JPH04330909A - 半導体製造用セラミックガスフィルター - Google Patents
半導体製造用セラミックガスフィルターInfo
- Publication number
- JPH04330909A JPH04330909A JP12871891A JP12871891A JPH04330909A JP H04330909 A JPH04330909 A JP H04330909A JP 12871891 A JP12871891 A JP 12871891A JP 12871891 A JP12871891 A JP 12871891A JP H04330909 A JPH04330909 A JP H04330909A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas filter
- ceramic gas
- gas
- filter
- filtered
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Filtering Materials (AREA)
- Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造関連の分野
で、ガス中に含まれる微細なダストの除去に用いられる
管状のセラミックガスフィルターに関する。
で、ガス中に含まれる微細なダストの除去に用いられる
管状のセラミックガスフィルターに関する。
【０００２】
【従来の技術】管状のセラミックガスフィルターは、図
７に示すように、細粒からなる濾過層２１と粗粒からな
る支持層２２のいずれかの層を内側として積層した管状
に形成されており、その端面には、両層が露出した状態
となっている。
７に示すように、細粒からなる濾過層２１と粗粒からな
る支持層２２のいずれかの層を内側として積層した管状
に形成されており、その端面には、両層が露出した状態
となっている。
【０００３】このセラミックガスフィルターをモジュー
ル化し、支持層２２側から濾過層２１側へ被濾過ガスを
流して濾過する場合、被濾過ガスは、図７において矢印
で示すように、濾過層２１を通ることなく支持層２２を
通って端面から二次側（濾過された側）へ流れ、二次側
の濾過ガスを汚染する可能性がある。なぜならば、通気
量は、細孔径の２乗に比例して多くなるからである。
ル化し、支持層２２側から濾過層２１側へ被濾過ガスを
流して濾過する場合、被濾過ガスは、図７において矢印
で示すように、濾過層２１を通ることなく支持層２２を
通って端面から二次側（濾過された側）へ流れ、二次側
の濾過ガスを汚染する可能性がある。なぜならば、通気
量は、細孔径の２乗に比例して多くなるからである。
【０００４】従来、かかる問題に対処するため、両端部
にガラスを含浸させた封止部を備える管状のセラミック
ガスフィルターが知られている。
にガラスを含浸させた封止部を備える管状のセラミック
ガスフィルターが知られている。
【０００５】このセラミックガスフィルターは、端部に
ガラス粉末を塗布し、加熱して含浸させることによって
製作される。
ガラス粉末を塗布し、加熱して含浸させることによって
製作される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の管
状のセラミックガスフィルターを半導体製造用ガスの濾
過に使用する場合、ベーキング（脱ガス）した時、又は
使用中にガラスの成分であるアルカリ金属、アルカリ土
類金属等の蒸気圧の高い物質が蒸発し、二次側に流れて
濾過ガスを汚染し、これが半導体製品に対しての汚染源
となる可能性がある。
状のセラミックガスフィルターを半導体製造用ガスの濾
過に使用する場合、ベーキング（脱ガス）した時、又は
使用中にガラスの成分であるアルカリ金属、アルカリ土
類金属等の蒸気圧の高い物質が蒸発し、二次側に流れて
濾過ガスを汚染し、これが半導体製品に対しての汚染源
となる可能性がある。
【０００７】そこで、本発明は、被濾過ガスの流入及び
封止剤の蒸発による二次側の汚染を防止可能な半導体製
造用セラミックガスフィルターの提供を目的とする。
封止剤の蒸発による二次側の汚染を防止可能な半導体製
造用セラミックガスフィルターの提供を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
、本発明の半導体製造用セラミックガスフィルターは、
濾過層と支持層を積層した管状の半導体製造用セラミッ
クガスフィルターにおいて、両端部に蒸気圧が低く、か
つ純度が高い物質を含浸させた封止部を備えるものであ
る。
、本発明の半導体製造用セラミックガスフィルターは、
濾過層と支持層を積層した管状の半導体製造用セラミッ
クガスフィルターにおいて、両端部に蒸気圧が低く、か
つ純度が高い物質を含浸させた封止部を備えるものであ
る。
【０００９】
【作用】上記手段においては、両端部の細孔内が蒸気圧
が低く、かつ純度の高い物質によって充填される。
が低く、かつ純度の高い物質によって充填される。
【００１０】両端部に含浸させる物質としては、半導体
関連製品に対して不純物になりにくいＳｉが最適で、そ
