JPH04330770A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPH04330770A JPH04330770A JP3039235A JP3923591A JPH04330770A JP H04330770 A JPH04330770 A JP H04330770A JP 3039235 A JP3039235 A JP 3039235A JP 3923591 A JP3923591 A JP 3923591A JP H04330770 A JPH04330770 A JP H04330770A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epoxy resin
- optical semiconductor
- rubber particles
- semiconductor device
- parts
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光透過率および低応
力性の双方に優れた封止樹脂により樹脂封止された光半
導体装置に関するものである。
力性の双方に優れた封止樹脂により樹脂封止された光半
導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＬＥＤ（発光ダイオード）等の光半導体
素子を封止する際に用いられる樹脂組成物としては、透
明であることが要求され、一般に、ビスフエノール型エ
ポキシ樹脂，脂環式エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂と酸
無水物系硬化剤とからなるエポキシ樹脂組成物が用いら
れる。
素子を封止する際に用いられる樹脂組成物としては、透
明であることが要求され、一般に、ビスフエノール型エ
ポキシ樹脂，脂環式エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂と酸
無水物系硬化剤とからなるエポキシ樹脂組成物が用いら
れる。
【０００３】しかし、上記エポキシ樹脂組成物を封止樹
脂として用いると、このエポキシ樹脂組成物の硬化時の
硬化収縮、またはエポキシ樹脂と光半導体素子との線膨
張係数の差に起因する歪みにより内部応力が発生し、そ
れが原因で光半導体素子が劣化して、例えば、光半導体
素子が発光素子の場合、その輝度が低下するという問題
が生じる。このような問題を解決するために、例えば、
エポキシ樹脂の弾性率を低下させる方法として、オルガ
ノポリシロキサンでエポキシ樹脂を変性する方法があげ
られるが、この場合、オルガノポリシロキサンの一部が
エポキシ樹脂に溶解するため、エポキシ樹脂硬化体の線
膨張係数が大きくなるという問題が生じる。このように
、線膨張係数が大きくなると、たとえ弾性率が下がつて
も内部応力低下の効果が低減されてしまう（内部応力は
線膨張係数と弾性率の積に比例するため）ことを本発明
者らは研究の過程で突き止めた。
脂として用いると、このエポキシ樹脂組成物の硬化時の
硬化収縮、またはエポキシ樹脂と光半導体素子との線膨
張係数の差に起因する歪みにより内部応力が発生し、そ
れが原因で光半導体素子が劣化して、例えば、光半導体
素子が発光素子の場合、その輝度が低下するという問題
が生じる。このような問題を解決するために、例えば、
エポキシ樹脂の弾性率を低下させる方法として、オルガ
ノポリシロキサンでエポキシ樹脂を変性する方法があげ
られるが、この場合、オルガノポリシロキサンの一部が
エポキシ樹脂に溶解するため、エポキシ樹脂硬化体の線
膨張係数が大きくなるという問題が生じる。このように
、線膨張係数が大きくなると、たとえ弾性率が下がつて
も内部応力低下の効果が低減されてしまう（内部応力は
線膨張係数と弾性率の積に比例するため）ことを本発明
者らは研究の過程で突き止めた。
【０００４】一方、エポキシ樹脂の内部応力を低減させ
る方法として、上記オルガノポリシロキサンを用いる方
法以外に、ゴム粒子をエポキシ樹脂に添加することによ
りエポキシ樹脂組成物硬化体の弾性率を小さくするとい
う方法が提案され、一部で実行されている。
る方法として、上記オルガノポリシロキサンを用いる方
法以外に、ゴム粒子をエポキシ樹脂に添加することによ
りエポキシ樹脂組成物硬化体の弾性率を小さくするとい
う方法が提案され、一部で実行されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法は、内部応力を低下させることはできても得られるエ
ポキシ樹脂組成物硬化体の光透過率が著しく低下すると
いう光半導体封止用樹脂組成物としては致命的な欠点を
有している。
法は、内部応力を低下させることはできても得られるエ
ポキシ樹脂組成物硬化体の光透過率が著しく低下すると
いう光半導体封止用樹脂組成物としては致命的な欠点を
