JPH04332119A - パターンの形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】（目次） ・産業上の利用分野 ・従来の技術（図６〜図８） ・発明が解決しようとする課題 ・課題を解決するための手段（図１，図５）・作用（図
１，図５） ・実施例 （１）第１の実施例（図２〜図４） （２）第２の実施例（図５） ・発明の効果

【０００２】

【産業上の利用分野】本発明は、パターンの形成方法に
関し、更に詳しく言えば、多層レジスト法を用いたパタ
ーンの形成方法に関する。

【０００３】近年、半導体集積回路装置の高密度化に伴
い、パターンの微細化が要望されている。従来、被パタ
ーニング体のエッチングのためのマスクとなるパターン
が単層レジスト法により形成されているが、被パターニ
ング体に凹凸が存在する場合、形成されたレジスト膜の
膜厚差により焦点の一致が均一でなくなり、十分に均一
な解像度が得られない。また、被パターニング体が光反
射率の高い金属膜で形成されている場合には基板からの
反射光が引き起こす干渉効果により均一な露光強度が得
られない。従って、微細なパターンを精度よく形成する
ことが困難になっている。このため、２層レジスト法又
は３層レジスト法等の所謂多層レジスト法が用いられる
ようになっている。

【０００４】

【従来の技術】図６（ａ）〜（ｃ），図７（ｄ）は従来
例の３層レジスト法によるマスクパターンの形成方法を
説明する断面図である。

【０００５】まず、基板１上の被パターニング体２、例
えばＡｌ膜の上に厚いレジスト膜３を形成し、表面を平
坦化する。なお、このレジスト膜３中には被パターニン
グ体２からの反射光が引き起こす干渉効果を防止するた
め露光用の光等を吸収する高濃度の色素が含有されてい
る。続いて、レジスト膜３をエッチングする際のマスク
となる比較的薄い膜厚のＳＯＧ膜４をレジスト膜３上に
形成した後、ＳＯＧ膜４上に感光性の上層のレジスト膜
５を形成する。この上層のレジスト膜５は解像度を向上
するため膜厚を出来るだけ薄くしている（図６（ａ））
。

【０００６】次に、上層のレジスト膜５を選択的に露光
した後、現像し、第１のパターン５ａ〜５ｃを形成する
（図６（ｂ））。

【０００７】次いで、第１のパターン５ａ〜５ｃをマス
クとしてＳＯＧ膜４を選択的にエッチングし、第１のパ
ターン５ａ〜５ｃの下に第２のパターン４ａ〜４ｃを形
成する（図６（ｃ））。

【０００８】次に、酸素ガスを用いた反応性イオンエッ
チング（ＲＩＥ）により、第２のパターン４ａ〜４ｃを
マスクとして下層のレジスト膜３を選択的にエッチング
し、第２のパターン４ａ〜４ｃの下に第３のパターン３
ａ〜３ｃを形成して、エッチング用のマスクとしての、
第２のパターン／第３のパターン４ａ／３ａ〜４ｃ／３
ｃからなるパターン６ａ〜６ｃを形成する。なお、この
とき、第２のパターン４ａ〜４ｃ上の第１のパターン５
ａ〜５ｃは下層のレジスト膜３をエッチングする際に同
時にエッチング・除去される（図７（ｄ））。

【０００９】その後、顕微鏡によりパターン６ａ〜６ｃ
の寸法検査を行う。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、図７（ｄ）
に示すように、酸素ガスを用いた反応性イオンエッチン
グを行うと、下層のレジスト膜３が厚いので、エッチン
グ・除去部分の溝又は開口部内部でエッチングガス粒子
の散乱の影響が大きくなる。このため、断面形状が角柱
状となるべきパターンにおいて中央部が細ってきて、凹
レンズ状になる。このため、良好な異方性形状を得るこ
とが困難になる。このことは、パターンが更に微細化さ
れてアスペクト比が大きくなってくるに従い、益々顕著
になってくる。また、このため、パターン検査が困難に
なってくるという問題もある。

