JPH08234413A - フォトマスクパターン欠陥検査装置及びフォトマスクパターン欠陥検査方法 - Google Patents

フォトマスクパターン欠陥検査装置及びフォトマスクパターン欠陥検査方法

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JPH08234413A
JPH08234413A JP3691295A JP3691295A JPH08234413A JP H08234413 A JPH08234413 A JP H08234413A JP 3691295 A JP3691295 A JP 3691295A JP 3691295 A JP3691295 A JP 3691295A JP H08234413 A JPH08234413 A JP H08234413A
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JP
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pattern
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photomask
unit
defect
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Application number
JP3691295A
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English (en)
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Hisayoshi Azumaguchi
尚義 東口
Kunihiro Hosono
邦博 細野
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Renesas Semiconductor Engineering Corp
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Renesas Semiconductor Engineering Corp
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 検出すべき真の欠陥と検出する必要のない疑
似欠陥とを条件により判別して、真の欠陥のみを効率よ
く検出する。 【構成】 パターンの座標が位置ずれしているかを判定
するための条件を設定する第一の条件設定手段と、それ
らのパターンが所定の大きさより小さい微小パターンで
あるかを判定するための条件を設定する第二の条件設定
とを備え、それらの条件をともに満たしている場合に
は、欠陥として出力しないようにした。 【効果】 第二の条件と満たすような微小な大きさのパ
ターンについては、第一の条件を満たす範囲の位置ずれ
があっても欠陥として出力しないようにしたので、疑似
欠陥を欠陥として出力してしまうことが防げ、真の欠陥
のみを効率よく検出することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、フォトマスクパター
ンの欠陥を検出するためのフォトマスクパターン欠陥検
査装置及びフォトマスクパターン欠陥検査方法に関し、
特に、微小な補助パターンを含むフォトマスクパターン
の欠陥を検出するためのフォトマスクパターン欠陥検査
装置及びフォトマスクパターン欠陥検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において用いるフ
ォトマスクは、そこに形成されたパターンを転写して多
くの製品を作るため、それ自身に欠陥があってはならな
いものである。このため、フォトマスクの製造において
は検査は必須かつ重要なものである。図1は、フォトマ
スク上に形成されたパターンを示したものであり、図3
及び図4は、フォトマスクパターンの欠陥を検出するた
めの従来のフォトマスクパターン欠陥検査装置(以下、
検査装置とする。)の構成を示したものである。尚、図
1は、フォトマスクの一例として位相シフトマスクを例
に挙げて示したものである。図2は、従来のフォトマス
クパターン欠陥検査方法(以下、検査方法とする。)の
フローを示したものである。
【0003】図1において、1及び6は位相シフトマス
ク2上にエッチングにより形成された抜きパターン(透
過部)であり、3は光を通さない遮光部である。位相シ
フトマスク2においては、半導体ウエハ上にステッパ
(図示せず)によりパターンを転写する際に、転写され
るパターン1(及び6)のエッジ1a(及び6a)を強
調するための補助パターン4(及び7)をパターン1
(及び6)のエッジ1a(及び6a)に沿って平行に設
ける必要がある。補助パターン4(及び7)は、パター
ン1(及び6)と同時にエッチングにより形成され、一
般にパターン1(及び6)に比べて微小な大きさのもの
である。このような微小な補助パターン4(及び7)を
有する位相シフトマスク2の検査を行う場合として、一
般に、位相シフトマスク2上に同じパターンが複数個形
成されているマルチチップマスク等の場合には、それら
のパターン1及びパターン6を比較して検査を行う場合