有している。
【０００６】この発明は、このような事情に鑑みなされ
たもので、内部応力が小さく、しかも透明性に優れた光
半導体装置に関するものである。
たもので、内部応力が小さく、しかも透明性に優れた光
半導体装置に関するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明の光半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｄ）
成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素
子を封止するという構成をとる。 （Ａ）透明性エポキシ樹脂。 （Ｂ）酸無水物系硬化剤。 （Ｃ）硬化触媒。 （Ｄ）粒子径が０．２μｍ以下であるゴム粒子。
め、この発明の光半導体装置は、下記の（Ａ）〜（Ｄ）
成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素
子を封止するという構成をとる。 （Ａ）透明性エポキシ樹脂。 （Ｂ）酸無水物系硬化剤。 （Ｃ）硬化触媒。 （Ｄ）粒子径が０．２μｍ以下であるゴム粒子。
【０００８】
【作用】すなわち、本発明者らは、内部応力が小さく、
しかも光透過性に優れた封止樹脂を得るために一連の研
究を重ねた。その研究の過程で、内部応力の低下を目的
にゴム粒子をエポキシ樹脂に添加した場合に、光透過率
が低下するのは、ゴム粒子の粒子径が大きく光の透過を
妨げるためではないかと想起した。そして、光透過率と
内部応力の低減に優れた作用を有する粒子径を見出すべ
く種々の粒子径のゴム粒子を用い検討した。その結果、
光の波長よりも充分に小さい特定の粒子径のゴム粒子を
用いた場合に、ゴム粒子を充填しても、透明で内部応力
の低い封止樹脂が得られることを見出しこの発明に到達
した。
しかも光透過性に優れた封止樹脂を得るために一連の研
究を重ねた。その研究の過程で、内部応力の低下を目的
にゴム粒子をエポキシ樹脂に添加した場合に、光透過率
が低下するのは、ゴム粒子の粒子径が大きく光の透過を
妨げるためではないかと想起した。そして、光透過率と
内部応力の低減に優れた作用を有する粒子径を見出すべ
く種々の粒子径のゴム粒子を用い検討した。その結果、
光の波長よりも充分に小さい特定の粒子径のゴム粒子を
用いた場合に、ゴム粒子を充填しても、透明で内部応力
の低い封止樹脂が得られることを見出しこの発明に到達
した。
【０００９】しかも、この発明に用いるゴム粒子（Ｄ成
分）は、一般にエポキシ樹脂に不溶性であるため、オル
ガノポリシロキサンでエポキシ樹脂を変性した場合に比
べて、エポキシ樹脂硬化体の線膨張係数は大きくならな
いという利点を有している。
分）は、一般にエポキシ樹脂に不溶性であるため、オル
ガノポリシロキサンでエポキシ樹脂を変性した場合に比
べて、エポキシ樹脂硬化体の線膨張係数は大きくならな
いという利点を有している。
【００１０】この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、
透明性エポキシ樹脂（Ａ成分）と、酸無水物系硬化剤（
Ｂ成分）と、硬化触媒（Ｃ成分）と、特定のゴム粒子（
Ｄ成分）とを用いて得られるものであつて、通常、液状
，粉末状もしくはこの粉末を打錠したタブレツト状にな
つている。
透明性エポキシ樹脂（Ａ成分）と、酸無水物系硬化剤（
Ｂ成分）と、硬化触媒（Ｃ成分）と、特定のゴム粒子（
Ｄ成分）とを用いて得られるものであつて、通常、液状
，粉末状もしくはこの粉末を打錠したタブレツト状にな
つている。
【００１１】上記透明性エポキシ樹脂（Ａ成分）として
は、ビスフエノール型エポキシ樹脂，脂環式エポキシ樹
脂を用いるのが透明性を有するため好ましい。これに加
えて場合により他のエポキシ樹脂を併用してもよい。上
記他のエポキシ樹脂を用いる場合、その使用割合は、通
常、エポキシ樹脂全体の５０重量％（以下「％」と略す
）以下に設定するのが好適である。このようなエポキシ
樹脂としては、一般に、エポキシ当量１００〜１０００
、軟化点１２０℃以下のものが用いられる。なお、上記
透明性エポキシ樹脂の透明性とは、着色透明の場合も含
み、厚み１ｍｍ相当で、６００ｎｍの波長の光透過率が
８０〜１００％をいう（分光光度計により測定）。
は、ビスフエノール型エポキシ樹脂，脂環式エポキシ樹
脂を用いるのが透明性を有するため好ましい。これに加
えて場合により他のエポキシ樹脂を併用してもよい。上
記他のエポキシ樹脂を用いる場合、その使用割合は、通
常、エポキシ樹脂全体の５０重量％（以下「％」と略す
）以下に設定するのが好適である。このようなエポキシ
樹脂としては、一般に、エポキシ当量１００〜１０００
、軟化点１２０℃以下のものが用いられる。なお、上記
透明性エポキシ樹脂の透明性とは、着色透明の場合も含
み、厚み１ｍｍ相当で、６００ｎｍの波長の光透過率が
