JPH04335232A - 光磁気記録方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、光磁気記録方法例えば
レーザー光照射による光（熱）磁気記録方法であって、
その記録の読出しはカー回転角の検出によって行うこと
ができるようにした光磁気記録方法に関わる。 【０００２】 【従来の技術】光磁気相互作用によって情報ビット（磁
区）の読み出しを行う記録媒体に対してのその情報の光
（熱）磁気記録方法においては、垂直磁化膜による磁性
薄膜を有する記録媒体に対し、その磁化の方向を膜面に
垂直な一方向に予め揃えるいわゆる初期化を施しておき
、この磁化方向と反対向きの垂直磁化を有する磁区をレ
ーザー光照射等の局部加熱により形成することによって
、２値化された情報ビットとして情報を記録している。 【０００３】光（熱）磁気記録方法においては、情報の
書き換えに先立って、記録された情報の消去（上記初期
化に相当）の過程すなわち消去のための時間を要し、高
転送レートでの記録を実現できない。これに対し、この
ような独立の消去過程の時間が不要とされた重ね書き、
いわゆるオーバーライト方式による記録方法が種々提案
されている。 【０００４】このオーバーライト方式の光磁気記録方法
の中で有望視されている方法としては、例えば媒体に対
する外部磁場変調法と、記録用のヘッドの他に消去用の
ヘッドを設ける２ヘッド法とが知られている。 【０００５】外部磁場変調法とは、例えば特公昭６０−
４８８０６号公報に開示されているように、膜面に垂直
な磁化容易軸を有する非晶質フェリ磁性薄膜記録媒体に
対する昇温用ビームの照射領域に入力デジタル信号電流
の状態に対応する極性の磁場を印加することにより記録
を行うものである。 【０００６】ところで、上述のような外部磁場変調法に
よって情報転送レートの高い高速記録を行おうとすると
、例えばＭＨｚオーダで動作する電磁石が必要となる。 このような電磁石の作製は困難であり、また作製できた
としても消費電力及び発熱が大きく実用的でないという
問題点がある。また、２ヘッド法では、余分なヘッドを
必要とし、２つのヘッドを離して設置しなければならず
、ドライブシステムへの負担が大きく、経済性が悪く、
量産にも向かない等の問題点を有している。 【０００７】そこでレーザー光等による媒体の加熱温度
を切換制御することで容易に書き換えすなわちオーバー
ライトが可能な光磁気記録方法が注目される。 【０００８】本出願人は、このような問題点の解決をは
かる光（熱）磁気記録方法を、特開昭６３−５２３５４
号出願、及び特開昭６３−５２５３５号出願で提供した
。これら出願で提案された光（熱）磁気記録方法は、第
１及び第２の希土類−遷移金属磁性薄膜の積層構造によ
る熱（光）磁気記録媒体を用い、所要の第１の外部磁場
の印加の下に第１の磁性薄膜のほぼキュリー温度Ｔｃ１
　以上でかつ第２の磁性薄膜の副格子磁化の反転が生じ
ない第１の温度Ｔ１　に加熱する第１の加熱状態と、温
度Ｔｃ１　以上でかつ第２の磁性薄膜の副格子磁化を反
転させるに充分な第２の温度Ｔ２　に加熱する第２の加
熱状態とを、記録しようとする情報例えば“０”，“１
”に応じて切換変調し、冷却過程で、第１及び第２の磁
性薄膜の交換結合力により第１の磁性薄膜の副格子磁化
の向きを第２の磁性薄膜の副格子磁化の向きに揃えて、
例えば“０”，“１”の記録ビット（磁区）を第１の磁
性薄膜に形成すると共に、第２の外部磁場によって、或
いは第２の磁性薄膜組成を、その補償温度が室温から第
２の温度Ｔ２　間に存在するように選定することによっ
て、室温で第１の外部磁場のみによって第２の磁性薄膜
