JPH04332185A - 半導体レーザ用前方出射光検出機構及び光量調整方法 - Google Patents
半導体レーザ用前方出射光検出機構及び光量調整方法Info
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- JPH04332185A JPH04332185A JP3101321A JP10132191A JPH04332185A JP H04332185 A JPH04332185 A JP H04332185A JP 3101321 A JP3101321 A JP 3101321A JP 10132191 A JP10132191 A JP 10132191A JP H04332185 A JPH04332185 A JP H04332185A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 34
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
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- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光メモリ装置の半導体
レーザ前方出射光検出に関する。
レーザ前方出射光検出に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光学ヘッドの概略図を図９に示し
、図に基づいて説明する。半導体レーザ９０１から出射
した発散光はコリメータレンズ９０２により平行光とさ
れビームスプリッター９０３により光量検出部９０７、
と対物レンズ９０５で記録媒体９０４上に集光される光
路に分けられる。また、記録媒体９０４により反射され
た光はビームスプリッター９０３により信号検出部９０
６に入射し、サーボに用いられるエラー信号、データの
再生信号を得る。
、図に基づいて説明する。半導体レーザ９０１から出射
した発散光はコリメータレンズ９０２により平行光とさ
れビームスプリッター９０３により光量検出部９０７、
と対物レンズ９０５で記録媒体９０４上に集光される光
路に分けられる。また、記録媒体９０４により反射され
た光はビームスプリッター９０３により信号検出部９０
６に入射し、サーボに用いられるエラー信号、データの
再生信号を得る。
【０００３】光メモリー装置においては、温度、戻り光
の変化によりレーザ出射光量を変化させない為に、出射
光量を検出しレーザにフィードバックをかけ出射光量を
一定にする、オート・パワー・コントロール（ＡＰＣ）
というサーボループが組まれている。ＡＰＣに用いられ
る光量検出は、図９のビームスプリッター９０３により
半導体レーザから出射した光を光量検出部に導き行われ
る。
の変化によりレーザ出射光量を変化させない為に、出射
光量を検出しレーザにフィードバックをかけ出射光量を
一定にする、オート・パワー・コントロール（ＡＰＣ）
というサーボループが組まれている。ＡＰＣに用いられ
る光量検出は、図９のビームスプリッター９０３により
半導体レーザから出射した光を光量検出部に導き行われ
る。
【０００４】また、ＡＰＣによる半導体レーザの駆動は
、図１０の概略図に示すようになっている。半導体レー
ザ９５１からの出射光をＡＰＣ用フォトダイオード９５
４で検出し、その出力を電流電圧変換部９５２で電圧に
変換し、次の段の出力調整部９５３で出力当たり規定値
になるようボリュウムにより出力を規格化する。この出
力を半導体レーザ駆動回路９５５に負帰還をかける事に
よりＡＰＣ動作を行っている。
、図１０の概略図に示すようになっている。半導体レー
ザ９５１からの出射光をＡＰＣ用フォトダイオード９５
４で検出し、その出力を電流電圧変換部９５２で電圧に
変換し、次の段の出力調整部９５３で出力当たり規定値
になるようボリュウムにより出力を規格化する。この出
力を半導体レーザ駆動回路９５５に負帰還をかける事に
よりＡＰＣ動作を行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、光学ヘッドの
小型化及び、光学部品の簡略化、集積化に伴いＡＰＣの
ための光量検出部が相対的に大きくなり小型化を阻む大
きな要因となるという問題点が有った。また、ＡＰＣ駆
動回路に出力調整部を持つ事により、個々の光学ヘッド
間で、ＡＰＣ検出部の帯域、Ｓ／Ｎ等のばらつきが発生
した。
小型化及び、光学部品の簡略化、集積化に伴いＡＰＣの
ための光量検出部が相対的に大きくなり小型化を阻む大
きな要因となるという問題点が有った。また、ＡＰＣ駆
動回路に出力調整部を持つ事により、個々の光学ヘッド
間で、ＡＰＣ検出部の帯域、Ｓ／Ｎ等のばらつきが発生
した。
【０００６】本発明は、上記の問題点を解決するもので