【００１１】また、図８（ａ）〜（ｃ）に示す２層レジ
スト法においても、平坦化のために下層のレジスト膜３
を厚く形成する必要があるので、下層のレジスト膜３上
の感光性ＳＯＧ膜からなる第４のパターン７ａ〜７ｃを
マスクとして下層のレジスト膜３をエッチングし、下層
のレジスト膜３からなる第３のパターン３ａ〜３ｃを形
成する場合も同様に上記の問題は生じる。なお、図８（
ａ）〜（ｃ）中、図６（ａ）〜（ｃ），図７（ｄ）中の
符号と同じ符号で示すものは図６（ａ）〜（ｃ），図７
（ｄ）中に示すものと同じものを示す。

【００１２】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、パターンを形成するためのエッチングガ
ス中のイオンの、エッチングにより形成される溝又は開
口部内部での散乱の影響を小さくすることにより、形成
されるパターンの断面形状を改良することのできるマス
クパターンの形成方法を提供することを目的とするもの
である。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、第
１図の本発明の原理断面図に示すように、被パターニン
グ体１０上に第１の耐エッチング性膜１１，第２の耐エ
ッチング性膜１２，第３の耐エッチング性膜１３，第４
の耐エッチング性膜１４及び感光性膜１５を順次形成す
る工程と、前記感光性膜１５を露光法によりパターニン
グし、第１のパターン１５ａ〜１５ｃを形成する工程と
、前記第１のパターン１５ａ〜１５ｃをマスクとして前
記第４の耐エッチング性膜１４を選択的にエッチングし
て、該第４の耐エッチング性膜１４からなる第２のパタ
ーン１４ａ〜１４ｃを形成する工程と、前記感光性膜１
５及び第３の耐エッチング性膜１３のエッチングレート
が第４の耐エッチング性膜１４のエッチングレートより
も大きいエッチングガスを用いて前記第１のパターン１
５ａ〜１５ｃ及び第３の耐エッチング性膜１３をともに
エッチングし、前記第１のパターン１５ａ〜１５ｃを除
去するとともに前記第２のパターン１４ａ〜１４ｃの下
に前記第３の耐エッチング性膜１３からなる第３のパタ
ーン１３ａ〜１３ｃを形成する工程と、前記第４の耐エ
ッチング性膜１４及び第２の耐エッチング性膜１２のエ
ッチングレートが第３の耐エッチング性膜１３のエッチ
ングレートよりも大きいエッチングガスを用いて前記第
２のパターン１４ａ〜１４ｃ及び第２の耐エッチング性
膜１２をともにエッチングし、前記第２のパターン１４
ａ〜１４ｃを除去するとともに前記第３のパターン１３
ａ〜１３ｃの下に前記第２の耐エッチング性膜１２から
なる第４のパターン１２ａ〜１２ｃを形成する工程と、
前記第３の耐エッチング性膜１３及び第１の耐エッチン
グ性膜１１のエッチングレートが第２の耐エッチング性
膜１２のエッチングレートよりも大きいエッチングガス
を用いて前記第３のパターン１３ａ〜１３ｃ及び第１の
耐エッチング性膜１１をともにエッチングし、前記第３
のパターン１３ａ〜１３ｃを除去するとともに前記第４
のパターン１２ａ〜１２ｃの下に前記第１の耐エッチン
グ性膜１１からなる第５のパターン１１ａ〜１１ｃを形
成する工程とを有するパターンの形成方法によって達成
される。

【００１４】第２に、前記第１及び第３の耐エッチング
性膜１１，１３がレジスト膜であり、前記第２及び第４
の耐エッチング性膜１２，１４がＳＯＧ膜であることを
特徴とする第１の発明に記載のパターンの形成方法によ
って達成される。