の副格子磁化が反転するようにして、オーバーライト可
能な状態を得るようにするものである。 【０００９】この場合、消去のための特別の過程（時間
）を要することがなく高転送レート化を図ることができ
るとか、上述した２ヘッド方式あるいは外部磁場変調方
式による場合の諸問題を解決できる。 【００１０】上記特開昭６３−５２５３４号出願による
熱（光）磁気記録方法について説明すると、この記録方
法では、図８に温度Ｔに対応して上述した第１及び第２
の各磁性薄膜１及び２における各磁化状態を、各図示の
薄膜１及び２内に矢印をもって模式的に示すように、室
温ＴＲ　下において、両磁性薄膜１及び２の磁化の向き
が同一である状態Ａと、互いに逆向きの状態Ｂとの２態
様によって例えば“０”，“１”の情報の記録がなされ
る。 【００１１】これら記録は、記録磁界即ち第１の外部磁
場Ｈｅｘの印加と、レーザー光照射による第１及び第２
の加熱温度Ｔ１　及びＴ２　による加熱によって行われ
る。 【００１２】まず例えば状態Ａにある部位に対してレー
ザー光を照射して、このレーザー光の強度あるいは照射
時間を記録信号に応じて変調制御してその加熱温度Ｔを
、第１の磁性薄膜１のほぼキュリー温度Ｔｃ１　以上で
かつ所要の記録磁界（外部磁場）Ｈｅｘによって第２の
磁性薄膜２に磁化反転の生じない第１の加熱温度Ｔ１　
に加熱する。このような加熱を行うと第１の磁性薄膜１
は磁化を失う状態Ｃを示すが、この加熱が終了して磁性
薄膜１及び２の積層膜が温度Ｔｃ１　以下に下がると第
１の磁性薄膜１に磁化が生じる。このとき、第２の磁性
薄膜２との交換結合力が支配的となるようになされてい
て、これによって第１の磁性薄膜１の磁化の向きは、第
２の磁性薄膜２と同一の向きとされる。つまり、状態Ａ
を生じさせて、例えば“０”の情報の記録を行う。 【００１３】一方、加熱温度Ｔを、上述の温度Ｔ１　よ
り高くかつ第２の磁性薄膜２の磁化を記録磁界（外部磁
場）Ｈｅｘによって反転することができる第２の加熱温
度Ｔ２　に加熱する。このような加熱を行うと第１の磁
性薄膜１は磁化を失い、一方、第２の磁性薄膜２が記録
磁界Ｈｅｘによってその磁化が反転した状態Ｄが生じる
が、この加熱が終了して磁性薄膜１及び２の積層膜が温
度Ｔｃ１　に下がると第１の磁性薄膜１に第２の磁性薄
膜２による交換結合力によって状態Ｅ、すなわちもとの
初期状態とはその磁化の向きが逆の状態が形成される。 このとき第２の磁性薄膜に対する初期化磁界即ち第２の
外部磁界、いわば外部補助磁場ＨＳＵｂ　を印加して室
温ＴＲ　近傍で保磁力が比較的低く選定されている第２
の磁性薄膜２のみの磁化の向きを反転させ、両磁性薄膜
１及び２間に磁壁ＭＷが生じた磁化状態Ｂ、つまり磁化
状態Ａとは第１の磁性薄膜１の磁化の向きのみが反転し
た状態Ｂを生じさせて例えば“１”の情報の記録を行う
。 【００１４】このように状態Ａ及び状態Ｂにより情報“
０”，“１”の記録がなされこの第１の磁性薄膜１によ
る磁化の向きを読み出しレーザー光照射のカー回転によ
って検出するものである。 【００１５】この場合これら状態Ａ及び状態Ｂのいずれ
においてもこれの上に光強度変調オーバーライトが可能
である。すなわちいずれの状態Ａ、状態Ｂからも温度Ｔ
１　及びＴ２　の加熱を行う場合、状態Ｃの過程を経る
ことによって前述したと同様に温度Ｔ１　及びＴ２　の
選定によって初期の状態が状態Ａであるか状態Ｂである
かを問わず情報“０”及び“１”によって状態Ａ及び状
態Ｂのオーバーライトが可能となる。 【００１６】ところで、上述の構成による光磁気記録媒
体では、その第１及び第２の磁性薄膜１及び２の積層膜
