JPH04334899A - 荷電粒子偏向磁石 - Google Patents
荷電粒子偏向磁石Info
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- JPH04334899A JPH04334899A JP3105391A JP10539191A JPH04334899A JP H04334899 A JPH04334899 A JP H04334899A JP 3105391 A JP3105391 A JP 3105391A JP 10539191 A JP10539191 A JP 10539191A JP H04334899 A JPH04334899 A JP H04334899A
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- magnet
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，電子サイクロトロンあ
るいは電子蓄積リング等において，荷電粒子を磁場によ
り偏向させて周回運動させながら加速・蓄積するストレ
ージリングに用いる荷電粒子偏向磁石に関する。
るいは電子蓄積リング等において，荷電粒子を磁場によ
り偏向させて周回運動させながら加速・蓄積するストレ
ージリングに用いる荷電粒子偏向磁石に関する。
【０００２】
【従来の技術】荷電粒子を加速あるいは蓄積させるため
に図９に概要を示すような加速・蓄積リングが用いられ
る。リング状の軌道２０に荷電粒子を周回運動させるた
め，図９に示すように偏向磁石２１を配置して，荷電粒
子の軌道を曲げる。図５は電磁石による偏向磁石で，荷
電粒子が通過するビームダクト１を電磁石により形成さ
れる磁場空間６に配置して，この磁場空間６に与える磁
場強度を磁性体２４に設けたコイル２２および２３に流
す電流を変化させることにより，磁場分布の一様性を保
ったままで磁場強度を変化させることができる。電磁石
は磁場強度を変えることができるので，荷電粒子の加速
状態において荷電粒子のエネルギー変化に対応させるこ
とができる。図６は永久磁石による偏向磁石で，永久磁
石２５，２６を対向配置して，その間に磁場空間６を形
成すると共に，各永久磁石２５，２６をヨーク磁性体２
７で接続して磁気回路を形成している。磁場空間６にビ
ームダクト１を配置して，一定な磁場強度と一様な磁場
分布を荷電粒子に与えることができる。永久磁石は磁場
強度を変えることができないので，荷電粒子の蓄積状態
のように磁場強度を変化させる必要のないときに適して
いる。図７，８に示すものは，特開昭６３−８１７９８
号公報に開示されるもので，前記の電磁石によるもの，
および永久磁石によるものとを併用した例である。ビー
ムダクト１に対し，電磁石２８と永久磁石２９とを移動
可能に配置して，図７に示すように磁場強度を変化させ
る必要のある加速過程では電磁石２８をビームダクト１
の位置に配し，磁場強度が一定でよい蓄積過程では図８
に示すように永久磁石２９をビームダクト１の位置に移
動させるよう構成されている。
に図９に概要を示すような加速・蓄積リングが用いられ
る。リング状の軌道２０に荷電粒子を周回運動させるた
め，図９に示すように偏向磁石２１を配置して，荷電粒
子の軌道を曲げる。図５は電磁石による偏向磁石で，荷
電粒子が通過するビームダクト１を電磁石により形成さ
れる磁場空間６に配置して，この磁場空間６に与える磁
場強度を磁性体２４に設けたコイル２２および２３に流
す電流を変化させることにより，磁場分布の一様性を保
ったままで磁場強度を変化させることができる。電磁石
は磁場強度を変えることができるので，荷電粒子の加速
状態において荷電粒子のエネルギー変化に対応させるこ
とができる。図６は永久磁石による偏向磁石で，永久磁
石２５，２６を対向配置して，その間に磁場空間６を形
成すると共に，各永久磁石２５，２６をヨーク磁性体２
７で接続して磁気回路を形成している。磁場空間６にビ
ームダクト１を配置して，一定な磁場強度と一様な磁場