と、位相シフトマスク2上のパターン1(または、パタ
ーン6)と検査装置(図3参照)のデータベースユニッ
ト10に予め記憶されている検査用参照データ(設計デ
ータ)とを比較して検査を行う場合とがある。また、フ
ォトマスクパターンの欠陥としては、図1のパターン6
にみられるようなエッジ6aの凹み6b及び突起6cや
補助パターン7にみられるような位置ずれ7a及び脱落
7b等があり、その他にも、パターン間の橋かけ、不要
な遮光部(黒点)または抜き(白点)の発生等が挙げら
れる。
【0004】従来の検査装置の構成について説明する。
図3は、上述したような位相シフトマスク2等のフォト
マスク上に同じパターンが複数個形成されているマルチ
チップマスクの欠陥検査に用いる従来の検査装置であ
る。この装置においては、図3に示すように、高圧水銀
ランプ等から構成された光源11から光ファイバ12に
より送られてくる光を位相シフトマスク2等のフォトマ
スク(以下、位相シフトマスク2として説明する。)に
射光するための1組の射光レンズ13と、射光レンズ1
3と対向して設けられ、各射光レンズ13から射光され
位相シフトマスク2を通って出てきた光を別々に受光す
るための1組の受光レンズ14と、各受光レンズ14が
受光した光を検出するための1組のセンサ部16と、各
センサ部16からの検出信号により、位相シフトマスク
2上に形成されたパターンの画像データを取り出すため
の画像処理回路部17と、画像処理回路部17で取り出
した画像データをパターン毎に別々に格納するための1
組の画像メモリ18と、画像メモリ18に格納された画
像データを重ね合わせて比較を行うための画像比較部1
9と、画像比較部19の比較結果によりパターンの欠陥
を検出するための欠陥検出部20と、検出した欠陥を外
部に出力するための出力部21とが設けられている。さ
らに、位相シフトマスク2を挟み込んで保持するための
マスク専用ホルダー15aを備えたステージ15と、ス
テージ15を搭載するためのグラナイト石からなる台座
22とが設けられており、ステージ15はエアベアリン
グ23により台座22上に浮上した状態になっていて、
モーター(図示せず)により駆動される。
【0005】図3の検査装置を用いて、位相シフトマス
ク2上の同じパターンどうしを比較して検査を行う場合
について説明する。図1に示すように、位相シフトマス
ク2上にパターン1とパターン6とが形成されている。
まずはじめに、位相シフトマスク2上のパターン1及び
パターン6のそれぞれに射光レンズ13からの光を当
て、その結果、位相シフトマスク2を通って出てくる光
を受光レンズ14により受光し、センサ部16により検
出して、その検出信号から位相シフトマスク2に形成さ
れたパターン1及び6の画像データを画像処理部17に
おいて取り出す(図2のステップS1)。取り出された
画像データはパターン1及びパターン6毎に別々に画像
メモリ18に格納され、画像比較部19で比較されて
(ステップS2)、欠陥検出部20において、双方間で
異なる箇所がなければ双方共に欠陥なしと認識されて、
出力部21により正常として検査結果が出力され(ステ
ップS3)、また、図1の破線で示したように双方間で
異なる箇所6b、6c及び7aがあればそれを欠陥とし
て認識し出力する(ステップS4)。
【0006】また、図3の検査装置において、例えば、
位相シフトマスク2上に同一パターンが複数個ない場合
等で、位相シフトマスク2上のパターン1とデータベー
スユニット10に予め記憶されている検査用参照データ
(設計データ)とを比較して検査を行う場合には、1つ
の射光レンズ13及び1つの受光レンズ14を用いて、
1つのパターンの画像データを取り込み(ステップS
1)、パターン1の画像データと、データベースユニッ
ト10から送信された検査用参照データとの比較を行
い、その比較結果に従い、検査結果を出力する(ステッ
プS3またはS4)。
【0007】図4は、他の従来の検査装置の構造を示し
たものである。この検査装置においては、射光レンズ1
3及び受光レンズ14はともに1つずつ設けられてお
り、光源11’はアルゴンレーザー等から構成されて、
ステージ15の移動とスキャナ24によるレーザー光の
走査により、位相シフトマスク2上の画像データを取り
込むものである。ステージ15は図3と同様なものであ
るが駆動にはリニアモーターを用いている。他の構造に
ついては、図3と同様であるため、ここではその説明を
省略する。この検査装置においては、同一パターンが複
数個ある場合には、まず、そのうちの1つのパターンの
画像データを取り込み、一方の画像メモリ18に格納
し、次に、他の1つのパターンの画像データを取り込ん
で、他方の画像メモリ18に格納して、それらの画像デ
ータを比較して検査を行う。また、同一パターンが複数
個無い場合等には、上述の図3の装置と同様の方法によ
り検査を行う。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、従来の
フォトマスクパターン欠陥検査装置及び検査方法におい
ては、フォトマスク上の同じパターンどうしを比較して
検査を行うときは、図1に示したようなエッジ6aの凹
み6bや突出6cや補助パターン7の脱落7b及び大幅
な位置ずれ7a等の真の欠陥だけを検出したいにもかか
わらず、比較する補助パターン4どうしの微妙な大きさ
の違いによる光の透過率の違いや位置の微妙なずれ等の