、その目的とするところは、光学ヘッドをより小型化し
、しかも、回路での出力調整を必要としない光メモリー
装置を提供する事にある。
、その目的とするところは、光学ヘッドをより小型化し
、しかも、回路での出力調整を必要としない光メモリー
装置を提供する事にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による半導体レー
ザ用前方出射光検出機構及び光量調整方法は、（１）
半導体レーザを用いた光メモリドライブの光学ヘッド
で，半導体レーザ出射光の光出力を一定に保つ（ＡＰＣ
）ための出射光量検出において、半導体レーザの前方出
射光の内、コリメータレンズ又は対物レンズの有効径以
外に放射される光を検出する機構を有する事を特徴とす
る。
ザ用前方出射光検出機構及び光量調整方法は、（１）
半導体レーザを用いた光メモリドライブの光学ヘッド
で，半導体レーザ出射光の光出力を一定に保つ（ＡＰＣ
）ための出射光量検出において、半導体レーザの前方出
射光の内、コリメータレンズ又は対物レンズの有効径以
外に放射される光を検出する機構を有する事を特徴とす
る。
【０００８】（２） 前記光検出機構にコリメータレ
ンズ又は対物レンズの有効径外で且つ半導体レーザ出射
光の存在する範囲内にプリズムを設置する事を特徴とす
る。 （３） 前記プリズムを光検出素子と同一部材とする
、又は、前記プリズムを光検出素子に接着する事を特徴
とする。
ンズ又は対物レンズの有効径外で且つ半導体レーザ出射
光の存在する範囲内にプリズムを設置する事を特徴とす
る。 （３） 前記プリズムを光検出素子と同一部材とする
、又は、前記プリズムを光検出素子に接着する事を特徴
とする。
【０００９】（４） 半導体レーザ前方出射光検出機
構を、コリメータレンズ鏡筒に取付け、又は、同一部材
で構成し、コリメータレンズと同時に移動する事を特徴
とする。
構を、コリメータレンズ鏡筒に取付け、又は、同一部材
で構成し、コリメータレンズと同時に移動する事を特徴
とする。
【００１０】（５） ホログラム素子を用いてサーボ
エラー信号、又は、再生信号を得る光学ヘッドにおいて
、ホログラム素子により回折された光をＡＰＣ用光量検
出として用いる事を特徴とする。
エラー信号、又は、再生信号を得る光学ヘッドにおいて
、ホログラム素子により回折された光をＡＰＣ用光量検
出として用いる事を特徴とする。
【００１１】（６） ＡＰＣに用いる光検出素子を移
動させ検出光量調整を行う事を特徴とする。
動させ検出光量調整を行う事を特徴とする。
【００１２】（７） ＡＰＣに用いる光検出素子を、
光出射方向と垂直方向に移動させ、検出光量調整を行う
事を特徴とする。
光出射方向と垂直方向に移動させ、検出光量調整を行う
事を特徴とする。
【００１３】（８） ＡＰＣに用いるプリズムと光検
出素子を、レンズの光軸と平行方向に移動させ、検出光
量調整を行う事を特徴とする。
出素子を、レンズの光軸と平行方向に移動させ、検出光
量調整を行う事を特徴とする。
【００１４】
（実施例１）図１は、本発明による第１の実施例におけ
るＡＰＣ用光検出部の概略図である。半導体レーザ１０
５より出射した光は、１０８に示すような広がりを持つ
。その放射光がコリメータレンズ１０３に入射する事に
よりコリメータレンズの入射瞳径１０１内の放射状の光
束１０６のみが平行化され情報の記録再生に寄与する。 半導体レーザからの放射光でコリメータレンズの入射瞳
外の放射光１０７をＡＰＣ用光検出センサー１０２に取
り込む。これによりＡＰＣ用光検出素子で拾う光が従来
であれば捨てている光であるので、記録再生及びサーボ
エラー信号検出には全く影響せず、しかも、光量の損失
も無くＡＰＣ用光検出できる。また、半導体レーザの放
射角の大きい方向（接合面に垂直方向）にＡＰＣ用光検
出素子を配置する事により、より多くの光量をＡＰＣ用
光検出部に入射する事が出来安定した周波数特性の良い
ＡＰＣ動作が得られる。
るＡＰＣ用光検出部の概略図である。半導体レーザ１０
５より出射した光は、１０８に示すような広がりを持つ
。その放射光がコリメータレンズ１０３に入射する事に
よりコリメータレンズの入射瞳径１０１内の放射状の光
束１０６のみが平行化され情報の記録再生に寄与する。 半導体レーザからの放射光でコリメータレンズの入射瞳
外の放射光１０７をＡＰＣ用光検出センサー１０２に取
り込む。これによりＡＰＣ用光検出素子で拾う光が従来
であれば捨てている光であるので、記録再生及びサーボ
エラー信号検出には全く影響せず、しかも、光量の損失
も無くＡＰＣ用光検出できる。また、半導体レーザの放
射角の大きい方向（接合面に垂直方向）にＡＰＣ用光検
出素子を配置する事により、より多くの光量をＡＰＣ用
光検出部に入射する事が出来安定した周波数特性の良い
ＡＰＣ動作が得られる。
【００１５】（実施例２）図２は、本発明における第２
の実施例におけるＡＰＣ用光検出部を示す概略図である