８０〜１００％をいう（分光光度計により測定）。
【００１２】上記透明性エポキシ樹脂（Ａ成分）ととも
に用いられる酸無水物系硬化剤（Ｂ成分）としては、分
子量１４０〜２００程度のものが好ましく用いられ、例
えば、ヘキサヒドロ無水フタル酸，テトラヒドロ無水フ
タル酸，メチルヘキサヒドロ無水フタル酸，メチルテト
ラヒドロ無水フタル酸等の無色ないし淡黄色の酸無水物
があげられる。上記酸無水物系硬化剤（Ｂ成分）の配合
量は、上記透明性エポキシ樹脂（Ａ成分）１００重量部
（以下「部」と略す）に対して５０〜２００部の範囲に
設定することが好ましい。
に用いられる酸無水物系硬化剤（Ｂ成分）としては、分
子量１４０〜２００程度のものが好ましく用いられ、例
えば、ヘキサヒドロ無水フタル酸，テトラヒドロ無水フ
タル酸，メチルヘキサヒドロ無水フタル酸，メチルテト
ラヒドロ無水フタル酸等の無色ないし淡黄色の酸無水物
があげられる。上記酸無水物系硬化剤（Ｂ成分）の配合
量は、上記透明性エポキシ樹脂（Ａ成分）１００重量部
（以下「部」と略す）に対して５０〜２００部の範囲に
設定することが好ましい。
【００１３】上記透明性エポキシ樹脂（Ａ成分），酸無
水物系硬化剤（Ｂ成分）とともに用いられる硬化触媒（
Ｃ成分）としては、三級アミン，イミダゾール化合物お
よび有機金属錯塩等があげられる。
水物系硬化剤（Ｂ成分）とともに用いられる硬化触媒（
Ｃ成分）としては、三級アミン，イミダゾール化合物お
よび有機金属錯塩等があげられる。
【００１４】上記透明性エポキシ樹脂（Ａ成分），酸無
水物系硬化剤（Ｂ成分），硬化触媒（Ｃ成分）とともに
用いられる特定のゴム粒子（Ｄ成分）としては、粒子径
が０．２μｍ以下のものでなければならない。さらに、
粒子径０．０５〜０．１μｍのものを用いるのが特に好
ましい。すなわち、粒子径が０．２μｍを超えると光透
過率が低下するからである。そして、上記特定のゴム粒
子の成分としては、ブタジエンゴム，ブタジエン−スチ
レンゴム，メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン
ゴム，アクリロニトリル−ブタジエンゴム，アクリルゴ
ム，クロロプレンゴム，イソプレンゴム，イソブチレン
ゴム，イソブチレン−イソプレンゴム，シリコーンゴム
，ウレタンゴム等があげられる。このような特定のゴム
粒子（Ｄ成分）は、上記ゴム成分を用い、例えば、乳化
重合により、また有機溶媒にゴム成分を溶解した溶液を
乳化剤で水に乳化させ、この溶液から有機溶媒を除去す
ることにより得られる。
水物系硬化剤（Ｂ成分），硬化触媒（Ｃ成分）とともに
用いられる特定のゴム粒子（Ｄ成分）としては、粒子径
が０．２μｍ以下のものでなければならない。さらに、
粒子径０．０５〜０．１μｍのものを用いるのが特に好
ましい。すなわち、粒子径が０．２μｍを超えると光透
過率が低下するからである。そして、上記特定のゴム粒
子の成分としては、ブタジエンゴム，ブタジエン−スチ
レンゴム，メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン
ゴム，アクリロニトリル−ブタジエンゴム，アクリルゴ
ム，クロロプレンゴム，イソプレンゴム，イソブチレン
ゴム，イソブチレン−イソプレンゴム，シリコーンゴム
，ウレタンゴム等があげられる。このような特定のゴム
粒子（Ｄ成分）は、上記ゴム成分を用い、例えば、乳化
重合により、また有機溶媒にゴム成分を溶解した溶液を
乳化剤で水に乳化させ、この溶液から有機溶媒を除去す
ることにより得られる。
【００１５】上記特定のゴム粒子（Ｄ成分）の配合量は
、エポキシ樹脂１００部に対して５〜１００部の範囲内
に設定することが好ましい。すなわち、ゴム粒子の配合
量が５部未満では硬化物の弾性率が充分に低下せず、ま
た１００部を超えると弾性率は低下するが硬化物の耐熱
性が劣化する傾向がみられるからである。
、エポキシ樹脂１００部に対して５〜１００部の範囲内
に設定することが好ましい。すなわち、ゴム粒子の配合
量が５部未満では硬化物の弾性率が充分に低下せず、ま
た１００部を超えると弾性率は低下するが硬化物の耐熱
性が劣化する傾向がみられるからである。
【００１６】なお、この発明に用いるエポキシ樹脂組成
物には、上記Ａ〜Ｄ成分以外に、必要に応じて染料，変
性剤，変色防止剤，老化防止剤，離型剤，反応ないし非
反応性の希釈剤等の従来公知の添加剤を適宜配合するこ
とができる。
物には、上記Ａ〜Ｄ成分以外に、必要に応じて染料，変
性剤，変色防止剤，老化防止剤，離型剤，反応ないし非
反応性の希釈剤等の従来公知の添加剤を適宜配合するこ
とができる。
【００１７】この発明に用いるエポキシ樹脂組成物は、
例えばつぎのようにして製造することができる。すなわ
ち、上記各成分を適宜配合し、予備混合した後、混練機
に掛けて混練して溶融混合する。そして、これを室温に
