JPH04332876A - 動作状態検出回路 - Google Patents

動作状態検出回路

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JPH04332876A
JPH04332876A JP3102874A JP10287491A JPH04332876A JP H04332876 A JPH04332876 A JP H04332876A JP 3102874 A JP3102874 A JP 3102874A JP 10287491 A JP10287491 A JP 10287491A JP H04332876 A JPH04332876 A JP H04332876A
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水田　覚
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Fujitsu Ltd
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B62D5/06—Power-assisted or power-driven steering fluid, i.e. using a pressurised fluid for most or all the force required for steering a vehicle
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    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05B—CONTROL OR REGULATING SYSTEMS IN GENERAL; FUNCTIONAL ELEMENTS OF SUCH SYSTEMS; MONITORING OR TESTING ARRANGEMENTS FOR SUCH SYSTEMS OR ELEMENTS
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】〔目次〕 産業上の利用分野 従来の技術（図１５） 発明が解決しようとする課題（１６図）課題を解決する
ための手段（図１〜５）作用 実施例 （１）第１の実施例の説明（図６，７）（２）第２の実
施例の説明（図８） （３）第３の実施例の説明（図９） （４）第４の実施例の説明（図１０） （５）第５の実施例の説明（図１１） （６）第６の実施例の説明（図１２） （７）第７の実施例の説明（図１３） （８）第８の実施例の説明（図１４） 発明の効果
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、動作状態検出回路に関
するものであり、更に詳しく言えば、被検出対象の動作
状態を検出する回路の検出範囲の改善に関するものであ
る。
【０００３】近年、マイクロコンピュータの高機能，高
性能化に伴い電子機器の動作状態を該コンピュータによ
り認識して他の制御処理をする制御システムが利用され
ている。例えば、モータや電磁リレー等の負荷駆動制御
システムでは、動作状態検出回路を介してその駆動回路
の動作状態が該コンピュータにより認識される。
【０００４】しかし、モータや電磁リレー等の被検出回
路の動作点の電位レベルを分圧し、それを基準電圧と比
較する方法では、該動作点について、高レベルの動作電
圧を取り扱うことができるが、分圧回路の抵抗比に依存
して検出精度が低下をする。
【０００５】そこで、ノイズ等の影響により左右される
ことなく、被検出回路の動作電源が当該電圧比較回路の
動作電源よりも高い場合であっても、かつ、該被検出回
路の動作電源に変動が生じた場合であっても、その動作
状態を精度良く検出することができる検出回路が望まれ
ている。
【０００６】
【従来の技術】図１５，１６は、従来例に係る説明図で
ある。図１５（ａ），（ｂ）は、従来例に係る動作状態
検出回路の説明図であり、図１５（ａ）は動作状態検出
回路が適用される被検出回路１の一例を示している。
【０００７】図１５（ａ）において、被検出回路１の対
象回路は、例えば、動作電源ＶＤＤと接地線ＧＮＤとの
間にソレノイドＬとＭＯＳトランジスタＴｒとの直列回
路が接続され、該トランジスタＴｒが駆動回路１Ａによ
り制御されるものである。これにより、モータや電磁コ
イル等のソレノイドＬが該トランジスタＴｒのＯＮ／Ｏ
ＦＦにより駆動制御され、この被検出回路１の動作状態
をＭＰＵ２等において認識しなくてはならい場合が生ず
る。
【０００８】なお、ソレノイドＬとＭＯＳトランジスタ
Ｔｒとの接続点Ａは、該トランジスタＴｒのＯＮ動作に
より「Ｌ」レベル（ほぼ接地線ＧＮＤのレベル）に成り
、また、該トランジスタＴｒのＯＦＦ動作により「Ｈ」
レベル（ほぼ動作電源ＶＤＤのレベル）に成る関係にあ
るものである。
【０００９】図１５（ｂ）は被検出回路１の動作状態を
検出する動作状態検出回路の構成図を示している。
【００１０】図１５（ｂ）において、ソレノイドＬ，Ｍ
ＯＳトランジスタＴｒの断線や駆動回路１Ａの動作不良
等をＭＰＵ２等において認識するような場合、先の接続
点（以後動作点ともいう）Ａに動作状態検出回路が接続
される。
【００１１】動作状態検出回路は、基準電圧ＶＲＥＦ　
を発生する固定電圧源３Ａと、動作点Ａの動作電圧と該
基準電圧ＶＲＥＦ　とを比較する比較器３Ｂから成る。 該検出回路の機能は、動作点Ａの「Ｌ」，「Ｈ」レベル
と基準電圧ＶＲＥＦ　とを比較して、その検出結果とな
る動作状態信号ＳをＭＰＵ２等に出力をするものである
。
【００１２】なお、被検出回路１の動作点Ａの「Ｌ」，
「Ｈ」レベルを直接，比較器３Ｂに入力して、それを基
準電圧ＶＲＥＦ　と比較する場合には、該比較器３Ｂの
検出範囲の制約から被検出回路１の動作電源ＶＤＤと比
較器３Ｂの動作電源ＶＣＣとの間にＶＤＤ≦ＶＣＣ又は
ＶＤＤ≒ＶＣＣの動作電源条件が必要となる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来例によ
ればユーザの使用態様により、例えば、動作電源ＶＤＤ
＝ＤＣ３０〔Ｖ〕で駆動するモータや電磁リレー等を該
比較器３Ｂが内蔵された電子制御ユニットにより、その
動作状態をＭＰＵ２で認識しながら駆動制御する方式を
採る場合がある。
【００１４】このため、モータや電磁リレー等を駆動す
る動作電源ＶＤＤ＝ＤＣ３０〔Ｖ〕と比較器３Ｂを駆動
する該動作電源ＶＣＣ＝ＤＣ５〔Ｖ〕との間の関係がＶ
ＤＤ＞ＶＣＣとなって、該比較器３Ｂの検出範囲を越え
、その動作状態を検出することができなくなる。
【００１５】このことから、図１６（ａ）に示すように
被検出回路１の動作点Ａの「Ｈ」レベルを分圧回路４を
介して分圧し、それを基準電圧ＶＲＥＦ　と比較する方
法が採られる。これは、分圧回路４の直列抵抗Ｒ１１，
　Ｒ１２により動作点Ａの「Ｈ」レベル，例えば、動作
電源ＶＤＤ＝ＤＣ３０〔Ｖ〕をＲ１１：Ｒ１２＝５：１
に分圧して、その入力レベルを５〔Ｖ〕程度に規定し、
該比較器３Ｂの動作可能な検出範囲内にするものである
。
【００１６】しかし、この方法では動作点Ａについて、
高レベルの動作電圧を取り扱うことができるが、分圧回
路４の抵抗比＝５：１に依存して検出精度が低下をする
という問題がある。
【００１７】また、図１６（ｂ）に示すように基準電圧