分布を荷電粒子に与えることができる。永久磁石は磁場
強度を変えることができないので，荷電粒子の蓄積状態
のように磁場強度を変化させる必要のないときに適して
いる。図７，８に示すものは，特開昭６３−８１７９８
号公報に開示されるもので，前記の電磁石によるもの，
および永久磁石によるものとを併用した例である。ビー
ムダクト１に対し，電磁石２８と永久磁石２９とを移動
可能に配置して，図７に示すように磁場強度を変化させ
る必要のある加速過程では電磁石２８をビームダクト１
の位置に配し，磁場強度が一定でよい蓄積過程では図８
に示すように永久磁石２９をビームダクト１の位置に移
動させるよう構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例の偏向磁石
において，電磁石による偏向磁石の場合，磁場空間の間
隔が例えば７０ｍｍで，１．２Ｔの磁束密度を得るため
の電流は，約５００００アンペアターンとなる。コイル
の巻数およびその断面積には構造上限界があるため，電
流を大きくする必要があり，大容量の電源とコイルの発
熱を抑える冷却装置が必要になり，ランニングコストが
高くなるという問題点をかかえている。また，上記永久
磁石による偏向磁石の場合，磁場分布を一様に保ったま
ま磁場強度を変化させることが困難で，例えば磁場を形
成する永久磁石の間隔を変えて磁場強度を変えると，磁
場分布の一様性が損われる問題点があった。さらに，上
記電磁石と永久磁石を併用した従来例構成においては，
電磁石から永久磁石に切替えるときに，電磁石と永久磁
石との境目の磁場分布が一様でない部分を荷電粒子が通
ることになるので，荷電粒子のビームが不安定になる危
険性を有している。本発明は上記課題を解決するために
，磁場強度の一様性を保ちつつ磁場強度を変化させるこ
とのできる永久磁石による偏向磁石を提供することを目
的とする。
において，電磁石による偏向磁石の場合，磁場空間の間
隔が例えば７０ｍｍで，１．２Ｔの磁束密度を得るため
の電流は，約５００００アンペアターンとなる。コイル
の巻数およびその断面積には構造上限界があるため，電
流を大きくする必要があり，大容量の電源とコイルの発
熱を抑える冷却装置が必要になり，ランニングコストが
高くなるという問題点をかかえている。また，上記永久
磁石による偏向磁石の場合，磁場分布を一様に保ったま
ま磁場強度を変化させることが困難で，例えば磁場を形
成する永久磁石の間隔を変えて磁場強度を変えると，磁
場分布の一様性が損われる問題点があった。さらに，上
記電磁石と永久磁石を併用した従来例構成においては，
電磁石から永久磁石に切替えるときに，電磁石と永久磁
石との境目の磁場分布が一様でない部分を荷電粒子が通
ることになるので，荷電粒子のビームが不安定になる危
険性を有している。本発明は上記課題を解決するために
，磁場強度の一様性を保ちつつ磁場強度を変化させるこ
とのできる永久磁石による偏向磁石を提供することを目
的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明は，永久磁石にヨーク磁性体を接続した磁気閉
回路に開路を設けて磁場空間を形成し，該磁場空間の磁
場方向に直交する方向に荷電粒子のビーム方向を設定し
た荷電粒子偏向磁石において，前記永久磁石に隣接して
磁気バイパス用磁性体を永久磁石の着磁方向と平行に配
置し，該バイパス用磁性体と永久磁石との距離を調整可
能としたことを特徴とする荷電粒子偏向磁石である。ま
た，永久磁石にヨーク磁性体を接続した磁気閉回路に開
路を設けて磁場空間を形成し，該磁場空間の磁場方向に
直交する方向に荷電粒子のビーム方向を設定した荷電粒
子偏向磁石において，前記ヨーク磁性体の少なくとも１
箇所に間隔調整可能な間隙を設けたことを特徴とする荷
電粒子偏向磁石である。
の本発明は，永久磁石にヨーク磁性体を接続した磁気閉
回路に開路を設けて磁場空間を形成し，該磁場空間の磁
場方向に直交する方向に荷電粒子のビーム方向を設定し
た荷電粒子偏向磁石において，前記永久磁石に隣接して
磁気バイパス用磁性体を永久磁石の着磁方向と平行に配
