JPH04334092A - 多層配線板の製造方法 - Google Patents
多層配線板の製造方法Info
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- JPH04334092A JPH04334092A JP10301891A JP10301891A JPH04334092A JP H04334092 A JPH04334092 A JP H04334092A JP 10301891 A JP10301891 A JP 10301891A JP 10301891 A JP10301891 A JP 10301891A JP H04334092 A JPH04334092 A JP H04334092A
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- wiring board
- cu2o
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、接着性絶縁層を介し積
層された複数枚の内層用回路板を備える多層配線板の製
造方法に係り、特に、内層用回路板に設けられた銅箔製
の配線層と上記接着性絶縁層との接着不良が防止できる
と共に製造工程途上で適用された適宜処理剤が上記配線
層と接着性絶縁層との界面に残留し難い多層配線板の製
造方法に関するものである。
層された複数枚の内層用回路板を備える多層配線板の製
造方法に係り、特に、内層用回路板に設けられた銅箔製
の配線層と上記接着性絶縁層との接着不良が防止できる
と共に製造工程途上で適用された適宜処理剤が上記配線
層と接着性絶縁層との界面に残留し難い多層配線板の製
造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】この種の多層配線板は、例えば、図3〜
図9に示すような各工程を経て製造されている。以下そ
の概略を説明すると、図3に示すように銅箔により形成
された配線層を有する複数枚の内層用回路板aを外層用
銅箔a1と共に接着性絶縁層(プリプレグ)bを介し積
層して一体化し、かつ、適宜穿設手段により図4に示す
ようなスルーホールcを穿設(ドリリング)した後、こ
のスルーホールcの内壁面を銅箔にて覆うため銅による
スルーホールめっき処理を施して図5に示すようなめっ
き層dを積層体表面とスルーホールc内壁面にそれぞれ
形成する。
図9に示すような各工程を経て製造されている。以下そ
の概略を説明すると、図3に示すように銅箔により形成
された配線層を有する複数枚の内層用回路板aを外層用
銅箔a1と共に接着性絶縁層(プリプレグ)bを介し積
層して一体化し、かつ、適宜穿設手段により図4に示す
ようなスルーホールcを穿設(ドリリング)した後、こ
のスルーホールcの内壁面を銅箔にて覆うため銅による
スルーホールめっき処理を施して図5に示すようなめっ
き層dを積層体表面とスルーホールc内壁面にそれぞれ
形成する。
【0003】次いで、このめっき層dの面上にスルーホ
ールc周辺の一部と配線層形成部位を除きフォトレジス
ト層eをパターン状に形成する(図6参照)と共に、こ
のフォトレジスト層eから露出する部位に銅・はんだめ
っき層fを形成(図7参照)し、かつ、上記フォトレジ
スト層eを除去した後、この銅・はんだめっき層fをマ
スクにして図8に示すように上記めっき層d等をエッチ
ングにより除去し、更にこれ等面上にソルダー・レジス
ト層gを成膜して図9に示すような多層配線板hを製造
する方法が採られている。
ールc周辺の一部と配線層形成部位を除きフォトレジス
ト層eをパターン状に形成する(図6参照)と共に、こ