ＶＲＥＦ　を発生する基準電圧発生回路５が設けられ、
動作電源ＶＤＤが変動した場合に備えている。これは、
図１６（ａ）に示すような固定電圧源３Ａにより基準電
圧ＶＲＥＦ　を発生していると、動作電源ＶＤＤが変動
した場合に、分圧回路４からの入力レベルと基準電圧Ｖ
ＲＥＦ　との関係が不順になり被検出回路１の動作状態
を正常に検出できなくなるため、これを防止するもので
ある。なお、基準電圧発生回路５は動作電源ＶＤＤと接
地線ＧＮＤとの間に直列抵抗Ｒ１３，　Ｒ１４が接続さ
れて成る。
【００１８】これにより、動作状態検出回路の検出精度
が低下することから、モータや電磁リレー等を駆動制御
する電子制御システムの信頼性の低下を招く。
【００１９】本発明は、かかる従来例の問題点に鑑み創
作されたものであり、ノイズ等の影響により左右される
ことなく、被検出回路の動作電源が当該電圧比較回路の
動作電源よりも高い場合であっても、かつ、該被検出回
路の動作電源に変動が生じた場合であっても、その動作
状態を精度良く検出することが可能となる動作状態検出
回路の提供を目的とする。
【００２０】
【課題を解決するための手段】図１〜５は、本発明に係
る動作状態検出回路の原理図（その１〜５）をそれぞれ
示している。
【００２１】本発明の第１の動作状態検出回路は、図１
（ａ）に示すように被検出回路１３の動作点Ａに係る動
作電圧ＶＡと基準電圧ＶＲＥＦ　とを比較して該被検出
回路１３の動作状態信号Ｓを出力する電圧比較回路１１
より成る動作状態検出回路において、前記動作点Ａと電
圧比較回路１１との間に、動作電圧ＶＡを電流Ｉに変換
する電圧電流変換素子Ｒと、前記電圧電流変換素子Ｒの
一端のレベルを規定する入力レベル規定回路１２とが設
けられることを特徴とする。
【００２２】なお、前記第１の動作状態検出回路におい
て、図１（ｂ）に示すように前記電圧電流変換素子Ｒが
抵抗素子から成り、該電圧電流抵抗素子Ｒの一端が前記
被検出回路１３の動作点Ａに接続され、前記入力レベル
規定回路１２が第１のトランジスタＱ１，バイアス電圧
源ＶＢｉａｓ及び負荷ｒから成り、前記第１のトランジ
スタＱ１のエミッタＥが前記抵抗素子Ｒの他の一端に接
続され、該第１のトランジスタＱ１のベースＢが前記バ
イアス電圧源ＶＢｉａｓに接続され、該第１のトランジ
スタＱ１のコレクタＣが負荷ｒに接続され、前記電圧比
較回路１１が前記第１のトランジスタＱ１のコレクタＣ
に接続されることを特徴とする。
【００２３】また、本発明の第２の動作状態検出回路は
、前記第１の動作状態検出回路において、図２（ａ）に
示すように前記電圧比較回路１１が前記第１のトランジ
スタＱ１のエミッタＥに接続されることを特徴とする。
【００２４】さらに、本発明の第３の動作状態検出回路
は前記第１の動作状態検出回路において、図２（ｂ）に
示すように第１の動作状態信号Ｓ１を出力する第１の電
圧比較回路１１Ａと、第２の動作状態信号Ｓ２を出力す
る第２の電圧比較回路１１Ｂとが設けられ、前記第１の
電圧比較回路１１Ａが前記第１のトランジスタＱ１のエ
ミッタＥに接続され、前記第２の電圧比較回路１１Ｂが
前記第１のトランジスタＱ１のコレクタＣに接続される
ことを特徴とする。
【００２５】また、本発明の第４の動作状態検出回路は
前記第１の動作状態検出回路において、図３（ａ）に示
すように前記基準電圧ＶＲＥＦ　が固定電圧源１４Ａ又
は基準電圧発生回路１４Ｂにより発生され、前記基準電
圧発生回路１４Ｂが第２のトランジスタＱ２及び電圧電
流変換素子Ｒ１，負荷Ｒ２から成り、前記第２のトラン
ジスタＱ２のエミッタＥが前記電圧電流変換素子Ｒ１の
一端に接続され、該第２のトランジスタＱ２のベースＢ
が前記第１のトランジスタＱ１のベースＢに接続され、
前記第２のトランジスタＱ２のコレクタＣが負荷Ｒ２の
一端に接続され、かつ、前記電圧比較回路１１の基準電
圧入力部に接続され、前記電圧電流変換素子Ｒ１の他の
一端が前記被検出回路１３を駆動する第１の動作電源Ｖ
ＤＤに接続されることを特徴とする。
【００２６】なお、前記第４の動作状態検出回路におい
て、図３（ｂ）に示すように前記基準電圧ＶＲＥＦ　が
基準電圧発生回路１４Ｂにより発生される場合には、少
なくとも、前記第１のトランジスタＱ１のエミッタＥに
バイアス電流源Ｉｔが接続されることを特徴とする。
【００２７】さらに、本発明の第５の動作状態検出回路
は前記第１の動作状態検出回路において、図４（ａ）に
示すように電流の逆流を防止する第１，第２のダイオー
ドＤ１，Ｄ２が設けられ、前記第１のダイオードＤ１が
前記第１のトランジスタＱ１のエミッタＥと前記電圧電
流変換素子Ｒとの間に接続され、前記第２のダイオード
Ｄ２が前記第２のトランジスタＱ２のエミッタＥと前記
電圧電流変換素子Ｒ１との間に接続され、前記第１のト
ランジスタＱ１のコレクタＣに前記電流バイアス源Ｉｔ
が接続されることを特徴とする。
【００２８】また、本発明の第６の動作状態検出回路は
前記第１の動作状態検出回路において、図４（ｂ）に示
すように前記負荷ｒ及びＲ２がカレントミラー回路１５
から成ることを特徴とする。
【００２９】さらに、本発明の第７の動作状態検出回路
は前記第１の動作状態検出回路において、図５に示すよ
うに二以上の被検出回路１３Ａ，１３Ｂの各動作点Ａ１
，Ａ２の動作状態を検出する場合であって、前記第１〜
第６の動作状態検出回路が組み合わされることを特徴と
する。
【００３０】なお、第７の動作状態検出回路において、
二以上の被検出回路１３Ａ，１３Ｂの各動作点Ａ１，Ａ
２の動作状態を検出する場合であって、前記基準電圧Ｖ
ＲＥＦ　を基準電圧発生回路１４Ｂにより発生させる場
合に、前記第２のトランジスタＱ２のエミッタＥあるい
はコレクタＣにバイアス電流源Ｉｔが接続されることを
特徴とし、上記目的を達成する。
【００３１】
【作用】本発明の第１の動作状態検出回路によれば、図
１（ａ）に示すように被検出回路１３の動作点Ａと電圧
比較回路１１との間に電圧電流変換素子Ｒ及び入力レベ
ル規定回路１２が設けられている。
【００３２】例えば、電圧電流変換素子Ｒのレベルが入
力レベル規定回路１２により規定され、動作点Ａと電圧
比較回路１１との間に接続された該変換素子Ｒにより、
動作電圧ＶＡが電流Ｉに変換される。この際に、図１（
ｂ）に示すように抵抗素子Ｒと入力レベル規定回路の接
続点Ｂの電位（以下クランプ電圧ともいう）ＶＢは、第
１のトランジスタＱ１のベース・エミッタ間電圧をＶＢ
Ｅとすると、ＶＢ＝ＶＢＥ＋バイアス電圧源ＶＢｉａｓ
に固定される。また、抵抗素子Ｒに流れる電流Ｉは、Ｉ
＝（ＶＡ−ＶＢ）／Ｒであり、一方、第１のトランジス
タＱ１のコレクタＣに流れる電流ＩＣは、ＩＣ＝（１−
１／ＨＦＥ）・Ｉとなり、該第１のトランジスタＱ１の
電流増幅率ＨＦＥが十分に大きければ、Ｉ＝ＩＣとなる
。
【００３３】このため、電圧比較回路１１の入力部の電
圧ＶＣは、ＶＣ＝ＩＣ×ｒ＝　　〔ＶＡ−（ＶＢＥ＋Ｖ
Ｂｉａｓ）〕／Ｒ　　×ｒとなる。なお、電圧比較回路
１１の動作電源ＶＣＣを越えない範囲に、抵抗素子Ｒ，
負荷ｒ及びバイアス電圧源ＶＢｉａｓを設定することに
より、該電圧ＶＣはＶＣ＝（ｒ／Ｒ）×ＶＡ−Ｋとなる
。但し、Ｋは定数であり、Ｋ＝（ｒ／Ｒ）×（ＶＢＥ＋
ＶＢｉａｓ）一定である。このことで、ＶＡ＞ＶＢＥ＋
ＶＢｉａｓの範囲内において、被検出回路１３の動作点
Ａに係る動作電圧ＶＡと基準電圧ＶＲＥＦ　とが比較さ
