JPH04330910A - 半導体製造用サイズユニット - Google Patents
半導体製造用サイズユニットInfo
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Landscapes
- Filtering Materials (AREA)
- Filtering Of Dispersed Particles In Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造関連の分野
で、ガス中に含まれる微細なダストの除去に用いられる
管状のセラミックガスフィルターに関する。
で、ガス中に含まれる微細なダストの除去に用いられる
管状のセラミックガスフィルターに関する。
【０００２】
【従来の技術】管状のセラミックガスフィルターは、図
４に示すように、細粒からなる濾過層１１と粗粒からな
る支持層１２のいずれかの層を内側として積層した管状
に形成されており、その端面には、両層が露出した状態
となっている。
４に示すように、細粒からなる濾過層１１と粗粒からな
る支持層１２のいずれかの層を内側として積層した管状
に形成されており、その端面には、両層が露出した状態
となっている。
【０００３】このセラミックガスフィルターをモジュー
ル化し、支持層１２側から濾過層１１側へ被濾過ガスを
流して濾過する場合、被濾過ガスは、図４において矢印
で示すように、濾過層１１を通ることなく支持層１２を
通って端面から二次側（濾過された側）へ流れ、二次側
の濾過ガスを汚染する可能性がある。なぜならば、通気
量は、細孔径の２乗に比例して多くなるからである。
ル化し、支持層１２側から濾過層１１側へ被濾過ガスを
流して濾過する場合、被濾過ガスは、図４において矢印
で示すように、濾過層１１を通ることなく支持層１２を
通って端面から二次側（濾過された側）へ流れ、二次側
の濾過ガスを汚染する可能性がある。なぜならば、通気
量は、細孔径の２乗に比例して多くなるからである。
【０００４】従来、かかる問題に対処するため、両端部
にガラスを含浸させた封止部を備える管状のセラミック
ガスフィルターが知られている。このセラミックガスフ
ィルターは、端部にガラス粉末を塗布し、加熱して含浸
させることによって製造されている。
にガラスを含浸させた封止部を備える管状のセラミック
ガスフィルターが知られている。このセラミックガスフ
ィルターは、端部にガラス粉末を塗布し、加熱して含浸
させることによって製造されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の管状のセラミックガスフィルターを半導体製造用ガ
スの濾過に使用する場合、ベーキング（脱ガス）した時
、又は使用中にガラスの成分であるアルカリ金属、アル
カリ土類金属等の蒸気圧の高い物質が蒸発し、二次側に
流れて濾過ガスを汚染し、これが半導体製品に対しての
汚染源となる可能性がある。
来の管状のセラミックガスフィルターを半導体製造用ガ
スの濾過に使用する場合、ベーキング（脱ガス）した時
、又は使用中にガラスの成分であるアルカリ金属、アル
カリ土類金属等の蒸気圧の高い物質が蒸発し、二次側に
流れて濾過ガスを汚染し、これが半導体製品に対しての
汚染源となる可能性がある。
【０００６】そこで、本発明は、被濾過ガスの流入及び
封止剤の蒸発による二次側の汚染を防止可能な半導体製
造用セラミックガスフィルターの提供を目的とする。
封止剤の蒸発による二次側の汚染を防止可能な半導体製
造用セラミックガスフィルターの提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
、本発明の半導体製造用モラミックガスフィルターは、
濾過層と支持層を積層した管状の半導体製造用セラミッ
クガスフィルターにおいて、両端部の細孔内に高純度の
セラミックス粉末粒子を付着させ、その部分の細孔径を
濾過層の細孔径と同等若しくはそれより小さくした封止
層を備えたものである。
、本発明の半導体製造用モラミックガスフィルターは、
濾過層と支持層を積層した管状の半導体製造用セラミッ
クガスフィルターにおいて、両端部の細孔内に高純度の
セラミックス粉末粒子を付着させ、その部分の細孔径を
濾過層の細孔径と同等若しくはそれより小さくした封止
層を備えたものである。
【０００８】
【作用】上記手段においては、高純度のセラミックス粉
末粒子によって、封止層の通気量が濾過層の通気量と同
等若しくはそれより少なくなる。
末粒子によって、封止層の通気量が濾過層の通気量と同
等若しくはそれより少なくなる。
【０００９】セラミックス粉末粒子としては、アルミナ
、ムライト、ジルコニア、チタニア等の酸化物系セラミ
ックス、又は炭化けい素、窒化けい素等の非酸化物系セ
ラミックス等があげられるが、母材と同じものを用いる
のが好ましく、かつアルカリ金属、アルカリ土類金属、
重金属等を含まないことが好ましい。
、ムライト、ジルコニア、チタニア等の酸化物系セラミ
ックス、又は炭化けい素、窒化けい素等の非酸化物系セ
ラミックス等があげられるが、母材と同じものを用いる
のが好ましく、かつアルカリ金属、アルカリ土類金属、
重金属等を含まないことが好ましい。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明
する。図１は本発明の半導体製造用セラミックガスフィ
ルターの一実施例を示す半断面側面図である。
する。図１は本発明の半導体製造用セラミックガスフィ