のフォトレジスト層eから露出する部位に銅・はんだめ
っき層fを形成(図7参照)し、かつ、上記フォトレジ
スト層eを除去した後、この銅・はんだめっき層fをマ
スクにして図8に示すように上記めっき層d等をエッチ
ングにより除去し、更にこれ等面上にソルダー・レジス
ト層gを成膜して図9に示すような多層配線板hを製造
する方法が採られている。
【0004】ところで、上記複数枚の内層用回路板aを
接着性絶縁層(プリプレグ)bを介して積層する際、内
層用回路板aに設けられた配線層が表面平滑な銅箔によ
り構成されているため上記接着性絶縁層bとの接着強度
が不十分となり配線層と接着性絶縁層bとが経時的に剥
離し易い欠点があった。
接着性絶縁層(プリプレグ)bを介して積層する際、内
層用回路板aに設けられた配線層が表面平滑な銅箔によ
り構成されているため上記接着性絶縁層bとの接着強度
が不十分となり配線層と接着性絶縁層bとが経時的に剥
離し易い欠点があった。
【0005】このため、従来においては図10の(A)
〜(B)に示すように銅箔より成る配線層iの表面を、
水酸化ナトリウム(NaOH)が15〜25g/l程度
溶解されたアルカリ性亜塩素酸ナトリウム水溶液等で酸
化処理してCuOとCu2 Oより成る針状結晶の酸化
膜jを形成し、上記配線層iの表面を粗面化させて接着
性絶縁層bとの接着強度の向上を図る方法が採られてい
る。
〜(B)に示すように銅箔より成る配線層iの表面を、
水酸化ナトリウム(NaOH)が15〜25g/l程度
溶解されたアルカリ性亜塩素酸ナトリウム水溶液等で酸
化処理してCuOとCu2 Oより成る針状結晶の酸化
膜jを形成し、上記配線層iの表面を粗面化させて接着
性絶縁層bとの接着強度の向上を図る方法が採られてい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このような方法を採る
ことで全体的には配線層iと接着性絶縁層bとの接着強
度の向上が図れる反面、CuOとCu2 Oとで構成さ
れた酸化膜jはアルカリ溶液に対し耐性を有するものの
酸には比較的容易に溶解されてしまうため、多層配線板
の製造工程途上において図11(A)に示すようにスル
ーホールcの内壁面から露出する積層面が酸性の処理剤
に触れた場合(例えば上述したスルーホールめっき処理
の際、化学銅めっきに対する触媒性を付与するため塩酸
酸性のパラジウム・錫水溶液にて処理するような場合)
、その接触部位の酸化膜jが図11(B)に示すように
酸により溶解して上記配線層iの金属銅が露出され、図
12に示すようにピンク色のリングrがスルーホールc
の周縁に沿って形成される“ハローイング”と称される
現象が発生することがあった。
ことで全体的には配線層iと接着性絶縁層bとの接着強
度の向上が図れる反面、CuOとCu2 Oとで構成さ
れた酸化膜jはアルカリ溶液に対し耐性を有するものの
酸には比較的容易に溶解されてしまうため、多層配線板
の製造工程途上において図11(A)に示すようにスル
ーホールcの内壁面から露出する積層面が酸性の処理剤
に触れた場合(例えば上述したスルーホールめっき処理
の際、化学銅めっきに対する触媒性を付与するため塩酸
酸性のパラジウム・錫水溶液にて処理するような場合)
、その接触部位の酸化膜jが図11(B)に示すように
酸により溶解して上記配線層iの金属銅が露出され、図
12に示すようにピンク色のリングrがスルーホールc
の周縁に沿って形成される“ハローイング”と称される
現象が発生することがあった。
【0007】そして、この現象が発生すると図13に示
すようにスルーホールc内壁面の配線層iと接着性絶縁
層bとの界面に空隙sが形成されてしまうためこれ等間
