JPH04333275A - Vlsi用リードフレーム - Google Patents
Vlsi用リードフレームInfo
- Publication number
- JPH04333275A JPH04333275A JP3102946A JP10294691A JPH04333275A JP H04333275 A JPH04333275 A JP H04333275A JP 3102946 A JP3102946 A JP 3102946A JP 10294691 A JP10294691 A JP 10294691A JP H04333275 A JPH04333275 A JP H04333275A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- island
- cuts
- pellet
- vlsi
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/931—Shapes of bond pads
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
- H10W90/736—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はVLSI用リードフレー
ムに関する。
ムに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のVLSI用リードフレームでは、
半導体集積回路ペレット(以後ペレット)がマウントさ
れるアイランド1の部分は、図3(a)に示すようにペ
レット2の大きさに合わせた矩形状に作られており、そ
こに金シリコン共晶や銀ペーストのマウント材層4等を
介してペレット2を接着して固定したのち、ペレット2
上のボンディングパッドとリードをボンディングするよ
うになっていた。
半導体集積回路ペレット(以後ペレット)がマウントさ
れるアイランド1の部分は、図3(a)に示すようにペ
レット2の大きさに合わせた矩形状に作られており、そ
こに金シリコン共晶や銀ペーストのマウント材層4等を
介してペレット2を接着して固定したのち、ペレット2
上のボンディングパッドとリードをボンディングするよ
うになっていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】この従来のVLSI用
リードフレームでは、ペレットとアイランドは全面的に
密着し固定されているため、周囲温度によってペレット
に曲げ応力が加わる。すなわちペレットのシリコンの熱
膨張係数に対してリードフレーム材の銅合金は約6倍の
熱膨張係数を持つので、図3(b)断面図に示すように
マウント完了時の高温側ではペレット1の表面がわずか
に凹面となる変形が起り、次に低温側では図3(c)に
示すようにペレット1の表面が凸面となる。
リードフレームでは、ペレットとアイランドは全面的に
密着し固定されているため、周囲温度によってペレット
に曲げ応力が加わる。すなわちペレットのシリコンの熱
膨張係数に対してリードフレーム材の銅合金は約6倍の
熱膨張係数を持つので、図3(b)断面図に示すように
マウント完了時の高温側ではペレット1の表面がわずか
に凹面となる変形が起り、次に低温側では図3(c)に
示すようにペレット1の表面が凸面となる。
【0004】これらの変形は集積回路装置に急な加熱が
される場合、すなわちプリント基板に実装される時の半
田付け工程などで、ケースにクラックが生じる一因とな
ると共に、回路の電気特性の劣化をも引き起こしていた
。
される場合、すなわちプリント基板に実装される時の半
田付け工程などで、ケースにクラックが生じる一因とな
ると共に、回路の電気特性の劣化をも引き起こしていた
。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明のVLSI用リー
ドフレームでは、樹脂封止型の集積回路装置パッケージ
に使用されるVLSI用リードフレームにおいて、半導
体集積回路ペレットがマウントされるアイランド部分に
一辺の長さの5分の4程度までの切り込みが1カ所また
は相対する辺から交互に複数箇所入れられた形状を有し
て構成されている。
ドフレームでは、樹脂封止型の集積回路装置パッケージ
に使用されるVLSI用リードフレームにおいて、半導
体集積回路ペレットがマウントされるアイランド部分に
一辺の長さの5分の4程度までの切り込みが1カ所また
は相対する辺から交互に複数箇所入れられた形状を有し
て構成されている。
【0006】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明する
。図1は本発明の第1の実施例のリードフレームのアイ
ランド平面図である。アイランド1はペレット2よりも
0.3〜0.4mm大きく形成されており、相対する長
辺から3本の切り込み部3a〜3cが互い違いに配置さ
れている。切り込み部3a〜3cの深さの寸法は短辺方
向のアイランド寸法のおよそ4/5程度に設定するが、
リードフレーム材料の材質・厚みなどとの関係から強度
,加工性を考慮して出来るだけ長くする方が効果は大き
くなる。切り込みの幅は、加工精度の許すかぎり細くす
る方がアイランドの放熱特性は良くなる。
。図1は本発明の第1の実施例のリードフレームのアイ
ランド平面図である。アイランド1はペレット2よりも
0.3〜0.4mm大きく形成されており、相対する長
辺から3本の切り込み部3a〜3cが互い違いに配置さ
れている。切り込み部3a〜3cの深さの寸法は短辺方
向のアイランド寸法のおよそ4/5程度に設定するが、
リードフレーム材料の材質・厚みなどとの関係から強度
,加工性を考慮して出来るだけ長くする方が効果は大き
くなる。切り込みの幅は、加工精度の許すかぎり細くす
る方がアイランドの放熱特性は良くなる。