の純度は、９９．９９％以上が好ましく、かつアルカリ
金属、アルカリ土類金属、重金属等を含まないことが好
ましい。
関連製品に対して不純物になりにくいＳｉが最適で、そ
の純度は、９９．９９％以上が好ましく、かつアルカリ
金属、アルカリ土類金属、重金属等を含まないことが好
ましい。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１は本発明の半導体製造用セラミックガスフィ
ルターの一実施例を示す半断面側面図である。
する。図１は本発明の半導体製造用セラミックガスフィ
ルターの一実施例を示す半断面側面図である。
【００１２】このセラミックガスフィルターは、アルミ
ナ質セラミックスの細粒からなる濾過層２と、同様のセ
ラミックスの粗粒からなる支持層３を、濾過層２を内側
にして積層した管状に形成されており、その両端部には
、蒸気圧が低く、かつ純度が９９．９９９％と高くてア
ルカリ金属及びアルカリ土類金属等を含まないＳｉを含
浸させた封止部４が設けられている。
ナ質セラミックスの細粒からなる濾過層２と、同様のセ
ラミックスの粗粒からなる支持層３を、濾過層２を内側
にして積層した管状に形成されており、その両端部には
、蒸気圧が低く、かつ純度が９９．９９９％と高くてア
ルカリ金属及びアルカリ土類金属等を含まないＳｉを含
浸させた封止部４が設けられている。
【００１３】次に、上記セラミックガスフィルター１の
製造方法について説明する。第１の製造方法は、Ｓｉ融
液中にフィルター素体の端部を浸すことによりＳｉを含
浸させて封止部を設けるもので、局所的に加熱できる構
造の炉（ゾーンシンター炉等）を用いた。この炉は、図
２に示すように、垂直な炉芯管５内に配設した受け台６
上に、ＳｉＯ２ ルツボ７をカーボンルツボ８に収容し
て載置し、かつＳｉＯ２ ルツボ７と対応する炉芯管５
の外周にヒーター９を配設して構成されている。
製造方法について説明する。第１の製造方法は、Ｓｉ融
液中にフィルター素体の端部を浸すことによりＳｉを含
浸させて封止部を設けるもので、局所的に加熱できる構
造の炉（ゾーンシンター炉等）を用いた。この炉は、図
２に示すように、垂直な炉芯管５内に配設した受け台６
上に、ＳｉＯ２ ルツボ７をカーボンルツボ８に収容し
て載置し、かつＳｉＯ２ ルツボ７と対応する炉芯管５
の外周にヒーター９を配設して構成されている。
【００１４】そして、この炉を用いてセラミックガスフ
ィルター１を製造するには、まず、図２に示すように、
フィルター素体１０をワイヤー１１で吊り下げ、炉芯管
５内に上下移動できるようにする。ワイヤー１１は、耐
熱性を考慮して高温部のみモリブデンを使用した。つい
で、ＳｉＯ２ ルツボ７内にポリシリコン１２を収容す
ると共に炉芯管５内を不活性ガス雰囲気として加熱を始
め、１４５０℃の温度で保持し、ポリシリコン１２を溶
解してＳｉ融液１３とした（図３参照）。このとき、Ｓ
ｉ融液１３とフィルター素体１０の温度差がなくなるよ
うにするため、フィルター素体１０をＳｉ融液１３近く
まで下げ、３０分保持した。
ィルター１を製造するには、まず、図２に示すように、
フィルター素体１０をワイヤー１１で吊り下げ、炉芯管
５内に上下移動できるようにする。ワイヤー１１は、耐
熱性を考慮して高温部のみモリブデンを使用した。つい
で、ＳｉＯ２ ルツボ７内にポリシリコン１２を収容す
ると共に炉芯管５内を不活性ガス雰囲気として加熱を始
め、１４５０℃の温度で保持し、ポリシリコン１２を溶
解してＳｉ融液１３とした（図３参照）。このとき、Ｓ
ｉ融液１３とフィルター素体１０の温度差がなくなるよ
うにするため、フィルター素体１０をＳｉ融液１３近く
まで下げ、３０分保持した。
【００１５】その後、図４に示すように、フィルター素
体１０を下げ、端部をＳｉ溶液１３中に浸すと、毛細管
現象によりＳｉ融液１３がフィルター素体１０の端部の
細孔中に染み込んで細孔内に充填され、数秒浸した後、
図５に示すように、フィルター素体１０を上げ、冷却し
てセラミックガスフィルターを得た。
体１０を下げ、端部をＳｉ溶液１３中に浸すと、毛細管
現象によりＳｉ融液１３がフィルター素体１０の端部の
細孔中に染み込んで細孔内に充填され、数秒浸した後、
図５に示すように、フィルター素体１０を上げ、冷却し
てセラミックガスフィルターを得た。
【００１６】なお、フィルター素体１０の浸漬時間は、
その材質とＳｉとの濡れ性や反応の問題があるため一定
ではない。又、第２の製造方法は、Ｓｉ粉末をフィルタ
ー素体の端部に塗布し、加熱することによりＳｉを含浸
させて封止部を設けるものである。
その材質とＳｉとの濡れ性や反応の問題があるため一定
ではない。又、第２の製造方法は、Ｓｉ粉末をフィルタ
ー素体の端部に塗布し、加熱することによりＳｉを含浸
させて封止部を設けるものである。
【００１７】この方法でセラミックガスフィルター１を
製造するには、まず、パラフィン１０重量部を温水中の
ビーカーで溶かし、これに＃６０ｕｎｄｅｒのＳｉ粉末
１００重量部を投入し攪拌する。ついで、この中に予め
パラフィン温度以上に温めておいたフィルター素体の端