の接着強度の低下が起こって経時的に剥離し易くなる問
題点があり、かつ、この空隙s内に上記処理剤が残留し
易くなるため多層配線板としての信頼性を著しく低下さ
せる問題点があった。
すようにスルーホールc内壁面の配線層iと接着性絶縁
層bとの界面に空隙sが形成されてしまうためこれ等間
の接着強度の低下が起こって経時的に剥離し易くなる問
題点があり、かつ、この空隙s内に上記処理剤が残留し
易くなるため多層配線板としての信頼性を著しく低下さ
せる問題点があった。
【0008】このような技術的背景の下において本発明
者等が上記酸化膜jに耐酸性を付与する方法を鋭意研究
したところ、従来法において酸化膜jが耐酸性を示さな
い原因は酸により容易に溶解されるCuOが上記酸化膜
j中に多量に存在するためで、このCuOの比率を下げ
比較的耐酸性を有するCu2 Oの比率を上げることに
より酸化膜jに耐酸性を付与できることを見出し本発明
を完成するに至ったものである。
者等が上記酸化膜jに耐酸性を付与する方法を鋭意研究
したところ、従来法において酸化膜jが耐酸性を示さな
い原因は酸により容易に溶解されるCuOが上記酸化膜
j中に多量に存在するためで、このCuOの比率を下げ
比較的耐酸性を有するCu2 Oの比率を上げることに
より酸化膜jに耐酸性を付与できることを見出し本発明
を完成するに至ったものである。
【0009】因みに、従来法における酸化膜中のCu2
OのCuOに対する比(Cu2 O/CuO×100
)は30〜40%程度であり、また、上記ハローイング
の発生量(図12中、直径0.35mmのスルーホール
c周縁からの距離Lで示されるリングの幅により表示さ
れる)は平均で130〜150μm以上であり数百μm
になることもあった。
OのCuOに対する比(Cu2 O/CuO×100
)は30〜40%程度であり、また、上記ハローイング
の発生量(図12中、直径0.35mmのスルーホール
c周縁からの距離Lで示されるリングの幅により表示さ
れる)は平均で130〜150μm以上であり数百μm
になることもあった。
【0010】そこで、本発明の課題とするところは、上
記ハローイングの発生量を100μm以下にすることに
より内層用回路板に設けられた銅箔製の配線層と上記接
着性絶縁層との接着不良が防止できると共に製造工程途
上で適用された適宜処理剤が上記配線層と接着性絶縁層
との界面に残留し難い多層配線板の製造方法を提供する
ことにある。
記ハローイングの発生量を100μm以下にすることに
より内層用回路板に設けられた銅箔製の配線層と上記接
着性絶縁層との接着不良が防止できると共に製造工程途
上で適用された適宜処理剤が上記配線層と接着性絶縁層
との界面に残留し難い多層配線板の製造方法を提供する
ことにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、銅箔
により形成された配線層を有する内層用回路板の上記配
線層を酸化処理してその表面にCuOとCu2 Oから
なる酸化膜を形成し、かつ、酸化処理されたこれ等複数
枚の内層用回路板を接着性絶縁層を介し積層して多層配
線板を製造する方法を前提とし、水酸化ナトリウムが3
0g/l以上溶解されたアルカリ性酸化処理液を用いて
上記酸化処理を行うことを特徴とするものである。
により形成された配線層を有する内層用回路板の上記配
線層を酸化処理してその表面にCuOとCu2 Oから
なる酸化膜を形成し、かつ、酸化処理されたこれ等複数
枚の内層用回路板を接着性絶縁層を介し積層して多層配
線板を製造する方法を前提とし、水酸化ナトリウムが3
0g/l以上溶解されたアルカリ性酸化処理液を用いて