【0007】本実施例では3本の切り込みによりリード
フレームのアイランド1の長辺方向が4つに分割される
ため、シリコン基板との熱膨張率の違いによってペレッ
ト2に生じる曲げ応力も分割される。さらに各所でマウ
ント材(例えば銀ペースト)のズレによる応力緩和が起
るので、全体的な応力は減少し、電気特性の劣化やケー
スクラックの発生を防ぐことができる。
フレームのアイランド1の長辺方向が4つに分割される
ため、シリコン基板との熱膨張率の違いによってペレッ
ト2に生じる曲げ応力も分割される。さらに各所でマウ
ント材(例えば銀ペースト)のズレによる応力緩和が起
るので、全体的な応力は減少し、電気特性の劣化やケー
スクラックの発生を防ぐことができる。
【0008】図2は切り込み部3d〜3fの形状をT字
形にして、短辺方向にも分割の効果を持たせるようにし
た。この実施例では、アイランド長辺に直交する方向の
3本の切り込みの先端にアイランド短辺に直交する方向
の3本の切り込みの先端にアイランド短辺に直交する方
向の切り込みを連続して形成されているので短辺方向に
発生する応力を分散させる効果を持たせる。
形にして、短辺方向にも分割の効果を持たせるようにし
た。この実施例では、アイランド長辺に直交する方向の
3本の切り込みの先端にアイランド短辺に直交する方向
の3本の切り込みの先端にアイランド短辺に直交する方
向の切り込みを連続して形成されているので短辺方向に
発生する応力を分散させる効果を持たせる。
【0009】
【発明の効果】以上説明したように本発明のVLSI用
リードフレームは、アイランド部に1本または複数本の
切り込みを入れることによって、半導体集積回路ペレッ
トとリードフレーム金属の熱膨張率の違いによって発生
する曲げ応力を緩和することができるので、従来、樹脂
ケースに発生していたクラックやペレット上の集積回路
の電気特性の劣化などを防止する効果を有する。
リードフレームは、アイランド部に1本または複数本の
切り込みを入れることによって、半導体集積回路ペレッ
トとリードフレーム金属の熱膨張率の違いによって発生
する曲げ応力を緩和することができるので、従来、樹脂
ケースに発生していたクラックやペレット上の集積回路
の電気特性の劣化などを防止する効果を有する。
【図1】本発明の第1の実施例の平面図である。
【図2】本発明の第2の実施例の平面図である。
【図3】従来のVLSI用リードフレームの平面図及び
A−A線断面図である。
A−A線断面図である。
1,1a アイランド
2 ペレット
3a〜3f 切り込み部
4 マウント材層
Claims (1)
- 【請求項1】 樹脂封止型の集積回路装置パッケージ
に使用されるVLSI用リードフレームにおいて、半導
体集積回路ペレットがマウントされるアイランド部分に
一辺の長さの5分の4程度までの切り込みが1カ所また
は相対する辺から交互に複数箇所入れられた形状を有す
ることを特徴とするVLSI用リードフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3102946A JPH04333275A (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | Vlsi用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3102946A JPH04333275A (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | Vlsi用リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04333275A true JPH04333275A (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=14340990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3102946A Pending JPH04333275A (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | Vlsi用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04333275A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0951126A (ja) * | 1995-08-09 | 1997-02-18 | Saamobonitsuku:Kk | 熱電変換装置 |
| JP2023038533A (ja) * | 2021-09-07 | 2023-03-17 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-05-09 JP JP3102946A patent/JPH04333275A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0951126A (ja) * | 1995-08-09 | 1997-02-18 | Saamobonitsuku:Kk | 熱電変換装置 |
| JP2023038533A (ja) * | 2021-09-07 | 2023-03-17 | 株式会社 日立パワーデバイス | 半導体装置 |
| US12327808B2 (en) | 2021-09-07 | 2025-06-10 | Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. | Semiconductor device |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19990323 |