JPH04336443A - 顕微鏡 - Google Patents
顕微鏡Info
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- JPH04336443A JPH04336443A JP3107925A JP10792591A JPH04336443A JP H04336443 A JPH04336443 A JP H04336443A JP 3107925 A JP3107925 A JP 3107925A JP 10792591 A JP10792591 A JP 10792591A JP H04336443 A JPH04336443 A JP H04336443A
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- light
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 21
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/0004—Microscopes specially adapted for specific applications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B21/00—Microscopes
- G02B21/06—Means for illuminating specimens
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体のダイボン或
いは半導体チップの金パッドメッキ処理の判定検査を行
う際に使用される顕微鏡に関する。
いは半導体チップの金パッドメッキ処理の判定検査を行
う際に使用される顕微鏡に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４及び図５は、従来の顕微鏡を示す説
明図である。図４に示す顕微鏡は、顕微鏡本体１の像面
に、白黒テレビカメラ（ＣＣＤ・撮像管）２の受光面２
１を配置し、顕微鏡本体１の光路に対し光を放射する光
源３を配置している。この顕微鏡は、光源３から放射す
る光を顕微鏡光学系の光軸を通させる、所謂明視野タイ
プのもので、光源３からの光をハーフミラー１１を介し
て、テーブル４上の半導体チップ（撮像対象物）５に照
射する。半導体チップ５に照射した反射光は、ハーフミ
ラー１１を介して、顕微鏡光学系からテレビカカメラ２
の受光面２１に入射し、テレビカメラ２にビデオ信号（
画像信号）として取り込まれる。この画像信号が、画像
処理され、モニタテレビに映し出され、半導体チップの
検査判定が、自動機で実行される。一方、 図５に示
す顕微鏡は、対象物５に対し照射する光の光源３を、顕
微鏡本体１外部に配備したもので、光源３からの光は顕
微鏡光学系の光軸を通さず、直接、対象物５に放射する
、所謂暗視野タイプのものである。
明図である。図４に示す顕微鏡は、顕微鏡本体１の像面
に、白黒テレビカメラ（ＣＣＤ・撮像管）２の受光面２
１を配置し、顕微鏡本体１の光路に対し光を放射する光
源３を配置している。この顕微鏡は、光源３から放射す
る光を顕微鏡光学系の光軸を通させる、所謂明視野タイ
プのもので、光源３からの光をハーフミラー１１を介し
て、テーブル４上の半導体チップ（撮像対象物）５に照
射する。半導体チップ５に照射した反射光は、ハーフミ
ラー１１を介して、顕微鏡光学系からテレビカカメラ２
の受光面２１に入射し、テレビカメラ２にビデオ信号（
画像信号）として取り込まれる。この画像信号が、画像
処理され、モニタテレビに映し出され、半導体チップの
検査判定が、自動機で実行される。一方、 図５に示
す顕微鏡は、対象物５に対し照射する光の光源３を、顕
微鏡本体１外部に配備したもので、光源３からの光は顕
微鏡光学系の光軸を通さず、直接、対象物５に放射する
、所謂暗視野タイプのものである。
【０００３】
【考案が解決しようとする課題】図４及び図５に示す従
来の顕微鏡は、いずれも可視光源（タングステンランプ
）３を使用している。図３で示すように、可視光のタン