れて、該被検出回路１３の動作状態信号Ｓが該電圧比較
回路１１から出力される。
【００３４】これにより、被検出回路１３を駆動する動
作電源ＶＤＤと電圧比較回路１１を駆動する該動作電源
ＶＣＣとの間の関係がＶＤＤ＞ＶＣＣとなった場合であ
っても、該電圧比較回路１１の検出範囲内に入力レベル
を押さえ込むことができる。このことから、本発明によ
れば従来例に比べてモータや電磁リレー等の被検出回路
１３の動作状態を精度良く検出することが可能となる。
【００３５】また、本発明の第２の動作状態検出回路に
よれば、図２（ａ）に示すように第１のトランジスタＱ
１のエミッタＥに接続される電圧比較回路１１が設けら
れている。
【００３６】例えば、被検出回路１３の動作点Ａの電圧
ＶＡが接続点Ｂの電圧ＶＢより低くなるとトランジスタ
Ｑ１が動作しなくなり、ＶＡ＝ＶＢとなる。
【００３７】このため、電圧比較回路１１の入力レベル
を第１のトランジスタＱ１のエミッタＥから引き出すこ
とにより、ＶＡ＜ＶＢＥ＋ＶＢｉａｓの範囲内に基づい
て、被検出回路１３の動作点Ａに係る動作電圧ＶＡと基
準電圧ＶＲＥＦ　とが比較されて、第１の動作状態検出
回路と同様に動作状態信号Ｓを該電圧比較回路１１から
出力することが可能となる。
【００３８】これにより、被検出回路１３の動作電源Ｖ
ＤＤと電圧比較回路１１の動作電源ＶＣＣとの間の関係
がＶＤＤ＞ＶＣＣとなった場合であっても、第１の動作
状態検出回路と同様に被検出回路１３の動作状態を精度
良く検出することが可能となる。
【００３９】さらに、本発明の第３の動作状態検出回路
によれば、図２（ｂ）に示すように第１のトランジスタ
Ｑ１のエミッタＥに接続された第１の電圧比較回路１１
Ａと、第１のトランジスタＱ１のコレクタＣに接続され
た第２の電圧比較回路１１Ｂとが設けられている。
【００４０】このため、第１の動作状態検出回路による
ＶＡ＞ＶＢＥ＋ＶＢｉａｓの範囲と、第２の第２の動作
状態検出回路によるＶＡ＜ＶＢＥ＋ＶＢｉａｓの範囲と
に基づいて、被検出回路１３の動作点Ａに係る動作電圧
ＶＡと第１，第２の電圧比較回路１１Ａ，１１Ｂのそれ
ぞれの固定電圧源１４Ａで発生された基準電圧ＶＲＥＦ
　とが比較されて、該被検出回路１３の第１，第２の動
作状態信号Ｓ１，Ｓ２が該第１，第２の電圧比較回路１
１Ａ，１１Ｂから出力される。
【００４１】これにより、動作点Ａの動作電圧ＶＡにつ
いて、接地線ＧＮＤのレベルを零電位ＧＲＯＵＤとする
と、ＧＲＯＵＤ≦ＶＡ≦ＶＤＤの範囲で被検出回路１３
の動作状態を検出することが可能となる。
【００４２】また、本発明の第４の動作状態検出回路に
よれば、図３（ａ）に示すように固定電圧源１４Ａ又は
基準電圧発生回路１４Ｂにより基準電圧ＶＲＥＦ　が発
生され、該基準電圧発生回路１４Ｂが第２のトランジス
タＱ２及び電圧電流変換素子Ｒ１，負荷Ｒ２から成り、
バイアス電流源ＩｔがトランジスタＱ１のコレクタＣに
接続されている。
【００４３】例えば、図３（ｂ）に示すように動作電圧
ＶＡを比較する基準電圧ＶＲＥＦ　が基準電圧発生回路
１４Ｂにより発生される場合に、第１の動作電源ＶＤＤ
が変動した場合であっても、その差分が検出される。
【００４４】このため、第１のトランジスタＱ１の電流
増幅率ＨＦＥの絶対値のバラツキが基準電圧発生回路１
４Ｂの第２のトランジスタＱ２の電流増幅率ＨＦＥの絶
対値のバラツキにより相殺され、電圧比較動作に悪影響
を与えない。すなわち、電圧比較回路１１の比較基準を
設定する閾値電圧は、 〔〔（ＶＡ−（ＶＢＥ＋ＶＢｉａｓ））／Ｒ〕＋Ｉｔ〕
×ｒ＝〔〔ＶＤＤ−（ＶＢＥ＋ＶＢｉａｓ）〕／Ｒ１〕
×Ｒ２となる。
【００４５】このことで、第１，第２のトランジスタＱ
１，Ｑ２に流れる電流Ｉが異なって、ベース・エミッタ
間の電圧ＶＢＥがそれぞれ微妙に相違しないように、各
素子をＲ＝Ｒ１，ｒ＝Ｒ２とすることにより、動作電圧
は、ＶＡ＝ＶＤＤ−Ｉｔ×Ｒとなる。
【００４６】これにより、第１の動作電源ＶＤＤにより
Ｉｔ×Ｒだけ低い電圧が動作点Ａの電圧ＶＡの検出レベ
ルとなり、第１の動作電源ＶＤＤが変動した場合であっ
ても、電圧比較回路１１への基準電圧ＶＲＥＦ　の変動
の影響を相殺することが可能となる。このことから、図
３（ａ）に示すように固定電圧源１４Ａに代えて基準電
圧発生回路１４Ｂにより基準電圧ＶＲＥＦを発生する場
合であっても、従来例のようなノイズの影響を受けるこ
となく、被検出回路１３の動作状態を精度良く検出する
ことが可能となる。
【００４７】さらに、本発明の第５の動作状態検出回路
によれば、図４（ａ）に示すように入力レベル規定回路
１２や基準電圧発生回路１４Ｂに第１，第２の電流逆流
防止素子（ダイオード）Ｄ１，Ｄ２が設けられ、バイア
ス電流源ＩｔがトランジスタＱ１のコレクタＣに接続さ
れている。
【００４８】このため、第１，第２のトランジスタＱ１
，Ｑ２を流れる電流Ｉが電圧比較回路の閾値付近で等し
くなるため電圧ＶＢＥも等しくなる。
【００４９】これにより、第４の動作状態検出回路に比
べて、動作状態検出の精度の向上を図ることが可能とな
る。
【００５０】また、本発明の第６の動作状態検出回路に
よれば、図４（ｂ）に示すように負荷ｒ，Ｒ２がカレン
トミラー回路１５から成っている。
【００５１】このため、入力レベル規定回路１２や基準
電圧発生回路１４Ｂの負荷ｒやＲ２の負荷機能の向上を
図ることが可能となる。
【００５２】これにより、動作状態検出回路の半導体集
積回路（以下ＬＳＩという）装置の簡易化を図ることが
可能となる。
【００５３】さらに、本発明の第７の動作状態検出回路
によれば、図５に示すように二以上の被検出回路１３Ａ
，１３Ｂの各動作点Ａ１，Ａ２の動作状態を検出する場
合であって、第１〜第６の動作状態検出回路が組み合わ
されている。
【００５４】例えば、基準電圧ＶＲＥＦ　を基準電圧発
生回路１４Ｂにより発生させる場合であって、第５の動
作状態検出回路のような構成で第２のトランジスタＱ２
のエミッタＥにバイアス電流源Ｉｔが接続される。
【００５５】このため、他の発明の動作状態検出回路に
比べてバイアス電流源Ｉｔの設置数を一つにすることが
でき、被検出回路１３Ａ，１３Ｂの間の動作状態検出誤
差が少なくなる。このことから、該被検出回路１３Ａ，
１３Ｂの動作電源ＶＤＤが当該電圧比較回路１１Ａや１
１Ｂの動作電源ＶＣＣよりも高い場合であっても、かつ
、該被検出回路１３Ａ，１３Ｂの動作電源ＶＤＤに変動
が生じた場合であっても、その動作状態を精度良く検出
することが可能となる。
【００５６】これにより、動作状態検出回路の検出精度
が向上が図られ、モータや電磁リレー等を駆動制御する
電子制御システムの信頼性の向上を図ることが可能とな
る。
【００５７】
【実施例】次に図を参照しながら本発明の実施例につい
て説明をする。図６〜図１４は、本発明の各実施例に係
る動作状態検出回路を説明する図である。
【００５８】（１）第１の実施例の説明図６，７は、本
発明の第１の実施例に係る動作状態検出回路の説明であ
り、図６はその構成図を示している。
【００５９】例えば、ソレノイドＬ，ＭＯＳトランジス
タＴｒの断線や駆動回路１Ａの動作不良等を含めた被検
出回路１３の動作状態をＭＰＵ２において認識するよう
な場合に適用可能な動作状態検出回路は、図６において
、電圧電流変換抵抗Ｒ，比較器２１，クランプ回路２２
及び基準電圧発生源２４Ａから成る。
【００６０】すなわち、電圧電流変換抵抗Ｒは動作点Ａ
