JPH04335593A - フレキシブルプリント両面配線基板の製造方法 - Google Patents
フレキシブルプリント両面配線基板の製造方法Info
- Publication number
- JPH04335593A JPH04335593A JP13329491A JP13329491A JPH04335593A JP H04335593 A JPH04335593 A JP H04335593A JP 13329491 A JP13329491 A JP 13329491A JP 13329491 A JP13329491 A JP 13329491A JP H04335593 A JPH04335593 A JP H04335593A
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- JP
- Japan
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- film
- conductive thin
- thin film
- photoresist
- organic
- Prior art date
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- Pending
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- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、フレキシブルプリン
ト両面配線基板の製造方法に関する。
ト両面配線基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】フレキシブルプリント両面配線基板は、
樹脂フィルムの両面に銅等の導電薄膜を被着させた厚み
が１００μｍ程度の導電薄膜張りフィルムの所定位置に
スルーホールを形成した後、その導電薄膜の上面及びス
ルーホールの内周面に銅等よりなる両面導電薄膜を設け
、その後フォトリングラフィーにより導電薄膜と両面導
電薄膜とからなる配線パターンを形成することにより製
造されている。このフォトリングラフィーにおいて、フ
ォトレジストを使用し、回路パターンに相当する両面導
電薄膜及びスルーホールをフォトレジスト膜によって覆
う必要があった。ところが、スルーホールが形成された
導電薄膜張りフィルムの場合、液状のフォトレジストを
使用すると、フォトレジスト液の表面張力や、粘性等の
影響で、導電薄膜張りフィルムの両面のスルーホールの
開口部の周縁、及びスルーホールの内周面をフォトレジ
ストで完全に覆うことができず、この部分がエッチング
されてしまった。
樹脂フィルムの両面に銅等の導電薄膜を被着させた厚み
が１００μｍ程度の導電薄膜張りフィルムの所定位置に
スルーホールを形成した後、その導電薄膜の上面及びス
ルーホールの内周面に銅等よりなる両面導電薄膜を設け
、その後フォトリングラフィーにより導電薄膜と両面導
電薄膜とからなる配線パターンを形成することにより製
造されている。このフォトリングラフィーにおいて、フ
ォトレジストを使用し、回路パターンに相当する両面導
電薄膜及びスルーホールをフォトレジスト膜によって覆
う必要があった。ところが、スルーホールが形成された
導電薄膜張りフィルムの場合、液状のフォトレジストを
使用すると、フォトレジスト液の表面張力や、粘性等の
影響で、導電薄膜張りフィルムの両面のスルーホールの
開口部の周縁、及びスルーホールの内周面をフォトレジ
ストで完全に覆うことができず、この部分がエッチング
されてしまった。
【０００３】そこで採用されたのがドライフィルムフォ
トレジストを用いたテンティング法と呼ばれる方法であ
る。この方法を図５及び図６を用いて説明する。まず、
樹脂フィルム１の両面に銅等の導電薄膜２が被着された
導電薄膜張りフィルム３を用意する。この導電薄膜張り
フィルム３の所定箇所にスルーホール４を形成し、スル
ーホール４の内周面と、導電薄膜２の上面（導電薄膜張
りフィルムの両面）に電解めっき、あるいは無電解めっ
きにより銅等よりなる両面導電薄膜５を形成する。次に
、厚さ５０μｍ程度のドライフィルムフォトレジスト６
を導電薄膜張りフィルム３の両面にラミネートし、所定
のマスクを介して露光を行なう。つづいて現像を行ない
、回路パターンに対応したドライフィルムフォトレジス
