JPH04337404A - 位置測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、基板上にはんだ付けし
た電子部品のはんだ部等の鏡面を有する被測定体の形状
を測定する際にはんだ付けの位置を測定するに適用され
る位置測定装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】電子部品のはんだ付け状態の検査は主に
目視により行われていた。このような人手による検査作
業を廃止しようと、自動化のための検査装置や形状測定
装置が開発されている。図２６はかかる装置の構成図で
あって、電子部品１の各ピン２に対して斜め方向から照
明装置３の光を照射し、その反射光をカメラ４により撮
像してはんだ付けの状態を検査するものである。この技
術は図２７及び図２８に示すようにはんだが付いていな
いと光は真上には反射しないので、真上からカメラ４に
より撮像するとその画面は暗くなる。又、はんだが付い
ていれば画面は明るくなる。このように画面の明暗の度
合いからはんだ付けの状態が測定される。

【０００３】しかし、このような測定でははんだ付けの
有無は検出できるものの、はんだの量の過不足について
は測定が困難であり、又はんだの表面状態の影響により
信頼性が低く実用的でない。

【０００４】又、図２９は光切断法を用いた形状測定装
置の構成図である。この装置は基板５上に装着された電
子部品６の各リード７に対してスリット光源８からスリ
ット光又はスポット光９を走査し、このときの画像をカ
メラ１０により撮像してはんだ付けの状態を測定するも
のである。この場合、カメラ１０はスポット光９の入射
方向とは異なる方向から撮像している。

【０００５】しかしながら、この装置でははんだが鏡面
状態となるので、斜めから入射するスポット光９の反射
光を１つのカメラ１０では認識できなく、測定時間が長
くなる。

【０００６】又、他の技術として特開昭６３−７６０７
３号公報に記載されたステレオ照度差法を適用すること
が考えられる。このステレオ照度差法は複数の光源を順
次切換えてはんだを照明して照度差マップを作成し、こ
の照度差マップから画素に応じるはんだの傾きを求め、
これを結んではんだの形状を測定するものである。

【０００７】しかしながら、ステレオ照度差法は完全拡
散面に対する測定が条件であるため、鏡面状態のはんだ
に対しては測定困難となる。これは光を照射したときの
方向に対するはんだ面の傾きにより照度が異なること、
つまり照度差を利用して形状を測定するためであり、こ
れによりカメラに対して光がほとんど入射しない。この
ため、カメラにより得られる画像は照度差を持った画像
でなく、２値化されたような画像しか得られない。しか
るに、はんだのような鏡面状態の被測定体に対する形状
測定は困難となる。又、ステレオ照度差法ははんだの傾
きに対する照度を予め記憶する必要がある。このため、
はんだのように表面特性が変化するもの、例えばフラッ
クスの量によって表面状態が変化する場合は測定精度の
信頼性が低い。

【０００８】これに対して多数の点光源を内側に配列し
た半球カバーを電子部品の上方に配置し、この半球カバ
ーの各点光源のうち電子部品のリードと同一方向に配列
された各点光源を順次点灯したときの各画像をカメラに
より撮像する。そして、これら画像中の各光源を点灯し
たときのはんだからの反射光位置からはんだの形状を測
定する技術がある。

【０００９】しかしながら、この技術でははんだの形状
を精度高く測定できるもののはんだ部以外の反射光を取
り込む可能性があり、そのため、はんだ形状測定の前に
おける各リードのはんだ付け位置を正確に検出できない
ことがある。従って、はんだ付け位置以外の部分をはん
だ付け位置と判断して誤測定することがある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、たとえ
形状を精度高く測定できてもはんだ位置を正確に検出で
きない。そこで本発明は、はんだ等の位置を正確に測定
できる位置測定装置を提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、複数配列した
帯状の各被測定体の上方の所定領域から光を照射したと
きの画像から各被測定体の先端位置を検出する位置測定
装置において、各被測定体の画素レベルを累積して周辺
分布を求める周辺分布部と、この周辺分布部により求め
られた周辺分布としきい値とを比較して各被測定体の先
端位置を検出する先端検出部とを備えて上記目的を達成
しようとする位置測定装置である。

