JPH04337626A - アモルファスシリコンの結晶化方法 - Google Patents
アモルファスシリコンの結晶化方法Info
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- JPH04337626A JPH04337626A JP3137018A JP13701891A JPH04337626A JP H04337626 A JPH04337626 A JP H04337626A JP 3137018 A JP3137018 A JP 3137018A JP 13701891 A JP13701891 A JP 13701891A JP H04337626 A JPH04337626 A JP H04337626A
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- amorphous silicon
- silicon oxide
- oxide film
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はアモルファスシリコン
の結晶化方法に関する。
の結晶化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】アモルファスシリコンを結晶化して例え
ば薄膜トランジスタを製造する方法には、比較的大きな
ガラス基板等からなる絶縁基板の上面全体にアモルファ
スシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜に
エキシマレーザ光を照射することにより該アモルファス
シリコン膜を結晶化してポリシリコン膜とし、このポリ
シリコン膜をエッチングして多数の薄膜トランジスタ形
成領域を形成する方法がある。この場合、絶縁基板の大
きさに対してエキシマレーザ光のスポットサイズが最大
でも１０ｍｍ×１０ｍｍ程度とかなり小さいので、エキ
シマレーザ光をスキャンさせて絶縁基板上のアモルファ
スシリコン膜全体を照射するようにしている。
ば薄膜トランジスタを製造する方法には、比較的大きな
ガラス基板等からなる絶縁基板の上面全体にアモルファ
スシリコン膜を形成し、このアモルファスシリコン膜に
エキシマレーザ光を照射することにより該アモルファス
シリコン膜を結晶化してポリシリコン膜とし、このポリ
シリコン膜をエッチングして多数の薄膜トランジスタ形
成領域を形成する方法がある。この場合、絶縁基板の大
きさに対してエキシマレーザ光のスポットサイズが最大
でも１０ｍｍ×１０ｍｍ程度とかなり小さいので、エキ
シマレーザ光をスキャンさせて絶縁基板上のアモルファ
スシリコン膜全体を照射するようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
このようなアモルファスシリコンの結晶化方法では、絶
縁基板上のアモルファスシリコン膜全体を確実に照射す
るには、隣接する２つのレーザ光照射領域の境界部分を
二重照射することになり、このため同境界部分に対応す
る領域のアモルファスシリコン膜のみを二度に亘ってア
ニーリングすることになり、この部分の結晶粒子のみを
増大させるから、ポリシリコン膜の特性にバラツキが生
じてしまうという問題があった。この発明の目的は、ポ
リシリコン膜の結晶粒子の大きさを均一にして特性を向
上することのできるアモルファスシリコンの結晶化方法
を提供することにある。
このようなアモルファスシリコンの結晶化方法では、絶
縁基板上のアモルファスシリコン膜全体を確実に照射す
るには、隣接する２つのレーザ光照射領域の境界部分を
二重照射することになり、このため同境界部分に対応す
る領域のアモルファスシリコン膜のみを二度に亘ってア
ニーリングすることになり、この部分の結晶粒子のみを
増大させるから、ポリシリコン膜の特性にバラツキが生
じてしまうという問題があった。この発明の目的は、ポ
リシリコン膜の結晶粒子の大きさを均一にして特性を向
上することのできるアモルファスシリコンの結晶化方法
を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