部のみ数秒間浸し、その後冷却する。溶けたパラフィン
は、フィルター素体中に吸い込まれ、そのときにＳｉ粉
末がフィルター素体の端部に付着する一方、パラフィン
は、冷却することによって固まり、Ｓｉ粉末が塗布され
た状態となる。
製造するには、まず、パラフィン１０重量部を温水中の
ビーカーで溶かし、これに＃６０ｕｎｄｅｒのＳｉ粉末
１００重量部を投入し攪拌する。ついで、この中に予め
パラフィン温度以上に温めておいたフィルター素体の端
部のみ数秒間浸し、その後冷却する。溶けたパラフィン
は、フィルター素体中に吸い込まれ、そのときにＳｉ粉
末がフィルター素体の端部に付着する一方、パラフィン
は、冷却することによって固まり、Ｓｉ粉末が塗布され
た状態となる。
【００１８】以上のようにＳｉ粉末を端部に塗布したフ
ィルター素体を、不活性ガス雰囲気中において、まずフ
ィルター素体とＳｉ粉末の温度差をなくすため、１３８
０℃の温度で３０分保持し、次いで１４５０℃の温度で
１０分保持した後、自然放冷した。Ｓｉ粉末は、溶解し
てフィルター素体の端部の細孔中に含浸して充填され、
セラミックガスフィルター１が得られた。
ィルター素体を、不活性ガス雰囲気中において、まずフ
ィルター素体とＳｉ粉末の温度差をなくすため、１３８
０℃の温度で３０分保持し、次いで１４５０℃の温度で
１０分保持した後、自然放冷した。Ｓｉ粉末は、溶解し
てフィルター素体の端部の細孔中に含浸して充填され、
セラミックガスフィルター１が得られた。
【００１９】上述したセラミックガスフィルター１は、
図６に示すように、モジュール化されてサイズユニット
となる。
図６に示すように、モジュール化されてサイズユニット
となる。
【００２０】このサイズユニットは、ステンレス鋼等に
より円筒状に形成され、一端部（図６においては右端部
）にガスの入口１４、他端部（図６においては左端部）
にガスの出口１５を有するハウジング１６内に、一端部
をふっ素樹脂からなる脚付円板１７により気密に封止さ
れたセラミックガスフィルター１を、その他端部にステ
ンレス鋼からなる円輪板１８を当接した状態で収容して
構成されている。
より円筒状に形成され、一端部（図６においては右端部
）にガスの入口１４、他端部（図６においては左端部）
にガスの出口１５を有するハウジング１６内に、一端部
をふっ素樹脂からなる脚付円板１７により気密に封止さ
れたセラミックガスフィルター１を、その他端部にステ
ンレス鋼からなる円輪板１８を当接した状態で収容して
構成されている。
【００２１】上記サイズユニットにおいて、その入口１
４から流入された被濾過ガスは、図示矢印のように、セ
ラミックガスフィルター１の支持層３から濾過層２へ流
れ、濾過層２を通りダストを分離させた濾過ガスは、二
次側へ流れて出口１５から排出される。
４から流入された被濾過ガスは、図示矢印のように、セ
ラミックガスフィルター１の支持層３から濾過層２へ流
れ、濾過層２を通りダストを分離させた濾過ガスは、二
次側へ流れて出口１５から排出される。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、両
端部の細孔内が蒸気圧が低く、かつ純度の高い物質によ
って充填されるので、被濾過ガスが支持層から直接二次
側へ流入することがないと共に、従来のようにベーキン
グ時、又は使用中に封止剤が蒸発するようなことはなく
、被濾過ガス及び封止剤による二次側の汚染を防止でき
、ひいてはセラミックガスフィルターからの半導体製品
に対する汚染をなくすことができる。
端部の細孔内が蒸気圧が低く、かつ純度の高い物質によ
って充填されるので、被濾過ガスが支持層から直接二次
側へ流入することがないと共に、従来のようにベーキン
グ時、又は使用中に封止剤が蒸発するようなことはなく
、被濾過ガス及び封止剤による二次側の汚染を防止でき
、ひいてはセラミックガスフィルターからの半導体製品
に対する汚染をなくすことができる。
【図１】本発明の半導体製造用セラミックガスフィルタ
ーの一実施例を示す半断面側面図である。
ーの一実施例を示す半断面側面図である。
【図２〜図５】上記セラミックガスフィルターの製造工
程を示す概略説明図である。
程を示す概略説明図である。
【図６】上記セラミックガスフィルターを用いたサイズ
ユニットの側断面図である。
ユニットの側断面図である。
【図７】通常のセラミックガスフィルターの側断面図で
ある。
ある。
１ セラミックガスフィルター
２ 濾過層
３ 支持層
４ 封止部
Claims (1)
- 【請求項１】 濾過層と支持層を積層した管状の半導
体製造用セラミックガスフィルターにおいて、両端部に
蒸気圧が低く、かつ純度が高い物質を含浸させた封止部
を備えることを特徴とする半導体製造用セラミックガス