置し，該バイパス用磁性体と永久磁石との距離を調整可
能としたことを特徴とする荷電粒子偏向磁石である。ま
た，永久磁石にヨーク磁性体を接続した磁気閉回路に開
路を設けて磁場空間を形成し，該磁場空間の磁場方向に
直交する方向に荷電粒子のビーム方向を設定した荷電粒
子偏向磁石において，前記ヨーク磁性体の少なくとも１
箇所に間隔調整可能な間隙を設けたことを特徴とする荷
電粒子偏向磁石である。
【０００５】
【作用】上記構成によれば，永久磁石にヨーク磁性体を
接続して形成した磁気閉回路に開路を設けて形成した磁
場空間に，荷電粒子のビームを通すことで，荷電粒子の
ビーム方向と直交する方向に磁場を印加することができ
，ローレンツ力により荷電粒子ビームを偏向させること
ができる。この磁場空間の磁場強度を変化させ，加速・
蓄積リングの加速過程における荷電粒子のエネルギー変
化に対応させるために，永久磁石に隣接させて磁気バイ
パス用磁性体を永久磁石の着磁方向と平行に配置すると
，磁気閉回路に流れる磁束の一部がバイパス用磁性体に
流れるので，このバイパス用磁性体と永久磁石との間隔
を変えると，バイパス用磁性体に流れる磁束の量を調節
することができ，従ってヨーク磁性体へ流れる磁束密度
が変わり，磁場空間の磁場強度を変えることができる。 しかし，磁場空間を形成する開路の間隔は一定であるの
で，磁場強度を変えても磁場分布の一様性は変化しない
。また，磁気閉回路を形成するヨーク磁性体の少なくと
も１箇所に間隙を設けて，この間隙の間隔を変化させる
と，磁気閉回路に流れる磁束の洩れ量が変化して磁場空
間の磁場強度を変化させることができる。しかし，磁場
空間を形成する開路間隔は一定であるので，磁場分布の
一様性は変化しない。
接続して形成した磁気閉回路に開路を設けて形成した磁
場空間に，荷電粒子のビームを通すことで，荷電粒子の
ビーム方向と直交する方向に磁場を印加することができ
，ローレンツ力により荷電粒子ビームを偏向させること
ができる。この磁場空間の磁場強度を変化させ，加速・
蓄積リングの加速過程における荷電粒子のエネルギー変
化に対応させるために，永久磁石に隣接させて磁気バイ
パス用磁性体を永久磁石の着磁方向と平行に配置すると
，磁気閉回路に流れる磁束の一部がバイパス用磁性体に
流れるので，このバイパス用磁性体と永久磁石との間隔
を変えると，バイパス用磁性体に流れる磁束の量を調節
することができ，従ってヨーク磁性体へ流れる磁束密度
が変わり，磁場空間の磁場強度を変えることができる。 しかし，磁場空間を形成する開路の間隔は一定であるの
で，磁場強度を変えても磁場分布の一様性は変化しない
。また，磁気閉回路を形成するヨーク磁性体の少なくと
も１箇所に間隙を設けて，この間隙の間隔を変化させる
と，磁気閉回路に流れる磁束の洩れ量が変化して磁場空
間の磁場強度を変化させることができる。しかし，磁場
空間を形成する開路間隔は一定であるので，磁場分布の
一様性は変化しない。
【０００６】
【実施例】次に，具体例を示して本発明の理解に供する
。図１に本発明の第１実施例を示す。永久磁石３の両極
にヨーク磁性体４および５を接続して，ヨーク磁性体４
と５とで磁場空間６である開路を形成した逆Ｃの字形の
磁気閉回路を構成している。ヨーク磁性体４，５により
形成される磁場空間６には永久磁石３による磁場が作用
するので，この磁場空間６の中心にビームダクト１を配
置する。ビームダクト１は図９に示したように，荷電粒
子が周回軌道を描くようにリング状に構成されており，
このビームダクト１を通過する荷電粒子のビーム方向に
対して直交する方向に磁場を印加してローレンツ力によ
り荷電粒子を偏向させる。前記のように構成された磁気
閉回路における磁場空間６は，ビームダクト１に対し一
様な磁場分布で，磁場強度が一定の磁場を印加している
。そこで，磁場分布の一様性を損うことなく，磁場強度
を変化させるために，図１に示すように永久磁石３の着
磁方向と平行にバイパス用磁性体７を配置する。このバ
イパス用磁性体７と永久磁石３との間隔Ｇを変えること
により，永久磁石３からヨーク磁性体４，５に流れる磁