ト６を残す。この状態を図５に示す。続いて、塩化第二
銅等を含んだ酸性エッチング液で両面導電薄膜５及び導
電薄膜２のエッチングを行ない、図６に示すように両面
導通配線を形成する。このような方法を採用すると、ス
ルーホール４内、及びその開口部の周縁の導電薄膜５は
エッチングされずに確実に残る。
トレジストを用いたテンティング法と呼ばれる方法であ
る。この方法を図５及び図６を用いて説明する。まず、
樹脂フィルム１の両面に銅等の導電薄膜２が被着された
導電薄膜張りフィルム３を用意する。この導電薄膜張り
フィルム３の所定箇所にスルーホール４を形成し、スル
ーホール４の内周面と、導電薄膜２の上面（導電薄膜張
りフィルムの両面）に電解めっき、あるいは無電解めっ
きにより銅等よりなる両面導電薄膜５を形成する。次に
、厚さ５０μｍ程度のドライフィルムフォトレジスト６
を導電薄膜張りフィルム３の両面にラミネートし、所定
のマスクを介して露光を行なう。つづいて現像を行ない
、回路パターンに対応したドライフィルムフォトレジス
ト６を残す。この状態を図５に示す。続いて、塩化第二
銅等を含んだ酸性エッチング液で両面導電薄膜５及び導
電薄膜２のエッチングを行ない、図６に示すように両面
導通配線を形成する。このような方法を採用すると、ス
ルーホール４内、及びその開口部の周縁の導電薄膜５は
エッチングされずに確実に残る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の製造方法では、ドライフィルムフォトレジスト
の膜厚が５０μｍ程度であるため、パターン形成時の解
像度が同様に５０μｍ程度となってしまう。この結果、
５０μｍ以下の高解像度を得ることができず、微細な回
路パターンを形成することができないと言う問題点があ
った。この発明は上述した事情に鑑みなされたもので、
その目的とするところは微細な回路パターンを形成でき
るフレキシブルプリント両面配線基板の製造方法を提供
することにある。
た従来の製造方法では、ドライフィルムフォトレジスト
の膜厚が５０μｍ程度であるため、パターン形成時の解
像度が同様に５０μｍ程度となってしまう。この結果、
５０μｍ以下の高解像度を得ることができず、微細な回
路パターンを形成することができないと言う問題点があ
った。この発明は上述した事情に鑑みなされたもので、
その目的とするところは微細な回路パターンを形成でき
るフレキシブルプリント両面配線基板の製造方法を提供
することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明においては、上
述した目的を達成するために、フレキシブルプリント両
面配線基板製造方法として、両面を貫通するスルーホー
ルを有し、内面及び該スルーホールに導電薄膜が備えら
れた導電薄膜張りフィルムの該導電薄膜の上面にネガ回
路パターンのフォトレジスト膜を形成する工程と、前記
導電薄膜における前記スルーホールを含む前記フォトレ
ジスト膜が存在していない部分に有機系水溶液浴により
有機皮膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を剥
離するとともに前記有機皮膜をエッチングマスクとして
前記フォトレジスト膜の下に位置する前記導電薄膜をエ
ッチングする工程と、前記有機皮膜を除去する工程と、
を含むことを要点とする。
述した目的を達成するために、フレキシブルプリント両
面配線基板製造方法として、両面を貫通するスルーホー
ルを有し、内面及び該スルーホールに導電薄膜が備えら
れた導電薄膜張りフィルムの該導電薄膜の上面にネガ回
路パターンのフォトレジスト膜を形成する工程と、前記
導電薄膜における前記スルーホールを含む前記フォトレ
ジスト膜が存在していない部分に有機系水溶液浴により
有機皮膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を剥
離するとともに前記有機皮膜をエッチングマスクとして
前記フォトレジスト膜の下に位置する前記導電薄膜をエ
ッチングする工程と、前記有機皮膜を除去する工程と、
を含むことを要点とする。
【０００６】
【作用】まず、両面に導電薄膜が被着されかつスルーホ
ールが形成された導電薄膜張りフィルムのスルーホール
の内周面、及び導電薄膜の上面にめっき等の方法で両面
導電薄膜を形成し、つづいて、このスルーホール部分を
除いて、導電薄膜張りフィルムの両面に液状のフォトレ