とクランプ回路２２との間に接続され、ソレノイドＬと
ＭＯＳトランジスタＴｒとの接続点（動作点）の動作電
圧ＶＡを電流Ｉに変換するものである。ここで、ソレノ
イドＬの動作電源（以下外部駆動電源ともいう）ＶＤＤ
を比較器２１の駆動電源（以下比較用駆動電源ともいう
）ＶＣＣ＝５〔Ｖ〕よりも高い，例えば、ＤＣ３０〔Ｖ
〕で駆動するものとする。
【００６１】また、比較器２１は電圧比較回路１１の一
実施例であり、被検出回路１３の動作点Ａに係る動作電
圧ＶＡと基準電圧ＶＲＥＦ　とを比較して該被検出回路
１３の動作状態信号Ｓを出力するものである。なお、従
来例では外部駆動電源ＶＤＤと比較用駆動電源ＶＣＣ＝
ＤＣ５〔Ｖ〕との間の関係がＶＤＤ＞ＶＣＣとなって、
該比較器２１の検出範囲を越え、その動作状態を検出す
ることができなかった。しかし、本発明の動作状態検出
回路によりそれが検出可能となる。
【００６２】クランプ回路２２は入力レベル規定回路１
２の一実施例であり、ｐｎｐ型のバイポーラトランジス
タＱ１，バイアス電圧源ＶＢｉａｓ及び負荷ｒから成る
。ｐｎｐ型のバイポーラトランジスタＱ１は第１のトラ
ンジスタの一例であり、そのエミッタＥが電圧電流変換
用抵抗Ｒの他の一端に接続され、そのベースＢがバイア
ス電圧源ＶＢｉａｓに接続され、そのコレクタＣが負荷
ｒの一例となる負荷抵抗ｒに接続されている。また、第
１のトランジスタＱ１のコレクタ（接続点Ｃ）Ｃが比較
器２１に接続される。
【００６３】なお、バイアス電圧源ＶＢｉａｓは第１の
トランジスタＱ１のベースＢに一定のバイアス電圧を供
給するものである。また、クランプ回路２２の機能につ
いては図７において詳述する。
【００６４】さらに、基準電圧発生源２４Ａは固定電圧
源１４Ａの一実施例であり、基準電圧ＶＲＥＦ　を比較
器２１に供給するものである。
【００６５】図７（ａ）〜（ｄ）は各実施例に係るクラ
ンプ回路の動作説明図であり、同図（ａ）は、その回路
図，同図（ｂ）〜（ｄ）はその電流−電圧特性図をそれ
ぞれ示している。
【００６６】図７（ａ）において、電流電圧変換用抵抗
Ｒとクランプ回路２２の接続点Ｂの電位（以下クランプ
電圧ともいう）ＶＢは、図７（ａ）に示すように第１の
トランジスタＱ１のベース・エミッタ間電圧をＶＢＥと
すると、ＶＢ＝ＶＢＥ＋バイアス電圧源ＶＢｉａｓに固
定される。
【００６７】また、該抵抗Ｒに流れる電流Ｉは、図７（
ｃ）に示すように被検出回路１３の動作点Ａの動作電圧
をＶＡとすると、Ｉ＝（ＶＡ−ＶＢ）／Ｒである。一方
、第１のトランジスタＱ１の電流増幅率をＨＦＥとする
と、該トランジスタＱ１のコレクタＣに流れる電流ＩＣ
は、ＩＣ＝〔１−（１／ＨＦＥ）　〕・Ｉとなり、ＨＦ
Ｅが十分大きければＩＣ＝Ｉとなる。
【００６８】従って、第１の実施例では図７（ａ）に示
すように、第１のトランジスタＱ１のコレクタ（接続点
Ｃ）Ｃの電圧ＶＣが比較器２１に入力される。また、同
図（ｄ）に示すように、該電圧ＶＣがＩＣ×ｒ＝〔〔Ｖ
Ａ−（ＶＢＥ＋ＶＢｉａｓ）〕／Ｒ〕×ｒとなる。
【００６９】また、電流電圧変換用抵抗Ｒ，負荷抵抗ｒ
及びバイアス電圧源ＶＢｉａｓは、比較器２１の動作電
源ＶＣＣを越えない範囲で設定をする。
【００７０】このようにして、本発明の第１の実施例に
係る動作状態検出回路によれば、図６に示すように被検
出回路１３の動作点Ａと比較器２１との間に電圧電流変
換抵抗Ｒ及びクランプ回路２２が設けられている。
【００７１】このため、電圧電流変換抵抗Ｒの一端のレ
ベルがクランプ回路２２により規定され、動作点Ａと比
較器２１との間に接続された該変換抵抗Ｒにより、動作
電圧ＶＡが電流Ｉに変換される。この際に、図７（ａ）
に示すように該抵抗Ｒとクランプ回路２２の接続点Ｂの
電位（以下クランプ電圧ともいう）ＶＢは、図７（ｂ）
に示すように第１のトランジスタＱ１のベース・エミッ
タ間電圧をＶＢＥとすると、ＶＢ＝ＶＢＥ＋バイアス電
圧源ＶＢｉａｓに固定される。また、該抵抗Ｒに流れる
電流Ｉは、図７（ｃ）に示すようにＩ＝（ＶＡ−ＶＢ）
／Ｒであり、さらに、第１のトランジスタＱ１のコレク
タＣに流れる電流ＩＣは、ＩＣ＝〔１−（１／ＨＦＥ）
　〕・Ｉとなる。ここで、該第１のトランジスタＱ１の
電流増幅率ＨＦＥが十分に大きければ、Ｉ＝ＩＣとなる
。
【００７２】このことから、比較器２１の入力部の電圧
ＶＣは、図７（ｄ）に示すようにＶＣ＝ＩＣ×ｒ＝〔〔
ＶＡ−（ＶＢＥ＋ＶＢｉａｓ）〕／Ｒ〕×ｒとなる。な
お、該比較器２１の動作電源ＶＣＣを越えない範囲に、
抵抗Ｒ，負荷抵抗ｒ及びバイアス電圧源ＶＢｉａｓを設
定することにより、該電圧ＶＣはＶＣ＝（ｒ／Ｒ）×Ｖ
Ａ−Ｋとなる。但し、Ｋは定数であり、Ｋ＝（ｒ／Ｒ）
×（ＶＢＥ＋ＶＢｉａｓ）一定である。このことで、Ｖ
Ａ＞ＶＢＥ＋ＶＢｉａｓの範囲内において、被検出回路
１３の動作点Ａに係る動作電圧ＶＡと基準電圧ＶＲＥＦ
　とが比較されて、該被検出回路１３の動作状態信号Ｓ
が該比較器２１からＭＰＵ２等に出力される。
【００７３】これにより、被検出回路１３を駆動する外
部駆動電源ＶＤＤと比較器２１を駆動する比較用駆動電
源ＶＣＣとの間の関係がＶＤＤ＞ＶＣＣとなった場合で
あっても、入力インピーダンスを低く押さえること，及
び、入力レベルを該比較器２１の検出範囲内に押さえ込
むことができる。このことから、本発明によれば従来例
に比べてモータや電磁リレー等の被検出回路１３の動作
状態を精度良くＭＰＵ２において検出することが可能と
なる。
【００７４】（２）第２の実施例の説明図８は、本発明
の第２の実施例に係る動作状態検出回路の構成図を示し
ている。
【００７５】図８において、第１の実施例と異なるは第
２の実施例では比較器２１が第１のトランジスタＱ１の
エミッタＥに接続されるものである。
【００７６】すなわち、第２の実施例では図７（ａ）で
説明したように、第１のトランジスタＱ１のエミッタ（
接続点Ｂ）Ｅの電圧ＶＢが比較器２１に入力される。
【００７７】なお、第１の実施例と同じ符号のものは同
じ機能を有するため説明を省略する。
【００７８】このようにして、本発明の第２の実施例に
係る動作状態検出回路によれば、図８に示すように第１
のトランジスタＱ１のエミッタＥに接続された比較器２
１が設けられている。
【００７９】このため、被検出回路１３の動作点Ａの電
圧ＶＡが接続点Ｂの電圧ＶＢより低くなると、トランジ
スタＱ１が動作しなくなり、図７（ｂ）のようにＶＡ＝
ＶＢとなる。
【００８０】このことから、比較器２１の入力レベルを
第１のトランジスタＱ１のエミッタＥから引き出すこと
により、ＶＡ＜ＶＢＥ＋ＶＢｉａｓの範囲内に基づいて
、被検出回路１３の動作点Ａに係る動作電圧ＶＡと基準
電圧ＶＲＥＦ　とが比較されて、第１の動作状態検出回
路と同様に該電圧比較回路１１からＭＰＵ２に動作状態
信号Ｓを出力することが可能となる。
【００８１】これにより、被検出回路１３の外部駆動電
源ＶＤＤと比較器２１の比較用駆動電源ＶＣＣとの間の
関係がＶＤＤ＞ＶＣＣとなった場合であっても、第１の
動作状態検出回路と同様に被検出回路１３の動作状態を
精度良く検出することが可能となる。
【００８２】（３）第３の実施例の説明図９は、本発明
の第３の実施例に係る動作状態検出回路の構成図を示し
ている。
【００８３】図９において、第１，２の実施例と異なる
は第３の実施例では、第１，第２の比較器２１Ａ，２１
Ｂが設けられるものである。
【００８４】すなわち、第１の比較器２１Ａは第１の電