の界面には、交換エネルギーが働いており、このために
第１の状態Ｂでは磁壁ＭＷが発生するものであり、この
磁壁エネルギーσＷ　は、下記数１となる。 【００１７】 【数１】 σＷ　≒２（（Ａ１　Ｋ１　）１／２　＋（Ａ２　Ｋ２
　）１／２　）【００１８】（Ａ１　及びＡ２　，Ｋ１
　及びＫ２　はそれぞれ第１及び第２の磁性薄膜１及び
２の交換定数、垂直磁気異方性定数）そして、そのオー
バーライトのために必要な条件は、室温（−２０℃〜６
０℃）において状態Ｂから状態Ａへの移行が生じること
がないようにするための条件下記数２となる。 【００１９】 【数２】Ｈｃ１　＞Ｈｗ１　＝σＷ　／２ＭＳ１ｈ１　
【００２０】また状態Ｂから状態Ｅへの移行が生じない
ようにするために下記数３の条件を満足することが必要
である。 【００２１】 【数３】Ｈｃ２　＞Ｈｗ２　＝σＷ　／２Ｍｓ２ｈ２　
【００２２】さらにまた状態Ｅにおいて、その第１の磁
性薄膜１が、外部補助磁場ＨＳＵｂ　によって反転して
しまうことがないようにするためには、 【００２３】 【数４】Ｈｃ１　±Ｈｗ１　＞ＨＳＵｂ　【００２４】
ここに左辺の＋−は、第１の磁性薄膜１が希土類金属優
勢膜であり、第２の磁性薄膜２が遷移金属優勢膜である
場合は「＋」となり、第１及び第２の磁性薄膜１及び２
が共に遷移金属優勢膜である場合は「−」となる。 【００２５】一方状態Ｅから状態Ｂへの移行を生じせし
めるためには、下記数５を満足することが必要である。 【００２６】 【数５】 ＨＳＵｂ　＞Ｈｃ２　＋Ｈｗ２　＝Ｈｃ２　＋σＷ　／
２Ｍｓ２　ｈ２　【００２７】また、さらに加熱温度が
第１の磁性薄膜１のキュリー温度Ｔｃ１　近傍において
、状態Ｃから状態Ａへの移行、すなわち第１の磁性薄膜
１の磁化の向きが第２の磁性薄膜２の磁化の向きに揃え
られるためには、下記数６の条件が満足されることが必
要である。 【００２８】 【数６】Ｈｗ１　＞Ｈｃ１　＋Ｈｅｘ 【００２９】さらに状態Ｃから状態Ｅへの移行が生じな
いために、下記数７の条件が満足されることが必要であ
る。 【００３０】 【数７】Ｈｃ２　−Ｈｗ２　＞Ｈｅｘ 【００３１】尚、上記各式においてＨｗ１　及びＨｗ２
　は上記数２及び数３で定義された交換結合力による実
効的磁界、Ｈｃ１　及びＨｃ２　、Ｍｓ１　及びＭｓ２
　、ｈ１　及びｈ２　はそれぞれ第１及び第２の磁性薄
膜の保磁力、飽和磁化、厚さである。 【００３２】これらより明らかなように、室温において
は上記数２及び数３を満足し得る上で磁壁エネルギーσ
Ｗ　は小さい方が望ましいが、実際には例えば文献：イ
ンターマグ’８７（Ｉｎｔｅｒｍａｇ’８７）ＢＢ−０
７よりＫ〜４×１０６　ｅｒｇ／ｃｍ３　，Ａ＝２×１
０−６ｅｒｇ／ｃｍと推定すると、σＷ　≒２．５ｅｒ
ｇ／ｃｍ３　という可成り高い値を示す。 【００３３】一方、２層膜ヒステリシスループからの実
測値ではσＷ　＝３〜８ｅｒｇ／ｃｍ３　にある。今、
仮にσＷ　＝５ｅｒｇ／ｃｍ２　とし、ＨｃＭｓ≒０．
４５×１０６　ｅｒｇ／ｃｍ２　を用いてＨｅｘ＝２ｋ
Ｏｅとして上記数７を室温ＴＲ　で確保するには、すな
わちＨｃ２　−Ｈｗ２　＞２ｋＯｅを確保するには、ｈ
２　＝１１００Å，Ｈｃ２　＝４ｋＯｅ，Ｈｗ２　≦２
ｋＯｅ程度となり、第２の磁性薄膜２の膜厚ｈ２　が大
きくなるとともに上記数５より外部補助磁場ＨＳＵｂ　
が大きくなる。 【００３４】一方、前述の図８で説明した光磁気記録方
法において、その室温での磁壁エネルギー密度σＷ　を
小さくし、かつ上記数５を満足させるようなσＷ　の温
度特性を改善することによって第２の磁性薄膜２の膜厚
ｈ２　及び外部補助磁場ＨＳＵｂ　の減少をはかるもの