【００１５】第３に、第５図に例示するように、被パタ
ーニング１０体上に第５の耐エッチング性膜１７，第６
の耐エッチング性膜１８，第７の耐エッチング性膜１９
及び感光性膜２０を順次形成する工程と、前記感光性膜
２０を露光法によりパターニングして第６のパターン２
０ａ〜２０ｃを形成する工程と、前記第６のパターン２
０ａ〜２０ｃをマスクとして前記第７の耐エッチング性
膜１９を選択的にエッチングして、該第７の耐エッチン
グ性膜１９からなる第７のパターン１９ａ〜１９ｃを形
成する工程と、前記感光性膜２０及び第６の耐エッチン
グ性膜１８のエッチングレートが第７の耐エッチング性
膜１９のエッチングレートよりも大きいエッチングガス
を用いて前記感光性膜２０及び第６の耐エッチング性膜
１８をともにエッチングし、前記感光性膜２０を除去す
るとともに前記第７のパターン１９ａ〜１９ｃの下に前
記第６の耐エッチング性膜１８からなる第８のパターン
１８ａ〜１８ｃを形成する工程と、前記第７の耐エッチ
ング性膜１９及び第５の耐エッチング性膜１７のエッチ
ングレートが第６の耐エッチング性膜１８のエッチング
レートよりも大きいエッチングガスを用いて前記第７の
パターン１９ａ〜１９ｃ及び第５の耐エッチング性膜１
７をともにエッチングし、前記第７のパターン１９ａ〜
１９ｃを除去するとともに前記第８のパターン１８ａ〜
１８ｃの下に前記第５の耐エッチング性膜１７からなる
第９のパターン１７ａ〜１７ｃを形成する工程とを有す
るパターンの形成方法によって達成される。

【００１６】第４に、前記第５及び第７の耐エッチング
性膜１７，１９がレジスト膜であり、前記第６の耐エッ
チング性膜１８及び前記感光性膜２０が感光性ＳＯＧ膜
であることを特徴とする第３の発明に記載のパターンの
形成方法によって達成される。

【００１７】

【作用】本発明のパターンの形成方法においては、第１
に、従来の３層レジスト法によるパターンの形成方法に
相当し、表面の平坦化のために従来厚く形成している下
側の耐エッチング性膜として第１〜第３の耐エッチング
性膜１１，１２，１３からなる３層の膜を形成している
。そして、第３の耐エッチング性膜１３の第３のパター
ン１３ａ〜１３ｃ及び第２の耐エッチング性膜１２の第
４のパターン１２ａ〜１２ｃに基づいて第１の耐エッチ
ング性膜１１の第５のパターン１１ａ〜１１ｃをエッチ
ングする際、第３のパターン１３ａ〜１３ｃも同時にエ
ッチング・除去している。これは、例えば、第３及び第
１の耐エッチング性膜１３，１１としてレジスト膜を用
い、第２の耐エッチング性膜１２として珪素を含有する
ＳＯＧ膜を用いることにより達成可能である。

【００１８】このため、第１〜第３の耐エッチング性膜
の溝或いは開口部の深さは、第１の耐エッチング性膜１
１が選択的にエッチング・除去される間は第２及び第３
の耐エッチング性膜１２，１３の合計の膜厚にほぼ等し
くなり、最終的には第１及び第２の耐エッチング性膜１
１，１２の合計の膜厚にほぼ等しくなる。いずれにして
も従来の場合の半分程度の膜厚にしかならない。これに
より、パターンを形成するためのエッチング中のイオン
の、エッチングにより形成される溝又は開口部内部での
散乱の影響を小さくすることができるので、形成される
パターンの断面形状を改良することができる。

【００１９】第２に、従来の２層レジスト法によるパタ
ーンの形成方法に相当し、表面の平坦化のために従来厚
く形成している下側の耐エッチング性膜として第５〜第
７の耐エッチング性膜１７，１８，１９からなる３層の
膜を形成している。そして、第７の耐エッチング性膜１
９の第７のパターン１９ａ〜１９ｃ及び第６の耐エッチ
ング性膜１８の第８のパターン１８ａ〜１８ｃに基づい
て第５の耐エッチング性膜１７の第９のパターン１７ａ
〜１７ｃを形成する際、第７のパターン１９ａ〜１９ｃ
も同時にエッチング・除去している。これは、例えば、
第７及び第５の耐エッチング性膜１９，１７としてレジ
スト膜を用い、第６の耐エッチング性膜１８として珪素
を含有するＳＯＧ膜を用いることにより達成可能である
。