ジストによるネガ回路パターンのフォトレジスト膜を形
成する。このフォトレジスト膜は液状のフォトレジスト
によって形成されているため微細なパターンとすること
ができる。次に、有機系水溶液浴を行なう。すると、前
記ネガ回路パターンのフォトレジスト膜が存在していな
い部分、すなわちスルーホールの内周面と、その開口部
の周縁を含んだ回路パターンに相当する両面導電薄膜の
上面に有機皮膜が形成される。この有機皮膜はフォトレ
ジスト膜が存在していない部分に形成されるので、同様
に微細なパターンとすることができる。続いて、ネガ回
路パターンのフォトレジスト膜を剥離するとともに、有
機皮膜をエッチングマスクとして用い、フォトレジスト
膜の下に位置する両面導電薄膜及び導電薄膜をエッチン
グする。そしてこの有機皮膜を除去すれば、両面導電薄
膜及び導電薄膜がポジ回路パターンで表われ、フレキシ
ブルプリント両面配線基板が完成する。
ールが形成された導電薄膜張りフィルムのスルーホール
の内周面、及び導電薄膜の上面にめっき等の方法で両面
導電薄膜を形成し、つづいて、このスルーホール部分を
除いて、導電薄膜張りフィルムの両面に液状のフォトレ
ジストによるネガ回路パターンのフォトレジスト膜を形
成する。このフォトレジスト膜は液状のフォトレジスト
によって形成されているため微細なパターンとすること
ができる。次に、有機系水溶液浴を行なう。すると、前
記ネガ回路パターンのフォトレジスト膜が存在していな
い部分、すなわちスルーホールの内周面と、その開口部
の周縁を含んだ回路パターンに相当する両面導電薄膜の
上面に有機皮膜が形成される。この有機皮膜はフォトレ
ジスト膜が存在していない部分に形成されるので、同様
に微細なパターンとすることができる。続いて、ネガ回
路パターンのフォトレジスト膜を剥離するとともに、有
機皮膜をエッチングマスクとして用い、フォトレジスト
膜の下に位置する両面導電薄膜及び導電薄膜をエッチン
グする。そしてこの有機皮膜を除去すれば、両面導電薄
膜及び導電薄膜がポジ回路パターンで表われ、フレキシ
ブルプリント両面配線基板が完成する。
【０００７】
【実施例】図１〜図４は、この発明の一実施例を説明す
る製造工程を説明するもので、各図中、図５及び図６と
同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。ま
ず、樹脂フィルム１の両面に銅等の導電薄膜２が被着さ
れてなる導電薄膜張りフィルム３にスルーホール４を形
成した後、電解めっき、あるいは無電解めっきにより両
面の導電薄膜２の上面及びスルーホール４の内周面に銅
等よりなる両面導電薄膜５を形成する。続いて導電薄膜
張りフィルム３の両面にスピンナー、あるいはロールコ
ーター等を用いて液状のフォトレジストを例えば５μｍ
程度の膜厚となるように塗布する。次いで所定パターン
のマスクを導電薄膜張りフィルム３の両面に重ねて露光
を行ない、現像処理し、図１のごとく逆パターン（ネガ
回路パターン）のフォトレジスト膜８を形成する。この
とき、フォトレジストがポジ型である場合にはネガ回路
パターンのマスクを使用し、また、フォトレジストがネ
ガ型である場合には、ポジ回路パターンのマスクを使用
する。
る製造工程を説明するもので、各図中、図５及び図６と
同一部分には同一符号を付し、その説明は省略する。ま
ず、樹脂フィルム１の両面に銅等の導電薄膜２が被着さ
れてなる導電薄膜張りフィルム３にスルーホール４を形
成した後、電解めっき、あるいは無電解めっきにより両
面の導電薄膜２の上面及びスルーホール４の内周面に銅
等よりなる両面導電薄膜５を形成する。続いて導電薄膜
張りフィルム３の両面にスピンナー、あるいはロールコ
ーター等を用いて液状のフォトレジストを例えば５μｍ
程度の膜厚となるように塗布する。次いで所定パターン
のマスクを導電薄膜張りフィルム３の両面に重ねて露光
を行ない、現像処理し、図１のごとく逆パターン（ネガ
回路パターン）のフォトレジスト膜８を形成する。この
とき、フォトレジストがポジ型である場合にはネガ回路
パターンのマスクを使用し、また、フォトレジストがネ
ガ型である場合には、ポジ回路パターンのマスクを使用
する。
【０００８】次に、アルキルイミダゾール系水溶液等の
有機系水溶液に浸漬する。アルキルイミダゾールは次の
ような構造式を有する。
有機系水溶液に浸漬する。アルキルイミダゾールは次の
ような構造式を有する。
アルキルイミダゾールは上記のような構造を持つ有機化