束の一部をバイパスさせる量を変化させることができる
。即ち，磁束密度が一定である永久磁石３からヨーク磁
性体４，５に流れる量を変化させ，磁場空間６における
磁場強度を変化させることになる。上記構成に用いる永
久磁石３には残留磁気の大きな，例えばＳｍＣｏのよう
な希土類磁石を用い，ヨーク磁性体４，５およびバイパ
ス用磁性体７には透磁率が数百以上の，例えばフェライ
ト焼結体を用いている。また，永久磁石３とバイパス用
磁性体７との間隔Ｇの調整は，バイパス用磁性体７が永
久磁石３から大きな磁気引力を受けるので，図１に示す
ようにギャップ調整器８を油圧または水圧等による移動
機構（図示せず）に接続してバイパス用磁性体７を移動
させる。
。図１に本発明の第１実施例を示す。永久磁石３の両極
にヨーク磁性体４および５を接続して，ヨーク磁性体４
と５とで磁場空間６である開路を形成した逆Ｃの字形の
磁気閉回路を構成している。ヨーク磁性体４，５により
形成される磁場空間６には永久磁石３による磁場が作用
するので，この磁場空間６の中心にビームダクト１を配
置する。ビームダクト１は図９に示したように，荷電粒
子が周回軌道を描くようにリング状に構成されており，
このビームダクト１を通過する荷電粒子のビーム方向に
対して直交する方向に磁場を印加してローレンツ力によ
り荷電粒子を偏向させる。前記のように構成された磁気
閉回路における磁場空間６は，ビームダクト１に対し一
様な磁場分布で，磁場強度が一定の磁場を印加している
。そこで，磁場分布の一様性を損うことなく，磁場強度
を変化させるために，図１に示すように永久磁石３の着
磁方向と平行にバイパス用磁性体７を配置する。このバ
イパス用磁性体７と永久磁石３との間隔Ｇを変えること
により，永久磁石３からヨーク磁性体４，５に流れる磁
束の一部をバイパスさせる量を変化させることができる
。即ち，磁束密度が一定である永久磁石３からヨーク磁
性体４，５に流れる量を変化させ，磁場空間６における
磁場強度を変化させることになる。上記構成に用いる永
久磁石３には残留磁気の大きな，例えばＳｍＣｏのよう
な希土類磁石を用い，ヨーク磁性体４，５およびバイパ
ス用磁性体７には透磁率が数百以上の，例えばフェライ
ト焼結体を用いている。また，永久磁石３とバイパス用
磁性体７との間隔Ｇの調整は，バイパス用磁性体７が永
久磁石３から大きな磁気引力を受けるので，図１に示す
ようにギャップ調整器８を油圧または水圧等による移動
機構（図示せず）に接続してバイパス用磁性体７を移動
させる。
【０００７】上記構成において，バイパス用磁性体７と
永久磁石３との間隔Ｇを変えたときの，磁場空間６の磁
場強度の変化を図２に実測定グラフとして示す。図の横
軸は磁場空間６の磁場分布，即ち，図１に示すヨーク磁
性体４と５とが対向するＸ方向の磁場強度の分布状態を
示し，縦軸は磁場強度（磁場方向が図示状態で下向きで
あるのでマイナスになる）を示している。永久磁石３と
バイパス用磁性体７との間隔Ｇが２０ｃｍのとき，０．
５Ｔの最大磁場が空間６に発生する。間隔Ｇは２０ｃｍ
以上離しても磁場強度の変化は殆どなく，従って間隔Ｇ
の最大は，上記構成による場合２０ｃｍとなる。間隔Ｇ
を小さくするにしたがって磁場強度は小さくなり，間隔
Ｇを０ｃｍにしたときの磁場強度は０．０５Ｔで，最大
磁場強度の１／１０となる。但し，実使用状態において
は，間隔Ｇを０ｃｍにすることはないので，図１に示す
ようにギャップ調整器８の凸部１０で最小の間隔Ｇを保
つように構成している。また，図２からわかるように，
ビームダクト１が配置される中心位置（Ｘ＝０．１１ｍ
）付近の磁場の一様性は，磁場強度が変化しても損われ
ることなく一様な磁場分布を示している。この測定のた
めに用いた構成は，残留磁気約１．２Ｔの永久磁石３を
用い，図１に記載する寸法形状の条件による。また，こ
の構成による偏向磁石を用いて電子加速蓄積リングを構
成すると，リング半径約７ｍで最大ビームエネルギーが
１ＧｅＶ，ビームの入射エネルギーは０．１ＧｅＶの比
較的小型の入射器でよく，全体として安価な加速蓄積リ
ングを構成することができる。尚，図１に示す磁場強度