圧比較回路１１Ａの一実施例であり、接続点Ｂの電圧Ｖ
Ｂと基準電圧ＶＲＥＦ　とを比較して第１の動作状態信
号Ｓ１を出力するものである。なお、第１の比較器２１
Ａの入力部が第１のトランジスタＱ１のエミッタＥに接
続される。
【００８５】第２の比較器２１Ｂは第２の電圧比較回路
１１Ｂの一実施例であり、接続点Ｃの電圧ＶＣと基準電
圧ＶＲＥＦ　とを比較して第２の動作状態信号Ｓ２を出
力するものである。なお、第２の比較器２１Ｂの入力部
が第１のトランジスタＱ１のコレクタＣに接続される。 また、第１の実施例と同じ符号のものは同じ機能を有す
るため説明を省略する。
【００８６】このようにして、本発明の第３の実施例に
係る動作状態検出回路によれば、図９に示すように第１
のトランジスタＱ１のエミッタＥに接続された第１の比
較器２１Ａと、第１のトランジスタＱ１のコレクタＣに
接続された第２の比較器２１Ｂとが設けられている。
【００８７】このため、第１の実施例に係る動作状態検
出回路によるＶＡ＞ＶＢＥ＋ＶＢｉａｓの検出範囲と、
第２の実施例に係る動作状態検出回路によるＶＡ＜ＶＢ
Ｅ＋ＶＢｉａｓの検出範囲内とに基づいて、被検出回路
１３の動作点Ａに係る動作電圧ＶＡと第１，第２の比較
器２１Ａ，２１Ｂのそれぞれの基準電圧発生源２４Ａで
発生された基準電圧ＶＲＥＦ　とが比較される。このこ
とで、該被検出回路１３の第１，第２の動作状態信号Ｓ
１，Ｓ２が該第１，第２の比較器２１Ａ，２１ＢからＭ
ＰＵ２等に出力される。
【００８８】これにより、動作点Ａの動作電圧ＶＡにつ
いて、接地線ＧＮＤのレベルを零電位ＧＲＯＵＤとすれ
ば、ＧＲＯＵＤ≦ＶＡ≦ＶＤＤの範囲で被検出回路１３
の動作状態を検出することが可能となる。
【００８９】（４）第４の実施例の説明図１０は、本発
明の第４の実施例に係る動作状態検出回路の構成図を示
している。
【００９０】図１０において、第１，２及び３の実施例
と異なるは第４の実施例では、基準電圧ＶＲＥＦ　を発
生する基準電圧発生回路２４Ｂが設けられるものである
。
【００９１】すなわち、基準電圧発生回路２４Ｂは基準
電圧発生回路１４Ｂの一実施例であり、ｐｎｐ型のバイ
ポーラトランジスタＱ２及び電圧電流変換素子，負荷抵
抗Ｒ１，Ｒ２から成る。ｐｎｐ型のバイポーラトランジ
スタＱ２は、第２のトランジスタの一例であり、そのエ
ミッタＥが第１の抵抗Ｒ１の一端に接続され、そのベー
スＢが第１のトランジスタＱ１のベースＢに接続される
。また、そのコレクタＣが第２の抵抗Ｒ２の一端に接続
され、かつ、比較器２１の基準電圧入力部に接続される
。 さらに、第１の抵抗Ｒ１の他の一端が被検出回路１３を
駆動する外部駆動電源ＶＤＤに接続される。
【００９２】なお、バイアス電流源Ｉｔは比較動作を行
う閾値電圧を生成するものであり、基準電圧ＶＲＥＦ　
が基準電圧発生回路２４Ｂにより発生される場合に設け
られるものである。また、該電流源Ｉｔは第１のトラン
ジスタＱ１のコレクタＣに接続される。
【００９３】このようにして、本発明の第４の実施例に
係る動作状態検出回路によれば、図１０に示すように基
準電圧発生回路２４Ｂにより基準電圧ＶＲＥＦ　が発生
され、該基準電圧発生回路２４Ｂが第２のトランジスタ
Ｑ２及び第１，第２の抵抗Ｒ１，Ｒ２から成っている。
【００９４】このため、図１０に示すように外部駆動電
源ＶＤＤが変動した場合であっても、その差分が基準電
圧発生回路２４Ｂにより検出される。このことで、第１
のトランジスタＱ１の電流増幅率ＨＦＥの絶対値のバラ
ツキが基準電圧発生回路２４Ｂの第２のトランジスタＱ
２の電流増幅率ＨＦＥの絶対値のバラツキにより相殺さ
れ、電圧比較動作に悪影響を与えない。すなわち、比較
器２１の比較基準を設定する閾値電圧は、 〔〔ＶＡ−（ＶＢＥ＋ＶＢｉａｓ）〕／Ｒ＋Ｉｔ〕×ｒ
＝〔〔ＶＤＤ−（ＶＢＥ＋ＶＢｉａｓ）〕／Ｒ１〕×Ｒ
２となる。
【００９５】このことで、各素子Ｒ＝Ｒ１，ｒ＝Ｒ２と
することにより動作電圧は、ＶＡ＝ＶＤＤ−Ｉｔ×Ｒと
なる。
【００９６】これにより、外部駆動電源ＶＤＤからＩｔ
×Ｒだけ低い電圧が動作点Ａの電圧ＶＡの検出レベルと
なり、該外部駆動電源ＶＤＤが変動した場合であっても
、比較器２１への基準電圧ＶＲＥＦ　の変動の影響を相
殺することが可能となる。このことから、図６〜９に示
した基準電圧発生源２４Ａのような固定電圧源１４Ａに
代えて基準電圧発生回路２４Ｂにより基準電圧ＶＲＥＦ
　を発生する場合であっても、従来例のようなノイズの
影響を受けることなく、被検出回路１３の動作状態を精
度良く検出することが可能となる。
【００９７】（５）第５の実施例の説明図１１は、本発
明の第５の実施例に係る動作状態検出回路の構成図を示
している。
【００９８】図１１において、第１，２，３及び４の実
施例と異なるは第５の実施例では、第１，第２のダイオ
ードＤ１，Ｄ２が設けられ、バイアス電流源Ｉｔがトラ
ンジスタＱ１のエミッタＥに接続されるものである。
【００９９】すなわち、第１のダイオードＤ１は第１の
電流逆流防止素子Ｄ１の一実施例であり、バイアス電流
源Ｉｔの逆流電流を阻止してそれを保護するものである
。なお、第１のダイオードＤ１が第１のトランジスタＱ
１のエミッタＥと電流電圧変換抵抗Ｒとの間に接続され
る。
【０１００】第２のダイオードＤ２は第２の電流逆流防
止素子Ｄ２の一実施例であり、クランプ回路２２とのバ
ランスを採るためのものである。また、第２のダイオー
ドＤ２が第２のトランジスタＱ２のエミッタＥと第１の
抵抗Ｒ１との間に接続される。なお、電流源Ｉｔが第１
のトランジスタＱ１のエミッタＥに接続され、第４の実
施例と同様に閾値電圧を生成するものである。これは、
基準電圧ＶＲＥＦ　が基準電圧発生回路２４Ｂにより発
生される場合に設けられるものである。また、第１の実
施例と同じ符号のものは同じ機能を有するため説明を省
略する。
【０１０１】このようにして、本発明の第５の実施例に
係る動作状態検出回路によれば、図１１に示すようにク
ランプ回路２２や基準電圧発生回路２４Ｂに第１，第２
のダイオードＤ１，Ｄ２が設けられている。
【０１０２】これにより、第４の実施例に係る動作状態
検出回路に比べて、動作状態検出の精度の向上を図るこ
とが可能となる。
【０１０３】（６）第６の実施例の説明図１２は、本発
明の第６の実施例に係る動作状態検出回路の構成図を示
している。
【０１０４】図１２において、第１，２，３，４及び５
の実施例と異なるは第６の実施例では、負荷抵抗ｒ，Ｒ
２がカレントミラー回路１５から成ることを特徴とする
。 また、電圧比較回路が簡素化されるものである。
【０１０５】すなわち、カレントミラー回路１５は第３
，４のトランジスタＱ３，Ｑ４から成り、該トランジス
タＱ３のコレクタＣがクランプ回路の第１のトランジス
タＱ１のコレクタＣに接続され、かつ、該トランジスタ
Ｑ３のベースＢに接続される。また、そのベースＢが第
４のトランジスタＱ４のベースＢに接続され、そのエミ
ッタＥが接地線ＧＮＤに接続される。なお、第４のトラ
ンジスタＱ４のコレクタＣが基準電圧発生回路２４Ｂの
第２のトランジスタＱ２のコレクタＣに接続され、、そ
のエミッタＥが接地線ＧＮＤに接続される。
【０１０６】また、出力バッファ２１Ｃは第５のトラン
ジスタＱ５及び負荷抵抗Ｒ３から成り、被検出回路１３
に係る動作状態信号Ｓ３を出力するものである。該トラ
ンジスタＱ５のベースＢはカレントミラー回路１５の第