合物であるが、常温では水にほとんど溶けず、ある酸の
雰囲気でイオン化すると水に溶けるようになる。イオン
化したアルキルイミダゾールは銅等と強い化学反応性を
示し、銅等と錯体を形成し、銅等の表面に単分子の膜（
有機皮膜）を形成する。このようにしてできた単分子膜
上に長鎖のアルキル基によるファンデルワールスの結合
力によって、アルキルイミダゾールが次々に集合し、膜
が成長し、イミダゾール同志の水素結合力によってしっ
かりとした膜に成長する。
合物であるが、常温では水にほとんど溶けず、ある酸の
雰囲気でイオン化すると水に溶けるようになる。イオン
化したアルキルイミダゾールは銅等と強い化学反応性を
示し、銅等と錯体を形成し、銅等の表面に単分子の膜（
有機皮膜）を形成する。このようにしてできた単分子膜
上に長鎖のアルキル基によるファンデルワールスの結合
力によって、アルキルイミダゾールが次々に集合し、膜
が成長し、イミダゾール同志の水素結合力によってしっ
かりとした膜に成長する。
【０００９】このような性質を有する有機系水溶液内に
、導電薄膜張りフィルム３を浸漬すると、スルーホール
４の内周面、及びその開口部の周縁、さらにネガ回路パ
ターンのフォトレジスト膜８以外の露出した内面導電薄
膜５の上面に、図２に示すように有機皮膜９がポジ回路
パターンとして形成される。次に、このポジ回路パター
ンの有機皮膜９をエッチングマスクとして用い、アルカ
リ性エッチング液でフォトレジスト膜８を剥離するとと
もに、さらにフォトレジスト膜８の下に位置する内面導
電薄膜５及び導電薄膜２をエッチングする。すると、導
電薄膜張りフィルム３の両面には図３に示すような有機
皮膜９によるポジ回路パターンが残る。次に、この有機
皮膜９を塩酸等によって除去すれば、図４に示すように
内面導電薄膜５と導電薄膜２とからなるポジ回路パター
ンの両面導通配線のみが残り、フレキシブルプリント両
面配線基板が完成する。
、導電薄膜張りフィルム３を浸漬すると、スルーホール
４の内周面、及びその開口部の周縁、さらにネガ回路パ
ターンのフォトレジスト膜８以外の露出した内面導電薄
膜５の上面に、図２に示すように有機皮膜９がポジ回路
パターンとして形成される。次に、このポジ回路パター
ンの有機皮膜９をエッチングマスクとして用い、アルカ
リ性エッチング液でフォトレジスト膜８を剥離するとと
もに、さらにフォトレジスト膜８の下に位置する内面導
電薄膜５及び導電薄膜２をエッチングする。すると、導
電薄膜張りフィルム３の両面には図３に示すような有機
皮膜９によるポジ回路パターンが残る。次に、この有機
皮膜９を塩酸等によって除去すれば、図４に示すように
内面導電薄膜５と導電薄膜２とからなるポジ回路パター
ンの両面導通配線のみが残り、フレキシブルプリント両
面配線基板が完成する。
【００１０】このように、上述したフレキシブルプリン
ト両面配線基板の製造方法によれば、膜厚の厚いドライ
フィルムフォトレジストを用いずに、液状のフォトレジ
ストを用いた膜厚の薄い微細なネガ回路パターンのフォ
トレジスト膜８を形成した後、有機系水溶液による微細
なポジ回路パターンの有機皮膜９とを形成し、有機皮膜
をエッチングマスクとして利用し、エッチングを行なっ
ているため、極めて微細な回路パターンを形成すること
ができる。
ト両面配線基板の製造方法によれば、膜厚の厚いドライ
フィルムフォトレジストを用いずに、液状のフォトレジ
ストを用いた膜厚の薄い微細なネガ回路パターンのフォ
トレジスト膜８を形成した後、有機系水溶液による微細
なポジ回路パターンの有機皮膜９とを形成し、有機皮膜
をエッチングマスクとして利用し、エッチングを行なっ
ているため、極めて微細な回路パターンを形成すること
ができる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
、フレキシブルプリント両面配線基板製造方法として、
両面を貫通するスルーホールを有し、内面及び該スルー
ホールに導電薄膜が備えられた導電薄膜張りフィルムの
該導電薄膜の上面にネガ回路パターンのフォトレジスト
膜を形成する工程と、前記導電薄膜における前記スルー
ホールを含む前記フォトレジスト膜が存在していない部
分に有機系水溶液浴により有機皮膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を剥離するとともに前記有機皮膜
をエッチングマスクとして前記フォトレジスト膜の下に