グステンランプ３では、６００ｎｍから８００ｎｍで発
光強度が大きな値を示し、波長の長い８５０ｎｍを越え
ると急激に小さくなる。また、撮像対象物が例えば半導
体チップであるとすると、半導体チップ５のチップ部（
ＧａＰ）５１の反射率は、５００ｎｍ近傍で最も大きく
（反射率がほぼ４０％）、波長の長い領域になるほど除
々に反射率が小さくなり、７００ｎｍ辺りから反射率約
２５％位の水平状態を示す。更に、半導体チップ面内の
金パッド部５２は、５００ｎｍ辺りでは反射率が５０％
程度であるが、波長が長い領域になるほど、除々に反射
率が大きくなり、約８００ｎｍ辺りから反射率が約１０
０％に近い値で水平状態を示す。また、ＣＣＤの感度も
、波長の小さい５００乃至７００ｎｍ辺りで大きい。 従って、図６で示すように半導体チップ５に対しタング
ステンランプ３の可視光を照射すると、金パッド部５２
の反射光とチップ部５１の反射光の強度が近接しており
、殆ど両者の間に差がなく、金パッド部５２とチップ部
５１との境界が判然としない。このため、金パッド部５
２の反射パターンを正確に認識するための最適範囲Ａが
狭く、光源の明るさ、及び２値化判定用レベル（スレッ
ショルドレベル）Ｂの設定が困難である不利があった。
来の顕微鏡は、いずれも可視光源（タングステンランプ
）３を使用している。図３で示すように、可視光のタン
グステンランプ３では、６００ｎｍから８００ｎｍで発
光強度が大きな値を示し、波長の長い８５０ｎｍを越え
ると急激に小さくなる。また、撮像対象物が例えば半導
体チップであるとすると、半導体チップ５のチップ部（
ＧａＰ）５１の反射率は、５００ｎｍ近傍で最も大きく
（反射率がほぼ４０％）、波長の長い領域になるほど除
々に反射率が小さくなり、７００ｎｍ辺りから反射率約
２５％位の水平状態を示す。更に、半導体チップ面内の
金パッド部５２は、５００ｎｍ辺りでは反射率が５０％
程度であるが、波長が長い領域になるほど、除々に反射
率が大きくなり、約８００ｎｍ辺りから反射率が約１０
０％に近い値で水平状態を示す。また、ＣＣＤの感度も
、波長の小さい５００乃至７００ｎｍ辺りで大きい。 従って、図６で示すように半導体チップ５に対しタング
ステンランプ３の可視光を照射すると、金パッド部５２
の反射光とチップ部５１の反射光の強度が近接しており
、殆ど両者の間に差がなく、金パッド部５２とチップ部
５１との境界が判然としない。このため、金パッド部５
２の反射パターンを正確に認識するための最適範囲Ａが
狭く、光源の明るさ、及び２値化判定用レベル（スレッ
ショルドレベル）Ｂの設定が困難である不利があった。
【０００４】この発明では、以上のような課題を解消さ
せ、光源に赤外発光素子を用いることで、半導体チップ
部と金パッド部の境界が正確に認識でき、光源の明るさ
及び２値化判定用レベルの設定が容易な顕微鏡を提供す
ることを目的とする。
せ、光源に赤外発光素子を用いることで、半導体チップ
部と金パッド部の境界が正確に認識でき、光源の明るさ
及び２値化判定用レベルの設定が容易な顕微鏡を提供す
ることを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】この目的を達成
させるために、この発明の顕微鏡では、次のような構成
としている。顕微鏡は、顕微鏡本体の像面にテレビカメ
ラの受光面を配置し、撮像対象物に対し明視野乃至暗視
野照明を行い、テレビカメラのビデオ信号をモニタテレ
ビで目視或いは画像処理する顕微鏡であって、前記撮像
対象物に対する照明は、赤外発光素子を光源として用い
ることを特徴としている。
させるために、この発明の顕微鏡では、次のような構成
としている。顕微鏡は、顕微鏡本体の像面にテレビカメ
ラの受光面を配置し、撮像対象物に対し明視野乃至暗視
野照明を行い、テレビカメラのビデオ信号をモニタテレ
ビで目視或いは画像処理する顕微鏡であって、前記撮像
対象物に対する照明は、赤外発光素子を光源として用い
ることを特徴としている。
【０００６】このような構成を有する顕微鏡では、赤外
発光ダイオードを光源として用いている。図３で示すよ
うに赤外発光ダイオードのスペクトルは、８５０ｎｍか