【００１２】又、本発明は、複数配列した帯状の各被測
定体の上方の所定領域から光を照射したときの画像から
各被測定体の先端位置を検出する位置測定装置において
、各被測定体の画素レベルを累積して周辺分布を求める
周辺分布部と、この周辺分布部により求められた周辺分
布の最大値及び最小値を求める最大最小検出部と、この
最大最小検出部により求められた最大値から最小値へ向
かって周辺分布の綾を検索し、この綾としきい値との交
差点を各被測定体の先端位置として検出する先端検出部
とを備えて上記目的を達成しようとする位置測定装置で
ある。

【００１３】又、本発明は、複数配列した帯状の各被測
定体の斜め方向から光を照射したときの画像から各被測
定体の先端位置を検出する位置検出装置において、被測
定体の長手方向に対して長い領域を設定してこの長手方
向の周辺分布を求め、この周辺分布から各被測定体のサ
イドエッジを検出するエッジ検出手段を備えて上記目的
を達成しようとする位置測定装置である。

【００１４】この場合、エッジ検出手段は被測定体の長
手方向に対して長い領域を設定してこの長手方向の周辺
分布を求める周辺分布検出部と、この周辺分布検出部に
より求められた周辺分布の分布幅から被測定体を判断す
る分布幅判断手段と、この分布幅判断手段により判断さ
れた被測定体に対してパターンマッチングを行って被測
定体のサイドエッジを検出するエッジ検出部を有してい
る。

【００１５】

【作用】このような手段を備えたことにより、複数配列
した帯状の各被測定体の上方の所定領域から光を照射し
たときの画像における各被測定体の画素レベルを周辺分
布部により累積して周辺分布を求め、この周辺分布とし
きい値とを先端検出部により比較して各被測定体の先端
位置を検出する。

【００１６】又、上記周辺分布の最大値及び最小値を最
大最小検出部により求め、次に先端検出部により最大値
から最小値へ向かって周辺分布の綾を検索し、この綾と
しきい値との交差点を各被測定体の先端位置として検出
する。

【００１７】又、上記手段を備えたことにより、複数配
列した帯状の各被測定体の斜め方向から光を照射したと
きの画像においてエッジ検出手段は被測定体の長手方向
に対して長い領域を設定してこの長手方向の周辺分布を
求め、この周辺分布から各被測定体のサイドエッジを検
出する。

【００１８】この場合、エッジ検出手段は被測定体の長
手方向に対して長い領域を設定してこの長手方向の周辺
分布を求め、この周辺分布の分布幅から被測定体を判断
し、この被測定体に対してパターンマッチングを行って
被測定体のサイドエッジを検出する。

【００１９】

【実施例】以下、本発明の一実施例について図面を参照
しながら説明する。

【００２０】図１は本発明の位置測定装置を適用した形
状測定装置の構成図である。ＸＹテーブル２０上には電
子部品がはんだ付けにより装着された基板２１が載置さ
れている。このＸＹテーブル２０の上方には外乱光を遮
光する半球カバー２２が支持機構２３により支持されて
配置されている。この半球カバー２２はその内側に複数
の発光ダイオード（ＬＥＤ）２４が配列されている。こ
れら発光ダイオード２４の配列は緯度方向に５度ごとで
経度方向に１０度ごとなっている。この半球カバー２２
の上方でかつ基板２１のほぼ真上には撮像装置２５が配
置されている。この撮像装置２５の画像出力端子は画像
処理装置３０に接続されている。なお、ＸＹテーブル２
０及び半球カバー２２の各発光ダイオード２４は制御装
置３１に接続され、ＸＹテーブル２０の移動制御及び各
発光ダイオード２４の発光制御が行われる。

【００２１】この画像処理装置３０は撮像装置２５から
の画像信号を画像データとして記憶し、この画像データ
から電子部品の各リードのはんだ付け位置を測定し、こ
のはんだ付け位置の画像データからはんだの形状を測定
する機能を有している。具体的には周辺分布部３２、最
大最小検出部３３、先端検出部３４、及びエッジ検出部
３５の各機能を有している。

【００２２】周辺分布部３２は各リードの画素レベルを
累積して周辺分布を求める機能を有し、最大最小検出部
３３は周辺分布部３２により求められた周辺分布の最大
値及び最小値を求める機能を有している。