冷却した後、公知の手段によつて粉砕し、必要に応じて
打錠するという一連の工程により製造することができる
。
例えばつぎのようにして製造することができる。すなわ
ち、上記各成分を適宜配合し、予備混合した後、混練機
に掛けて混練して溶融混合する。そして、これを室温に
冷却した後、公知の手段によつて粉砕し、必要に応じて
打錠するという一連の工程により製造することができる
。
【００１８】また、上記エポキシ樹脂組成物が液状の場
合は、上記各成分を混合するのみでよい。
合は、上記各成分を混合するのみでよい。
【００１９】このようなエポキシ樹脂組成物を用いての
光半導体素子の封止は、特に限定するものではなく、通
常のトランスフアー成形，注型等の公知のモールド方法
により行うことができる。
光半導体素子の封止は、特に限定するものではなく、通
常のトランスフアー成形，注型等の公知のモールド方法
により行うことができる。
【００２０】このようにして得られる光半導体装置は、
透明性に優れ、内部応力が極めて小さく高い信頼性を備
えている。
透明性に優れ、内部応力が極めて小さく高い信頼性を備
えている。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、この発明の光半導体装置
は、粒子径が波長よりも充分に小さい特定のゴム粒子を
用い、これを含むエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体
素子を樹脂封止して得られたものである。このため、こ
の封止樹脂は光透過性に優れ、しかもその内部応力が小
さくなつており、例えば発光素子ではその輝度劣化の抑
制等が効果的になされ、信頼性が極めて高くなる。
は、粒子径が波長よりも充分に小さい特定のゴム粒子を
用い、これを含むエポキシ樹脂組成物を用いて光半導体
素子を樹脂封止して得られたものである。このため、こ
の封止樹脂は光透過性に優れ、しかもその内部応力が小
さくなつており、例えば発光素子ではその輝度劣化の抑
制等が効果的になされ、信頼性が極めて高くなる。
【００２２】つぎに、実施例について比較例と併せて説
明する。
明する。
【００２３】
【実施例１】エポキシ当量１８５のビスフエノールＡ型
エポキシ樹脂（液状樹脂）１００部、４−メチルヘキサ
ヒドロ無水フタル酸１００部、２−エチル−４−メチル
イミダゾール０．４部、酸化防止剤２．５部、粒子径が
８５０Åのメタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン
ゴム粒子（ＭＢＳ粒子）２２部を混合したものを１２０
℃で熱硬化させてエポキシ樹脂組成物の硬化体を得た。 この硬化体の光透過率は厚み４ｍｍで８１％という高い
値であつた。
エポキシ樹脂（液状樹脂）１００部、４−メチルヘキサ
ヒドロ無水フタル酸１００部、２−エチル−４−メチル
イミダゾール０．４部、酸化防止剤２．５部、粒子径が
８５０Åのメタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン
ゴム粒子（ＭＢＳ粒子）２２部を混合したものを１２０
℃で熱硬化させてエポキシ樹脂組成物の硬化体を得た。 この硬化体の光透過率は厚み４ｍｍで８１％という高い
値であつた。
【００２４】
【比較例１】ＭＢＳ粒子の粒子径を８５０Åから２５０
０Åに変えた。それ以外は実施例１と同様にしてエポキ
シ樹脂組成物の硬化体を得た。この硬化体の光透過率は
厚み４ｍｍでわずかに３％であつた。これは、ゴム粒子
の粒子径が大きいために光の散乱が生じたからである。
０Åに変えた。それ以外は実施例１と同様にしてエポキ
シ樹脂組成物の硬化体を得た。この硬化体の光透過率は
厚み４ｍｍでわずかに３％であつた。これは、ゴム粒子
の粒子径が大きいために光の散乱が生じたからである。
【００２５】
【実施例２】エポキシ当量１８５のビスフエノールＡ型
エポキシ樹脂（液状樹脂）１００部、４−メチルヘキサ
ヒドロ無水フタル酸１００部、２−エチル−４−メチル
イミダゾール０．４部、酸化防止剤２．５部、粒子径が
８４０Åのアクリロニトリル−ブタジエンゴム粒子（Ａ
ＮＢ粒子）２２部を混合したものを１２０℃で熱硬化さ
せてエポキシ樹脂組成物の硬化体を得た。この硬化体の
光透過率は厚み４ｍｍで８０％という高い値であつた。
エポキシ樹脂（液状樹脂）１００部、４−メチルヘキサ
ヒドロ無水フタル酸１００部、２−エチル−４−メチル
イミダゾール０．４部、酸化防止剤２．５部、粒子径が
８４０Åのアクリロニトリル−ブタジエンゴム粒子（Ａ
ＮＢ粒子）２２部を混合したものを１２０℃で熱硬化さ
せてエポキシ樹脂組成物の硬化体を得た。この硬化体の
光透過率は厚み４ｍｍで８０％という高い値であつた。
【００２６】
【比較例２】ＡＮＢ粒子の粒子径を８４０Åから２６０
０Åに変えた。それ以外は実施例２と同様にしてエポキ
