JPH04337620A - ウェハ番号表示位置検出方法及び半導体装置の製造方法。 - Google Patents

ウェハ番号表示位置検出方法及び半導体装置の製造方法。

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JPH04337620A
JPH04337620A JP3110134A JP11013491A JPH04337620A JP H04337620 A JPH04337620 A JP H04337620A JP 3110134 A JP3110134 A JP 3110134A JP 11013491 A JP11013491 A JP 11013491A JP H04337620 A JPH04337620 A JP H04337620A
Authority
JP
Japan
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wafer
wafer number
specific
printed
detecting
Prior art date
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Pending
Application number
JP3110134A
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English (en)
Inventor
Kazuyuki Tokorotsuki
所付 一之
Makoto Ariga
有賀 誠
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造のおい
て、半導体ウエハの段階でのウエハを識別するためのウ
エハにおけるウエハ番号表示位置検出方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ウエハ番号自動認識装置等を利用してウ
エハにおけるウエハ番号を検出するにするにあたって、
ウエハ上にあらかじめウエハ番号を印字するが、従来は
その番号表示位置を特定しないために、まず、図6に示
すように、ウエハ1上で光8をあてるなどの光学的手段
等を使用して、上記ウエハ番号の存在する位置10を濃
淡の差のみをもとにしてさがし出し、しかるのちに前記
認識装置で上記ウエハ番号からウエハの品種ロットない
し加工年月日等を読みとるようにしている。
【0003】半導体ウエハの表面には、ウエハを半導体
装置に固定する際のピン止め等によるキズや、拡散工程
、ハンドリング時のウエハのこすれ、汚れや、ホトレジ
スト処理、オーバ露光、ウエハ周辺の二重露光等の外乱
が生じている。
【0004】一方、ウエハ番号の表示はウエハ表面のマ
スキング工程や、ウエル・ホトエッチング工程で凹凸の
集合体による文字パターンを形成しており、反射光等を
利用して文字の大きさ、形状、配列等を濃淡模様として
光学的に検出することによりパターン認識する。
【0005】従来のようにウエハ番号の位置を検出する
にあたって、反射光の濃淡のみを利用する場合に、図6
を参照し、ウエハ1上の汚れ、キズ等の外乱11は反射
率が高いために、外乱をウエハ番号の存在する位置と誤
認しやすく、正確な文字位置を検出できないという問題
が生じている。このためにウエハ番号の認識率が低下し
、自動認識装置そのものの信頼性が低いものとなってい
る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】解決しようとする問題
点はウエハにおけるウエハ番号位置を得るために光の濃
淡のみを利用することは番号位置を正確に検出できず、
認識率を低下させる点である。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウエハ上に、
ウエハ番号位置を特定しておき、その特定位置の範囲内
でウエハ番号の存在を検出することを特徴とする。その
特定位置とはウエハのオリエンテーション・フラットの
対向位置にあるウエハエッジより特定範囲にあるもので
、これによりウエハ番号の存在を直ちに検出し、その後
でウエハ番号を読み取ってそのウエハを認識することが
できる。
【0008】
【実施例】図1は最初にウエハ上にウエハ番号(記号)
を特定位置に印字する場合のウエハの態様を示すもので
あって、1はウエハ、2はオリエンテーション・フラッ
ト、3はウエハのエッジ、4はウエハ番号を印字する特
定位置である。同図に示すように、ウエハ1のオリエン
テーション・フラット2を基準線X上に一致させ、ウエ
ハの一側面をYに接するようにしてθを規定する。オリ
エンテーション・フラット2に対向する点をウエハエッ
ジ3とし、ここから所定距離aだけ下った部位で所定範
囲bをウエハ番号を印字する所定位置4とする。図2に
上記所定位置にウエハ番号5を印字した形態が示される
【0009】図5はウエハをセットした自動認識装置を
側面方向から視た状態を示すもので、1はウエハ、6は
装置のウエハステージ、7はウエハの下方に取り付けた
鏡である。上方から光8をあて、鏡からの反射光9を利
用してウエハ(シルエット)とウエハ周辺(明るさ)と
の光の濃淡によりウエハエッジ3の検出を行う。10は
ウエハ上に印字された文字の凹凸である。
【0010】図3は自動認識装置にセットされ、オリエ
ンテーション・フラットのX,Y,θが合わされた状態
でウエハエッジからの特定距離aによりウエハ番号印字
の特定位置4をもってきた状態を示す。
【0011】図4は特定位置4でウエハ番号5を確認し
、その番号によりウエハの種別、ロット等を認識する。
【0012】図3の実施例に示すように、ウエハ番号表
示位置はウエハのオリエンテーション・フラットの対向
位置にあるウエハエッジより特定距離で特定範囲内にお
いて自動的にその存在を検出することができる。
【0013】以上説明した本発明のウエハ番号表示位置
検出方法によれば、ウエハ番号認識装置におけるウエハ
番号認識率が従来の方法に比して約12%向上する。ま
た、それにしたがって、自動認識装置の信頼性も12%
向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるウエハ番号表示位置検出方法にお
ける最初のウエハの番号表示位置を規定する平面図によ
る説明図である。
【図2】本発明によるウエハ番号表示位置検出方法にお
いてウエハ番号の印字されたウエハの平面図である。
【図3】本発明によるウエハ番号表示位置検出方法にお
いて、ウエハ番号認識装置上にウエハをセットし、ウエ
ハ番号表示位置を検出する形態を示す平面図による説明
図である。
【図4】本発明によるウエハ番号表示位置検出方法にお
いて、ウエハ上でウエハ番号を確認した状態を示す平面
図による説明図である。
【図5】本発明によるウエハ番号表示位置検出方法にお
いて、自動認識装置上にウエハをセットしてウエハエッ
ジを検出し、同時にウエハ番号位置を確認する形態を示
す側面図による説明図である。
【図6】光学的手段のみでウエハ番号の表示位置を検出
する従来の形態を示す側面図による説明図である。
【符号の説明】
1  半導体ウエハ 2  オリエンテーション・フラット 3  ウエハエッジ 4  ウエハ番号を印字する特定位置 5  ウエハ番号印字 6  認識装置におけるウエハステージ7  鏡 8  光 9  反射光 10  文字の凹凸 11  外乱