【００２０】このため、第５〜第７の耐エッチング性膜
の溝或いは開口部の深さは、上記の第１の場合と同様に
、第５の耐エッチング性膜１７が選択的にエッチング・
除去される間は第６及び第７の耐エッチング性膜１８，
１９の合計の膜厚にほぼ等しくなり、最終的には第５及
び第６の耐エッチング性膜１７，１８の合計の膜厚にほ
ぼ等しくなる。いずれにしても従来の場合の半分程度の
膜厚にしかならない。これにより、パターンを形成する
ためのエッチングガス粒子の、エッチング・除去部分の
溝又は開口部内部での散乱の影響を小さくすることがで
きるので、形成されるパターンの断面形状を改良するこ
とができる。

【００２１】

【実施例】

（１）第１の実施例 図２（ａ）〜（ｄ），図３（ｅ）〜（ｇ），図４（ｈ）
，（ｉ）は、本発明の第１の実施例のパターンの形成方
法について説明する断面図である。

【００２２】まず、図２（ａ）に示すように、例えば、
表面に層間絶縁膜の形成された基板９上にＡｌ膜からな
る被パターニング体１０を形成する。

【００２３】次に、ノボラック系ポジティブレジストを
回転塗布法により塗布した後、温度約２００　℃で加熱
して被パターニング体１０上に膜厚約０．９　μｍのノ
ボラック系ポジティブレジスト膜からなる第１のレジス
ト膜（第１の耐エッチング性膜）１１を形成する。これ
により、十分ではないがかなり表面は平坦化される（図
２（ｂ））。なお、この第１のレジスト膜１１中には被
パターニング体１０からの反射光が引き起こす干渉効果
を防止するため露光用の光等を吸収する高濃度の色素が
含有されている。

【００２４】続いて、ＳＯＧを回転塗布法により塗布し
た後、温度約２００　℃で加熱して、第１のレジスト膜
１１をエッチングする際のマスクとなる膜厚約０．２μ
ｍの第１のＳＯＧ膜（第２の耐エッチング性膜）１２を
第１のレジスト膜１１上に形成する（図２（ｂ））。

【００２５】次いで、ノボラック系ポジティブレジスト
を回転塗布法により塗布した後、温度約２００　℃で加
熱して第１のＳＯＧ膜１２上に膜厚約０．９　μｍの第
２のレジスト膜（第３の耐エッチング性膜）１３を形成
する。これにより、表面は十分に平坦化される（図２（
ｃ））。 続いて、ＳＯＧを回転塗布法により塗布した後、温度約
２００　℃で加熱して、第２のレジスト膜１３をエッチ
ングする際のマスクとなる膜厚約０．２μｍの第２のＳ
ＯＧ膜（第４の耐エッチング性膜）１４を第２のレジス
ト膜１１上に形成する（図２（ｃ））。

【００２６】次いで、感光性を有するノボラック系ポジ
ティブレジストを回転塗布法により塗布した後、温度約
８０℃で加熱して第２のＳＯＧ膜１４上に膜厚約０．５
　μｍの感光性ＳＯＧ膜（感光性膜）１５を形成する。 この感光性ＳＯＧ膜１５は解像度を向上するため膜厚を
出来るだけ薄くしている（図２（ｃ））。

【００２７】次に、感光性ＳＯＧ膜１５を選択的に露光
した後、現像し、第１のパターン１５ａ〜１５ｄを形成
する（図２（ｄ））。

【００２８】次いで、ＣＦ４　ガスを用いた反応性イオ
ンエッチング（ＲＩＥ）により、第１のパターン１５ａ
〜１５ｃをマスクとして第２のＳＯＧ膜１４を選択的に
エッチングし、第１のパターン１５ａ〜１５ｃの下に第
２のパターン１４ａ〜１４ｄを形成する（図３（ｅ））
。