ら１０００ｎｍの範囲であって、９５０ｎｍでピーク値
を有するスペクトルを示す。つまり、波長の長い領域で
ピーク値を持つ光源である。しかも、９５０ｎｍ辺りで
は、半導体チップ部の反射率は約２５％であり、金パッ
ド部の反射率は約１００％に近い値を示している。更に
、ＣＣＤの感度は９５０ｎｍでは低いが約５０％程度を
示している。従って、図２で示すように、赤外発光ダイ
オードを光源として用い、対象物である半導体チップに
赤外放射を行った場合、金パッド部の反射光とチップ部
の反射光とに大きな差があり、両者の境界が明瞭になる
。従って、金パッド部の反射パターンを正確に認識する
ための最適範囲が広がる結果、光源の明るさ、及び２値
化判定用レベルの設定が容易となる。
発光ダイオードを光源として用いている。図３で示すよ
うに赤外発光ダイオードのスペクトルは、８５０ｎｍか
ら１０００ｎｍの範囲であって、９５０ｎｍでピーク値
を有するスペクトルを示す。つまり、波長の長い領域で
ピーク値を持つ光源である。しかも、９５０ｎｍ辺りで
は、半導体チップ部の反射率は約２５％であり、金パッ
ド部の反射率は約１００％に近い値を示している。更に
、ＣＣＤの感度は９５０ｎｍでは低いが約５０％程度を
示している。従って、図２で示すように、赤外発光ダイ
オードを光源として用い、対象物である半導体チップに
赤外放射を行った場合、金パッド部の反射光とチップ部
の反射光とに大きな差があり、両者の境界が明瞭になる
。従って、金パッド部の反射パターンを正確に認識する
ための最適範囲が広がる結果、光源の明るさ、及び２値
化判定用レベルの設定が容易となる。
【０００７】
【実施例】図１は、この発明に係る顕微鏡の具体的な一
実施例を示す斜視図である。
実施例を示す斜視図である。
【０００８】実施例では、明視野タイプの顕微鏡を示し
ている。この顕微鏡は、公知のように、顕微鏡本体（実
体顕微鏡或いは金属顕微鏡）１と、この顕微鏡本体１の
像面側に配置された白黒テレビカメラ（ＣＣＤ・撮像管
）２とから成る。つまり、テレビカメラ２の受光面２１
を、顕微鏡本体１の像面に配置している。また、光源３
は顕微鏡本体１の光学系に対し光を放射するように、顕
微鏡本体１内に配備し、光源３からの光はハーフミラー
１１を介して、光軸を通しテーブル４上の撮像対象物（
半導体チップ）５に照射するようになっている。また、
半導体チップ５に照射した反射光は、ハーフミラー１１
を介して、顕微鏡光学系からテレビカカメラ２の受光面
２１に入射し、テレビカメラ２にビデオ信号（画像信号
）として取り込まれる。この画像信号が、画像処理され
、モニタテレビに映し出される。
ている。この顕微鏡は、公知のように、顕微鏡本体（実
体顕微鏡或いは金属顕微鏡）１と、この顕微鏡本体１の
像面側に配置された白黒テレビカメラ（ＣＣＤ・撮像管
）２とから成る。つまり、テレビカメラ２の受光面２１
を、顕微鏡本体１の像面に配置している。また、光源３
は顕微鏡本体１の光学系に対し光を放射するように、顕
微鏡本体１内に配備し、光源３からの光はハーフミラー
１１を介して、光軸を通しテーブル４上の撮像対象物（
半導体チップ）５に照射するようになっている。また、
半導体チップ５に照射した反射光は、ハーフミラー１１
を介して、顕微鏡光学系からテレビカカメラ２の受光面
２１に入射し、テレビカメラ２にビデオ信号（画像信号
）として取り込まれる。この画像信号が、画像処理され
、モニタテレビに映し出される。
【０００９】この発明の特徴は、赤外発光素子を光源３
として用いた点にある。つまり、波長の長い赤外放射を
目的とする赤外発光ダイオード３を使用する。この赤外
発光ダイオード３は、図３で示すように、波長の長い８
５０ｎｍから１０００ｎｍの範囲で、９５０ｎｍをピー
ク値とする放物線を描くスペクトルを持つ。また、図３
で示すように、この９５０ｎｍの波長領域では、金パッ
ド部５２の反射率は極めて大きく（約１００％に近く）
、逆に半導体チップ部５１の反射率は、極端に小さい（
約２５％）。また、ＣＣＤは低いが感度がある（約５０
％）。つまり、赤外発光ダイオード３は金パッド部５２
の反射率とチップ部５１の反射率との差が大きく、且つ
ＣＣＤの感度が低いが存在する領域の光を放射する光源