【００２３】又、先端検出部３４は周辺分布部３２によ
り求められた周辺分布としきい値とを比較して各リード
の先端位置を検出する第１機能及び最大最小検出部３３
により求められた最大値から最小値へ向かって周辺分布
の綾を検索し、この綾としきい値との交差点を各リード
の先端位置として検出する第２機能を有している。

【００２４】エッジ検出部３５は電子部品の各リードの
長手方向に対して長い領域を設定してこの長手方向の周
辺分布を求め、この周辺分布から各リードのサイドエッ
ジを検出する機能を有している。具体的にエッジ検出部
３５はリードの長手方向に対して長い領域を設定してこ
の長手方向の周辺分布を求める周辺分布検出部と、この
周辺分布検出部により求められた周辺分布の分布幅から
リードを判断する分布幅判断部と、この分布幅判断部に
より判断されたリードに対してパターンマッチングを行
ってリードのサイドエッジを検出する機能を有している
。なお、画像処理装置３０にはモニタテレビジョン３６
が接続されている。次に上記の如く構成された装置での
位置測定の作用について説明する。

【００２５】制御装置３１は半球カバー２２の各発光ダ
イオード２４のうち図２に示す各発光ダイオード２４、
すなわち電子部品の各リードから見て上方７０度〜９０
度の領域でかつ電子部品の各リードから見て５０度〜７
０度の斜め方向となる各発光ダイオード２４を発光する
。なお、図２では黒丸の各発光ダイオード２４が発光し
ている。

【００２６】この状態で撮像装置２５は電子部品を撮像
してその画像信号を出力する。この画像信号は画像処理
装置３０に送られ、この画像処理装置３０は画像信号を
ディジタル化して図３に示す画像データとして記憶する
。ところで、この画像データは図４に示す上記７０度〜
９０度の領域に入る各発光ダイオード２４の発光のとき
の画像データ（図５）と図６に示す５０度〜７０度の斜
め方向の各発光ダイオード２４の発光のときの画像デー
タ（図７）とを合成したものとなっている。図３に示す
画像データは電子部品の各リード４０及びフィレット（
はんだ付け部分）４１が映されている。

【００２７】次に画像処理装置３０は各リード４０の先
端位置つまりフィレット４１のつけ根位置を検出する。 周辺分布部３２は図８に示すように画像データの各リー
ド４０ごとにそれぞれリード４０の垂直方向に対して画
素レベル（濃淡レベル）を累積して各周辺分布を求める
。次に先端検出部３４は各周辺分布ごとに累積濃淡レベ
ルとしきい値Ｒとを各リード４０の根元から比較して各
リード４０の先端位置を検出する。

【００２８】このように各リード４０の先端位置が検出
されると、画像処理装置３０はこれら先端位置に輝点検
出領域Ｑを設定する。この後、各輝点検出領域Ｑごとに
はんだの形状測定が行われる。

【００２９】このようにリード４０の周辺分布を求め、
この周辺分布の累積濃淡レベルとしきい値Ｒとを比較し
て各リード４０の先端位置を検出するようにしたので、
各リード４０のはんだ付け位置を正確に検出できる。次
に他の位置検出について説明する。

【００３０】画像処理装置３０の周辺分布部３２は図９
に示すように１画像データにおける各リード４０の垂直
方向に対して濃淡レベルを累積して周辺分布を求める。 次に先端検出部３４はこの周辺分布の累積濃淡レベルと
しきい値Ｓとをリード根元から比較し、累積濃淡レベル
の変化点を各リード４０の先端位置として検出する。な
お、しきい値は累積濃淡レベルの最大値Ｍａ、最小値Ｍ
ｉ、リードの本数ｎとしてしきい値＝（Ｍａ−Ｍｉ）／
ｎ＋Ｍｉ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　…（１）ｎ＞１ により求められる。このように各リード４０の先端位置
が検出されると、上記同様に画像処理装置３０はこれら
先端位置に輝点検出領域Ｑを設定する。この後、各輝点
検出領域Ｑごとにはんだの形状測定が行われる。