本来は欠陥として検出する必要のない疑似欠陥をも欠陥
として誤って認識してしまい、多量の誤検出を発生させ
てしまっていた。また、フォトマスク上のパターンと検
査用参照データとを比較して検査を行うときにも、同様
に、パターンと検査用参照データとの微小な違いがあれ
ば、その疑似欠陥を欠陥として認識し検出してしまって
いた。このような多数の疑似欠陥の誤検出のために、真
の欠陥が疑似欠陥の中に埋もれてしまったり、また、疑
似欠陥と真の欠陥との分類作業においても多量の無駄な
時間を必要とするという問題点があった。
【0009】この発明は、かかる問題点を解決するため
になされたものであり、真の欠陥と疑似欠陥とを判別
し、真の欠陥のみを効率よく検出することができるフォ
トマスクパターン欠陥検査装置及びフォトマスクパター
ン欠陥検査方法を得ることを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、フォ
トマスクに形成され、微小な補助パターン含むパターン
の欠陥を検出するためのフォトマスクパターン欠陥検査
装置であって、光源と、光源からの光をフォトマスクに
照射するための照射手段と、照射手段により照射され
て、フォトマスクを通過してくる光を受光するための受
光手段と、受光手段からの信号に基づき、フォトマスク
に形成されているパターンの画像データを取り出すため
の画像処理手段と、パターンの位置を位置ずれか否か判
定するための第一の条件を設定するための第一の条件設
定手段と、パターンの大きさが所定の大きさ以下である
か否かを判定するための第二の条件を設定するための第
二の条件設定手段と、画像処理手段により取り出された
画像データに基づき、パターンの位置の座標が第一の条
件を満たしているか否かを判定するとともに、パターン
の大きさが第二の条件を満たしているか否かを判定し
て、第一の条件及び第二の条件をともに満たしていると
判定した場合に正常を示す判定信号を出力するための判
定手段と、判定手段からの判定信号を外部に出力するた
めの出力手段とを、備えたフォトマスクパターン欠陥検
査装置である。
【0011】請求項2の発明は、照射手段と受光手段と
がすくなくとも2つずつあって、判定手段が、各受光手
段からの信号に基づき、画像処理手段により取り出され
た少なくとも2つの同一であり得るパターンの画像デー
タどうしを比較するための画像比較部と、画像比較部の
比較結果に基づき、パターンの位置の座標が第一の条件
を満たしているか否かを判定するための位置判定部と、
画像比較部の比較結果に基づき、少なくとも2つのパタ
ーンの大きさがともに第二の条件を満たしているか否か
を判定するための大きさ判定部と、位置判定部及び大き
さ判定部からの信号により、第一の条件及び第二の条件
をともに満たしている場合に正常を示す判定信号を出力
するための判定信号出力部と、を備えているフォトマス
クパターン欠陥検査装置である。
【0012】請求項3の発明は、さらに、検査用参照デ
ータを格納している検査用参照データ格納手段を備え、
判定手段が、画像処理手段により取り出された画像デー
タと検査用参照データとを比較するための画像比較部
と、画像比較部の比較結果に基づき、パターンの位置の
座標が第一の条件を満たしているか否かを判定するため
の位置判定部と、画像比較部の比較結果に基づき、パタ
ーンの大きさが第二の条件を満たしているか否かを判定
するための大きさ判定部と、位置判定部及び大きさ判定
部からの信号により、第一の条件及び第二の条件をとも
に満たしている場合に正常を示す判定信号を出力するた
めの判定信号出力部と、を備えているフォトマスクパタ
ーン欠陥検査装置である。
【0013】請求項4の発明は、画像処理手段により取
り出された少なくとも2つの同一であり得るパターンの
画像データの対応する座標どうし間の距離dが、0≦d
<D,(ここで、Dは任意の正の実数) (式1)を
満たしていることを第一の条件とするフォトマスクパタ
ーン検査装置である。
【0014】請求項5の発明は、画像処理手段により取
り出された画像データと検査用参照データの対応する座
標間の距離dが、0≦d<D,(ここで、Dは任意の正
の実数) (式1)を満たしていることを第一の条件
とするフォトマスクパターン検査装置。
【0015】請求項6の発明は、フォトマスクに光を照
射し、フォトマスクを通過した光を受光し、その受光さ
れた光に基づいて、フォトマスクに形成されているパタ
ーンの画像データを取り出し、画像データに基づき、パ
ターンの位置の座標が位置ずれか否かを判定するための
第一の条件を満たしているか否かを判定するとともに、
パターンの大きさが所定の大きさ以下であるか否かを判
定するための第二の条件を満たしているか否かを判定
し、第一の条件及び第二の条件をともに満たしていると
判定した場合に正常を示す判定信号を出力手段から出力
する、フォトマスクパターン欠陥検査方法である。
【0016】
【作用】請求項1の発明においては、第一の条件設定手
段にパターンの位置ずれか否かを判定するための条件を
設定し、第二の条件設定手段にパターンの大きさが所定
の値より小さいか否かを判定するための条件を設定し
て、それらの条件を満たしていれば欠陥として出力され
ないようにし、第二の条件を満たしている補助パターン
等の微小パターンであれば、第一の条件を満たす範囲の