である。
として用いた点にある。つまり、波長の長い赤外放射を
目的とする赤外発光ダイオード３を使用する。この赤外
発光ダイオード３は、図３で示すように、波長の長い８
５０ｎｍから１０００ｎｍの範囲で、９５０ｎｍをピー
ク値とする放物線を描くスペクトルを持つ。また、図３
で示すように、この９５０ｎｍの波長領域では、金パッ
ド部５２の反射率は極めて大きく（約１００％に近く）
、逆に半導体チップ部５１の反射率は、極端に小さい（
約２５％）。また、ＣＣＤは低いが感度がある（約５０
％）。つまり、赤外発光ダイオード３は金パッド部５２
の反射率とチップ部５１の反射率との差が大きく、且つ
ＣＣＤの感度が低いが存在する領域の光を放射する光源
である。
【００１０】このような構成を有する顕微鏡では、赤外
発光ダイオードを光源３として用いている。図３で示す
ように赤外発光ダイオードのスペクトルは、８５０ｎｍ
辺りから上昇し、９５０ｎｍでピークを迎え、１０００
ｎｍで８５０ｎｍと同じ最低点を持つ。つまり、波長の
大きい領域でピーク値を持つ光源である。しかも、９５
０ｎｍ辺りでは、半導体チップ部５１の反射率は約２５
％であり、金パッド部５２の反射率は約１００％に近い
値を示している。更に、ＣＣＤの感度も９５０ｎｍでは
低いが約５０％程度を示している。従って、図２で示す
ように、赤外発光ダイオードを光源３として用い、対象
物である半導体チップ５に赤外放射を行った場合、金パ
ッド部５２の反射光とチップ部５１の反射光とに大きな
差があり、両者の境界が極めて明瞭となる。これにより
、金パッド部５２の反射パターンを正確に認識するため
の最適範囲Ａが広がる結果、光源の明るさ、及び２値化
判定用レベル（スレッショルドレベルＢ）の設定が容易
となる。
発光ダイオードを光源３として用いている。図３で示す
ように赤外発光ダイオードのスペクトルは、８５０ｎｍ
辺りから上昇し、９５０ｎｍでピークを迎え、１０００
ｎｍで８５０ｎｍと同じ最低点を持つ。つまり、波長の
大きい領域でピーク値を持つ光源である。しかも、９５
０ｎｍ辺りでは、半導体チップ部５１の反射率は約２５
％であり、金パッド部５２の反射率は約１００％に近い
値を示している。更に、ＣＣＤの感度も９５０ｎｍでは
低いが約５０％程度を示している。従って、図２で示す
ように、赤外発光ダイオードを光源３として用い、対象
物である半導体チップ５に赤外放射を行った場合、金パ
ッド部５２の反射光とチップ部５１の反射光とに大きな
差があり、両者の境界が極めて明瞭となる。これにより
、金パッド部５２の反射パターンを正確に認識するため
の最適範囲Ａが広がる結果、光源の明るさ、及び２値化
判定用レベル（スレッショルドレベルＢ）の設定が容易
となる。
【００１１】尚、実施例では撮像対象物として半導体チ
ップ５のチップ部（ＧａＰ）５１と、金パッド部（Ａｕ
）５２との反射特性についての例示をしたが、例えばＡ
ｌ電極とＳｉチップの場合であっても、赤外放射するこ
とで両者の境界を明確にすることが出来る。
ップ５のチップ部（ＧａＰ）５１と、金パッド部（Ａｕ
）５２との反射特性についての例示をしたが、例えばＡ
ｌ電極とＳｉチップの場合であっても、赤外放射するこ
とで両者の境界を明確にすることが出来る。
【００１２】
【発明の効果】この発明では、以上のように、顕微鏡の
撮像対象物に対し光を放射する光源を、赤外発光素子と
することとしたから、半導体チップ部の反射光と金パッ
ド部の反射光とに大きな差が出来、且つＣＣＤ感度も低
いが存在するため、両者の境界が明らかとなり、明確な
撮像が得られる。従って、金パッド部の反射パターンを
正確に認識するための最適範囲が広がり、光源の明るさ
及び２値化判定用レベルの設定が容易となる等、発明目
的を達成した優れた効果を有する。
撮像対象物に対し光を放射する光源を、赤外発光素子と
することとしたから、半導体チップ部の反射光と金パッ
ド部の反射光とに大きな差が出来、且つＣＣＤ感度も低
いが存在するため、両者の境界が明らかとなり、明確な
撮像が得られる。従って、金パッド部の反射パターンを
正確に認識するための最適範囲が広がり、光源の明るさ
及び２値化判定用レベルの設定が容易となる等、発明目