シ樹脂組成物の硬化体を得た。この硬化体の光透過率は
厚み４ｍｍでわずかに４％であつた。これは、ゴム粒子
の粒子径が大きいために光の散乱が生じたからである。
０Åに変えた。それ以外は実施例２と同様にしてエポキ
シ樹脂組成物の硬化体を得た。この硬化体の光透過率は
厚み４ｍｍでわずかに４％であつた。これは、ゴム粒子
の粒子径が大きいために光の散乱が生じたからである。
【００２７】
【実施例３】エポキシ当量６５０のビスフエノールＡ型
エポキシ樹脂（固形樹脂）８０部、トリグリシジルイソ
シアヌレート２０部、テトラヒドロ無水フタル酸４４部
、２−エチル−４−メチルイミダゾール０．４部、酸化
防止剤２．５部、粒子径が８５０ÅのＭＢＳ粒子２２部
を混合したものを１５０℃で熱硬化させてエポキシ樹脂
組成物の硬化体を得た。この硬化体の光透過率は厚み４
ｍｍで８２％という高い値であつた。
エポキシ樹脂（固形樹脂）８０部、トリグリシジルイソ
シアヌレート２０部、テトラヒドロ無水フタル酸４４部
、２−エチル−４−メチルイミダゾール０．４部、酸化
防止剤２．５部、粒子径が８５０ÅのＭＢＳ粒子２２部
を混合したものを１５０℃で熱硬化させてエポキシ樹脂
組成物の硬化体を得た。この硬化体の光透過率は厚み４
ｍｍで８２％という高い値であつた。
【００２８】
【実施例４】ＭＢＳ粒子の粒子径を８５０Åから１８０
０Åに変えた。それ以外は実施例３と同様にしてエポキ
シ樹脂組成物の硬化体を得た。この硬化体の光透過率は
厚み４ｍｍで８０％という高い値であつた。
０Åに変えた。それ以外は実施例３と同様にしてエポキ
シ樹脂組成物の硬化体を得た。この硬化体の光透過率は
厚み４ｍｍで８０％という高い値であつた。
【００２９】
【比較例３】ＭＢＳ粒子の粒子径を８５０Åから２５０
０Åに変えた。それ以外は実施例２と同様にしてエポキ
シ樹脂組成物の硬化体を得た。この硬化体の光透過率は
厚み４ｍｍでわずかに５％であつた。これは、ゴム粒子
の粒子径が大きいために光の散乱が生じたからである。
０Åに変えた。それ以外は実施例２と同様にしてエポキ
シ樹脂組成物の硬化体を得た。この硬化体の光透過率は
厚み４ｍｍでわずかに５％であつた。これは、ゴム粒子
の粒子径が大きいために光の散乱が生じたからである。
【００３０】
【比較例４】ゴム粒子を用いず、エポキシ当量１８５の
ビスフエノールＡ型エポキシ樹脂（液状樹脂）１００部
、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸１００部、２−
エチル−４−メチルイミダゾール０．４部、酸化防止剤
２．５部を混合してエポキシ樹脂組成物を得た。
ビスフエノールＡ型エポキシ樹脂（液状樹脂）１００部
、４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸１００部、２−
エチル−４−メチルイミダゾール０．４部、酸化防止剤
２．５部を混合してエポキシ樹脂組成物を得た。
【００３１】
【比較例５】ゴム粒子を用いず、エポキシ当量６５０の
ビスフエノールＡ型エポキシ樹脂（固形樹脂）８０部、
トリグリシジルイソシアヌレート２０部、テトラヒドロ
無水フタル酸４４部、２−エチル−４−メチルイミダゾ
ール０．４部、酸化防止剤２．５部を混合してエポキシ
樹脂組成物を得た。
ビスフエノールＡ型エポキシ樹脂（固形樹脂）８０部、
トリグリシジルイソシアヌレート２０部、テトラヒドロ
無水フタル酸４４部、２−エチル−４−メチルイミダゾ
ール０．４部、酸化防止剤２．５部を混合してエポキシ
樹脂組成物を得た。
【００３２】つぎに、このようにして得られた実施例１
〜３および比較例４，５のエポキシ樹脂組成物を用いて
発光ダイオードを樹脂封止して光半導体装置（ＬＥＤデ
バイス）を作製した。そして、これら光半導体装置の通
電輝度劣化を測定し、その結果を後記の表１に示した。
〜３および比較例４，５のエポキシ樹脂組成物を用いて
発光ダイオードを樹脂封止して光半導体装置（ＬＥＤデ
バイス）を作製した。そして、これら光半導体装置の通
電輝度劣化を測定し、その結果を後記の表１に示した。
【００３３】なお、上記通電輝度劣化の測定方法は、光
半導体装置に定電流を流し、輝度として電流印加５秒後
の受光素子の出力電流値を求め劣化率を測定した。また
、評価素子および条件等を下記に示す。
半導体装置に定電流を流し、輝度として電流印加５秒後
の受光素子の出力電流値を求め劣化率を測定した。また
、評価素子および条件等を下記に示す。
【００３４】パツケージ：直径５ｍｍのパイロツトラン
プ。 評価素子：ＧａＡｓ，０．５×０．５ｍｍ。 評価条件：−３０℃放置で２０ｍＡ通電の１０００時間
後の輝度劣化率を測定した。
プ。 評価素子：ＧａＡｓ，０．５×０．５ｍｍ。 評価条件：−３０℃放置で２０ｍＡ通電の１０００時間
後の輝度劣化率を測定した。
【００３５】
【表１】
┌───┬────────┐