。半導体レーザ２０５からの放射光でコリメータレンズ
２０９の入射瞳径外のエリア２０７内に全反射プリズム
２１０を設置し光路２０６を通り光検出素子２０２に入
射させる。プリズム２１０により光検出素子を光軸に平
行に設置する事が出来、光検出素子の大きさの制限が無
くなり、しかも薄型にする事ができる構造とした。
の実施例におけるＡＰＣ用光検出部を示す概略図である
。半導体レーザ２０５からの放射光でコリメータレンズ
２０９の入射瞳径外のエリア２０７内に全反射プリズム
２１０を設置し光路２０６を通り光検出素子２０２に入
射させる。プリズム２１０により光検出素子を光軸に平
行に設置する事が出来、光検出素子の大きさの制限が無
くなり、しかも薄型にする事ができる構造とした。
【００１６】（実施例３）図３は、本発明における第３
の実施例におけるＡＰＣ用光検出部を示す概略図である
。半導体レーザ３０５からの放射光でコリメータレンズ
３０９の入射瞳径外のエリア３０７内に全反射プリズム
３１０を設置し光路３０６を通り光検出素子３０２に入
射させる。ここでプリズム３１０と光検出素子３０２を
接着してある。プリズム３１０は光検出素子と同一部材
となっているため、新たなプリズム固定部材を必要とせ
ず非常にシンプルな構造となる。
の実施例におけるＡＰＣ用光検出部を示す概略図である
。半導体レーザ３０５からの放射光でコリメータレンズ
３０９の入射瞳径外のエリア３０７内に全反射プリズム
３１０を設置し光路３０６を通り光検出素子３０２に入
射させる。ここでプリズム３１０と光検出素子３０２を
接着してある。プリズム３１０は光検出素子と同一部材
となっているため、新たなプリズム固定部材を必要とせ
ず非常にシンプルな構造となる。
【００１７】（実施例４）図４は、本発明における第４
の実施例におけるＡＰＣ用光検出部を示す概略図である
。半導体レーザ４０５からの放射光でコリメータレンズ
４０９の入射瞳径外のエリア４０７内に全反射プリズム
４１０を設置し光路４０６を通り光検出素子４０２に入
射させる。ここでプリズム４１０と光検出素子４０２及
びコリメータレンズ鏡筒４１１を同一部材としてある。 従って、プリズム４１０、光検出素子４０２は光検出素
子とを固定する部材をコリメートレンズの鏡筒４１１と
兼用としているため、ＡＰＣ用光検出部が非常にシンプ
ルになると同時に小型化する事が出来た。また、ＡＰＣ
用光検出部がコリメータレンズの鏡筒に予め固定されて
いるためプリズム４１０がコリメータレンズの入射瞳径
内に入る事がなく、無調整で取り付ける事ができる。
の実施例におけるＡＰＣ用光検出部を示す概略図である
。半導体レーザ４０５からの放射光でコリメータレンズ
４０９の入射瞳径外のエリア４０７内に全反射プリズム
４１０を設置し光路４０６を通り光検出素子４０２に入
射させる。ここでプリズム４１０と光検出素子４０２及
びコリメータレンズ鏡筒４１１を同一部材としてある。 従って、プリズム４１０、光検出素子４０２は光検出素
子とを固定する部材をコリメートレンズの鏡筒４１１と
兼用としているため、ＡＰＣ用光検出部が非常にシンプ
ルになると同時に小型化する事が出来た。また、ＡＰＣ
用光検出部がコリメータレンズの鏡筒に予め固定されて
いるためプリズム４１０がコリメータレンズの入射瞳径
内に入る事がなく、無調整で取り付ける事ができる。
【００１８】（実施例５）図５は、本発明における第５
の実施例におけるＡＰＣ用光検出部を示す概略図である
。半導体レーザ５０１からの放射光がコリメータレンズ
５０３により平行化され、ホログラム素子５０４に入射
する。ホログラム５０４により回折の影響を受けなかっ
た光束５０９はそのまま対物レンズにより記録媒体上に
集光され記録再生及びエラー信号検出に用いられる。 一方、コリメーターレンズを通過し、ホログラム素子５
０４で開設した光は光軸に対しある回折角を持ち５０８
に示す光路を進む。光束５０８の中で且つ光束５０９の
エリア外にＡＰＣ用光検出素子５１０を設置してある。
の実施例におけるＡＰＣ用光検出部を示す概略図である
。半導体レーザ５０１からの放射光がコリメータレンズ
５０３により平行化され、ホログラム素子５０４に入射
する。ホログラム５０４により回折の影響を受けなかっ
た光束５０９はそのまま対物レンズにより記録媒体上に
集光され記録再生及びエラー信号検出に用いられる。 一方、コリメーターレンズを通過し、ホログラム素子５
０４で開設した光は光軸に対しある回折角を持ち５０８
に示す光路を進む。光束５０８の中で且つ光束５０９の
エリア外にＡＰＣ用光検出素子５１０を設置してある。
【００１９】（実施例６）図６は、本発明における第６
の実施例におけるＡＰＣ用光検出部の調整方法を示す概
略図である。半導体レーザ６０１からの放射光でコリメ
ータレンズ６０３の入射瞳径外のエリア６０４内に光検
出素子６０５を設置し、６０６方向に移動調整できる構