位置ずれがあっても、欠陥として出力しない。
【0017】請求項2の発明においては、射光手段と受
光手段とがそれぞれすくなくとも2つずつあるので、フ
ォトマスク上に同じパターンが複数個ある場合には、そ
れらのパターンどうしの比較を行い、それらの座標が同
等であるか否かの判定をするための条件を第一の条件設
定手段に設定しておき、それらの座標が同等で、かつ、
所定の大きさより小さい場合には欠陥として出力されな
い。
【0018】請求項3の発明においては、フォトマスク
上のパターンと検査用参照データ格納手段に格納されて
いる検査用参照データとを比較して、それらの座標が同
等であるか否かの判定をするための条件を第一の条件設
定手段に設定しておき、それらの座標が同等で、かつ、
パターンが所定の大きさより小さい場合には欠陥として
出力されない。
【0019】請求項4の発明においては、それぞれ少な
くとも2つの射光手段と受光手段とを用いて、フォトマ
スク上の少なくとも2つの同じパターンの画像データを
取り出し、それらのパターンどうしの比較を行い、それ
らの座標間の距離がある所定の値より小さいか否かを判
定するための条件を第一の条件設定手段に設定しておい
て、第一の条件を満たし、かつ、第二の条件である所定
の大きさより小さい条件を満たしている場合には欠陥と
して出力されない。
【0020】請求項5の発明においては、フォトマスク
上のパターンの画像データと検査用参照データとの比較
を行い、それらの座標間の距離がある所定の値より小さ
いか否かを判定するための条件を第一の条件設定手段に
設定しておいて、第一の条件を満たし、かつ、第二の条
件である所定の大きさより小さい条件を満たしている場
合には欠陥として出力されない。
【0021】請求項6の発明においては、第一の条件設
定手段にパターンの位置ずれか否かを判定するための条
件を設定し、第二の条件設定手段にパターンの大きさが
所定の値より小さいか否かを判定するための条件を設定
して、それらの条件を満たしていれば欠陥として出力し
ない。
【0022】
【実施例】 実施例1.以下、この発明の実施例を図を用いて説明す
る。図5は、本発明のフォトマスク欠陥検査方法(以
下、検査方法とする。)のフローを示したフローチャー
トである。尚、本発明のフォトマスク欠陥検査装置(以
下、検査装置とする。)は図3または図4に示した従来
の検査装置とは動作及び作用は異なるものの、図3及び
図4を用いて説明できるため、ここではその図は省略す
る。まず、はじめに、本願の実施例1における検査方法
について説明する。実施例1においては、フォトマスク
として図1に示した位相シフトマスク2を例に挙げて説
明する。この実施例においては、図1のように位相シフ
トマスク2に同じパターン1及び6が複数個形成されて
いて、そのパターンどうしを比較して検査を行う場合を
例に挙げて説明する。この実施例における補助パターン
4及び7は、上述したように、パターン1及び6のエッ
ジ1a及び6aに沿って平行に一列に配列して設けられ
た複数個の微小な抜きパターンである。その形状として
は、例えば、図6に示すような略々円形のものでもよ
く、また、図7に示すような略々矩形のものでもよい。
また、装置の構成については図3を参照し、ここではそ
の説明を省略する。
【0023】尚、この実施例においては、図3の射光レ
ンズ13が、光源11からの光をフォトマスクに照射す
るための照射手段を構成しており、受光レンズ14が照
射手段により照射されて、フォトマスクを通過してくる
光を受光するための受光手段を構成しており、センサ部
16、画像処理部17及び画像メモリ18が上記光検出
手段からの出力信号により、上記フォトマスクに形成さ
れているパターンの画像データを取り出すための画像処
理手段を構成しており、画像比較部19及び欠陥検出部
20が、上記パターンの位置を位置ずれか否か判定する
ための第一の条件を設定するための第一の条件設定手段
と、上記パターンの大きさが所定の大きさ以下であるか
否かを判定するための第二の条件を設定するための第二
の条件設定手段と、画像処理手段により取り出された画
像データに基づき、上記パターンの位置の座標が上記第
一の条件を満たしているか否かを判定するとともに、上
記パターンの大きさが上記第二の条件を満たしているか
否かを判定して、上記第一の条件及び上記第二の条件を
ともに満たしていると判定した場合に正常を示す判定信
号を出力するため判定手段とを構成しており、出力部2
1が上記判定手段からの判定信号を外部に出力するため
の出力手段を構成している。また、データベースユニッ
ト10が検査用参照データ格納手段を構成している。
【0024】位相シフトマスク2上のパターン1及びパ
ターン6のそれぞれに射光レンズ13(図3参照)から
の光を当て、その結果、位相シフトマスク2を通って出
てくる光を受光レンズ14により受光し、センサ部16
により検出して、その検出信号から位相シフトマスク2
に形成されたパターン1及び6の画像データを画像処理
部17により取り出す(図5のステップS1)。取り出
された画像データはパターン1及びパターン6毎に別々
に画像メモリ18に格納され、画像比較部19で互いに
重ね合わせれて比較される。ここまでの動作は従来例と
同じであるが、この実施例においては、図5のフローチ
ャートに示すように、欠陥検出部20において、まず、