│ │輝度劣化率（％）│
├─┬─┼────────┤
│実│１│ １０ ││ ├─
┼────────┤ │施│２│ ７ ││ ├
─┼────────┤ │例│３│ ６ │├─┼─
┼────────┤ │比│４│ ６５ ││較├─┼
────────┤ │例│５│ ６０ │└─┴─┴
────────┘
┼────────┤ │施│２│ ７ ││ ├
─┼────────┤ │例│３│ ６ │├─┼─
┼────────┤ │比│４│ ６５ ││較├─┼
────────┤ │例│５│ ６０ │└─┴─┴
────────┘
【００３６】上記表１の結果から、実施例品は比較例品
に比べて輝度劣化が抑制され、光透過性とともに低応力
性も向上していることがわかる。
に比べて輝度劣化が抑制され、光透過性とともに低応力
性も向上していることがわかる。
Claims (6)
- 【請求項１】 下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する
エポキシ樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止してな
る光半導体装置。 （Ａ）透明性エポキシ樹脂。 （Ｂ）酸無水物系硬化剤。 （Ｃ）硬化触媒。 （Ｄ）粒子径が０．２μｍ以下であるゴム粒子。 - 【請求項２】 （Ｄ）成分であるゴム粒子が、メタク
リル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体である請
求項１記載の光半導体装置。 - 【請求項３】 （Ａ）成分である透明性エポキシ樹脂
が、ビスフエノール型エポキシ樹脂および脂環式エポキ
シ樹脂の少なくとも一方である請求項１または２記載の
光半導体装置。 - 【請求項４】 （Ｄ）成分であるゴム粒子の使用量が
、透明性エポキシ樹脂１００重量部に対して５〜１００
重量部の範囲に設定されている請求項１〜３のいずれか
一項に記載の光半導体装置。 - 【請求項５】 下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有する
光半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （Ａ）透明性エポキシ樹脂。 （Ｂ）酸無水物系硬化剤。 （Ｃ）硬化触媒。 （Ｄ）粒子径が０．２μｍ以下であるゴム粒子。 - 【請求項６】 （Ｄ）成分であるゴム粒子が、メタク
リル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体である請
求項５記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039235A JPH04330770A (ja) | 1991-02-09 | 1991-02-09 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3039235A JPH04330770A (ja) | 1991-02-09 | 1991-02-09 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04330770A true JPH04330770A (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=12547468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3039235A Pending JPH04330770A (ja) | 1991-02-09 | 1991-02-09 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04330770A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010090371A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-04-22 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、及びこれを硬化したエポキシ硬化物 |
| JP2016060747A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-25 | 京セラケミカル株式会社 | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物および光半導体装置 |
-
1991
