを交互に積層して配置した半導体多層
   膜となし、前記第２クラッド層の少なくとも一部分をリ
   ッジ状の形状に構成し、かつ前記第２クラッド層の上部
   にショットキー接合形成層を配置したことを特徴とする
   半導体導波路型受光素子。
2. 【請求項２】　　光に対して透明であり、かつ前記第２
   クラッド層の等価的な屈折率と等しい屈折率を有する単
   層の半導体層を前記第２クラッドに隣接して前記コア層
   の上に配置し、該単層の半導体層の一部分をリッジ状の
   形状に構成したことを特徴とする請求項１記載の半導体
   導波路型受光素子。
3. 【請求項３】　　前記第２クラッド層は、光に対して透
   明であり、かつ前記半導体多層膜の等価的な屈折率と等
   しい屈折率を有する第１の単層の半導体層を有し、該半
   導体層を前記コア層の上に配置したことを特徴とする請
   求項１記載の半導体導波路型受光素子。
4. 【請求項４】　　光に対して透明であり、かつ前記第２
   クラッド層の等価的な屈折率と等しい屈折率を有する第
   ２の単層の半導体層を前記第２クラッド層に隣接して前
   記第１の単層の半導体層の上に配置し、該第２の単層の
   半導体層の一部分をリッジ状の形状に構成したことを特
   徴とする請求項３記載の半導体導波路型受光素子。
5. 【請求項５】　　ＩｎＰ基板と、ＩｎＰに格子整合し、
   光に対し透明なＩｎ１−ｘ１Ｇａｘ１Ａｓｙ１Ｐ１−ｙ
   １（０≦ｘ１≦１，０≦ｙ１　≦１）からなる第１の半
   導体層と、該第１の半導体層の屈折率よりも高い屈折率
   を有するＩｎ１−ｘ２Ｇａｘ２Ａｓｙ２Ｐ１−ｙ２（０
   ≦ｘ２　≦１，０≦ｙ２　≦１）からなる第２の半導体
   層と、光を吸収するノンドープＩｎ１−ｘ３Ｇａｘ３Ａ
   ｓｙ３Ｐ１−ｙ３（０≦ｘ３　≦１，０≦ｙ３　≦１）
   層と光に対し透明なノンドープＩｎ１−ｘ４Ｇａｘ４Ａ
   ｓｙ４Ｐ１−ｙ４（０≦ｘ４≦１，０≦ｙ４　≦１）層
   とを交互にそれぞれ２層以上繰り返し積層して配置した
   半導体多層膜から成り、かつその等価的な屈折率が前記
   第２の半導体層の屈折率よりも低い第３の半導体層と、
   該第３の半導体層の上に配置されたＩｎ１−ｘ５Ａｌｘ
   ５Ａｓ（０≦ｘ５　≦１）層からなる第４の半導体層と
   、該第３の半導体層の上部に配置されたショットキー性
   の金属による電極層とを具え、少なくとも前記第１，第
   ２，第３および第４の半導体層を前記ＩｎＰ基板上にこ
   の順序に配置し、かつ前記第３の半導体層の少なくとも
   一部分および前記第４の半導体層をリッジ状の形状に構
   成したことを特徴とする半導体導波路型受光素子。
6. 【請求項６】　　ＩｎＰ基板と、ＩｎＰに格子整合し、
   光に対し透明なＩｎ１−ｘ　Ｇａｘ１Ａｓｙ１Ｐ１−ｙ
   １（０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１　≦１）からなる第１の半
   導体層と、該第１の半導体層の屈折率よりも高い屈折率
   を有するＩｎ１−ｘ２Ｇａｘ２Ａｓｙ２Ｐ１−ｙ２（０
   ≦ｘ２　≦１、０≦ｙ２　≦１）からなる第２の半導体
   層と、光を吸収するノンドープＩｎ１−ｘ３Ｇａｘ３Ａ
   ｓｙ３Ｐ１−ｙ３（０≦ｘ３　≦１、０≦ｙ３　≦１）
   層と光に対し透明なノンドープＩｎ１−ｘ４Ｇａｘ４Ａ
   ｓｙ４Ｐ１−ｙ４（０≦ｘ４≦１、０≦ｙ４　≦１）層
   とを交互にそれぞれ２層以上繰り返し積層して配置した
   半導体多層膜から成り、かつその等価的な屈折率が前記
   第２の半導体層の屈折率よりも低い第３の半導体層と、
   該第３の半導体層の上に配置されたＩｎ１−ｘ５Ａｌｘ
   ５Ａｓ（０≦ｘ５　≦１）層からなる第４の半導体層と
   、光に対して透明であり、かつ前記第３の半導体層の等
   価的な屈折率と等しい屈折率を有する第５の半導体層と
   、前記第４の半導体層の上部に配置されたショットキー
   性の金属による電極層とを具え、少なくとも前記第１、
   第２，第５，第３および第４の半導体層を前記ＩｎＰ基
   板上にこの順序に配置し、かつ前記第３および第４の半
   導体層をリッジ状の形状に構成したことを特徴とする半
   導体導波路型受光素子。