ルターの一実施例を示す半断面側面図である。
【００１１】このセラミックガスフィルター１は、高純
度（９９．９９％）のアルミナ質セラミックスの細粒か
らなる濾過層２と、同様のセラミックスの粗粒からなる
支持層３を、濾過層２を内側にして積層した管状に形成
されており、その両端部には、支持層３の細孔内に両層
と同様のアルミナ質セラミックスの粉末粒子を付着させ
、細孔径を濾過層２の細孔径と同等の０．１３μｍとし
た封止層４が設けられている。
度（９９．９９％）のアルミナ質セラミックスの細粒か
らなる濾過層２と、同様のセラミックスの粗粒からなる
支持層３を、濾過層２を内側にして積層した管状に形成
されており、その両端部には、支持層３の細孔内に両層
と同様のアルミナ質セラミックスの粉末粒子を付着させ
、細孔径を濾過層２の細孔径と同等の０．１３μｍとし
た封止層４が設けられている。
【００１２】次に、上記セラミックガスフィルター１の
製造方法について説明する。まず、粒度０．２μｍ、純
度９９．９９％のアルミナ粉末４０重量部、水６０重量
部をボールミル中で２４時間解砕混合して高濃度のスラ
リーを得、この高濃度スラリー２５重量部を水７５重量
部に投入し、マグネティックスターラで攪拌して１０重
量％のスラリーを得た。
製造方法について説明する。まず、粒度０．２μｍ、純
度９９．９９％のアルミナ粉末４０重量部、水６０重量
部をボールミル中で２４時間解砕混合して高濃度のスラ
リーを得、この高濃度スラリー２５重量部を水７５重量
部に投入し、マグネティックスターラで攪拌して１０重
量％のスラリーを得た。
【００１３】ついで、細孔径０．１３μｍの濾過層上に
細孔径２〜３μｍの支持層を形成したアルミナ質セラミ
ックスからなる管状のフィルター素体の端部を、上記ス
ラリーに浸し、端部細孔部に毛細管現象でスラリーが染
み込んだら引き上げて乾燥した後、１２００℃の温度で
焼成し、両端部に封止層を備えた管状のセラミックガス
フィルターを得た。
細孔径２〜３μｍの支持層を形成したアルミナ質セラミ
ックスからなる管状のフィルター素体の端部を、上記ス
ラリーに浸し、端部細孔部に毛細管現象でスラリーが染
み込んだら引き上げて乾燥した後、１２００℃の温度で
焼成し、両端部に封止層を備えた管状のセラミックガス
フィルターを得た。
【００１４】得られたセラミックガスフィルターの封止
層の細孔径を水銀圧入ポロシメーターで測定したところ
、図２に示すようになった。この測定結果から、封止層
の細孔径は、濾過層の細孔径と同様の０．１３μｍであ
ることがわかる。
層の細孔径を水銀圧入ポロシメーターで測定したところ
、図２に示すようになった。この測定結果から、封止層
の細孔径は、濾過層の細孔径と同様の０．１３μｍであ
ることがわかる。
【００１５】スラリーの調整は、水を溶媒として用いる
場合に限らず、メトローズ溶液やＰＶＡ溶液を溶媒とし
て用いてもよく、その粘性を調整することによってフィ
ルター素体に染み込ませる長さを制御できる。
場合に限らず、メトローズ溶液やＰＶＡ溶液を溶媒とし
て用いてもよく、その粘性を調整することによってフィ
ルター素体に染み込ませる長さを制御できる。
【００１６】スラリー濃度は、１〜３５重量％が好まし
く、１重量％未満であると細孔への充填率が低くなって
効率が悪くなる一方、３５重量％を超えるとフィルター
素体表面で目詰まりを起こし、細孔内に入り込まなくな
る。封止層の形成は、スラリーに浸す長さによって制御
できる。
く、１重量％未満であると細孔への充填率が低くなって
効率が悪くなる一方、３５重量％を超えるとフィルター
素体表面で目詰まりを起こし、細孔内に入り込まなくな
る。封止層の形成は、スラリーに浸す長さによって制御
できる。
【００１７】乾燥後の焼成は、材質によって異なるが、
濾過層を形成する際の焼成温度又はそれ以下の焼成温度
で行うのが好ましい。
濾過層を形成する際の焼成温度又はそれ以下の焼成温度
で行うのが好ましい。
【００１８】又、封止層は、支持層の端部の細孔径を濾
過層のそれと同等にして形成する場合に限らず、支持層
及び濾過層の端部の細孔径を濾過層の細孔径より小さく
して形成してもよい。
過層のそれと同等にして形成する場合に限らず、支持層
及び濾過層の端部の細孔径を濾過層の細孔径より小さく
して形成してもよい。
【００１９】上述したセラミックガスフィルター１は、
図３に示すように、モジュール化されてサイズユニット
になる。このサイズユニットは、ステンレス鋼等により
円筒状に形成され、一端部（図３においては右端部）に
ガスの入口５、他端部（図３においては左端部）にガス
の出口６を有するハウジング７内に、一端部をふっ素樹
脂からなる脚付円板８により気密に封止されたセラミッ
クガスフィルター１を、その他端部にステンレス鋼から
なる円輪板９を当接した状態で収容して構成されている
。
図３に示すように、モジュール化されてサイズユニット
になる。このサイズユニットは、ステンレス鋼等により
円筒状に形成され、一端部（図３においては右端部）に
ガスの入口５、他端部（図３においては左端部）にガス
の出口６を有するハウジング７内に、一端部をふっ素樹
脂からなる脚付円板８により気密に封止されたセラミッ
クガスフィルター１を、その他端部にステンレス鋼から
なる円輪板９を当接した状態で収容して構成されている
。
【００２０】上記サイズユニットにおいて、その入口５
から流入した被濾過ガスは、図示矢印のように、セラミ
ックガスフィルター１の支持層３から濾過層２を通りダ
ストを分離された濾過ガスは、二次側へ流れて出口６か