上記酸化処理を行うことを特徴とするものである。
【0012】このような技術的手段において上記配線層
を酸化処理するための処理液としては、従来同様、水酸
化ナトリウムが溶解されたアルカリ性亜塩素酸ナトリウ
ム水溶液等がそのまま適用でき、また、その処理方法も
、従来同様、予め脱脂処理された内層用回路板を上記処
理液に浸漬することによって行われる。
を酸化処理するための処理液としては、従来同様、水酸
化ナトリウムが溶解されたアルカリ性亜塩素酸ナトリウ
ム水溶液等がそのまま適用でき、また、その処理方法も
、従来同様、予め脱脂処理された内層用回路板を上記処
理液に浸漬することによって行われる。
【0013】この場合、酸化膜中におけるCu2 O/
CuOの比率が80%以上になるように上記酸化処理液
として水酸化ナトリウムが30g/l以上溶解されたア
ルカリ性酸化処理液を用いることを特徴とする方法であ
る。尚、その処理温度については、従来の90〜95℃
からこれより低い70〜85℃程度に、また、処理時間
も従来の約4分30秒からこれより短い時間に設定する
ことが望ましい。
CuOの比率が80%以上になるように上記酸化処理液
として水酸化ナトリウムが30g/l以上溶解されたア
ルカリ性酸化処理液を用いることを特徴とする方法であ
る。尚、その処理温度については、従来の90〜95℃
からこれより低い70〜85℃程度に、また、処理時間
も従来の約4分30秒からこれより短い時間に設定する
ことが望ましい。
【0014】このような条件で酸化処理を施した場合に
Cu2 O/CuOの比率が80%以上となる理由につ
いては未だ十分に解明されてないが、アルカリ濃度を高
く設定すると『Cu2 O→CuO』の反応が抑制され
CuOの比率が下がることに起因しているものと推察し
ている。
Cu2 O/CuOの比率が80%以上となる理由につ
いては未だ十分に解明されてないが、アルカリ濃度を高
く設定すると『Cu2 O→CuO』の反応が抑制され
CuOの比率が下がることに起因しているものと推察し
ている。
【0015】尚、1回の酸化処理により上述した酸化膜
を形成してもよいし以下に述べるように複数回の酸化処
理にて上記Cu2 Oの比率がより高い酸化膜を形成し
てもよい。例えば、水酸化ナトリウムが30g/l以上
溶解されたアルカリ性酸化処理液を用い1回目の酸化処
理を施して銅箔表面にCu2OとCuOの酸化膜を形成
する。この場合、Cu2 Oの結晶は酸化膜の表面側か
ら内側へ成長する傾向があるのに対しCuOの結晶は酸
化膜の内側から表面側へ成長する傾向があるため、上記
酸化膜の表面側はCuOの結晶で覆われ酸化膜の内側に
Cu2 Oの結晶が多く偏在する傾向にある。従って、
この酸化膜表面をエッチング処理してその表面側に多量
に偏在するCuOの結晶を除去し、再度、水酸化ナトリ
ウムが30g/l以上溶解されたアルカリ性酸化処理液
を用いて酸化処理を施すことにより酸化膜中のCu2
Oの比率をより高めることが可能となる。ここで、1回
目の酸化処理で形成した酸化膜のエッチング条件として
は、この酸化膜を溶解し得る酸性溶液、例えば、希硫酸
等のオキソ酸、希塩酸に代表される塩基酸、ハロゲン化
水素酸、アンモニア水等が適用できる。また、このエッ
チングの処理時間はその酸化膜の厚さが0.2μm前後
、好ましくは0.15〜0.20μm程度残るまで、例
えば、十数秒ないし30秒間程度とする。
を形成してもよいし以下に述べるように複数回の酸化処
理にて上記Cu2 Oの比率がより高い酸化膜を形成し
てもよい。例えば、水酸化ナトリウムが30g/l以上
溶解されたアルカリ性酸化処理液を用い1回目の酸化処
理を施して銅箔表面にCu2OとCuOの酸化膜を形成