４のトランジスタＱ４のコレクタＣに接続される。なお
、該トランジスタＱ５のコレクタＣが負荷抵抗Ｒ３を介
して比較用駆動電源ＶＣＣに接続され、そのエミッタＥ
が接地線ＧＮＤに接続される。
【０１０７】このようにして、本発明の第６の実施例に
係る動作状態検出回路によれば、図１２に示すように第
５の実施例のような負荷抵抗ｒ，Ｒ２がカレントミラー
回路１５から成っている。
【０１０８】このため、クランプ回路２２や基準電圧発
生回路２４Ｂの負荷抵抗ｒ及び負荷抵抗Ｒ２の負荷機能
に比べて、カレントミラー回路１５により電圧電流変換
抵抗ＲやＲ１を流れる電流が検出されることから、その
機能向上を図ること，及び第１〜５の実施例の比較器２
１に比べて動作状態信号Ｓ３を出力する出力バッファ２
１Ｃの簡素化を図ることが可能となる。
【０１０９】これにより、動作状態検出回路のＬＳＩ装
置の容易化を図ることが可能となる。
【０１１０】（７）第７の実施例の説明図１３は、本発
明の第７の実施例に係る動作状態検出回路の構成図を示
している。
【０１１１】図１３において、第１，２，３，４，５及
び６の実施例と異なるは第７の実施例では、二以上の被
検出回路１３Ａ，１３Ｂの各動作点Ａ１，Ａ２の動作状
態を検出する場合であって、第１〜第５の実施例に係る
動作状態検出回路が組み合わされるものである。
【０１１２】例えば、ソレノイドＬ１，Ｌ２，ＭＯＳト
ランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の断線不良等を含めた被検出
回路１３Ａ，１３Ｂの動作状態をＭＰＵ２において個々
に認識するような場合に適用可能な動作状態検回路は、
図１３において、電圧電流変換抵抗Ｒ１０１　，Ｒ１０
２　，第１，第２の比較器２１Ａ，２１Ｂ，第１，第２
のクランプ回路２２Ａ，２２Ｂ，バイアス電圧源ＶＢｉ
ａｓ，基準電圧発生源２４Ａ，第１〜第３のダイオード
Ｄ１１，Ｄ１２，Ｄ３及び第１，第２のバイアス電流源
Ｉｔ１，Ｉｔ２から成る。
【０１１３】また、第１のクランプ回路２２Ａは、第１
の被検出回路１３Ａの動作点Ａ１に係る動作電圧ＶＡ１
をクランプするトランジスタＱ１１及び第１の負荷抵抗
ｒ１から成る。さらに、第２のクランプ回路２２Ｂは、
第２の被検出回路１３Ｂの動作点Ａ２に係る動作電圧Ｖ
Ａ２をクランプするトランジスタＱ１２及び第２の負荷
抵抗ｒ２から成る。なお、第１〜５の実施例と同じ符号
のものは同じ機能を有するため説明を省略する。
【０１１４】このようにして、本発明の第７の実施例に
係る動作状態検出回路によれば、図１３に示すように二
以上の被検出回路１３Ａ，１３Ｂの各動作点Ａ１，Ａ２
の動作状態を検出する場合であって、第１〜第５の動作
状態検出回路が組み合わされている。
【０１１５】例えば、基準電圧発生回路２４Ｂにより基
準電圧ＶＲＥＦ　を発生させる場合であって、第５の動
作状態検出回路のような第１，第２のダイオードＤ１，
Ｄ２やトランジスタＱ１１やＱ１２の各エミッタＥにバ
イアス電流源Ｉｔ１，Ｉｔ２が接続される。
【０１１６】このため、被検出回路１３Ａ，１３Ｂの外
部駆動電源ＶＤＤが当該第１，第２の比較器２１Ａや２
１Ｂの比較用駆動電源ＶＣＣよりも高い場合であっても
、かつ、該被検出回路１３Ａ，１３Ｂの外部駆動電源Ｖ
ＤＤに変動が生じた場合であっても、その動作状態を精
度良く検出することが可能となる。
【０１１７】これにより、当該動作状態検出回路の検出
精度が向上が図られ、モータや電磁リレー等を駆動制御
する電子制御システムの信頼性の向上を図ることが可能
となる。
【０１１８】（８）第８の実施例の説明図１４は、本発
明の第８の実施例に係る動作状態検出回路の構成図を示
している。
【０１１９】図１４において、第１，２，３，４，５，
６及び７の実施例と異なるは第８の実施例では、二以上
の被検出回路１３Ａ，１３Ｂの各動作点Ａ１，Ａ２の動
作状態を検出する場合であって、第７の実施例に係る動
作状態検出回路のような第１〜第３のダイオードＤ１１
，Ｄ１２，Ｄ３に代わって、バイアス電流源Ｉｔが設け
られるものである。
【０１２０】すなわち、第７の実施例に係る動作状態検
出回路のように、基準電圧発生回路２４Ｂにより基準電
圧ＶＲＥＦ　を発生させる場合に、該発生回路２４Ｂの
第２のトランジスタＱ２のエミッタＥにバイアス電流源
Ｉｔが接続されるものである。なお、バイアス電流源Ｉ
ｔの機能は、比較動作を行うための閾値電圧を生成する
ものである。
【０１２１】また、第１〜７の実施例と同じ符号のもの
は同じ機能を有するため説明を省略する。
【０１２２】このようにして、本発明の第８の実施例に
係る動作状態検出回路によれば、図１４に示すように二
以上の被検出回路１３Ａ，１３Ｂの各動作点Ａ１，Ａ２
の動作状態を検出する場合であって、基準電圧発生回路
２４Ｂの第２のトランジスタＱ２のエミッタＥにバイア
ス電流源Ｉｔが接続されている。
【０１２３】このため、他の発明の動作状態検出回路に
比べてバイアス電流源Ｉｔの設置数を一つにすること，
及び第１〜第３のダイオードＤ１１，Ｄ１２，Ｄ３を不
要とすることができる。また、閾値電圧を設定するバイ
アス電流源Ｉｔが一箇所のため被検出回路１３Ａ，１３
Ｂの間の動作状態検出誤差が少なくなる。該被検出回路
１３Ａ，１３Ｂの外部駆動電源ＶＤＤが当該第１，第２
の比較器２１Ａや２１Ｂの比較用駆動電源ＶＣＣよりも
高い場合であっても、かつ、該被検出回路１３Ａ，１３
Ｂの外部駆動電源ＶＤＤに変動が生じた場合であっても
、第７の実施例と同様にその動作状態を精度良く検出す
ることが可能となる。
【０１２４】これにより、動作状態検出回路の検出精度
が向上が図られ、モータや電磁リレー等を駆動制御する
電子制御システムの信頼性の向上を図ることが可能とな
る。
【０１２５】なお、本発明の第１〜８の実施例では各ト
ランジスタＱ１，Ｑ２，Ｑ１１，Ｑ１２がｐｎｐ型のバ
イポーラトランジスタの場合について説明をしたが、そ
れ等をｎｐｎ型のバイポーラトランジスタにより構成す
ることにより、比較器２１，２１Ａ，２１Ｂの動作電源
ＶＣＣより低い範囲における被検出回路１３の動作電圧
を検出することが可能となる。
【０１２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の第１〜第
８の動作状態検出回路によれば、被検出回路の動作点と
電圧比較回路との間に変換素子及びクランプ回路が設け
られている。
【０１２７】このため、被検出回路の外部駆動電源が電
圧比較回路の比較用駆動電源よりも高くなった場合であ
っても、該被検出回路の動作点に係る動作電圧と基準電
圧とが比較されて、その動作状態信号を出力することが
可能となる。
【０１２８】また、本発明の動作状態検出回路によれば
、固定電圧源又は基準電圧発生回路により基準電圧が発
生されている。
【０１２９】このため、被検出回路の外部駆動電源が変
動した場合であっても、その差分が基準電圧発生回路に
より検出されることで、クランプ回路の動作のバラツキ
を基準電圧発生回路の動作バラツキにより相殺すること
が可能となる。また、クランプ回路の入力インピーダン
スが低いためノイズ等の影響受けにくく、電圧比較回路
において高精度の電圧比較動作を実行することが可能と
なる。
【０１３０】これにより、動作状態検出回路の検出精度
の向上が図られ、モータや電磁リレー等を駆動制御する
電子制御システムの信頼性の向上に寄与するところが大