【００２９】次に、酸素ガスを用いた電子サイクロトロ
ン共鳴（ＥＣＲ）プラズマエッチングにより、第２のパ
ターン１４ａ〜１４ｃをマスクとして第２のレジスト膜
１３を選択的にエッチングし、第２のパターン１４ａ〜
１４ｃの下に第３のパターン１３ａ〜１３ｃを形成する
。このとき、同時に、第２のパターン１４ａ〜１４ｃの
上に残存する第１のパターン１５ａ〜１５ｃもエッチン
グ・除去される（図３（ｆ））。　　次いで、ＣＦ４　
ガスを用いた反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により
、第３のパターン１３ａ〜１３ｃをマスクとして第１の
ＳＯＧ膜１２を選択的にエッチングし、第３のパターン
１３ａ〜１３ｃの下に第４のパターン１２ａ〜１２ｃを
形成するこのとき、同時に、第３のパターン１３ａ〜１
３ｃの上に残存する第２のパターン１４ａ〜１４ｃもエ
ッチング・除去される（図３（ｇ））。

【００３０】次に、酸素ガスを用いたＥＣＲプラズマエ
ッチングにより、第４のパターン１２ａ〜１２ｃをマス
クとして第１のレジスト膜１１を選択的にエッチングし
、第４のパターン１２ａ〜１２ｃの下に第５のパターン
１１ａ〜１１ｃを形成する。このとき、同時に、第４の
パターン１２ａ〜１２ｃの上に残存する第３のパターン
１３ａ〜１３ｄもエッチング・除去される。これにより
、エッチング用のマスクとしての、第５のパターン／第
４のパターン１１ａ／１２ａ〜１１ｃ／１２ｃからなる
パターン１６ａ〜１６ｃが形成される。このとき、エッ
チング・除去部分の溝又は開口部の深さは、第１のレジ
スト膜１１が選択的にエッチング・除去される間におい
ては第１のＳＯＧ膜１２／第２のレジスト膜１３の合計
の膜厚にほぼ等しくなり、最終的には第１のレジスト膜
１１／第１のＳＯＧ膜１２の合計の膜厚にほぼ等しくな
る。いずれにしても従来の場合の半分程度の膜厚にしか
ならないので、エッチングガス粒子の、エッチング・除
去部分の溝又は開口部内部での散乱の影響を小さくする
ことができる。これにより、形成されるパターン１６ａ
〜１６ｃの断面形状を改良することができる（図４（ｈ
））。

【００３１】その後、顕微鏡によりパターン１６ａ〜１
６ｃの寸法検査を行う。このとき、形成されたパターン
１６ａ〜１６ｃの断面形状が改良されているので、従来
困難であったパターン１６ａ〜１６ｃの寸法検査も容易
に行える。その後、パターン１６ａ〜１６ｃをマスクと
して被パターニング体１０を選択的にエッチング・除去
して配線１０ａ〜１０ｃを形成する（図４（ｉ））。

【００３２】以上のように、本発明の第１の実施例のパ
ターンの形成方法は、従来の３層レジスト法によるパタ
ーンの形成方法に相当し、表面の平坦化のために従来厚
く形成している下側の耐エッチング性膜として第１のレ
ジスト膜１１／第１のＳＯＧ膜１２／第２のレジスト膜
１３からなる３層の膜を形成し、各レジスト膜１１，１
３の膜厚を薄くしている。そして、第２のレジスト膜１
３の第３のパターン１３ａ〜１３ｃ及び第１のＳＯＧ膜
１２の第４のパターン１２ａ〜１２ｃに基づいて第１の
レジスト膜１１をエッチングし、第５のパターン１１ａ
〜１１ｃを形成する際、第３のパターン１３ａ〜１３ｃ
も同時にエッチング・除去している。