する。この場合、Cu2 Oの結晶は酸化膜の表面側か
ら内側へ成長する傾向があるのに対しCuOの結晶は酸
化膜の内側から表面側へ成長する傾向があるため、上記
酸化膜の表面側はCuOの結晶で覆われ酸化膜の内側に
Cu2 Oの結晶が多く偏在する傾向にある。従って、
この酸化膜表面をエッチング処理してその表面側に多量
に偏在するCuOの結晶を除去し、再度、水酸化ナトリ
ウムが30g/l以上溶解されたアルカリ性酸化処理液
を用いて酸化処理を施すことにより酸化膜中のCu2
Oの比率をより高めることが可能となる。ここで、1回
目の酸化処理で形成した酸化膜のエッチング条件として
は、この酸化膜を溶解し得る酸性溶液、例えば、希硫酸
等のオキソ酸、希塩酸に代表される塩基酸、ハロゲン化
水素酸、アンモニア水等が適用できる。また、このエッ
チングの処理時間はその酸化膜の厚さが0.2μm前後
、好ましくは0.15〜0.20μm程度残るまで、例
えば、十数秒ないし30秒間程度とする。
【0016】次に、上記酸化膜の膜厚については特に制
限はなく、従来同様、1.0μm前後の適宜値に設定可
能である。但し、この膜厚が大きくなると膜端部の露出
面積も大きくなり酸性の処理剤に触れた場合のサイドエ
ッチを受け易くなるため、好ましくは薄く設定した方が
よい。
限はなく、従来同様、1.0μm前後の適宜値に設定可
能である。但し、この膜厚が大きくなると膜端部の露出
面積も大きくなり酸性の処理剤に触れた場合のサイドエ
ッチを受け易くなるため、好ましくは薄く設定した方が
よい。
【0017】尚、上述の酸化処理がなされた内層用回路
板を積層した後における多層配線板の製造工程は任意で
あり、例えば、上述した従来法と同様な工程を経て製造
してもよいし他の工程を経てもよい。また、適用される
内層用回路板についてはその一面側にのみ配線層を有す
るものでもあるいは両面側にそれぞれ配線層を有するも
のでもよく任意である。
板を積層した後における多層配線板の製造工程は任意で
あり、例えば、上述した従来法と同様な工程を経て製造
してもよいし他の工程を経てもよい。また、適用される
内層用回路板についてはその一面側にのみ配線層を有す
るものでもあるいは両面側にそれぞれ配線層を有するも
のでもよく任意である。
【0018】
【作用】この様な技術的手段によれば、水酸化ナトリウ
ムが30g/l以上溶解されたアルカリ性酸化処理液を
用いて配線層の酸化処理を行うためその酸化膜中におけ
るCu2 O/CuOの比率が80%以上となる。
ムが30g/l以上溶解されたアルカリ性酸化処理液を
用いて配線層の酸化処理を行うためその酸化膜中におけ
るCu2 O/CuOの比率が80%以上となる。
【0019】従って、耐酸性の大きいCu2 Oの割合
が増大する分その酸化膜の耐酸性も向上するため、多層
配線板の製造工程途上において適宜酸処理を施しても上
記配線層の酸化膜が溶解され難くなり、配線層の金属銅
が部分的に露出するハローイング現象を抑制することが
可能になる。
が増大する分その酸化膜の耐酸性も向上するため、多層
配線板の製造工程途上において適宜酸処理を施しても上
記配線層の酸化膜が溶解され難くなり、配線層の金属銅
が部分的に露出するハローイング現象を抑制することが
可能になる。
【0020】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【0021】まず、表裏両面に銅箔が貼着されたガラス
・エポキシ銅貼積層板(340mm×510mm×1.
6mm)を用い、従来同様、フォトエッチング処理によ
り上記銅箔をパターニングして内層用回路板を製造した
。
・エポキシ銅貼積層板(340mm×510mm×1.