アモルファスシリコン膜上に絶縁薄膜を形成し、レーザ
光を照射することにより、アモルファスシリコン膜を結
晶化するアモルファスシリコンの結晶化方法であって、
レーザ光の波長をλとし、絶縁薄膜の屈折率をｎとする
とき、絶縁薄膜の所定部分の膜厚を（２ｍ＋１）λ／２
ｎ（ｍ；正の整数）程度とし、絶縁薄膜の所定部分以外
の部分の膜厚を（２ｍ＋１）λ／４ｎ程度とし、レーザ
光を照射することにより、絶縁薄膜の所定部分に対応す
る領域のアモルファスシリコン膜のみを結晶化するよう
にしたものである。また、請求項２記載の発明は、絶縁
薄膜の所定部分に対応する領域のアモルファスシリコン
膜のみを結晶化した後、絶縁薄膜の所定部分の膜厚を（
２ｍ＋１）λ／４ｎ程度とし、絶縁薄膜の所定部分以外
の部分の膜厚を（２ｍ＋１）λ／２ｎ程度とし、レーザ
光を照射することにより、絶縁薄膜の所定部分以外の部
分に対応する領域のアモルファスシリコン膜のみを結晶
化するようにしたものである。
アモルファスシリコン膜上に絶縁薄膜を形成し、レーザ
光を照射することにより、アモルファスシリコン膜を結
晶化するアモルファスシリコンの結晶化方法であって、
レーザ光の波長をλとし、絶縁薄膜の屈折率をｎとする
とき、絶縁薄膜の所定部分の膜厚を（２ｍ＋１）λ／２
ｎ（ｍ；正の整数）程度とし、絶縁薄膜の所定部分以外
の部分の膜厚を（２ｍ＋１）λ／４ｎ程度とし、レーザ
光を照射することにより、絶縁薄膜の所定部分に対応す
る領域のアモルファスシリコン膜のみを結晶化するよう
にしたものである。また、請求項２記載の発明は、絶縁
薄膜の所定部分に対応する領域のアモルファスシリコン
膜のみを結晶化した後、絶縁薄膜の所定部分の膜厚を（
２ｍ＋１）λ／４ｎ程度とし、絶縁薄膜の所定部分以外
の部分の膜厚を（２ｍ＋１）λ／２ｎ程度とし、レーザ
光を照射することにより、絶縁薄膜の所定部分以外の部
分に対応する領域のアモルファスシリコン膜のみを結晶
化するようにしたものである。
【０００５】
【作用】この発明によれば、絶縁薄膜の所定部分に対応
する領域のアモルファスシリコン膜のみを結晶化し、こ
の後絶縁薄膜の所定部分以外の部分に対応する領域のア
モルファスシリコン膜のみを結晶化するとともに、絶縁
薄膜の所定部分および所定部分以外の部分の大きさをレ
ーザ光のスポットサイズよりも小さくすると、絶縁薄膜
の所定部分と所定部分以外の部分との境界部分を二重照
射しても、同境界部分に対応する領域のアモルファスシ
リコン膜には一度しか大きなエネルギが与えられず、し
たがってポリシリコン膜の結晶粒子の大きさを均一にし
て特性を向上することができる。
する領域のアモルファスシリコン膜のみを結晶化し、こ
の後絶縁薄膜の所定部分以外の部分に対応する領域のア
モルファスシリコン膜のみを結晶化するとともに、絶縁
薄膜の所定部分および所定部分以外の部分の大きさをレ
ーザ光のスポットサイズよりも小さくすると、絶縁薄膜
の所定部分と所定部分以外の部分との境界部分を二重照
射しても、同境界部分に対応する領域のアモルファスシ
リコン膜には一度しか大きなエネルギが与えられず、し
たがってポリシリコン膜の結晶粒子の大きさを均一にし
て特性を向上することができる。
【０００６】
【実施例】図１〜図５はそれぞれこの発明の一実施例に
おけるアモルファスシリコンの結晶化方法の各工程を示
したものである。そこで、これらの図を順に参照しなが
ら、アモルファスシリコンの結晶化方法について説明す
る。
おけるアモルファスシリコンの結晶化方法の各工程を示
したものである。そこで、これらの図を順に参照しなが
ら、アモルファスシリコンの結晶化方法について説明す
る。
【０００７】まず、図１に示すように、ガラス基板等か
らなる絶縁基板１の上面全体にアモルファスシリコン膜
２を形成する。次に、アモルファスシリコン膜２の上面
全体に第１の酸化シリコン膜（絶縁薄膜）３を所定の厚
さｔに形成する。次に、図２に示すように、第１の酸化
シリコン膜３の上面に窒化シリコン膜４をパターン形成
する。この場合、窒化シリコン膜４の幅Ａと間隔Ｂは、
同一の大きさで、図４に示すエキシマレーザ光のスポッ