パターン1とパターン6、及び、パターン1の各補助パ
ターン4とパターン6の各補助パターン7とを比較し、
それらが互いに同じ座標か否かを検出する(ステップS
11)。このとき、パターン1及びパターン6間で、ま
たは/及び、補助パターン4及び補助パターン7間で、
座標が異なっていた場合には、欠陥として認識し出力す
る(ステップS15)。ここで、この実施例において
は、微妙な補助パターンの位置ずれは疑似欠陥であるた
め、欠陥として検出したくないため、一定の条件を設
け、その条件を満たしていれば、同じ座標とみなすよう
にした。
【0025】具体的には、例えば、図6に示すように、
2つの補助パターン4及び7を比較するときに、それぞ
れの重心40a及び70aの座標を測定し、その重心4
0a及び70a間の距離dを求め、距離dが 0≦d<D (式1) を満たしていれば同じ座標にあるとする。ここで、Dは
任意の正の実数であり、検査装置のパラメータとして設
定するものである。尚、座標を測定する際に、ここでは
重心の位置を測定する例を示したが、その場合に限ら
ず、パターンの端の座標を測定するようにしてもよく、
また、座標が認識できる方法であれば他のどんな方法を
用いてもよい。
【0026】図5のフローのステップS11において、
上述したような方法で座標が同じであると検出された場
合には、次に、それらのパターンの大きさを測定し、あ
る所定の値よりともに小さいか否かを検出する。すなわ
ち、それらのパターンがともに補助パターンであるか否
かを検出し(ステップS12)、いずれか一方がその所
定の値より大きい場合には欠陥として検出する(ステッ
プS15)。また、ともに所定の値より小さい場合に
は、正常として出力する。または、図5のフローのよう
に、必要に応じて、例えば、さらにそれらのパターンの
透過率等を検出し(ステップS13)、その結果同等で
あると認識した場合には、出力部21により正常である
と出力し(ステップS14)、同等であると認識しない
場合には、出力部21により欠陥として出力するように
してもよい(ステップS15)。
【0027】上記のステップS12において、所定の値
より小さいか否かを検出する際の条件としては、例え
ば、図6の例で説明すれば、比較される補助パターン4
及び7の大きさをそれぞれA、A’とすれば、 a1<A<a2、 かつ a1’<A’<a2’、 (式2) を満たしていれば、補助パターン4及び7はともに所定
の値より小さいものと判定する。ここで、a1、a2、
a1’,a2’はいずれも任意の正の実数であり、検査
装置のパラメータとして設定されるものである。
【0028】上記の(式1)及び(式2)の条件式を用
いて、図7により、さらに具体的に説明する。このとき
の条件式としては、上記の(式1)及び(式2)に具体
的な数値を入れて下記の(式3)及び(式4)とする。 0 ≦d≦ A/2 + A’/2、 (式3) 0<A<1.0(μm)、かつ、0<A’<1.0(μm)、(式4)
【0029】図7において、4A及び4Bはともにパタ
ーン1(図1参照)の補助パターンであり、7A及び7
Bはともにパターン6(図1参照)の補助パターンであ
る。補助パターン4Aは、A=0.9(μm)、重心座
標(0.9,2.6)、補助パターン4Bは、A=0.
6(μm)、重心座標(1.7,0.7)、補助パター
ン7Aは、A’=0.8(μm)、重心座標(1.0,
2.6)、補助パターン4Bは、A=0.8(μm)、
重心座標(0.9,0.5)である。このとき、補助パ
ターン4Aと7A、補助パターン4Bと7Bとをそれぞ
れ比較したものが、図7の下方に示した図である。ここ
で、補助パターン4Aと7Aとを比較した場合には、2
つの補助パターン4Aと7Aとはともに1.0(μm)
以下であり、重心間の距離はd1はd1=0.1(μ
m)である。ここで、条件式である(式3)を適用する
と、0≦d≦0.85(μm)となり、d1は(式3)
を満たしているため、これらは同等とみなされ、欠陥と
して検出されない。
【0030】次に、補助パターン4Bと7Bとを比較し
た場合には、2つの補助パターン4Bと7Bとはともに
1.0(μm)以下であり、重心間の距離はd2はd2
=0.82(μm)である。ここで、同様に、条件式で
ある(式3)を適用すると、0≦d≦0.7(μm)と
なり、d2は(式3)を満たしていないため、2つの補
助パターン4Bと7Bがともに1.0(μm)以下であ
るにもかかわらず、これらは同等とはみなされず、欠陥
として検出される。
【0031】このように、本願の検査装置及び検査方法
を用いて検査を行えば、(式2)を満たすような補助パ
ターン等の微小なパターンについては、その位置ずれに
(式1)に示すような多少の幅をもたせて判定するよう
にしたので、ユーザーが使用条件等に合わせて検査装置
のパラメータを変えて(式1)及び(式2)による条件
を適当に設定してやることにより、微小な補助パターン
を含む位相シフトマスク2においても、ユーザーは従来
と同様の作業で、真の欠陥と疑似欠陥とを判別して真の
欠陥のみを検出することが可能となり、本来は検出する
必要のない疑似欠陥の誤検出を大幅に減少することがで
き、作業効率を挙げることができる。
【0032】尚、上述の実施例1においては、図3に相
当する構成の検査装置を用いる例を示したが、図4に相
当する構成の検査装置を用いてもよく、検査方法につい