位置する前記導電薄膜をエッチングする工程と、前記有
機皮膜を除去する工程とを含む製造方法を採用している
ため、液状のフォトレジストを使用することができ、フ
ォトレジスト膜を薄く形成でき、極めて微細な回路パタ
ーンを形成することができる。
、フレキシブルプリント両面配線基板製造方法として、
両面を貫通するスルーホールを有し、内面及び該スルー
ホールに導電薄膜が備えられた導電薄膜張りフィルムの
該導電薄膜の上面にネガ回路パターンのフォトレジスト
膜を形成する工程と、前記導電薄膜における前記スルー
ホールを含む前記フォトレジスト膜が存在していない部
分に有機系水溶液浴により有機皮膜を形成する工程と、
前記フォトレジスト膜を剥離するとともに前記有機皮膜
をエッチングマスクとして前記フォトレジスト膜の下に
位置する前記導電薄膜をエッチングする工程と、前記有
機皮膜を除去する工程とを含む製造方法を採用している
ため、液状のフォトレジストを使用することができ、フ
ォトレジスト膜を薄く形成でき、極めて微細な回路パタ
ーンを形成することができる。
【図１】〜
【図４】この発明の一実施例におけるフレキシブルプリ
ント両面配線基板の製造方法を説明する製造工程図。
ント両面配線基板の製造方法を説明する製造工程図。
【図５】、
【図６】従来のフレキシブルプリント両面配線基板の製
造方法を説明する製造工程図。
造方法を説明する製造工程図。
１ 樹脂フィルム
２ 導電薄膜
３ 導電薄膜張りフィルム
４ スルーホール
５ 両面導電薄膜
８ フォトレジスト膜
９ 有機皮膜
Claims (1)
- 【請求項１】 両面を貫通するスルーホールを有し、
内面及び該スルーホールに導電薄膜が備えられた導電薄
膜張りフィルムの該導電薄膜の上面にネガ回路パターン
のフォトレジスト膜を形成する工程と、前記導電薄膜に
おける前記スルーホールを含む前記フォトレジスト膜が
存在していない部分に有機系水溶液浴により有機皮膜を
形成する工程と、前記フォトレジスト膜を剥離するとと
もに前記有機皮膜をエッチングマスクとして前記フォト
レジスト膜の下に位置する前記導電薄膜をエッチングす
る工程と、前記有機皮膜を除去する工程と、を含むこと
を特徴とするフレキシブルプリント両面配線基板の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13329491A JPH04335593A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | フレキシブルプリント両面配線基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13329491A JPH04335593A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | フレキシブルプリント両面配線基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04335593A true JPH04335593A (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=15101295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13329491A Pending JPH04335593A (ja) | 1991-05-10 | 1991-05-10 | フレキシブルプリント両面配線基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04335593A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014027128A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法 |
-
1991
- 1991-05-10 JP JP13329491A patent/JPH04335593A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014027128A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法 |
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