6mm)を用い、従来同様、フォトエッチング処理によ
り上記銅箔をパターニングして内層用回路板を製造した
。
【0022】次に、ニュウトラル・クリーン68(商標
、シップレー社製)の25%溶液を用い60℃の条件で
上記内層用回路板の両面側に形成された銅箔製の配線層
を脱脂処理し、かつ、水洗した後、エッチ(Etch)
746(商標、シップレー社製)を15%及びH2 O
2 を10%含む処理液を用いて60秒間のソフトエッ
チング処理を施しかつ水洗し、更に、硫酸を主成分とす
る固形酸(44g/l)をを用いて酸洗しかつ水洗した
。
、シップレー社製)の25%溶液を用い60℃の条件で
上記内層用回路板の両面側に形成された銅箔製の配線層
を脱脂処理し、かつ、水洗した後、エッチ(Etch)
746(商標、シップレー社製)を15%及びH2 O
2 を10%含む処理液を用いて60秒間のソフトエッ
チング処理を施しかつ水洗し、更に、硫酸を主成分とす
る固形酸(44g/l)をを用いて酸洗しかつ水洗した
。
【0023】この様に前処理された内層用回路板の配線
層を以下の条件で酸化処理し図1に示すように配線層1
の表面にCu2 OとCuOから成る酸化膜2を形成し
た。
層を以下の条件で酸化処理し図1に示すように配線層1
の表面にCu2 OとCuOから成る酸化膜2を形成し
た。
【0024】
酸化処理液の組成:Na3 PO4 ・12H
2 O 17g/l
NaOH
31g/l
NaClO2
43g/l 処理
液温度:85℃ 処理時間:4
分尚、図1中、21はCuOを主成分とする酸化膜を、
また、22はCu2 Oを主成分とする酸化膜をそれぞ
れ示している。
2 O 17g/l
NaOH
31g/l
NaClO2
43g/l 処理
液温度:85℃ 処理時間:4
分尚、図1中、21はCuOを主成分とする酸化膜を、
また、22はCu2 Oを主成分とする酸化膜をそれぞ
れ示している。
【0025】また、上記酸化膜2の膜厚はオージェ分光
分析により1.0μmであることが、またCu2 O/
CuOの比率は薄膜用X線回析装置により80%である
ことが確認された。
分析により1.0μmであることが、またCu2 O/
CuOの比率は薄膜用X線回析装置により80%である
ことが確認された。
【0026】次いで、上記酸化膜2が形成された内層用
回路板を乾燥させた後、複数枚の内層用回路板を外層用
銅箔とともに接着性絶縁層を介して重合し、加熱加圧し
て多層配線板を製造した。
回路板を乾燥させた後、複数枚の内層用回路板を外層用
銅箔とともに接着性絶縁層を介して重合し、加熱加圧し
て多層配線板を製造した。
【0027】そして、従来と同様にこの多層配線板をド
リルにより孔開け加工して直径0.35mmのスルーホ
ールを形成し、かつ、従来同様酸洗等を行った後、スル
ーホールめっき処理(無電解銅めっき・パネルめっき)
を施してスルーホール内壁面と多層配線板表面に20μ
mの銅めっき層を形成し、更に、水洗、酸洗等の常套処
理を施し、かつ、従来同様のフォトレジスト層形成処理
、20μmの電解銅めっき処理、エッチング処理、ソル
ダー・レジスト層形成処理等を経て多層配線板を製造し
た。
リルにより孔開け加工して直径0.35mmのスルーホ
ールを形成し、かつ、従来同様酸洗等を行った後、スル
ーホールめっき処理(無電解銅めっき・パネルめっき)
を施してスルーホール内壁面と多層配線板表面に20μ
mの銅めっき層を形成し、更に、水洗、酸洗等の常套処
理を施し、かつ、従来同様のフォトレジスト層形成処理
、20μmの電解銅めっき処理、エッチング処理、ソル
ダー・レジスト層形成処理等を経て多層配線板を製造し
た。
【0028】この様にして求められた多層配線板のハロ
ーイング発生量について測定したところ、図2に示すよ
うにピンクリングの幅Lの値は約80μm以下で従来法
に較べて極めて低減され、従って、本発明を適用したこ
とにより配線層と接着性絶縁層との接着強度が強固でか
つ配線層と接着性絶縁層との界面に適宜処理剤が残留し
難い多層配線板が求められることが確認できた。
ーイング発生量について測定したところ、図2に示すよ
うにピンクリングの幅Lの値は約80μm以下で従来法
に較べて極めて低減され、従って、本発明を適用したこ
とにより配線層と接着性絶縁層との接着強度が強固でか
つ配線層と接着性絶縁層との界面に適宜処理剤が残留し
難い多層配線板が求められることが確認できた。
【0029】[比較例]以下に示す条件で酸化処理を行
った以外は実施例と略同一である。
った以外は実施例と略同一である。
【0030】
酸化処理液の組成:Na3 PO4 ・12H
2 O 17g/l
NaOH
21g/l
NaClO2
43g/l 処理
液温度:95℃ 処理時間:4
分30秒尚、上記酸化膜2の膜厚はオージェ分光分析に
より1.0μmであることが、またCu2 O/CuO
の比率は薄膜用X線回析装置により33%であることが
確認された。
2 O 17g/l
NaOH
21g/l
NaClO2
43g/l 処理
液温度:95℃ 処理時間:4
分30秒尚、上記酸化膜2の膜厚はオージェ分光分析に
より1.0μmであることが、またCu2 O/CuO