ても、従来例でしめしたいずれの方法においてもこの実
施例を適用することができる。
【0033】実施例2.上述の実施例1では、フォトマ
スクとして位相シフトマスクを例に挙げ、そこに形成さ
れたパターン及び補助パターンとして図1に示したよう
な形状の補助パターンを有するパターンを例に挙げて説
明したが、その場合に限らず、本発明の検査装置及び検
査方法は、他のフォトマスク、並びに、他の形状のパタ
ーン及び補助パターンにも適用することが可能である。
以下の実施例においては、そのいくつかの例について説
明する。
【0034】位相シフトマスクにおいては、図1の例の
他に、例えば、図8に示したような抜きパターン11の
エッジ11aに沿って平行に設けられた細長い矩形の抜
きパターンからなる補助パターン14を用いることもあ
る。この場合においても、上述の実施例1と同様に、図
5のフローに従い検査を行う。ここでは、ステップS1
1及びS12についてのみ説明し、他のステップについ
ては実施例1と同様であるため省略する。また、この実
施例においても、位相シフトマスク2上に同じパターン
が複数個ある場合には、それらのパターンどうしを比較
して検査を行ってもよく、また、検査装置のデータベー
スユニット10内に予め格納されている検査用参照デー
タ(設計データ)と位相シフトマスク上のパターンとを
比較して検査を行ってもよい。
【0035】上記のいずれかの方法において、補助パタ
ーン14の比較を行って検査をするときに、まず、図5
のステップS1においてパターン11及び補助パターン
14の画像データを画像メモリ18(図3及び図4参
照)内に取り込む。次に、ステップS11において、そ
の画像データに従い、補助パターン14の座標を測定
し、それらが同等であるか否かを判定する。補助パター
ン14どうしを比較した場合には、それらの対応する座
標間の距離dが下記の(式1)を満たしていれば同じ座
標にあるとする。ここで、Dは任意の正の実数で、検査
装置のパラメータとして設定されるものである。 0≦d<D (式1) また、補助パターン14と検査用参照データを比較した
場合も、それらの対応する座標間の距離dが同様に、上
記(式1)を満たしていれば同じ座標にあるとする。こ
こで、座標としては、実施例1のように、重心を用いて
もよく、また、補助パターン14のいずれかの端の座標
を用いてもよい。
【0036】座標が同等であると判定された場合には、
次に、ステップS12において、比較した補助パターン
14の大きさがともに所定の値より小さいか否かを判定
する。すなわち、下記の(式3)を満たしているか否か
を判定する。 a1<A1<a2、 かつ a1’<A2<a2’、 (式3) この(式3)を満たしていれば、比較された補助パター
ン14はともに所定の値より小さいものとする。ここ
で、a1、a2、a1’,a2’はいずれも任意の正の
実数であり、検査装置のパラメータとして設定されるも
のである。
【0037】この実施例においても、実施例1と同様に
より、微小な補助パターンを含む位相シフトマスク2に
おいても、真の欠陥と疑似欠陥とを判別し、真の欠陥の
みを検出することが可能となり、本来は検出する必要の
ない疑似欠陥の誤検出を大幅に減少することができ、作
業効率を挙げることができる。
【0038】実施例3.この実施例においては、フォト
マスクとして、図3に示したような、OPC(Optical
Proximity Correction:光近接補正)マスクを例に挙げ
て説明する。OPCマスクにおいては、矩形のパターン
を転写すると一般に角が丸く転写されてしまう傾向があ
るため、それを補正するためのOPCマスクにおける補
助パターンの一例として、例えば、図9に示したよう
に、矩形の抜きパターンからなるパターン21の四隅の
パターン21の対角線の延長上に微小な略々矩形または
正方形の抜きパターンからなる補助パターン24を配置
する場合がある。そうすることによって、ステッパ(図
示せず)によりウエハ上にパターン21を転写する際
に、その転写されたパターン21の四隅が補助パターン
21により強調されて、転写パターン21が矩形に近づ
く。
【0039】この場合も、上述の実施例1及び2と同様
に、図5のフローチャートのステップS1で取り込んだ
画像データを用いて、まず、ステップS11において、
比較した補助パターン24の座標どうしが同等であるか
を判定する。具体的には、上述の実施例1及び2のよう
に、例えば、比較された補助パターン24どうしの重心
または端の座標を求め、それらの間の距離が上記の(式
1)を満たしていれば、同等であるとすればよい。
【0040】次に、ステップS12において、比較され
た補助パターン24の大きさがともに所定の大きさより
小さいか否かを判定する。具体的には例えば、下記の
(式3)を満たしていれば欠陥としないというように設
定すればよい。 a1<A3<a2 (式3) ここで、a1、a2はともに任意の正の実数で、検査装
置のパラメータとして設定するものである。
【0041】以上のようにして検査を行うことにより、
この実施例においても、上述の実施例1及び2と同様
に、微小な補助パターンを含む位相シフトマスク2にお
いても、ユーザーは従来と同様の作業で、真の欠陥と疑
似欠陥とを判別し、真の欠陥のみを検出することが可能
となり、本来は検出する必要のない疑似欠陥の誤検出を
大幅に減少することができ、作業効率を挙げることがで