【００３３】このため、第１のレジスト膜１１／第１の
ＳＯＧ膜１２／第２のレジスト膜１３の溝或いは開口部
の深さは、従来の場合の半分程度の膜厚にしかならない
ので、パターン１６ａ〜１６ｃを形成するためのエッチ
ングガス粒子の、エッチング・除去部分の溝又は開口部
内部での散乱の影響を小さくすることができる。これに
より、形成されるパターン１６ａ〜１６ｃの断面形状を
改良することができるので、従来困難であったパターン
１６ａ〜１６ｃの寸法検査も容易に行える。

【００３４】（２）第２の実施例 図５（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２の実施例のパター
ンの形成方法について説明する図である。

【００３５】第１の実施例と異なるところは、従来の２
層レジスト法によるパターンの形成方法に相当し、図５
（ａ）に示すように、第３のレジスト膜（第５の耐エッ
チング性膜）１７／第３のＳＯＧ膜（第６の耐エッチン
グ性膜）１８／第４のレジスト膜（第７の耐エッチング
性膜）１９の上に直接、Ｓｉを含有し、かつ感光性を有
する膜厚約０．５　μｍの感光性ＳＯＧ膜（感光性膜）
２０を形成していることである。

【００３６】この場合には、感光性ＳＯＧ膜（感光性膜
）２０を露光・現像し、第６のパターン２０ａを形成し
た後、第１の実施例の図２（ｄ）〜図４（ｈ）に示す工
程と同様な図５（ｂ）〜（ｄ）の工程を経て、即ち、こ
の第６のパターン２０ａに基づいて下層の第４のレジス
ト膜１９／第３のＳＯＧ膜１８／第３のレジスト膜１７
を順次エッチングして、最終的に、第１の実施例と同じ
く第３のレジスト膜１７の第９のパターン１７ａ〜１７
ｃ／第３のＳＯＧ膜１８の第８のパターン１８ａ〜１８
ｃからなる、被パターニング体１０のエッチングのため
のマスクとなるパターン２１ａ〜２１ｃが形成される。

【００３７】以上のような第２の実施例によれば、第３
のレジスト膜１７／第３のＳＯＧ膜１８／第４のレジス
ト膜１９の溝或いは開口部の深さは、上記の第１の場合
と同様に、第３のレジスト膜１７が選択的にエッチング
・除去される間（図５（ｃ）から図５（ｄ）に移行する
間のエッチング処理の間）は、第３のＳＯＧ膜１８及び
第４のレジスト膜１９の合計の膜厚にほぼ等しくなり、
最終的には第３のレジスト膜１７及び第３のＳＯＧ膜１
８の合計の膜厚にほぼ等しくなる。いずれにしても従来
の場合の半分程度の膜厚にしかならない。これにより、
パターン２１ａ〜２１ｃを形成するためのエッチングガ
ス中のイオンの、エッチングにより形成される溝又は開
口部内部での散乱の影響を小さくすることができるので
、形成されるパターン２１ａ〜２１ｃの断面形状を改良
することができる。従って、従来困難であったパターン
２１ａ〜２１ｃの寸法検査も容易に行える。

【００３８】

【発明の効果】以上のように、本発明のパターンの形成
方法は、第１に、従来の３層レジスト法によるパターン
の形成方法、或いは従来の２層レジスト法によるパター
ンの形成方法に相当し、表面の平坦化のために従来厚く
形成している下側の耐エッチング性膜として３層の耐エ
ッチング性膜を形成している。そして、最上層の耐エッ
チング性膜のパターン及び中間層の耐エッチング性膜の
パターンに基づいて最下層の耐エッチング性膜のパター
ンをエッチングする際、最上層のパターンも同時にエッ
チング・除去している。

【００３９】このため、３層の耐エッチング性膜の溝或
いは開口部の深さは、最下層の耐エッチング性膜が選択
的にエッチング・除去される間は中間層及び最上層の耐
エッチング性膜の合計の膜厚にほぼ等しくなり、最終的
には最下層及び中間層の耐エッチング性膜の合計の膜厚
にほぼ等しくなる。いずれにしても従来の場合の半分程
度の膜厚にしかならない。