として本出願人は先に特開平２−２４８０１号及び特開
平２−１２１１０３号において熱磁気記録方法の提案を
なした。 【００３５】上記特開平２−２４８０１号出願で提案さ
れた記録方法においては、図９に示す光磁気記録媒体１
０を用意するものである。この光磁気記録媒体１０は、
垂直磁気異方性を有する第１及び第２の磁性薄膜１及び
２が面内磁気異方性もしくは小さい垂直磁気異方性を有
する第３の磁性薄膜３を介して順次磁気的に結合されて
積層された積層膜を有してなる。 【００３６】そしてこの記録媒体１０に対してレーザー
光照射による温度Ｔを図８で説明したと同様に図９に示
すように、第１及び第２の温度Ｔ１　及びＴ２　に加熱
することによる情報記録を行う。すなわち、第１の磁性
薄膜１のほぼキュリー温度Ｔｃ１　以上でかつ第２の磁
性薄膜２の磁気モーメントの反転の生じない第１の温度
Ｔ１　に加熱する第１の加熱状態と、第１の磁性薄膜１
のキュリー温度Ｔｃ１　以上でかつ第２の磁性薄膜２の
磁気モーメントを反転させるに充分な第２の温度Ｔ２　
に加熱する第２の加熱状態とを、記録しようとする情報
信号に応じて変調し、それぞれの加熱状態から冷却する
ことにより上述した状態Ａ及び状態Ｂを得る。 【００３７】このような方法においても、第１の磁性薄
膜１の磁化状態によって情報記録を行うものであるが、
この方法による場合、第１及び第２の磁性薄膜１及び２
が面内磁気異方性もしくは小さい垂直磁気異方性を有す
る第３の磁性薄膜３を介して磁気的に結合されているこ
とによって、第１および第２の磁性薄膜１及び２間の磁
壁エネルギーσＷ　が低減化され、これによって上記数
５の条件が満たされやすくなり、前記状態ＥからＢへの
移行すなわち第２の磁性薄膜２の初期化のための外部補
助磁場ＨＳＵｂ　の低減化をはかることができると共に
積層膜全体の厚さの低減化をはかることができる。 【００３８】ところで、前述した図８及び図９のいずれ
の場合も、第２の磁性薄膜２は、記録される磁区状態を
決める役割と、初期化磁界（外部補助磁場）の大きさを
決める役割とが課せられる。つまり第２の磁性薄膜２と
しては、初期化磁界を小さくするために、室温ＴＲ　で
のおおよその保磁力Ｈｃ２　が小さい材料を用いること
が望まれるが、このように室温での保磁力Ｈｃ２　が小
さく実効的な垂直磁気異方性が小さいときは、記録磁区
状態（形状、磁化状態）が乱れ、記録時ノイズが増加し
、Ｓ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）が充分高められない。 【００３９】 【発明が解決しようとする課題】本発明においては、こ
の初期化磁界（外部補助磁界ＨＳＵｂ　）の低減化とノ
イズの低減化との相容れない課題の解決をはかることを
目的とする。 【００４０】 【課題を解決するための手段】本発明は、例えば図１に
その一例の略線的断面図を示すように、少なくともそれ
ぞれ垂直磁気異方性を有する第１及び第２の磁性薄膜１
及び２が積層されてなり、第２の磁性薄膜２は、交換結
合された第１及び第２の構成膜２１及び２２が積層され
てなる光磁気記録媒体Ｓを構成する。第１及び第２の構
成膜２１及び２２の室温における保磁力をそれぞれＨｃ
２−１及びＨｃ２−２　とし、キュリー温度をそれぞれ
Ｔｃ２−１　及びＴｃ２−２　とするとき図２にその関
係を曲線１２１及び１２２で示すように、Ｈｃ２−１　
＞Ｈｃ２−２　、Ｔｃ２−１　＞Ｔｃ２−２　とされる
。 【００４１】そして光磁気記録媒体Ｓを用いて第１の磁
性薄膜１のほぼキュリー温度Ｔｃ１　近傍で第２の磁性
薄膜２の磁気モーメントの反転を生じさせることのない
第１の温度Ｔ１　に加熱する第１の加熱状態と、キュリ