きる。
【0042】また、OPCマスクのパターンの他の例と
して、図10に示したような、図9の遮光部3と、パタ
ーン21及び補助パターン24からなる透過部とを逆に
したパターンを挙げることができる。すなわち、このパ
ターンにおいては、パターン32が遮光部であり、31
が透過部である。したがって、この例においては、残し
パターンからなるパターン32の四隅に、微小な略々矩
形または正方形の残しパターンからなる補助パターン3
4を配置することで、転写パターン31の角部が強調さ
れて、転写パターンが丸くならずに、矩形に近くなるよ
うにしたものである。すなわち、図9の例と同じ考え方
で、単にパターンの遮光部及び透過部が逆になったもの
である。したがって、この例においても、上記の図9の
実施例と全く同じ検査装置及び検査方法による検査を行
うことにより、同様の効果を得ることができる。また、
ここに挙げた例以外のOPCマスクの他の形状のパター
ンにおいても本発明の検査装置および検査方法は適用す
ることができる。
【0043】
【発明の効果】請求項1の発明においては、第一の条件
設定手段にパターンの位置ずれか否かを判定するための
条件を設定し、第二の条件設定手段にパターンの大きさ
が所定の値より小さいか否かを判定するための条件を設
定して、それらの条件を満たしていれば欠陥として出力
されないようにしたので、微小な補助パターンを含むフ
ォトマスクにおいても、真の欠陥と疑似欠陥とを判別
し、真の欠陥のみを検出することが可能となり、本来は
検出する必要のない疑似欠陥の誤検出を大幅に減少する
ことができ、作業効率を挙げることができる。
【0044】請求項2の発明においては、射光手段と受
光手段とがそれぞれすくなくとも2つずつあるので、フ
ォトマスク上に同じパターンが複数個ある場合には、そ
れらのパターンどうしの比較を行い、それらの座標が同
等であるか否かの判定をするための条件を第一の条件設
定手段に設定しておき、それらの座標が同等で、かつ、
所定の大きさより小さい場合には欠陥として出力されな
いようにしたので、請求項1と同様の効果が得られると
もに、同時に少なくとも2つのパターンの検査を行うこ
とができる。
【0045】請求項3の発明においては、フォトマスク
上のパターンと検査用参照データ格納手段に格納されて
いる検査用参照データとを比較して、それらの座標が同
等であるか否かの判定をするための条件を第一の条件設
定手段に設定しておき、それらの座標が同等で、かつ、
パターンが所定の大きさより小さい場合には欠陥として
出力されないようにしたので、請求項1と同様の効果が
得られるとともに、検査用参照データと比較するため、
より正確に真の欠陥を検出することができる。
【0046】請求項4の発明においては、それぞれ少な
くとも2つの射光手段と受光手段とを用いて、フォトマ
スク上の少なくとも2つの同じパターンの画像データを
取り出し、それらのパターンどうしの比較を行い、それ
らの座標間の距離がある所定の値Dより小さいか否かを
判定するための条件を第一の条件設定手段に設定してお
いて、第一の条件を満たし、かつ、第二の条件である所
定の大きさより小さい条件を満たしている場合には欠陥
として出力されないようにしたので、所定の値をユーザ
ーが任意に設定することにより、疑似欠陥の誤検出を防
ぎ、真の欠陥のみを効率よく検出することができる。
【0047】請求項5の発明においては、フォトマスク
上のパターンの画像データと検査用参照データとの比較
を行い、それらの座標間の距離がある所定の値Dより小
さいか否かを判定するための条件を第一の条件設定手段
に設定しておいて、第一の条件を満たし、かつ、第二の
条件である所定の大きさより小さい条件を満たしている
場合には欠陥として出力されないようにしたので、所定
の値をユーザーが任意に設定することにより、疑似欠陥
の誤検出を防ぎ、真の欠陥のみを効率よく検出すること
ができる。
【0048】請求項6の発明においては、第一の条件設
定手段にパターンの位置ずれか否かを判定するための条
件を設定し、第二の条件設定手段にパターンの大きさが
所定の値より小さいか否かを判定するための条件を設定
して、それらの条件を満たしていれば欠陥として出力し
ないようにしたので、微小な補助パターンを含むフォト
マスクにおいても、真の欠陥と疑似欠陥とを判別し、真
の欠陥のみを検出することが可能となり、本来は検出す
る必要のない疑似欠陥の誤検出を大幅に減少することが
でき、作業効率を挙げることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 同じパターンが複数個形成された位相シスト
マスクの一例を示した平面図である。
【図2】 従来のフォトマスクパターン欠陥検査方法を
示したフローチャートである。
【図3】 従来のフォトマスクパターン欠陥検査装置を
示したブロック図である。
【図4】 従来のフォトマスクパターン欠陥検査装置の
他の例を示したブロック図である。
【図5】 本発明のフォトマスクパターン欠陥検査方法
を示したフローチャートである。
【図6】 本発明の実施例1における補助パターンを比
較している状態を示した平面図である。
【図7】 本発明の実施例1における具体的な補助パタ
ーンを比較している状態を示した平面図である。
【図8】 位相シストマスクの他の例を示した平面図で