造とした。光検出素子６０５を方向６０６に移動調整す
る事によりセンサーがコリメートレンズ６０３の入射瞳
径内６０７に侵入させず、しかも、光検出素子入射光量
を調整できるため、ブロック図８に示すようにＡＰＣ動
作回路上に出力調整の無いＡＰＣ動作回路が組める。
の実施例におけるＡＰＣ用光検出部の調整方法を示す概
略図である。半導体レーザ６０１からの放射光でコリメ
ータレンズ６０３の入射瞳径外のエリア６０４内に光検
出素子６０５を設置し、６０６方向に移動調整できる構
造とした。光検出素子６０５を方向６０６に移動調整す
る事によりセンサーがコリメートレンズ６０３の入射瞳
径内６０７に侵入させず、しかも、光検出素子入射光量
を調整できるため、ブロック図８に示すようにＡＰＣ動
作回路上に出力調整の無いＡＰＣ動作回路が組める。
【００２０】（実施例７）図７は、本発明における第７
の実施例におけるＡＰＣ用光検出部の調整方法を示す概
略図である。半導体レーザ７０１からの放射光でコリメ
ータレンズ７０２の入射瞳径外のエリア７０３内にプリ
ズム７０４、光検出素子７０５を設置し、７０９方向に
移動調整できる構造とした。光検出素子７０５と一体に
なったプリズム７０４を方向７０９に移動調整する事に
より、点線で示すプリズム７０６、光検出素子７０８の
位置に移動でき、光の取り込む量を調整出来る。従って
、プリズムの先端がコリメートレンズ７０２の入射瞳径
内７１０に侵入させず、しかも、移動方向が光軸と平行
であるので簡単な調整機構で光検出素子入射光量を調整
できるため、ブロック図８に示すようにＡＰＣ動作回路
上に出力調整の無いＡＰＣ動作回路が組める。
の実施例におけるＡＰＣ用光検出部の調整方法を示す概
略図である。半導体レーザ７０１からの放射光でコリメ
ータレンズ７０２の入射瞳径外のエリア７０３内にプリ
ズム７０４、光検出素子７０５を設置し、７０９方向に
移動調整できる構造とした。光検出素子７０５と一体に
なったプリズム７０４を方向７０９に移動調整する事に
より、点線で示すプリズム７０６、光検出素子７０８の
位置に移動でき、光の取り込む量を調整出来る。従って
、プリズムの先端がコリメートレンズ７０２の入射瞳径
内７１０に侵入させず、しかも、移動方向が光軸と平行
であるので簡単な調整機構で光検出素子入射光量を調整
できるため、ブロック図８に示すようにＡＰＣ動作回路
上に出力調整の無いＡＰＣ動作回路が組める。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば光
メモリー装置の光学ヘッドを小型化し、ホログラム素子
などを用い半導体レーザと信号検出素子を一体にした構
造においても、ＡＰＣ用光検出の為に新たな空間を必要
とせず、しかも、従来捨てている光を検出しているため
、光利用効率及び信号検出には全く影響しない安定した
ＡＰＣ用光検出ができる。また、本発明によるＡＰＣ用
光検出部で調整を行う事により、非常に簡単な機構で光
量調整が正確に出来、しかも、ＡＰＣ駆動回路の出力ゲ
イン調整を省く事ができる。
メモリー装置の光学ヘッドを小型化し、ホログラム素子
などを用い半導体レーザと信号検出素子を一体にした構
造においても、ＡＰＣ用光検出の為に新たな空間を必要
とせず、しかも、従来捨てている光を検出しているため
、光利用効率及び信号検出には全く影響しない安定した
ＡＰＣ用光検出ができる。また、本発明によるＡＰＣ用
光検出部で調整を行う事により、非常に簡単な機構で光
量調整が正確に出来、しかも、ＡＰＣ駆動回路の出力ゲ
イン調整を省く事ができる。
【図１】本発明による第１の実施例に基づくＡＰＣ用光
検出部を示す概略図。
検出部を示す概略図。
【図２】本発明による第２の実施例に基づくＡＰＣ用光
検出部を示す概略図。
検出部を示す概略図。
【図３】本発明による第３の実施例に基づくＡＰＣ用光
検出部を示す概略図。
検出部を示す概略図。
【図４】本発明による第４の実施例に基づくＡＰＣ用光
検出部を示す概略図。
検出部を示す概略図。
【図５】本発明による第５の実施例に基づくＡＰＣ用光
検出部を示す概略図。
検出部を示す概略図。
【図６】本発明による第６の実施例に基づくＡＰＣ用光
検出素子の調整方法を示す概略図。
検出素子の調整方法を示す概略図。
【図７】本発明による第７の実施例に基づくＡＰＣ用光
検出素子の調整方法を示す概略図。
検出素子の調整方法を示す概略図。
【図８】本発明によるＡＰＣ駆動回路を示すブロック図
。
。
【図９】従来のＡＰＣ用光検出部を示す概略図。
【図１０】従来のＡＰＣ駆動回路を示すブロック図。
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体レーザを用いた光メモリドライ
ブの光学ヘッドで，半導体レーザ出射光の光出力を一定
に保つオート・パワー・コントロール（以下、ＡＰＣと
いう）ための出射光量検出において、半導体レーザの前