- 1991-02-09 JP JP3039235A patent/JPH04330770A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010090371A (ja) * | 2008-09-11 | 2010-04-22 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | エポキシ樹脂組成物、及びこれを硬化したエポキシ硬化物 |
| JP2016060747A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-25 | 京セラケミカル株式会社 | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物および光半導体装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101268559B (zh) | 发光装置及其制造方法以及成形体及密封构件 | |
| JPH0725987A (ja) | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPH10158473A (ja) | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物、及び該エポキシ樹脂組成物を用いて封止された光半導体装置 | |
| JP3153171B2 (ja) | 光半導体装置および光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| SG191462A1 (en) | Epoxy resin composition for electronic parts encapsulation and electronic parts-equipped device using the same | |
| JP3795491B2 (ja) | 光半導体封止用樹脂組成物および光半導体装置 | |
| JP2796187B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH04330770A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP5105974B2 (ja) | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置 | |
| JP2000169557A (ja) | エポキシ樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JP5825650B2 (ja) | 光半導体リフレクタ用エポキシ樹脂組成物、光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、封止型光半導体素子ならびに光半導体装置 | |
| JP2837478B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| WO2015083576A1 (ja) | 光半導体装置用熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレーム、ならびに光半導体装置 | |
| JP5072070B2 (ja) | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置 | |
| JP2004292591A (ja) | 光半導体用樹脂組成物及び光半導体装置 | |
| JPH11269351A (ja) | 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いた光半導体装置 | |
| JPH056946A (ja) | 光半導体装置 | |
| JPH0689948A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH03237749A (ja) | 光半導体装置 | |
| JP2002212396A (ja) | 光半導体用エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置 | |
| JPH04209624A (ja) | 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| US6291556B1 (en) | Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device | |
| JP2006001986A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPH06302726A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物 | |
| JP2804360B2 (ja) | 光半導体装置 |