ー温度Ｔｃ１　以上で第２の磁性薄膜２の磁気モーメン
トを反転させるに充分な温度Ｔ２　に加熱する第２の加
熱状態とを、記録しようとする情報信号に応じて変調し
、第１及び第２の加熱状態からの冷却過程で上記第２の
磁性薄膜２における磁気モーメントが共に同一状態の向
きとなるようにする。 【００４２】 【作用】本発明方法においても、その磁化態様は、図８
若しくは図９で説明した過程と同様の過程による記録、
再生方法が採られるが、上述したように本発明において
は、第２の磁性薄膜２を第１及び第２の構成膜２１及び
２２によって構成し、室温での保磁力Ｈｃ１−１　及び
Ｈｃ２−２　をＨｃ２−１　＞Ｈｃ２−２　としたこと
によって、この第２の磁性薄膜２全体の反転磁界Ｈｅｆ
ｆ（保磁力）Ｈｃ２　としては、保磁力の小さい第２の
構成膜２２の存在によってその低減化が図られることか
ら、前記数５によって初期化磁界（補助磁界）ＨＳＵｂ
　を低く抑えた状態で、Ｔｃ２−１　＞Ｔｃ２−２　と
したことから、図Ａで説明した記録温度Ｔ２　では、Ｔ
ｃ２−１　＞Ｔ２−２　とすることによって、この記録
時において保磁力の小さい第２の構成膜２２は実質的に
その磁気的特性を失うようにすることができ、これの情
報磁区の形成への関与を回避され、高いＳ／Ｎ（Ｃ／Ｎ
）を確保できる。つまり保磁力の高い第１の構成膜２１
によって情報磁区が形成されることから、発生した記録
磁区は鮮明となり、Ｓ／Ｎ（Ｃ／Ｎ）にすぐれた光磁気
記録を行うことができるものである。 【００４３】 【実施例】本発明の一例を説明するに、まず図１を参照
してこれに用いる光磁気記録媒体Ｓについて説明する。 この光磁気記録媒体Ｓは例えばガラス板やアクリル板等
の光透過性基板５の一方の面に、保護膜または干渉膜と
なる透明の誘電体６を介して、第１の磁性薄膜１と、第
３の磁性薄膜３と、更に第２の磁性薄膜２を構成する第
１及び第２の構成膜２１及び２２とを順次例えばマグネ
トロン型スパッタ装置によって多源ターゲットをもって
形成する。 【００４４】第１の磁性薄膜１は、希土類−遷移金属薄
膜による垂直磁気異方性の大きい磁性薄膜によって構成
される。 【００４５】第２の磁性薄膜２の第１及び第２の構成膜
２１と２２とは、比較的大きい垂直磁気異方性を有する
材料と垂直磁気異方性の弱い磁性材料とにより構成する
。第３の磁性薄膜３は、室温で面内磁気異方性もしくは
第１及び第２の磁性薄膜１及び２に比し小さい垂直磁気
異方性の例えば１×１０６　ｅｒｇ／ｃｍ３　以下であ
ることが好ましく、かつ、その有効異方性定数Ｋの温度
特性曲線が、上に凸の特性ないしは直線的特性を示す希
土類優勢金属膜で、室温での飽和磁化Ｍｓが０〜４５０
ｅｍｕ／ｃｍ３　であることがのぞましい。 【００４６】実施例１ 図３に示すように、光透過性基板５上に、誘電体膜６を
介してそれぞれ厚さ４００Åの第１の構成膜２１と第２
の構成膜２２とをスパッタした場合の特性についてみる
。 【００４７】この場合、第１の構成膜２１は、飽和磁化
Ｍｓ２−１　＝２１７ｅｍｕ／ｃｍ３　、保磁力Ｈｃ２
−１　＝４．７（ｋＯｅ）、キュリー温度Ｔｃ２−１　
＝３２４℃、補償温度Ｔｃｏｍｐ＝１９０℃の特性を有
する（Ｇｄ３　Ｔｂ）（Ｆｅ６６Ｃｏ３０Ｃｒ４　）に
よって構成した。 【００４８】また、第２の構成膜２２は、キュリー温度
Ｔｃ２−２　が第１の構成膜２１のキュリー温度Ｔｃ２
−２　が第１の構成膜２１のキュリー温度Ｔｃ２−１　
より充分低い例えば２００℃のＧｄ（Ｆｅ９１Ｃｏ５　
Ｃｒ４　）によって構成した。 【００４９】この構成による磁性薄膜２について、第２
の構成膜２２の飽和磁化Ｍｓ２−２　を、希土類元素の