【００３１】このように１画像データにおける各リード
４０の垂直方向に対して濃淡レベルを累積して周辺分布
を求めるようにしたので、各リード４０のはんだ付け位
置を正確に検出でき、かつ画像ノイズの影響を除去でき
る。すなわち、図８に示すように各リード４０ごとに累
積濃淡レベルを求めた場合、図１０に示すように画像ノ
イズの影響によりリード４０の先端位置を誤検出するこ
とがあるが、各リード４０の濃淡レベルを累積すること
により画像ノイズの影響は除去できる。次にさらに他の
位置検出について説明する。

【００３２】上記同様に周辺分布部３２は各リード４０
の画素レベルを累積して周辺分布を求める。このとき、
各リード４０の根元側に画像の抽出不足の部分があると
、図１１に示すように周辺分布は根元側で濃淡レベルが
低くなる。このため、リード４０の先端位置を誤検出す
る虞がある。このような場合、最大最小検出部３３は図
１２に示すように周辺分布の最大値Ｍａ及び最小値Ｍｉ
を求める。この場合、最大最小検出部３３は最大値Ｍａ
が最小値Ｍｉに対してリード４０側にあることを周辺分
布全体の累積濃淡レベル変化により判断する。次に先端
検出部３２は最大値Ｍａから最小値Ｍｉへ向かって周辺
分布の綾を検索してしきい値Ｓとの交差点Ｋを求め、こ
の交差点Ｋをリード４０の先端位置として検出する。 なお、しきい値Ｓは上記式（１）　に示す通りである。

【００３３】このように周辺分布の最大値Ｍａ及び最小
値Ｍｉを求め、最大値Ｍａから最小値Ｍｉへ向かって周
辺分布の綾を検索してしきい値Ｓとの交差点Ｋをリード
４０の先端位置として検出するので、正確にリードの先
端位置を検出できるのはもとより、各リード４０の根元
側に画像の抽出不足の部分があっても正確にリードの先
端位置を検出できる。次に各リード４０のサイドエッジ
位置の検出について説明する。

【００３４】このサイドエッジ位置の検出は画像処理装
置３０のエッジ検出部３５により行われる。このエッジ
検出部３５の周辺分布検出部は図１３に示すように各リ
ード４０ごとにリード４０の長手方向に対して長い領域
Ｗを設定し、この領域Ｗ内において各リード４０の長手
方向の各周辺分布を求める。図１４は１本のリード４０
の周辺分布を示している。次に分布幅判断部は周辺分布
の最大値及び最小値を求めて最小値よりのしきい値Ｆを
設定し、このしきい値Ｆと周辺分布との交差点を検出し
てリード４０のサイドエッジ検出に際する不必要なデー
タを除去する。すなわち、分布幅判断部は図１５に示す
ように周辺分布が山型であればリードと判定し、片側傾
斜を示していればノイズと判断して除去する。次に分布
幅判断部は図１６に示すように周辺分布の累積濃淡レベ
ルとしきい値Ｆとの交差点から周辺分布における山型の
部分の幅Ａを求め、任意に定めた幅Ｈとを比較する。こ
の比較により図１７に示すように山型の部分の幅Ａが幅
Ｈよりも狭ければ、分布幅判断部はノイズとして除去す
る。次にエッジ検出部は分布幅判断部により判断された
リード４０に対して１次元パターンマッチングを行って
リード４０のサイドエッジを検出する。すなわち、エッ
ジ検出部は図１８に示すようにリード４０の幅Ｈと同一
幅Ｈの面積測定領域Ｅを設定し、この面積測定領域Ｅ内
に入る周辺分布の面積を求める。なお、図１８では面積
測定領域Ｅ内に入る周辺分布の面積は零である。そして
、エッジ検出部は図１９に示すように面積測定領域Ｅを
移動し、この移動とともに順次周辺分布の面積を求める
。このようにエッジ検出部は面積測定領域Ｅ内に入る周
辺分布の面積を求め、この面積が最大を示すところ、つ
まり図２０に示すようにリード４０と面積測定領域Ｅと
が一致するところを求める。かくして、エッジ検出部は
この１次元パターンマッチングからリード４０のサイド
エッジＬを検出する。