ら排出される。
から流入した被濾過ガスは、図示矢印のように、セラミ
ックガスフィルター１の支持層３から濾過層２を通りダ
ストを分離された濾過ガスは、二次側へ流れて出口６か
ら排出される。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、高
純度のセラミック粉末粒子によって封止層の通気量が濾
過層の通気量と同等若しくはそれより少なくなるので、
被濾過ガスが支持層から直接二次側へ流入することがな
いと共に、従来のようにベーキング時、又は使用中に封
止剤が蒸発するようなことはなく、被濾過ガス及び封止
剤による二次側の汚染を防止でき、ひいてはセラミック
ガスフィルターからの半導体製品に対する汚染をなくす
ことができる。
純度のセラミック粉末粒子によって封止層の通気量が濾
過層の通気量と同等若しくはそれより少なくなるので、
被濾過ガスが支持層から直接二次側へ流入することがな
いと共に、従来のようにベーキング時、又は使用中に封
止剤が蒸発するようなことはなく、被濾過ガス及び封止
剤による二次側の汚染を防止でき、ひいてはセラミック
ガスフィルターからの半導体製品に対する汚染をなくす
ことができる。
【図１】本発明の半導体製造用セラミックガスフィルタ
ーの一実施例を示す半断面側面出である。
ーの一実施例を示す半断面側面出である。
【図２】上記セラミックガスフィルターの封止層の細孔
径の測定結果を示す説明図である。
径の測定結果を示す説明図である。
【図３】上記セラミックガスフィルターを用いたサイズ
ユニットの側断面図である。
ユニットの側断面図である。
【図４】通常のセラミックガスフィルターの側断面図で
ある。
ある。
１ セラミックガスフィルター
２ 濾過層
３ 支持層
４ 封止層
Claims (1)
- 【請求項１】 濾過層と支持層を積層した管状の半導
体製造用セラミックガスフィルターにおいて、両端部の
細孔内に高純度のセラミックス粉末粒子を付着させ、そ
の部分の細孔径を濾過層の細孔径と同等若しくはそれよ
り小さくした封止層を備えることを特徴とする半導体製
造用セラミックガスフィルター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12871991A JP3213759B2 (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 半導体製造用サイズユニット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12871991A JP3213759B2 (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 半導体製造用サイズユニット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04330910A true JPH04330910A (ja) | 1992-11-18 |
| JP3213759B2 JP3213759B2 (ja) | 2001-10-02 |
Family
ID=14991739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12871991A Expired - Fee Related JP3213759B2 (ja) | 1991-05-01 | 1991-05-01 | 半導体製造用サイズユニット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3213759B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6210458B1 (en) * | 1997-12-26 | 2001-04-03 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Gas filter module having two-part filter and method of producing the same |
| JP2002210314A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-07-30 | Ngk Insulators Ltd | セラミックフィルタ |
-
1991
- 1991-05-01 JP JP12871991A patent/JP3213759B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6210458B1 (en) * | 1997-12-26 | 2001-04-03 | Toshiba Ceramics Co., Ltd. | Gas filter module having two-part filter and method of producing the same |
| JP2002210314A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-07-30 | Ngk Insulators Ltd | セラミックフィルタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3213759B2 (ja) | 2001-10-02 |
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