きい。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る動作状態検出回路の原理図（その
１）である。
【図２】本発明に係る動作状態検出回路の原理図（その
２）である。
【図３】本発明に係る動作状態検出回路の原理図（その
３）である。
【図４】本発明に係る動作状態検出回路の原理図（その
４）である。
【図５】本発明に係る動作状態検出回路の原理図（その
５）である。
【図６】本発明の第１の実施例に係る動作状態検出回路
の構成図である。
【図７】本発明の各実施例に係るクランプ回路の動作説
明図である。
【図８】本発明の第２の実施例に係る動作状態検出回路
の構成図である。
【図９】本発明の第３の実施例に係る動作状態検出回路
の構成図である。
【図１０】本発明の第４の実施例に係る動作状態検出回
路の構成図である。
【図１１】本発明の第５の実施例に係る動作状態検出回
路の構成図である。
【図１２】本発明の第６の実施例に係る動作状態検出回
路の構成図である。
【図１３】本発明の第７の実施例に係る動作状態検出回
路の構成図である。
【図１４】本発明の第８の実施例に係る動作状態検出回
路の構成図である。
【図１５】従来例に係る動作状態検出回路の説明図であ
る。
【図１６】従来例に係る問題点を説明する回路構成図で
ある。
【符号の説明】
１１，１１Ａ，１１Ｂ…電圧比較回路、第１，第２の電
圧比較回路、 １２，１２Ａ，１２Ｂ…入力レベル規定回路，第１，第
２の入力レベル規定回路、 １４Ａ…固定電圧源、 １４Ｂ…基準電圧発生回路、 １５…カレントミラー回路、 Ｒ，Ｒ１…電圧電流変換素子、 ｒ，Ｒ２…負荷、 Ｑ１，Ｑ２…第１，第２のトランジスタ、Ｄ１，Ｄ２…
第１，第２の電流逆流防止素子、ＶＲＥＦ　…基準電圧
、 ＶＢｉａｓ…バイアス電圧源、 ＶＡ，ＶＢ…動作電圧，電圧、 ｒ，Ｉｔ，Ｉｔ１，Ｉｔ２…バイアス電流源，第１，第
２のバイアス電流源、 ＶＤＤ…第１の動作電源、 ＶＣＣ…第２の動作電源、 Ａ，Ｂ…動作点，接続点、 Ｓ，Ｓ１，Ｓ２…動作状態信号，第１，第２の動作状態
信号。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】　　被検出回路（１３）の動作点（Ａ）に
    係る動作電圧（ＶＡ）と基準電圧（ＶＲＥＦ　）とを比
    較して該被検出回路（１３）の動作状態信号（Ｓ）を出
    力する電圧比較回路（１１）より成る動作状態検出回路
    において、前記動作点（Ａ）と電圧比較回路（１１）と
    の間に、動作電圧（ＶＡ）を電流（Ｉ）に変換する電圧
    電流変換素子（Ｒ）と、前記電圧電流変換素子（Ｒ）の
    一端のレベルを規定する入力レベル規定回路（１２）と
    が設けられることを特徴とする動作状態検出回路。
  2. 【請求項２】　　請求項１記載の動作状態検出回路にお
    いて、前記電圧電流変換素子（Ｒ）が抵抗素子から成り
    、該抵抗素子（Ｒ）の一端が前記被検出回路（１３）の
    動作点（Ａ）に接続され、前記入力レベル規定回路（１
    ２）が第１のトランジスタ（Ｑ１），バイアス電圧源（
    ＶＢｉａｓ）及び負荷（ｒ）から成り、前記第１のトラ
    ンジスタ（Ｑ１）のエミッタ（Ｅ）が前記抵抗素子（Ｒ
    ）の他の一端に接続され、該第１のトランジスタ（Ｑ１
    ）のベース（Ｂ）が前記バイアス電圧源（ＶＢｉａｓ）
    に接続され、該第１のトランジスタ（Ｑ１）のコレクタ
    （Ｃ）が負荷（ｒ）に接続され、前記電圧比較回路（１
    １）が前記第１のトランジスタ（Ｑ１）のコレクタ（Ｃ
    ）に接続されることを特徴とする動作状態検出回路。
  3. 【請求項３】　　請求項１記載の動作状態検出回路にお
    いて、前記電圧比較回路（１１）が前記第１のトランジ
    スタ（Ｑ１）のエミッタ（Ｅ）に接続されることを特徴
    とする動作状態検出回路。
  4. 【請求項４】　　請求項１記載の動作状態検出回路にお
    いて、第１の動作状態信号（Ｓ１）を出力する第１の電
    圧比較回路（１１Ａ）と、第２の動作状態信号（Ｓ２）
    を出力する第２の電圧比較回路（１１Ｂ）とが設けられ
    、前記第１の電圧比較回路（１１Ａ）が前記第１のトラ
    ンジスタ（Ｑ１）のエミッタ（Ｅ）に接続され、前記第
    ２の電圧比較回路（１１Ｂ）が前記第１のトランジスタ
    （Ｑ１）のコレクタ（Ｃ）に接続されることを特徴とす
    る動作状態検出回路。
  5. 【請求項５】　　請求項１記載の動作状態検出回路にお
    いて、前記基準電圧（ＶＲＥＦ　）が固定電圧源（１４
    Ａ）又は基準電圧発生回路（１４Ｂ）により発生され、
    前記基準電圧発生回路（１４Ｂ）が第２のトランジスタ
    （Ｑ２），電圧電流変換素子（Ｒ１）及び負荷（Ｒ２）
    から成り、前記第２のトランジスタ（Ｑ２）のエミッタ
    （Ｅ）が前記電圧電流変換素子（Ｒ１）の一端に接続さ
    れ、該第２のトランジスタ（Ｑ２）のベース（Ｂ）が前
    記第１のトランジスタ（Ｑ１）のベース（Ｂ）に接続さ
    れ、前記第２のトランジスタ（Ｑ２）のコレクタ（Ｃ）
    が負荷（Ｒ２）の一端に接続され、かつ、前記電圧比較
    回路（１１）の基準電圧入力部に接続され、前記電圧電
    流変換素子（Ｒ１）の他の一端が前記被検出回路（１３
    ）を駆動する第１の動作電源（ＶＤＤ）に接続されるこ
    とを特徴とする動作状態検出回路。
  6. 【請求項６】　　請求項１記載の動作状態検出回路にお
    いて、前記基準電圧（ＶＲＥＦ　）が基準電圧発生回路
    （１４Ｂ）により発生される場合には、少なくとも、前
    記第１のトランジスタ（Ｑ１）のコレクタ（Ｃ）又はエ
    ミッタ（Ｅ）にバイアス電流源（Ｉｔ）が接続されるこ
    とを特徴とする動作状態検出回路。
  7. 【請求項７】　　請求項１記載の動作状態検出回路にお
    いて、第１，第２の電流逆流防止素子（Ｄ１，Ｄ２）が
    設けられ、前記第１の電流逆流防止素子（Ｄ１）が前記
    第１のトランジスタ（Ｑ１）のエミッタ（Ｅ）と前記電
    圧電流変換素子（Ｒ）との間に接続され、前記第２の電
    流逆流防止素子（Ｄ２）が前記第２のトランジスタ（Ｑ
    ２）のエミッタ（Ｅ）と前記電圧電流変換素子（Ｒ１）
    との間に接続されることを特徴とする動作状態検出回路
    。
  8. 【請求項８】　　請求項１記載の動作状態検出回路にお
    いて、前記負荷（ｒ，Ｒ２）がカレントミラー回路（１
    ５）から成ることを特徴とする動作状態検出回路。
  9. 【請求項９】　　請求項１記載の動作状態検出回路にお
    いて、二以上の被検出回路（１３Ａ，１３Ｂ）の各動作
    点（Ａ１，Ａ２）の動作状態を検出する場合であって、
    前記請求項１〜８記載の動作状態検出回路が組み合わさ
    れることを特徴とする動作状態検出回路。
  10. 【請求項１０】　　請求項１記載の動作状態検出回路に
    おいて、二以上の被検出回路（１３Ａ，１３Ｂ）の各動
    作点（Ａ１，Ａ２）の動作状態を検出する場合であって
    、前記基準電圧（ＶＲＥＦ　）を基準電圧発生回路（１
    ４Ｂ）により発生させる場合に、前記第２のトランジス