補正コイル９は，間隔Ｇを変化させる機械的な磁場強度
調整の誤差を補正するためのもので，永久磁石３による
磁場に補助的な電磁石の磁場を加えて微調整を行うため
のものである。この磁場強度補正用コイル９には補正の
ための磁場発生に必要な電流を通じるだけでよいので，
大容量の電源装置や冷却装置などは不要である。
永久磁石３との間隔Ｇを変えたときの，磁場空間６の磁
場強度の変化を図２に実測定グラフとして示す。図の横
軸は磁場空間６の磁場分布，即ち，図１に示すヨーク磁
性体４と５とが対向するＸ方向の磁場強度の分布状態を
示し，縦軸は磁場強度（磁場方向が図示状態で下向きで
あるのでマイナスになる）を示している。永久磁石３と
バイパス用磁性体７との間隔Ｇが２０ｃｍのとき，０．
５Ｔの最大磁場が空間６に発生する。間隔Ｇは２０ｃｍ
以上離しても磁場強度の変化は殆どなく，従って間隔Ｇ
の最大は，上記構成による場合２０ｃｍとなる。間隔Ｇ
を小さくするにしたがって磁場強度は小さくなり，間隔
Ｇを０ｃｍにしたときの磁場強度は０．０５Ｔで，最大
磁場強度の１／１０となる。但し，実使用状態において
は，間隔Ｇを０ｃｍにすることはないので，図１に示す
ようにギャップ調整器８の凸部１０で最小の間隔Ｇを保
つように構成している。また，図２からわかるように，
ビームダクト１が配置される中心位置（Ｘ＝０．１１ｍ
）付近の磁場の一様性は，磁場強度が変化しても損われ
ることなく一様な磁場分布を示している。この測定のた
めに用いた構成は，残留磁気約１．２Ｔの永久磁石３を
用い，図１に記載する寸法形状の条件による。また，こ
の構成による偏向磁石を用いて電子加速蓄積リングを構
成すると，リング半径約７ｍで最大ビームエネルギーが
１ＧｅＶ，ビームの入射エネルギーは０．１ＧｅＶの比
較的小型の入射器でよく，全体として安価な加速蓄積リ
ングを構成することができる。尚，図１に示す磁場強度
補正コイル９は，間隔Ｇを変化させる機械的な磁場強度
調整の誤差を補正するためのもので，永久磁石３による
磁場に補助的な電磁石の磁場を加えて微調整を行うため
のものである。この磁場強度補正用コイル９には補正の
ための磁場発生に必要な電流を通じるだけでよいので，
大容量の電源装置や冷却装置などは不要である。
【０００８】図３に本発明の第２実施例を示す。磁場空
間６を形成する間隔をあけて永久磁石１１および１２を
対向配置し，各永久磁石１１，１２の対向極の反対極を
ヨーク磁性体１３で接続して逆Ｃの字形の磁気閉回路を
構成している。磁場空間６における磁場強度および磁場
分布の一様性は，先の第１実施例の構成と同様に達成さ
れる。この構成における磁場強度の調整は，図示するよ
うに各永久磁石１１，１２の着磁方向と平行に配置した
バイパス用磁性体１４と各永久磁石１１，１２との間隔
Ｇを調整することによりなされる。間隔Ｇを調整するた
めのギャップ調整器の図示は省略している。図４に本発
明の第３実施例を示す。永久磁石１５の両極にヨーク磁
性体１６，１７を接続し，この各ヨーク磁性体１６，１
７と，磁場空間６を形成する間隔をあけて対向配置した
磁場形成用ヨーク磁性体１８，１９とを，間隔Ｇを隔て
対向させて磁気回路を構成している。間隔Ｇは永久磁石
１５とヨーク磁性体１６，１７とが形成するブロックを
移動させて調節することができる。尚，間隔Ｇ調整のた
めのギャップ調整器の図示は，先例と同様に実施される
ものとして省略している。本構成による場合の磁場強度
の変化は，前記の２例と異なり，永久磁石１５からの磁
束が磁場形成用ヨーク磁性体１８，１９へ流れる途中に
間隔Ｇを設けて，この間隔Ｇ部分から磁束が洩れること
を利用して，磁場空間６へ達する磁束の量を調節するも
のである。従って，間隔Ｇを調整することにより，磁場
空間６における磁場強度を変化させることができる。磁
場空間６の磁場強度を変化させても，磁場を形成する磁
場形成用ヨーク磁性体１８，１９の対向間隔は一定であ
るので，磁場分布の一様性は変化しない。
間６を形成する間隔をあけて永久磁石１１および１２を
対向配置し，各永久磁石１１，１２の対向極の反対極を