ある。
【図9】 OPCマスクの一例を示した平面図である。
【図10】 OPCマスクの他の例を示した平面図であ
る。
【符号の説明】
1,6,21,32 パターン、3 遮光部、4,7,
14,24,34 補助パターン。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フォトマスクに形成され、微小な補助パ
    ターン含むパターンの欠陥を検出するためのフォトマス
    クパターン欠陥検査装置であって、 光源と、 上記光源からの光をフォトマスクに照射するための照射
    手段と、 上記照射手段により照射されて、上記フォトマスクを通
    過してくる光を受光するための受光手段と、 上記受光手段からの信号に基づき、上記フォトマスクに
    形成されているパターンの画像データを取り出すための
    画像処理手段と、 上記パターンの位置を位置ずれか否か判定するための第
    一の条件を設定するための第一の条件設定手段と、 上記パターンの大きさが所定の大きさ以下であるか否か
    を判定するための第二の条件を設定するための第二の条
    件設定手段と、 画像処理手段により取り出された画像データに基づき、
    上記パターンの位置の座標が上記第一の条件を満たして
    いるか否かを判定するとともに、上記パターンの大きさ
    が上記第二の条件を満たしているか否かを判定して、上
    記第一の条件及び上記第二の条件をともに満たしている
    と判定した場合に正常を示す判定信号を出力するための
    判定手段と、 上記判定手段からの判定信号を外部に出力するための出
    力手段とを、備えたことを特徴とするフォトマスクパタ
    ーン欠陥検査装置。
  2. 【請求項2】 上記照射手段と上記受光手段とがすくな
    くとも2つずつあって、 上記判定手段が、各上記受光手段からの信号に基づき、
    上記画像処理手段により取り出された少なくとも2つの
    同一であり得るパターンの画像データどうしを比較する
    ための画像比較部と、上記画像比較部の比較結果に基づ
    き、上記パターンの位置の座標が上記第一の条件を満た
    しているか否かを判定するための位置判定部と、上記画
    像比較部の比較結果に基づき、少なくとも2つの上記パ
    ターンの大きさがともに上記第二の条件を満たしている
    か否かを判定するための大きさ判定部と、上記位置判定
    部及び上記大きさ判定部からの信号により、上記第一の
    条件及び上記第二の条件をともに満たしている場合に正
    常を示す判定信号を出力するための判定信号出力部と、
    を備えていることを特徴とする請求項1記載のフォトマ
    スクパターン欠陥検査装置。
  3. 【請求項3】 さらに、検査用参照データを格納してい
    る検査用参照データ格納手段を備え、 上記判定手段が、上記画像処理手段により取り出された
    画像データと上記検査用参照データとを比較するための
    画像比較部と、上記画像比較部の比較結果に基づき、上
    記パターンの位置の座標が上記第一の条件を満たしてい
    るか否かを判定するための位置判定部と、上記画像比較
    部の比較結果に基づき、上記パターンの大きさが上記第
    二の条件を満たしているか否かを判定するための大きさ
    判定部と、上記位置判定部及び上記大きさ判定部からの
    信号により、上記第一の条件及び上記第二の条件をとも
    に満たしている場合に正常を示す判定信号を出力するた
    めの判定信号出力部と、を備えていることを特徴とする
    請求項1記載のフォトマスクパターン欠陥検査装置。
  4. 【請求項4】 上記画像処理手段により取り出された少
    なくとも2つの同一であり得るパターンの画像データの
    対応する座標どうし間の距離dが、 0≦d<D,(ここで、Dは任意の正の実数) (式
    1)を満たしていることを上記第一の条件とすることを
    特徴とする請求項2記載のフォトマスクパターン検査装
    置。
  5. 【請求項5】 上記画像処理手段により取り出された画
    像データと上記検査用参照データの対応する座標間の距
    離dが、 0≦d<D,(ここで、Dは任意の正の実数) (式
    1)を満たしていることを上記第一の条件とすることを
    特徴とする請求項3記載のフォトマスクパターン検査装
    置。
  6. 【請求項6】 フォトマスクに光を照射し、 上記フォトマスクを通過した光を受光し、 その受光された光に基づいて、上記フォトマスクに形成
    されているパターンの画像データを取り出し、 上記画像データに基づき、上記パターンの位置の座標が
    位置ずれか否かを判定するための第一の条件を満たして
    いるか否かを判定するとともに、上記パターンの大きさ
    が所定の大きさ以下であるか否かを判定するための上記
    第二の条件を満たしているか否かを判定し、 上記第一の条件及び上記第二の条件をともに満たしてい
    ると判定した場合に正常を示す判定信号を上記出力手段
    から出力する、 ことを特徴とするフォトマスクパターン欠陥検査方法。
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