トサイズＣ（例えば１０ｍｍ×１０ｍｍ）よりも若干小
さくなるようにする。次に、図３に示すように、隣接す
る窒化シリコン膜４間における第１の酸化シリコン膜３
の上面に第２の酸化シリコン膜（絶縁薄膜）５を第１の
酸化シリコン膜３の膜厚ｔと同じ厚さｔに形成する。次
に、窒化シリコン膜４をエッチングして除去する。次に
、図４に示すように、エキシマレーザ光をスキャンさせ
て第２の酸化シリコン膜５に対応する部分を照射すると
、後で詳述するように、第２の酸化シリコン膜５に対応
する領域のアモルファスシリコン膜２のみが結晶化して
ポリシリコン膜６となる。
らなる絶縁基板１の上面全体にアモルファスシリコン膜
２を形成する。次に、アモルファスシリコン膜２の上面
全体に第１の酸化シリコン膜（絶縁薄膜）３を所定の厚
さｔに形成する。次に、図２に示すように、第１の酸化
シリコン膜３の上面に窒化シリコン膜４をパターン形成
する。この場合、窒化シリコン膜４の幅Ａと間隔Ｂは、
同一の大きさで、図４に示すエキシマレーザ光のスポッ
トサイズＣ（例えば１０ｍｍ×１０ｍｍ）よりも若干小
さくなるようにする。次に、図３に示すように、隣接す
る窒化シリコン膜４間における第１の酸化シリコン膜３
の上面に第２の酸化シリコン膜（絶縁薄膜）５を第１の
酸化シリコン膜３の膜厚ｔと同じ厚さｔに形成する。次
に、窒化シリコン膜４をエッチングして除去する。次に
、図４に示すように、エキシマレーザ光をスキャンさせ
て第２の酸化シリコン膜５に対応する部分を照射すると
、後で詳述するように、第２の酸化シリコン膜５に対応
する領域のアモルファスシリコン膜２のみが結晶化して
ポリシリコン膜６となる。
【０００８】ここで、アモルファスシリコン膜の上面に
酸化シリコン膜を形成し、エキシマレーザ光を照射した
とき、アモルファスシリコン膜と酸化シリコン膜の境界
面で反射される反射光と酸化シリコン膜の表面から入射
する入射光の位相が合っている場合には、エキシマレー
ザ光の透過率が高くなり、このためアモルファスシリコ
ン膜に到達するレーザエネルギが増大する。一方、位相
がズレている場合には、エキシマレーザ光の反射率が高
くなり、このためアモルファスシリコン膜に到達するレ
ーザエネルギが減少する。したがって、エキシマレーザ
光の波長をλとし、酸化シリコン膜の屈折率をｎとする
と、酸化シリコン膜の膜厚が（２ｍ＋１）λ／２ｎ（ｍ
；正の整数）のとき、アモルファスシリコン膜に到達す
るレーザエネルギが増大し、一方、酸化シリコン膜の膜
厚が（２ｍ＋１）λ／４ｎのとき、アモルファスシリコ
ン膜に到達するレーザエネルギが最低となる。
酸化シリコン膜を形成し、エキシマレーザ光を照射した
とき、アモルファスシリコン膜と酸化シリコン膜の境界
面で反射される反射光と酸化シリコン膜の表面から入射
する入射光の位相が合っている場合には、エキシマレー
ザ光の透過率が高くなり、このためアモルファスシリコ
ン膜に到達するレーザエネルギが増大する。一方、位相
がズレている場合には、エキシマレーザ光の反射率が高
くなり、このためアモルファスシリコン膜に到達するレ
ーザエネルギが減少する。したがって、エキシマレーザ
光の波長をλとし、酸化シリコン膜の屈折率をｎとする
と、酸化シリコン膜の膜厚が（２ｍ＋１）λ／２ｎ（ｍ
；正の整数）のとき、アモルファスシリコン膜に到達す
るレーザエネルギが増大し、一方、酸化シリコン膜の膜
厚が（２ｍ＋１）λ／４ｎのとき、アモルファスシリコ
ン膜に到達するレーザエネルギが最低となる。
【０００９】そこで、第１および第２の酸化シリコン膜
３、５の各膜厚ｔを（２ｍ＋１）λ／４ｎ程度とすると
、第１の酸化シリコン膜３のみが存在する部分では酸化
シリコン膜の膜厚が（２ｍ＋１）λ／４ｎ程度となり、
第１および第２の酸化シリコン膜３、５が存在する部分
では酸化シリコン膜の膜厚が（２ｍ＋１）λ／２ｎ程度
となる。このため、エキシマレーザ光をスキャンさせて
第２の酸化シリコン膜５に対応する部分を照射すると、
第２の酸化シリコン膜５に対応する領域のアモルファス
シリコン膜２のみに十分なレーザエネルギが到達し、第
２の酸化シリコン膜５に対応する領域のアモルファスシ
リコン膜２のみが結晶化してポリシリコン膜６となる。