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  ウエハの表面の一部にそのウエハを特
    定するウエハ番号を印字し、このウエハ番号を認識する
    にあたって、上記ウエハ番号は、上記ウエハのオリエン
    テーション・フラットを基準とする特定位置に印字され
    、その特定位置の範囲内で上記ウエハ番号の存在を検出
    することを特徴とするウエハ番号表示位置検出方法。
  2. 【請求項2】  請求項1のウエハ番号表示位置検出方
    法において、上記特定位置は上記ウエハのオリエンテー
    ション・フラットの対向位置にあるウエハエッジより特
    定距離で特定範囲にある。
  3. 【請求項3】  請求項2のウエハ番号表示位置検出方
    法において、ウエハの特定位置の範囲内でウエハ番号の
    存在を検出する際にウエハの裏面方向より光を与えるか
    、もしくはウエハ表面より光を与えその反射光を利用す
    ることによりウエハとウエハ周辺部との間の光の濃淡の
    差を利用してウエハエッジの位置を規定する。
JP3110134A 1991-05-15 1991-05-15 ウェハ番号表示位置検出方法及び半導体装置の製造方法。 Pending JPH04337620A (ja)

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JP3110134A JPH04337620A (ja) 1991-05-15 1991-05-15 ウェハ番号表示位置検出方法及び半導体装置の製造方法。

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JPH04337620A true JPH04337620A (ja) 1992-11-25

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ID=14527892

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JP3110134A Pending JPH04337620A (ja) 1991-05-15 1991-05-15 ウェハ番号表示位置検出方法及び半導体装置の製造方法。

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