の比率は薄膜用X線回析装置により33%であることが
確認された。
【0031】そして、この比較例に係る多層配線板のハ
ローイング発生量について測定したところ、ピンクリン
グの幅Lの値は約140μmであり実施例の多層配線板
と較べ極めて劣っていことが確認できた。
ローイング発生量について測定したところ、ピンクリン
グの幅Lの値は約140μmであり実施例の多層配線板
と較べ極めて劣っていことが確認できた。
【0032】
【発明の効果】本発明によれば、多層配線板の製造工程
途上において適宜酸処理を施しても上記配線層の酸化膜
が溶解され難くなり、配線層の金属銅が部分的に露出す
るハローイング現象を抑制することが可能になる。
途上において適宜酸処理を施しても上記配線層の酸化膜
が溶解され難くなり、配線層の金属銅が部分的に露出す
るハローイング現象を抑制することが可能になる。
【0033】従って、上記配線層と接着性絶縁層との接
着不良が防止できると共に配線層と接着性絶縁層との界
面に上記酸処理剤等が残留し難くなるため多層配線板と
しての信頼性を著しく向上できる効果を有している。
着不良が防止できると共に配線層と接着性絶縁層との界
面に上記酸処理剤等が残留し難くなるため多層配線板と
しての信頼性を著しく向上できる効果を有している。
【図1】実施例に係る内層用回路板の一部拡大断面図。
【図2】実施例に係る多層配線板の一部拡大斜視図。
【図3】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。
【図4】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。
【図5】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。
【図6】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。
【図7】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。
【図8】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。
【図9】製造された従来の多層配線板の概略斜視図。
【図10】図10(A)〜(B)は従来の配線層表面を
酸化処理する工程説明図。
酸化処理する工程説明図。
【図11】図11(A)〜(B)はスルーホール形成後
における従来の多層配線板の一部拡大断面図。
における従来の多層配線板の一部拡大断面図。
【図12】スルーホール形成後における従来の多層配線
板の一部拡大斜視図。
板の一部拡大斜視図。
【図13】図12のW−W面の部分断面図。
1 配線層
2 酸化膜
Claims (1)
- 【請求項1】 銅箔により形成された配線層を有する
内層用回路板の上記配線層を酸化処理してその表面にC
uOとCu2 Oからなる酸化膜を形成し、かつ、酸化
処理されたこれ等複数枚の内層用回路板を接着性絶縁層
を介し積層して多層配線板を製造する方法において、水
酸化ナトリウムが30g/l以上溶解されたアルカリ性
酸化処理液を用いて上記酸化処理を行うことを特徴とす
る多層配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10301891A JP3123108B2 (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 多層配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10301891A JP3123108B2 (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 多層配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04334092A true JPH04334092A (ja) | 1992-11-20 |
| JP3123108B2 JP3123108B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=14342910
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10301891A Expired - Fee Related JP3123108B2 (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 多層配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3123108B2 (ja) |
-
1991
- 1991-05-09 JP JP10301891A patent/JP3123108B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3123108B2 (ja) | 2001-01-09 |
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