ヨーク磁性体１３で接続して逆Ｃの字形の磁気閉回路を
構成している。磁場空間６における磁場強度および磁場
分布の一様性は，先の第１実施例の構成と同様に達成さ
れる。この構成における磁場強度の調整は，図示するよ
うに各永久磁石１１，１２の着磁方向と平行に配置した
バイパス用磁性体１４と各永久磁石１１，１２との間隔
Ｇを調整することによりなされる。間隔Ｇを調整するた
めのギャップ調整器の図示は省略している。図４に本発
明の第３実施例を示す。永久磁石１５の両極にヨーク磁
性体１６，１７を接続し，この各ヨーク磁性体１６，１
７と，磁場空間６を形成する間隔をあけて対向配置した
磁場形成用ヨーク磁性体１８，１９とを，間隔Ｇを隔て
対向させて磁気回路を構成している。間隔Ｇは永久磁石
１５とヨーク磁性体１６，１７とが形成するブロックを
移動させて調節することができる。尚，間隔Ｇ調整のた
めのギャップ調整器の図示は，先例と同様に実施される
ものとして省略している。本構成による場合の磁場強度
の変化は，前記の２例と異なり，永久磁石１５からの磁
束が磁場形成用ヨーク磁性体１８，１９へ流れる途中に
間隔Ｇを設けて，この間隔Ｇ部分から磁束が洩れること
を利用して，磁場空間６へ達する磁束の量を調節するも
のである。従って，間隔Ｇを調整することにより，磁場
空間６における磁場強度を変化させることができる。磁
場空間６の磁場強度を変化させても，磁場を形成する磁
場形成用ヨーク磁性体１８，１９の対向間隔は一定であ
るので，磁場分布の一様性は変化しない。
【０００９】
【発明の効果】以上に説明した本発明によれば，永久磁
石による偏向磁石において磁場分布の一様性を保ちつつ
磁場強度を変化させることができるので，電磁石による
偏向磁石の設備費用やランニングコストの高さの課題を
解決することができる。また従来，磁場強度を変化させ
ることが困難であるため，荷電粒子の蓄積過程での偏向
磁石としての用にしか使用できなかった永久磁石による
偏向磁石を，加速過程においても使用することができる
。本発明による偏向磁石は，比較的小型の電子シンクロ
トロンや電子蓄積リング等の加速，蓄積型リングを構成
する上において，安価な建設費用と低いランニングコス
トを実現することができ，近来その要求の高い半導体デ
バイスの微細加工などの目的に寄与することができる。
石による偏向磁石において磁場分布の一様性を保ちつつ
磁場強度を変化させることができるので，電磁石による
偏向磁石の設備費用やランニングコストの高さの課題を
解決することができる。また従来，磁場強度を変化させ
ることが困難であるため，荷電粒子の蓄積過程での偏向
磁石としての用にしか使用できなかった永久磁石による
偏向磁石を，加速過程においても使用することができる
。本発明による偏向磁石は，比較的小型の電子シンクロ
トロンや電子蓄積リング等の加速，蓄積型リングを構成
する上において，安価な建設費用と低いランニングコス
トを実現することができ，近来その要求の高い半導体デ
バイスの微細加工などの目的に寄与することができる。
【図１】 本発明の第１実施例偏向磁石の模式図。
【図２】 同上装置による磁場強度変化の測定グラフ
。
。
【図３】 本発明の第２実施例偏向磁石の模式図。
【図４】 本発明の第３実施例偏向磁石の模式図。
【図５】 従来例の電磁石による偏向磁石の模式図。
【図６】 従来例の永久磁石による偏向磁石の模式図
。
。
【図７】 従来例の電磁石・永久磁石併用偏向磁石の
加速過程での模式図。
加速過程での模式図。
【図８】 同上の蓄積過程での模式図。
【図９】 加速・蓄積リングの概要図。
１…ビームダクト
３，１１，１２，１５…永久磁石
４，５，１２，１６，１７…ヨーク磁性体６…磁場空間
７，１４…バイパス用磁性体
１８，１９…磁場形成用ヨーク磁性体（ヨーク磁性体）
Ｇ…間隔
Ｇ…間隔
Claims (2)
- 【請求項１】 永久磁石にヨーク磁性体を接続した磁
気閉回路に開路を設けて磁場空間を形成し，該磁場空間
の磁場方向に直交する方向に荷電粒子のビーム方向を設
定した荷電粒子偏向磁石において，前記永久磁石に隣接