【００４０】これにより、パターンを形成するためのエ
ッチングガス中のイオン、エッチングにより形成される
溝又は開口部内部での散乱の影響を小さくすることがで
きるので、形成されるパターンの断面形状を改良するこ
とができる。従って、従来困難であったパターンの寸法
検査も容易に行える。

【図面の簡単な説明】

【図１】１本発明のパターンの形成方法について説明す
る原理断面図である。

【図２】本発明の第１の実施例のパターンの形成方法に
ついて説明する断面図（その１）である。

【図３】本発明の第１の実施例のパターンの形成方法に
ついて説明する断面図（その２）である。

【図４】本発明の第１の実施例のパターンの形成方法に
ついて説明する断面図（その３）である。

【図５】本発明の第３の実施例のパターンの形成方法に
ついて説明する断面図である。

【図６】第１の従来例のパターンの形成方法について説
明する断面図（その１）である。

【図７】第１の従来例のパターンの形成方法について説
明する断面図（その２）である。

【図８】第２の従来例のパターンの形成方法について説
明する断面図である。

【符号の説明】

１，９　　基板、 ２，１０　　被パターニング体、 ３　　下層のレジスト膜、 ３ａ〜３ｃ，　１３ａ〜１３ｃ　　第３のパターン、４
　　ＳＯＧ膜、 ４ａ〜４ｃ，１４ａ〜１４ｃ　　第２のパターン、５　
　上層のレジスト膜、 ５ａ〜５ｃ，　１５ａ〜１５ｃ　　第１のパターン、６
ａ〜６ｃ，８ａ〜８ｃ，　１６ａ〜１６ｃ　　パターン
、７　　感光性ＳＯＧ膜、 ７ａ〜７ｃ，　１２ａ〜１２ｃ　　第４のパターン、１
０ａ〜１０ｂ　　配線、 １１　　第１のレジスト膜（第１の耐エッチング性膜）
、１１ａ〜１１ｃ　　第５のパターン、 １２　　第１のＳＯＧ膜（第２の耐エッチング性膜）、
１３　　第２のレジスト膜（第３の耐エッチング性膜）
、１４　　第２のＳＯＧ膜（第４の耐エッチング性膜）
、１５　　感光性ＳＯＧ膜（感光性膜）、１７　　第３
のレジスト膜（第５の耐エッチング性膜）、１８　　第
３のＳＯＧ膜（第６の耐エッチング性膜）、１９　　第
４のレジスト膜（第７の耐エッチング性膜）、２０　　
感光性ＳＯＧ膜（感光性膜）。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　被パターニング体（１０）上に第１の
   耐エッチング性膜（１１），第２の耐エッチング性膜（
   １２），第３の耐エッチング性膜（１３），第４の耐エ
   ッチング性膜（１４）及び感光性膜（１５）を順次形成
   する工程と、前記感光性膜（１５）を露光法によりパタ
   ーニングし、第１のパターン（１５ａ）〜（１５ｃ）を
   形成する工程と、前記第１のパターン（１５ａ）〜（１
   ５ｃ）をマスクとして前記第４の耐エッチング性膜（１
   ４）を選択的にエッチングして、該第４の耐エッチング
   性膜（１４）からなる第２のパターン（１４ａ）〜（１
   ４ｃ）を形成する工程と、前記感光性膜（１５）及び第
   ３の耐エッチング性膜（１３）のエッチングレートが第
   ４の耐エッチング性膜（１４）のエッチングレートより
   も大きいエッチングガスを用いて前記第１のパターン（
   １５ａ）〜（１５ｃ）及び第３の耐エッチング性膜（１
   ３）をともにエッチングし、前記第１のパターン（１５
   ａ）〜（１５ｃ）を除去するとともに前記第２のパター
   ン（１４ａ）〜（１４ｃ）の下に前記第３の耐エッチン
   グ性膜（１３）からなる第３のパターン（１３ａ）〜（
   １３ｃ）を形成する工程と、前記第４の耐エッチング性