３、５の各膜厚ｔを（２ｍ＋１）λ／４ｎ程度とすると
、第１の酸化シリコン膜３のみが存在する部分では酸化
シリコン膜の膜厚が（２ｍ＋１）λ／４ｎ程度となり、
第１および第２の酸化シリコン膜３、５が存在する部分
では酸化シリコン膜の膜厚が（２ｍ＋１）λ／２ｎ程度
となる。このため、エキシマレーザ光をスキャンさせて
第２の酸化シリコン膜５に対応する部分を照射すると、
第２の酸化シリコン膜５に対応する領域のアモルファス
シリコン膜２のみに十分なレーザエネルギが到達し、第
２の酸化シリコン膜５に対応する領域のアモルファスシ
リコン膜２のみが結晶化してポリシリコン膜６となる。
【００１０】次に、図５に示すように、全表面に第３の
酸化シリコン膜（絶縁薄膜）７を第１および第２の酸化
シリコン膜３、５の膜厚ｔと同じ厚さｔに形成する。す
ると、第１〜第３の酸化シリコン膜３、５、７が存在す
る部分では酸化シリコン膜の膜厚が３×（２ｍ＋１）λ
／４ｎ程度となり、第１および第３の酸化シリコン膜３
、７のみが存在する部分では酸化シリコン膜の膜厚が（
２ｍ＋１）λ／２ｎ程度となる。このため、エキシマレ
ーザ光をスキャンさせて第２の酸化シリコン膜５に対応
しない部分を照射すると、第２の酸化シリコン膜５に対
応しない領域のアモルファスシリコン膜２のみに十分な
レーザエネルギが到達し、第２の酸化シリコン膜５に対
応しない領域のアモルファスシリコン膜２のみが結晶化
してポリシリコン膜８となる。
酸化シリコン膜（絶縁薄膜）７を第１および第２の酸化
シリコン膜３、５の膜厚ｔと同じ厚さｔに形成する。す
ると、第１〜第３の酸化シリコン膜３、５、７が存在す
る部分では酸化シリコン膜の膜厚が３×（２ｍ＋１）λ
／４ｎ程度となり、第１および第３の酸化シリコン膜３
、７のみが存在する部分では酸化シリコン膜の膜厚が（
２ｍ＋１）λ／２ｎ程度となる。このため、エキシマレ
ーザ光をスキャンさせて第２の酸化シリコン膜５に対応
しない部分を照射すると、第２の酸化シリコン膜５に対
応しない領域のアモルファスシリコン膜２のみに十分な
レーザエネルギが到達し、第２の酸化シリコン膜５に対
応しない領域のアモルファスシリコン膜２のみが結晶化
してポリシリコン膜８となる。
【００１１】このように、このアモルファスシリコンの
結晶化方法では、第２の酸化シリコン膜５に対応する領
域のアモルファスシリコン膜２のみを結晶化し、この後
第２の酸化シリコン膜５に対応しない領域のアモルファ
スシリコン膜２のみを結晶化するとともに、第２の酸化
シリコン膜５の存在する部分および存在しない部分の大
きさをエキシマレーザ光のスポットサイズよりも小さく
しているので、第２の酸化シリコン膜５の存在する部分
と存在しない部分との境界部分を二重照射しても、同境
界部分に対応する領域アモルファスシリコン膜２には大
きなエネルギは一度しか与えられず、したがってポリシ
リコン膜６、８の結晶粒子の大きさは均一となり特性を
向上することができる。
結晶化方法では、第２の酸化シリコン膜５に対応する領
域のアモルファスシリコン膜２のみを結晶化し、この後
第２の酸化シリコン膜５に対応しない領域のアモルファ
スシリコン膜２のみを結晶化するとともに、第２の酸化
シリコン膜５の存在する部分および存在しない部分の大
きさをエキシマレーザ光のスポットサイズよりも小さく
しているので、第２の酸化シリコン膜５の存在する部分
と存在しない部分との境界部分を二重照射しても、同境
界部分に対応する領域アモルファスシリコン膜２には大
きなエネルギは一度しか与えられず、したがってポリシ
リコン膜６、８の結晶粒子の大きさは均一となり特性を
向上することができる。
【００１２】ここで、一例として、エキシマレーザ光の
波長λを３０００Åとし、酸化シリコン膜の屈折率ｎを
約１．５とし、第１〜第３の酸化シリコン膜３、５、７
の各膜厚ｔを３λ／４ｎ＝１５００Åとすると、図４に
示す状態において結晶化される領域に対応する部分の酸
化シリコン膜の膜厚が３λ／２ｎ＝３０００Åとなり、
また図５に示す状態において結晶化される領域に対応す
る部分の酸化シリコン膜の膜厚がこれまた３λ／２ｎ＝
３０００Åとなり、したがってアモルファスシリコン膜