方出射光の内、コリメータレンズ又は対物レンズの有効
径以外に放射される光を検出する機構を有する事を特徴
とする半導体レーザ用前方出射光検出機構。 - 【請求項２】 前記光検出機構にコリメータレンズ又
は対物レンズの有効径外で且つ半導体レーザ出射光の存
在する範囲内にプリズムを設置する事を特徴とする請求
項１記載の半導体レーザ用前方出射光検出機構。 - 【請求項３】 前記プリズムを光検出素子と同一部材
とする、又は、前記プリズムを光検出素子に接着する事
を特徴とする請求項１記載の半導体レーザ用前方出射光
検出機構。 - 【請求項４】 半導体レーザ前方出射光検出機構を、
コリメータレンズ鏡筒に取付け、又は、同一部材で構成
し、コリメータレンズと同時に移動する事を特徴とする
請求項１記載の半導体レーザ用前方出射光検出機構。 - 【請求項５】 ホログラム素子を用いてサーボエラー
信号、又は、再生信号を得る光学ヘッドにおいて、ホロ
グラム素子により回折された光をＡＰＣ用光量検出とし
て用いる事を特徴とする半導体レーザ用前方出射光検出
機構。 - 【請求項６】 ＡＰＣに用いる光検出素子を移動させ
検出光量調整を行う事を特徴とする請求項１または請求
項３記載の光量調整方法。 - 【請求項７】 ＡＰＣに用いる光検出素子を、光出射
方向と垂直方向に移動させ、検出光量調整を行う事を特
徴とする請求項１記載の半導体レーザ用前方出射光検出
機構の、請求項６記載の光量調整方法。 - 【請求項８】 ＡＰＣに用いるプリズムと光検出素子
を、レンズの光軸と平行方向に移動させ、検出光量調整
を行う事を特徴とする請求項３記載の半導体レーザ用前
方出射光検出機構の、請求項６記載の光量調整方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3101321A JPH04332185A (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 半導体レーザ用前方出射光検出機構及び光量調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3101321A JPH04332185A (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 半導体レーザ用前方出射光検出機構及び光量調整方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04332185A true JPH04332185A (ja) | 1992-11-19 |
Family
ID=14297553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3101321A Pending JPH04332185A (ja) | 1991-05-07 | 1991-05-07 | 半導体レーザ用前方出射光検出機構及び光量調整方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04332185A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6687272B2 (en) | 2001-09-18 | 2004-02-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor laser device |
| US7023787B2 (en) | 2002-03-01 | 2006-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical pickup device |
| JP2006139814A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-01 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 光処理装置、光ピックアップ及び光ディスクシステム |
| JP2006252773A (ja) * | 2006-06-26 | 2006-09-21 | Hitachi Media Electoronics Co Ltd | 光ピックアップ及び光ディスク装置 |
| CN100382168C (zh) * | 2004-06-01 | 2008-04-16 | 三星电机株式会社 | 集成式光学系统及制造方法以及信息记录和/或再现装置 |
| US7417934B2 (en) * | 2003-01-24 | 2008-08-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical pickup |
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