的を達成した優れた効果を有する。
【図１】実施例顕微鏡を示す説明図である。
【図２】実施例顕微鏡で半導体チップを撮像した場合を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図３】ＬＥＤ用照明系の分光特性を示す説明図である
。
。
【図４】従来の顕微鏡を示す説明図である。
【図５】従来の他の顕微鏡を示す説明図である。
【図６】従来の顕微鏡で半導体チップを撮像した場合を
示す説明図である。
示す説明図である。
１ 顕微鏡本体
２ テレビカメラ
３ 光源
５ 半導体チップ
Claims (1)
- 【請求項１】顕微鏡本体の像面にテレビカメラの受光面
を配置し、撮像対象物に対し明視野乃至暗視野照明を行
い、テレビカメラのビデオ信号をモニタテレビで目視或
いは画像処理する顕微鏡において、前記撮像対象物に対
する照明は、赤外発光素子を光源として用いることを特
徴とする顕微鏡。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3107925A JPH04336443A (ja) | 1991-05-14 | 1991-05-14 | 顕微鏡 |
| KR1019920007759A KR960014968B1 (ko) | 1991-05-14 | 1992-05-08 | 현미경 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3107925A JPH04336443A (ja) | 1991-05-14 | 1991-05-14 | 顕微鏡 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04336443A true JPH04336443A (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=14471529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3107925A Pending JPH04336443A (ja) | 1991-05-14 | 1991-05-14 | 顕微鏡 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04336443A (ja) |
| KR (1) | KR960014968B1 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6398619A (ja) * | 1986-10-16 | 1988-04-30 | Olympus Optical Co Ltd | 顕微鏡用照明装置 |
| JPS63237428A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子のパタ−ン認識装置 |
-
1991
- 1991-05-14 JP JP3107925A patent/JPH04336443A/ja active Pending
-
1992
- 1992-05-08 KR KR1019920007759A patent/KR960014968B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6398619A (ja) * | 1986-10-16 | 1988-04-30 | Olympus Optical Co Ltd | 顕微鏡用照明装置 |
| JPS63237428A (ja) * | 1987-03-26 | 1988-10-03 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体素子のパタ−ン認識装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR920022015A (ko) | 1992-12-19 |
| KR960014968B1 (ko) | 1996-10-23 |
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