して磁気バイパス用磁性体を永久磁石の着磁方向と平行
に配置し，該バイパス用磁性体と永久磁石との距離を調
整可能としたことを特徴とする荷電粒子偏向磁石。 - 【請求項２】 永久磁石にヨーク磁性体を接続した磁
気閉回路に開路を設けて磁場空間を形成し，該磁場空間
の磁場方向に直交する方向に荷電粒子のビーム方向を設
定した荷電粒子偏向磁石において，前記ヨーク磁性体の
少なくとも１箇所に間隔調整可能な間隙を設けたことを
特徴とする荷電粒子偏向磁石。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3105391A JPH04334899A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 荷電粒子偏向磁石 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3105391A JPH04334899A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 荷電粒子偏向磁石 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04334899A true JPH04334899A (ja) | 1992-11-20 |
Family
ID=14406347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3105391A Pending JPH04334899A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | 荷電粒子偏向磁石 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04334899A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004077457A1 (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-10 | Neomax Co., Ltd. | 粒子線加速器用永久磁石および磁界発生装置 |
| JP2014518443A (ja) * | 2011-07-07 | 2014-07-28 | イオネティックス コーポレイション | 小型低温超伝導等時性サイクロトロン |
-
1991
- 1991-05-10 JP JP3105391A patent/JPH04334899A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004077457A1 (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-10 | Neomax Co., Ltd. | 粒子線加速器用永久磁石および磁界発生装置 |
| JPWO2004077457A1 (ja) * | 2003-02-27 | 2006-06-08 | 株式会社Ｎｅｏｍａｘ | 粒子線加速器用永久磁石および磁界発生装置 |
| US7570142B2 (en) | 2003-02-27 | 2009-08-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Permanent magnet for particle beam accelerator and magnetic field generator |
| JP4697961B2 (ja) * | 2003-02-27 | 2011-06-08 | 日立金属株式会社 | 粒子線加速器用永久磁石および磁界発生装置 |
| JP2014518443A (ja) * | 2011-07-07 | 2014-07-28 | イオネティックス コーポレイション | 小型低温超伝導等時性サイクロトロン |
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