２に到達するレーザエネルギを共に最高とすることがで
きる。
波長λを３０００Åとし、酸化シリコン膜の屈折率ｎを
約１．５とし、第１〜第３の酸化シリコン膜３、５、７
の各膜厚ｔを３λ／４ｎ＝１５００Åとすると、図４に
示す状態において結晶化される領域に対応する部分の酸
化シリコン膜の膜厚が３λ／２ｎ＝３０００Åとなり、
また図５に示す状態において結晶化される領域に対応す
る部分の酸化シリコン膜の膜厚がこれまた３λ／２ｎ＝
３０００Åとなり、したがってアモルファスシリコン膜
２に到達するレーザエネルギを共に最高とすることがで
きる。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
、絶縁薄膜の所定部分に対応する領域のアモルファスシ
リコン膜のみを結晶化し、この後絶縁薄膜の所定部分以
外の部分に対応する領域のアモルファスシリコン膜のみ
を結晶化しているので、絶縁薄膜の所定部分および所定
部分以外の部分の大きさをレーザ光のスポットサイズよ
りも小さくすると、絶縁薄膜の所定部分と所定部分以外
の部分との境界部分を二重照射しても、同境界部分に対
応する領域のアモルファスシリコン膜は一度しかアニー
リングされず、したがってポリシリコン膜の結晶粒子の
大きさを均一にして特性を向上することができる。
、絶縁薄膜の所定部分に対応する領域のアモルファスシ
リコン膜のみを結晶化し、この後絶縁薄膜の所定部分以
外の部分に対応する領域のアモルファスシリコン膜のみ
を結晶化しているので、絶縁薄膜の所定部分および所定
部分以外の部分の大きさをレーザ光のスポットサイズよ
りも小さくすると、絶縁薄膜の所定部分と所定部分以外
の部分との境界部分を二重照射しても、同境界部分に対
応する領域のアモルファスシリコン膜は一度しかアニー
リングされず、したがってポリシリコン膜の結晶粒子の
大きさを均一にして特性を向上することができる。
【図１】この発明の一実施例におけるアモルファスシリ
コンの結晶化方法においてアモルファスシリコン膜の上
面全体に第１の酸化シリコン膜を形成した状態の断面図
。
コンの結晶化方法においてアモルファスシリコン膜の上
面全体に第１の酸化シリコン膜を形成した状態の断面図
。
【図２】このアモルファスシリコンの結晶化方法におい
て第１の酸化シリコン膜の上面に窒化シリコン膜をパタ
ーン形成した状態の断面図。
て第１の酸化シリコン膜の上面に窒化シリコン膜をパタ
ーン形成した状態の断面図。
【図３】このアモルファスシリコンの結晶化方法におい
て隣接する窒化シリコン膜間における第１の酸化シリコ
ン膜の上面に第２の酸化シリコン膜を形成した状態の断
面図。
て隣接する窒化シリコン膜間における第１の酸化シリコ
ン膜の上面に第２の酸化シリコン膜を形成した状態の断
面図。
【図４】このアモルファスシリコンの結晶化方法におい
てエキシマレーザ光の照射により第２の酸化シリコン膜
に対応する領域のアモルファスシリコン膜のみを結晶化
してポリシリコン膜とした状態の断面図。
てエキシマレーザ光の照射により第２の酸化シリコン膜
に対応する領域のアモルファスシリコン膜のみを結晶化
してポリシリコン膜とした状態の断面図。
【図５】このアモルファスシリコンの結晶化方法におい
て全表面に第３の酸化シリコン膜を形成した後エキシマ
レーザ光の照射により第２の酸化シリコン膜に対応しな
い部分のアモルファスシリコン膜のみを結晶化してポリ
シリコン膜とした状態の断面図。
て全表面に第３の酸化シリコン膜を形成した後エキシマ
レーザ光の照射により第２の酸化シリコン膜に対応しな
い部分のアモルファスシリコン膜のみを結晶化してポリ
シリコン膜とした状態の断面図。
１ 絶縁基板
２ アモルファスシリコン膜
３ 第１の酸化シリコン膜（絶縁薄膜）５ 第２の
酸化シリコン膜（絶縁薄膜）６ ポリシリコン膜 ７ 第３の酸化シリコン膜（絶縁薄膜）８ ポリシ
リコン膜
酸化シリコン膜（絶縁薄膜）６ ポリシリコン膜 ７ 第３の酸化シリコン膜（絶縁薄膜）８ ポリシ
リコン膜
Claims (3)
- 【請求項１】 アモルファスシリコン膜上に絶縁薄膜
を形成し、レーザ光を照射することにより、前記アモル