フィルター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12871891A JPH04330909A (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 半導体製造用セラミックガスフィルター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12871891A JPH04330909A (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 半導体製造用セラミックガスフィルター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04330909A true JPH04330909A (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=14991716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12871891A Pending JPH04330909A (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 半導体製造用セラミックガスフィルター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04330909A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002210314A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-07-30 | Ngk Insulators Ltd | セラミックフィルタ |
-
1991
- 1991-05-01 JP JP12871891A patent/JPH04330909A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002210314A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-07-30 | Ngk Insulators Ltd | セラミックフィルタ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6716275B1 (en) | Gas impermeable glaze for sealing a porous ceramic surface | |
| JP4571744B2 (ja) | 疎水性の物質透過性複合材料、その製造方法および使用 | |
| US2727632A (en) | Sintered porous vitreous disc with heater | |
| WO1992011925A1 (en) | Impregnating porous inorganic membrane with reactive inorganic binder | |
| JP4014724B2 (ja) | シリカガラスの製造方法 | |
| US5395039A (en) | Method of making a filter assembly | |
| US5700373A (en) | Method for sealing a filter | |
| US4708740A (en) | Technique for forming silicon carbide coated porous filters | |
| JPS6327962B2 (ja) | ||
| WO1997018339A2 (en) | Filtration device for filtering molten metal | |
| JP3683100B2 (ja) | シリコン含浸炭化珪素部材の製造方法 | |
| JP2001072479A (ja) | 炭化ケイ素質多孔体およびその製造方法 | |
| JP2003326138A (ja) | 多孔質セラミックス中空糸膜の端部封止方法 | |
| JPH04330910A (ja) | 半導体製造用サイズユニット | |
| JPH0123422B2 (ja) | ||
| CA2237320C (en) | Filtration device for filtering molten metal | |
| RU2088376C1 (ru) | Способ изготовления металлокерамических изделий | |
| JP2552501B2 (ja) | 炭化珪素質反応管の製造方法 | |
| SU833279A1 (ru) | Способ изготовлени патронногофильТРА | |
| JP3194016B2 (ja) | シリカガラスフィルター | |
| JP3113713B2 (ja) | シリカガラスフイルターユニットの製造方法 | |
| JPH0986953A (ja) | 不透明シリカガラス及びその製造方法 | |
| JPS59120217A (ja) | ワックス濾過装置 | |
| US4983219A (en) | Technique for forming silicon carbide coated porous filters | |
| JPH11169691A (ja) | ガス分離膜およびその製造方法 |