JPS61196512A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Publication number
JPS61196512A
JPS61196512A JP60036883A JP3688385A JPS61196512A JP S61196512 A JPS61196512 A JP S61196512A JP 60036883 A JP60036883 A JP 60036883A JP 3688385 A JP3688385 A JP 3688385A JP S61196512 A JPS61196512 A JP S61196512A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor substrate
semiconductor
notch
discrimination
light
Prior art date
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Pending
Application number
JP60036883A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Koshimizu
輿水 弘
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP60036883A priority Critical patent/JPS61196512A/ja
Publication of JPS61196512A publication Critical patent/JPS61196512A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28DWORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P72/00Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
    • H10P72/30Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
    • H10P72/38Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations with angular orientation of workpieces
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P95/00Generic processes or apparatus for manufacture or treatments not covered by the other groups of this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W46/00Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W46/00Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification
    • H10W46/201Marks applied to devices, e.g. for alignment or identification located on the periphery of wafers, e.g. orientation notches or lot numbers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置の製造に関し1%に半導体基板の識
別方法に関するものである。
〔従来の技術〕
従来半導体基板の識別は半導体基板の一部に書かれたO
CR文字あるいはバーコード等によるのが一般的であっ
た。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のOCR文字読み取りあるいはバーコード
絖み取りは複雑な光学系と高級なCPUを採用し非常に
萬価であり、その上各種の処理を径だ後でri、読み取
りに時間がかIJ)ったり、読み取り不可能になる事も
多かった。
また従来の半導体製造で一般に庇われている半導体基板
と膜厚や特性を測定するための基板等の識別に安価な方
法がなく、人間の目視判定が簡単なためこれを採用する
場合が多くこの場合はミスによる混入がさけられなかっ
た。
近年半導体基板が大口径化するにつれ人間が基板を直接
取扱う事が不可能に近くなっておジ、安価な方法で半導
体基板を識別する方法が必要とされた。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の方法は半導体基板外周部に識別用の切欠きを複
数ケ所設けこれを光電式あるいは機械的に読み取ること
により半導体基板の識別を行うものであり、文字あるい
はバーコード等の読み取りと異なり、非常に安価なシス
テムでかつ半導体装置製造上問題となるゴミ、傷、汚れ
等の発生も少なくかつこれらによ#)fft、み取り不
可能になる事もないという%aを有している。
〔実施例〕
矢に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例を示す半導体基板1の図であ
り切欠き2は半導体基板1t−板状に加工する前に加工
しである。
第2図は第1図の実施例の半導体基板の識別を行なう装
置の断面図であシ、図において半導体基板1が回転する
ことにより発光部3よりの光かつ受光部4に切欠きに応
じたパルス信号5が検出され半導体基板の識別が行なわ
れる。
第3図は第1図9実施例の半導体基板の識別を行なう装
置の他の例であり、図において半導体基板1の外周に押
し当てられたキー6のON、OFFにより、切欠きに応
じた信号を検出し半導体基板の識別を行なうものである
半導体基板に設ける切欠きは本実施例では半導体基板を
板状に加工する前に加工したが半導体基板になってから
ダイサー等により切欠き加工することも容易である。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は半導体基板外周に切欠@を
設けることにより、従来の欠点でめった高価な認識シス
テムを用いずに極めて安価に半導体基板の識別を行なう
事ができるばかりでなくどこの工程に使用しても識別の
確率はほぼ一定であり、かつゴミ、キズ、汚れ等の影響
が最少にでさる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す半導体基板の平面図、
第2図は本発明の一実施例の半導体基板の識別を行なう
装置の断面図および波形図、第3図は本発明の一実施例
の半導体基板の識別を行なう装置の他の例を示す図であ
る。 図において、1は半導体基板、2は識別用切欠き、3は
発光部54は受光部、5は出力のパルス信号、6は識別
キーである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体基板の外周部に複数ケ所の切欠きを設け、これを
    検出することにより半導体基板の識別を行なう事を特徴
    とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01266735A (ja) * 1988-04-18 1989-10-24 Matsushita Electron Corp 半導体基板
US5230747A (en) * 1982-07-30 1993-07-27 Hitachi, Ltd. Wafer having chamfered bend portions in the joint regions between the contour of the wafer and the cut-away portion of the wafer
EP0604061A1 (en) * 1992-12-24 1994-06-29 AT&T Corp. Semiconductor fabrication
GB2307787A (en) * 1995-11-30 1997-06-04 Samsung Electronics Co Ltd Labelling semiconductor wafers
US5894172A (en) * 1996-05-27 1999-04-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with identification function

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5230747A (en) * 1982-07-30 1993-07-27 Hitachi, Ltd. Wafer having chamfered bend portions in the joint regions between the contour of the wafer and the cut-away portion of the wafer
USRE40139E1 (en) * 1982-07-30 2008-03-04 Renesas Technology Corp. Wafer having chamfered bend portions in the joint regions between the contour of the cut-away portion of the wafer
JPH01266735A (ja) * 1988-04-18 1989-10-24 Matsushita Electron Corp 半導体基板
EP0604061A1 (en) * 1992-12-24 1994-06-29 AT&T Corp. Semiconductor fabrication
JPH06232016A (ja) * 1992-12-24 1994-08-19 American Teleph & Telegr Co <Att> 半導体集積回路の形成方法と前記方法により形成されたウェーハ
GB2307787A (en) * 1995-11-30 1997-06-04 Samsung Electronics Co Ltd Labelling semiconductor wafers
US5800906A (en) * 1995-11-30 1998-09-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Label for semiconductor wafer
GB2307787B (en) * 1995-11-30 2000-10-11 Samsung Electronics Co Ltd A set of labels for a semiconductor wafer
US5894172A (en) * 1996-05-27 1999-04-13 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device with identification function

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