【００３５】このようにリード４０の長手方向の周辺分
布を求めてこの周辺分布の分布幅からリード４０を判断
し、リード４０に対して１次元パターンマッチングを行
ってリード４０のサイドエッジＬを検出するようにした
ので、正確にリード４０のサイドエッジを検出できる。 次に各リード４０の先端位置を検出して各輝点検出領域
Ｑを設定した後のはんだの形状測定について説明する。

【００３６】制御装置３１はＸＹテーブル２０を駆動し
て撮像装置２５が撮像する画面の中心に輝点検出領域Ｑ
つまりはんだ付け部が入るように設定する。この設定は
基板２１が予めＸＹテーブル２０上で位置決めされてい
るので、この位置決めデータに基づいてＸＹテーブル２
０を移動させる。

【００３７】この位置決めの後、制御装置３１は半球カ
バー２２の各発光ダイオード２４のうち電子部品のリー
ドの長手方向に沿って配列された１列の各発光ダイオー
ド２４を半球カバー２２の上部に配置された発光ダイオ
ード２４から１個づつ順次発光させる。これとともに撮
像装置２５は発光ダイオード２４の発光の度に電子部品
とはんだ部を撮像してその画像信号を出力する。この画
像信号は画像処理装置３０に送られて画像データとして
記憶される。図２１はかかる画像データの模式図である
。この画像データにおいてＡ〜Ｄはそれぞれ順次発光ダ
イオード２４を発光させたときの反射光部分を示す。

【００３８】この画像処理装置３０は画像データの各反
射光部分Ａ〜Ｄの重心（代表点）Ｇ１　、Ｇ２　、Ｇ３
　…を求めるとともに図２２に示す各反射光部分Ａ〜Ｄ
の成す傾きΘ１　、Θ２　、Θ３　…を求める。なお、
これら傾きΘ１　、Θ２　、Θ３　…は撮像時における
各発光ダイオード２４の配置位置から求められる。次に
画像処理装置３０は各重心Ｇ１　、Ｇ２　、Ｇ３　…間
の中点Ｃ１　、Ｃ２　…を求め、これとともに傾きΘ１
　、Θ２　…を求める。次に画像処理装置３０はＣ０　
とＣ１　との距離Ｌ１　、Ｃ１　とＣ２　との距離Ｌ２
　…を求め、各中点Ｃ１　、Ｃ２　…の高さ位置Ｚ１　
、Ｚ２　…を求める。この高さＺ１　、Ｚ２　…Ｚｉは
、

【００３９】

【数１】

【００４０】により求められる。これにより、はんだ付
け部の１ラインの形状が測定される。しかるに、他の各
発光ダイオード２４の列を順次発光させることにより図
２３に示すはんだ付け部全体の形状が求められる。

【００４１】このように上記一実施例によれば、はんだ
付け部の位置を精度高く検出でき、かつこの位置検出も
画像ノイズの影響があっても、又画像抽出不足があって
も正確にリード先端位置からはんだ付部を検出できる。 これにより、はんだ付部を形状測定するときに画像デー
タを取り込む領域を輝点検出領域Ｑとしてしぼみこみ、
他の画像ノイズ等の影響を除去して精度高く形状測定が
できる。

【００４２】なお、本発明は上記一実施例に限定される
ものでなくその要旨を変更しない範囲で変更してもよい
。例えば、リードのサイドエッジを検出する場合、その
ときのしきい値Ｆは固定せずに図２４に示すように可変
としてもよい。この場合、画像抽出不足に対して対応で
きる。

【００４３】又、撮像装置は死角が生じないように図２
５に示すように複数配置してもよい。これら撮像装置５
０〜５３は半球カバー２２を中心に水平方向に角度９０
度ごとでかつ傾き３０度をもって配置されている。これ
ら撮像装置２５、５０〜５３は半球カバー２２にハーフ
ミラーを設けることによって落射照明型としてもよい。 さらに、半球カバー２２の発光ダイオードを複数設けず
に１個の発光ダイオードを移動させるようにしてもよい
。

【００４４】

【発明の効果】以上詳記したように本発明によれば、は
んだ等の位置を正確に測定できる位置測定装置を提供で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる位置測定装置の一実施例を示す
構成図。