Ｇｄの添加量を変えることによって変化させて、それぞ
れのＣ／Ｎを測定した結果を図４中●印（実線曲線）を
もってプロットした。 【００５０】比較例１ 第１の構成膜２１については、実施例１と同様の磁性膜
によって構成し、第２の構成膜２２については、Ｇｄ（
Ｆｅ６６Ｃｏ３０Ｃｒ４　）のキュリー温度Ｔｃ２−２
　が３５０〜３６０℃程度のものによって構成した。こ
の場合の同様のＭｓ２−２　を変えてＣ／Ｎを測定した
結果を図４中○印（破線曲線）をもってプロットして示
した【００５１】尚、この場合のＣ／Ｎの測定は、記録
磁界を３００（Ｏｅ）とし、照射レーザ光の実施例１及
び比較例の各媒体に対する各相対線速度を１０ｍ／ｓｅ
ｃ、記録周波数５ＭＨｚとした場合である。 【００５２】また図５に、実施例１及び比較例における
第１及び第２の構成膜２１及び２２の全体としての保磁
力Ｈｅｆｆ　の、同様に第２の構成膜２２の飽和磁化Ｍ
ｓ２−２　を変化させて測定した結果をそれぞれ●印（
実線曲線）及び○印（破線曲線）でプロットした。 【００５３】図４をみて明らかなように、本発明実施例
１におけるように、Ｈｃ２−１　＞Ｈｃ２−２　と共に
、Ｔｃ２−１＞Ｔｃ２−２　としたものは、高いＣ／Ｎ
が得られている。そして、図５の本発明実施例１による
実線曲線によれば、例えばＨｅｆｆ　＝２．２ｋＯｅと
なるＭｓ２−２　は約１７０ｅｍｕ／ｃｃとなるが、こ
のＭｓ２−２　＝１７０ｅｍｕ／ｃｃでのＣ／Ｎを図４
の実線曲線からみると、Ｃ／Ｎは約５２ｄＢが得られる
。因みに、上述の構成膜２１の単層構造では、Ｃ／Ｎは
５３ｄＢ程度であるので、実施例１におけるように第１
及び第２の構成膜２１及び２２による２層構造としてＨ
ｅｆｆ　を下げても、Ｃ／Ｎに殆んど遜色がないことが
わかる。 【００５４】次に、このように、第１の構成膜２１とし
て同一の磁性膜を用いるにも拘わらず記録に差が生じる
ことの原因を調べるために、図６に第２の構成膜２２の
飽和磁化Ｍｓ２−２　を変化させたときの補償温度の測
定結果を図６に示す。図６において●印及び○印は実施
例１及び比較例１によるもの、△印は比較例１における
第２の構成膜２２のみの厚さ８００Åとした単層構造と
した場合のものである。尚、図６中実線の直線６１は実
施例１及び比較例１における第１の構成膜のみの補償温
度Ｔｃｏｍｐを表わしたものである。 【００５５】図６から明らかなように、第２の構成膜２
２がＧｄ（Ｆｅ９１Ｃｏ５　Ｃｒ４　）の実施例１では
、●印（実線曲線）のように第２の構成膜の組成の影響
を殆んど受けることなく、Ｔｃｏｍｐは殆んど変化しな
いが、第２の構成膜２２がＧｄ（Ｆｅ６６Ｃｏ３０Ｃｒ
４　）の比較例１の○印（破線曲線）では、Ｇｄ（Ｆｅ
６６Ｃｏ３０Ｃｒ４　）の単層の△印（鎖線曲線）で示
す補償温度変化に対応して変化している。このように、
第２の構成膜２２のキュリー温度Ｔｃ２−２　が低いＧ
ｄ（Ｆｅ９１Ｃｏ５　Ｃｒ４　）では、高温で第１の構
成膜２１の特性に影響を与えないことがわかる。 【００５６】つまり、実施例１では第１の構成膜２１の
記録特性に余り影響を与えずに良好なＣ／Ｎを確保し、
しかも室温における反転磁界Ｈｅｆｆ　を低めることが
できる。 【００５７】実施例２ 実施例１の構成を採り、第２の磁性薄膜２として反転磁
界Ｈｅｆｆ　＝２．４ｋＯｅ、Ｃ／Ｎが約５２ｄＢとし
た光磁気ディスクを作製した。 【００５８】比較例２ 保磁力Ｈｃが２．７ｋＯｅの（Ｇｄ３　Ｔｂ）（Ｆｅ６
６Ｃｏ３０Ｃｒ４　）の単層膜による光磁気ディスクを
作製した。 【００５９】図７中●印及び△印はそれぞれ実施例２と
比較例２の図Ａ，Ｂで説明した記録磁界ＨｅｘとＣ／Ｎ