ファスシリコン膜を結晶化するアモルファスシリコンの
結晶化方法であって、前記レーザ光の波長をλとし、前
記絶縁薄膜の屈折率をｎとするとき、前記絶縁薄膜の所
定部分の膜厚を（２ｍ＋１）λ／２ｎ（ｍ；正の整数）
程度とし、前記絶縁薄膜の所定部分以外の部分の膜厚を
（２ｍ＋１）λ／４ｎ程度とし、レーザ光を照射するこ
とにより、前記絶縁薄膜の所定部分に対応する領域の前
記アモルファスシリコン膜のみを結晶化することを特徴
とするアモルファスシリコンの結晶化方法。 - 【請求項２】 前記絶縁薄膜の所定部分に対応する領
域の前記アモルファスシリコン膜のみを結晶化した後、
前記絶縁薄膜の所定部分の膜厚を（２ｍ＋１）λ／４ｎ
程度とし、前記絶縁薄膜の所定部分以外の部分の膜厚を
（２ｍ＋１）λ／２ｎ程度とし、レーザ光を照射するこ
とにより、前記絶縁薄膜の所定部分以外の部分に対応す
る領域の前記アモルファスシリコン膜のみを結晶化する
ことを特徴とする請求項１記載のアモルファスシリコン
の結晶化方法。 - 【請求項３】 前記絶縁薄膜は酸化シリコン膜からな
ることを特徴とする請求項１または２記載のアモルファ
スシリコンの結晶化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3137018A JPH04337626A (ja) | 1991-05-14 | 1991-05-14 | アモルファスシリコンの結晶化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3137018A JPH04337626A (ja) | 1991-05-14 | 1991-05-14 | アモルファスシリコンの結晶化方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04337626A true JPH04337626A (ja) | 1992-11-25 |
Family
ID=15188907
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3137018A Pending JPH04337626A (ja) | 1991-05-14 | 1991-05-14 | アモルファスシリコンの結晶化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04337626A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6337231B1 (en) * | 1993-05-26 | 2002-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
| US6924506B2 (en) | 1993-05-26 | 2005-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having channel formation region comprising silicon and containing a group IV element |
-
1991
- 1991-05-14 JP JP3137018A patent/JPH04337626A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6337231B1 (en) * | 1993-05-26 | 2002-01-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device |
| US6924506B2 (en) | 1993-05-26 | 2005-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having channel formation region comprising silicon and containing a group IV element |
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