   膜（１４）及び第２の耐エッチング性膜（１２）のエッ
   チングレートが第３の耐エッチング性膜（１３）のエッ
   チングレートよりも大きいエッチングガスを用いて前記
   第２のパターン（１４ａ）〜（１４ｃ）及び第２の耐エ
   ッチング性膜（１２）をともにエッチングし、前記第２
   のパターン（１４ａ）〜（１４ｃ）を除去するとともに
   前記第３のパターン（１３ａ）〜（１３ｃ）の下に前記
   第２の耐エッチング性膜（１２）からなる第４のパター
   ン（１２ａ）〜（１２ｃ）を形成する工程と、前記第３
   の耐エッチング性膜（１３）及び第１の耐エッチング性
   膜（１１）のエッチングレートが第２の耐エッチング性
   膜（１２）のエッチングレートよりも大きいエッチング
   ガスを用いて前記第３のパターン（１３ａ）〜（１３ｃ
   ）及び第１の耐エッチング性膜（１１）をともにエッチ
   ングし、前記第３のパターン（１３ａ）〜（１３ｃ）を
   除去するとともに前記第４のパターン（１２ａ）〜（１
   ２ｃ）の下に前記第１の耐エッチング性膜（１１）から
   なる第５のパターン（１１ａ）〜（１１ｃ）を形成する
   工程とを有するパターンの形成方法。
2. 【請求項２】　　前記第１及び第３の耐エッチング性膜
   （１１），（１３）がレジスト膜であり、前記第２及び
   第４の耐エッチング性膜（１２），（１４）がＳＯＧ膜
   であることを特徴とする請求項１記載のパターンの形成
   方法。
3. 【請求項３】　　被パターニング（１０）体上に第５の
   耐エッチング性膜（１７），第６の耐エッチング性膜（
   １８），第７の耐エッチング性膜（１９）及び感光性膜
   （２０）を順次形成する工程と、前記感光性膜（２０）
   を露光法によりパターニングして第６のパターン（２０
   ａ）〜（２０ｃ）を形成する工程と、前記第６のパター
   ン（２０ａ）〜（２０ｃ）をマスクとして前記第７の耐
   エッチング性膜（１９）を選択的にエッチングして、該
   第７の耐エッチング性膜（１９）からなる第７のパター
   ン（１９ａ）〜（１９ｃ）を形成する工程と、前記感光
   性膜（２０）及び第６の耐エッチング性膜（１８）のエ
   ッチングレートが第７の耐エッチング性膜（１９）のエ
   ッチングレートよりも大きいエッチングガスを用いて前
   記感光性膜（２０）及び第６の耐エッチング性膜（１８
   ）をともにエッチングし、前記感光性膜（２０）を除去
   するとともに前記第７のパターン（１９ａ）〜（１９ｃ
   ）の下に前記第６の耐エッチング性膜（１８）からなる
   第８のパターン（１８ａ）〜（１８ｃ）を形成する工程
   と、前記第７の耐エッチング性膜（１９）及び第５の耐
   エッチング性膜（１７）のエッチングレートが第６の耐
   エッチング性膜（１８）のエッチングレートよりも大き
   いエッチングガスを用いて前記第７のパターン（１９ａ
   ）〜（１９ｃ）及び第５の耐エッチング性膜（１７）を
   ともにエッチングし、前記第７のパターン（１９ａ）〜
   （１９ｃ）を除去するとともに前記第８のパターン（１
   ８ａ）〜（１８ｃ）の下に前記第５の耐エッチング性膜
   （１７）からなる第９のパターン（１７ａ）〜（１７ｃ
   ）を形成する工程とを有するパターンの形成方法。
4. 【請求項４】　　前記第５及び第７の耐エッチング性膜
   （１７），（１９）がレジスト膜であり、前記第６の耐
   エッチング性膜（１８）及び前記感光性膜（２０）が感
   光性ＳＯＧ膜であることを特徴とする請求項３記載のパ
   ターンの形成方法。