の関係の測定結果を示す。これによればＨｅｘの小さい
ところで第２の磁性薄膜２が２層構造のものは、単層膜
に比し約７ｄＢ　　Ｃ／Ｎの向上がはかられる。 【００６０】実施例３ 図１に示す構造を有し、第１の磁性薄膜１が厚さ４００
ÅのＴｂ（Ｆｅ９１Ｃｏ５　Ｃｒ４　）によって構成さ
れ、第３の磁性薄膜３が厚さ１５０ÅのＧｄ（ＦｅＣｏ
９１Ｃｒ４　）によって構成され、第２の磁性薄膜２が
厚さ４００Åの（Ｇｄ３　Ｔｂ）（Ｆｅ６６Ｃｏ３０Ｃ
ｒ４　）による第１の構成膜２１と、厚さ４００ÅのＧ
ｄ（Ｆｅ９１Ｃｏ５　Ｃｒ４　）による第２の構成膜２
２とによるＨｃ２−１　＞Ｈｃ２−２　、Ｔｃ２−１　
＞Ｔｃ２−２　とした構成の２通りの光磁気ディスク（
試料１及び２）を作製した。 【００６１】比較例３ 実施例３と同様の構成によるが、第２の磁性薄膜２を、
単層とした光磁気ディスク（試料３）を作製した。 【００６２】各試料１〜３の特性を下記表１に示す。 【００６３】 【表１】 【００６４】これより明らかなように、本発明による試
料１及び２は、本発明によらない試料３に比し、記録磁
界Ｈｅｘを小さくでき、初期化磁界ＨＳＵｂを低く抑え
た状態でＣ／Ｎの向上がはかられる。 【００６５】尚、上述の本発明で用いる光磁気記録媒体
の第１及び第２の構成膜２１及び２２の積層関係は、互
いに上下いずれでも良い。 【００６６】 【発明の効果】上述したように本発明によれば、Ｃ／Ｎ
を確保しつつ、記録のための印加磁界、即ち図８及び図
９の記録過程における外部磁界ＨＳＵｂ　及びＨｅｘを
低めることができるので、これら外部磁界を与えるため
の磁界発生手段の小型化、消費電力の低減化等をはかる
ことができるなど実用上大きな利点を有する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による光磁気記録媒体の断面図である。

【図２】温度−保磁力曲線図である。

【図３】第２の磁性膜の構成図である。

【図４】Ｃ／Ｎ測定曲線図である。

【図５】保磁力測定曲線図である。

【図６】補償温度測定曲線図である。

【図７】Ｃ／Ｎ測定曲線図である。

【図８】磁化状態図である。

【図９】磁化状態図である。

【符号の説明】

Ｓ　　光磁気記録媒体 １　　第１の磁性薄膜 ２　　第２の磁性薄膜 ２１　　第１の構成膜 ２２　　第２の構成膜 ３　　第３の磁性薄膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　少なくともそれぞれ垂直磁気異方性を
   有する第１及び第２の磁性薄膜が積層されてなり、上記
   第２の磁性薄膜は、交換結合された第１及び第２の構成
   膜が積層されてなり、上記第１及び第２の構成膜の室温
   における保磁力をそれぞれＨｃ２−１　及びＨｃ２−２
   　とし、キュリー温度をそれぞれＴｃ２−１　及びＴｃ
   ２−２　とするときＨｃ２−１　＞Ｈｃ２−２　、Ｔｃ
   ２−１　＞Ｔｃ２−２　とされた光磁気記録媒体を用い
   、上記第１の磁性薄膜のほぼキュリー温度Ｔｃ１　近傍
   で上記第２の磁性薄膜の磁気モーメントの反転を生じさ
   せることのない第１の温度Ｔ１　に加熱する第１の加熱
   状態と、上記キュリー温度Ｔｃ１　以上で上記第２の磁
   性薄膜の磁気モーメントを反転させるに充分な温度Ｔ２
   　に加熱する第２の加熱状態とを、記録しようとする情
   報信号に応じて変調し、上記第１及び第２の加熱状態か
   らの冷却過程で上記第２の磁性薄膜における磁気モーメ
   ントが共に同一状態の向きとなるようにすることを特徴
   とする光磁気記録方法。