【図２】同装置での位置測定時の半球カバーにおける発
光ダイオードの発光を示す図。

【図３】同装置での位置測定時の画像データの模式図。

【図４】同装置でのフィレット位置を得るときの発光ダ
イオードの発光を示す図。

【図５】フィレット位置を得るときの画像データの模式
図。

【図６】サイドエッジを得るときの発光ダイオードの発
光を示す図。

【図７】サイドエッジを得るときの画像データの模式図
。

【図８】各リードごとの周辺分布を示す図。

【図９】各リードの累積濃淡レベルによる周辺分布を示
す図。

【図１０】各リードごとの画像抽出不足時の周辺分布を
示す図。

【図１１】複数リードの累積濃淡レベルによる画像抽出
不足時の周辺分布を示す図。

【図１２】最大最小濃淡レベルからリード先端位置を検
出するときの作用を示す図。

【図１３】本発明装置におけるリードのサイドエッジ検
出時の領域を示す図。

【図１４】同領域の累積濃淡レベルを示す図。

【図１５】同累積濃淡レベルから画像ノイズ除去を示す
図。

【図１６】同累積濃淡レベルからリード幅の測定作用を
示す図。

【図１７】同累積濃淡レベルと任意に定めたリード幅か
ら画像ノイズ除去を示す図。

【図１８】１次元パターンマッチングに用いる面積測定
領域の設定を示す図。

【図１９】同パターンマッチング時の面積測定領域移動
を示す図。

【図２０】同パターンマッチングでマッチングしたとき
の状態を示す図。

【図２１】形状測定における各発光ダイオード発光時の
はんだからの反射光を示す図。

【図２２】形状測定における１列の発光ダイオード発光
から求められた形状を示す図。

【図２３】形状測定における複数列の発光ダイオード発
光から求められた３次元形状を示す図。

【図２４】リードのサイドエッジ検出の変形例を示す図
。

【図２５】撮像装置を複数にした場合の構成を示す図。

【図２６】従来の形状測定装置の構成図。

【図２７】同装置の作用を示す図。

【図２８】同装置の作用を示す図。

【図２９】従来の形状測定装置の構成図。

【符号の説明】

２０…ＸＹテーブル、２１…基板、２２…半球カバー、
２４…発光ダイオード、２５…撮像装置、３０…画像処
理装置、３１…制御装置、３２…周辺分布部、３３…最
大最小検出部、３４…先端検出部、３５…エッジ検出部
。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　複数配列した帯状の各被測定体の上方
   の所定領域から光を照射したときの画像から前記各被測
   定体の先端位置を検出する位置測定装置において、前記
   各被測定体の画素レベルを累積して周辺分布を求める周
   辺分布部と、この周辺分布部により求められた周辺分布
   としきい値とを比較して前記各被測定体の先端位置を検
   出する先端検出部とを具備したことを特徴とする位置測
   定装置。
2. 【請求項２】　　複数配列した帯状の各被測定体の上方
   の所定領域から光を照射したときの画像から前記各被測
   定体の先端位置を検出する位置測定装置において、前記
   各被測定体の画素レベルを累積して周辺分布を求める周
   辺分布部と、この周辺分布部により求められた周辺分布
   の最大値及び最小値を求める最大最小検出部と、この最
   大最小検出部により求められた最大値から最小値へ向か
   って前記周辺分布の綾を検索し、この綾としきい値との
   交差点を前記各被測定体の先端位置として検出する先端
   検出部とを具備したことを特徴とする位置測定装置。
3. 【請求項３】　　複数配列した帯状の各被測定体の斜め
   方向から光を照射したときの画像から前記各被測定体の
   先端位置を検出する位置検出装置において、前記被測定
   体の長手方向に対して長い領域を設定してこの長手方向
   の周辺分布を求め、この周辺分布から前記各被測定体の
   サイドエッジを検出するエッジ検出手段を備えたことを
   特徴とする位置測定装置。
4. 【請求項４】　　エッジ検出手段は前記被測定体の長手
   方向に対して長い領域を設定してこの長手方向の周辺分
   布を求める周辺分布検出部と、この周辺分布検出部によ
   り求められた周辺分布の分布幅から前記被測定体を判断
   する分布幅判断手段と、この分布幅判断手段により判断
   された被測定体に対してパターンマッチングを行って前
   記被測定体のサイドエッジを検出するエッジ検出部を有
   する請求項（３）　記載の位置測定装置。