    タ（Ｑ２）のエミッタ（Ｅ）にバイアス電流源（Ｉｔ）
    が接続されることを特徴とする動作状態検出回路。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103076518A (zh) * 2012-12-29 2013-05-01 浙江恒强科技股份有限公司 横机电磁铁状态检测电路
JP2017005609A (ja) * 2015-06-15 2017-01-05 株式会社デンソー 過電圧検出回路
KR20190062933A (ko) * 2017-11-29 2019-06-07 삼성전자주식회사 반도체 장치 테스트 장비 및 반도체 장치 테스트 방법

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3526949B2 (ja) * 1994-09-30 2004-05-17 株式会社デンソー ローカルエリアネットワークの通信回路
US5955908A (en) * 1997-02-20 1999-09-21 Analog Devices, Inc. Fast, low output impedance, low-impedance, low-power clamp circuit for a switched complementary emitter follower
US6631066B1 (en) * 2000-05-05 2003-10-07 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for initiating crowbar protection in a shunt regulator
US6384636B1 (en) * 2000-11-14 2002-05-07 Maxim Integrated Products, Inc. Fast and precise current-sense circuit for high-voltage switch
JP3966016B2 (ja) * 2002-02-26 2007-08-29 株式会社デンソー クランプ回路
US6586984B1 (en) * 2002-07-12 2003-07-01 Lsi Logic Corporation Method for preventing damage to IO devices due to over voltage at pin
US7372291B2 (en) * 2005-09-30 2008-05-13 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte. Ltd. Circuits having precision voltage clamping levels and method
US7629787B2 (en) * 2007-01-03 2009-12-08 Qixiang Lu Current sensor having shunt resistor and clamper diode for motor control
WO2010082305A1 (ja) * 2009-01-13 2010-07-22 富士通株式会社 直流直流変換器、直流直流変換器の制御方法、および電子機器
GB2503839B (en) * 2009-07-28 2014-03-05 Skyworks Solutions Inc Process, voltage, and temperature sensor
CN103575964B (zh) * 2012-07-19 2016-03-23 快捷半导体(苏州)有限公司 一种功率开关管的过流检测电路和方法
CN104034977B (zh) * 2014-05-29 2016-09-07 国家电网公司 电容式电压互感器带电检测仪
JP6876398B2 (ja) * 2016-09-28 2021-05-26 ラピスセミコンダクタ株式会社 検知回路
CN115729146B (zh) * 2022-11-18 2024-11-26 中汽创智科技有限公司 一种电磁阀控制方法、装置、电子设备及存储介质

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4147940A (en) * 1977-01-24 1979-04-03 Westinghouse Electric Corp. MOS Interface circuit
US4244050A (en) * 1978-02-27 1981-01-06 The Bendix Corporation Dual voltage regulator with low voltage shutdown
JPS5854662A (ja) * 1981-09-29 1983-03-31 Fujitsu Ltd 電圧クランプ機能付電流検出回路を備えた集積回路
JPS59201507A (ja) * 1983-04-28 1984-11-15 Pioneer Electronic Corp エミツタホロワ型ｓｅｐｐ回路
JPH0611102B2 (ja) * 1985-01-08 1994-02-09 日本電気株式会社 信号検出回路
IT1187944B (it) * 1986-03-04 1987-12-23 Itw Fastex Italia Spa Accelerometro a riluttanza variabile
IT1208223B (it) * 1987-06-18 1989-06-12 Sgs Microelettronica Spa Stadio aplificatore ad elevata dinamica con rivelazione della distorsione.
JP2595545B2 (ja) * 1987-07-16 1997-04-02 ソニー株式会社 定電圧回路
US4845379A (en) * 1988-07-05 1989-07-04 International Business Machines Corporation Sense circuit for detecting absence of a pulse train
US5120995A (en) * 1991-05-29 1992-06-09 Motorola, Inc. Switched peak detector
US5166549A (en) * 1991-08-07 1992-11-24 General Electric Company Zero-voltage crossing detector for soft-switching devices

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103076518A (zh) * 2012-12-29 2013-05-01 浙江恒强科技股份有限公司 横机电磁铁状态检测电路
JP2017005609A (ja) * 2015-06-15 2017-01-05 株式会社デンソー 過電圧検出回路
KR20190062933A (ko) * 2017-11-29 2019-06-07 삼성전자주식회사 반도체 장치 테스트 장비 및 반도체 장치 테스트 방법

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