JPH0447466B2 - - Google Patents
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- JPH0447466B2 JPH0447466B2 JP57147357A JP14735782A JPH0447466B2 JP H0447466 B2 JPH0447466 B2 JP H0447466B2 JP 57147357 A JP57147357 A JP 57147357A JP 14735782 A JP14735782 A JP 14735782A JP H0447466 B2 JPH0447466 B2 JP H0447466B2
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- transparent conductive
- conductive film
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- laser beam
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/30—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells
- H10F19/31—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules comprising thin-film photovoltaic cells having multiple laterally adjacent thin-film photovoltaic cells deposited on the same substrate
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は、光起電力装置や光導電装置の如き光
半導体装置の製造方法に関するものである。
半導体装置の製造方法に関するものである。
＜背景技術＞
この種の装置において、その光感応層に非晶質
シリコンの様な半導体膜を用いたものは既に知ら
れている。
シリコンの様な半導体膜を用いたものは既に知ら
れている。
第１図は、非晶質半導体膜を用いた従来の光半
導体装置を示し、１は透明基板、２ａ，２ｂ，２
ｃ…は基板１上に一定間隔で被着された透明導電
膜、３ａ，３ｂ，３ｃ…は各透明導電膜上に重畳
被着された非晶質半導体膜、４ａ，４ｂ，４ｃ…
は各非晶質半導体膜上に重畳被着され、かつ各右
隣りの透明導電膜２ｂ，２ｃ…に部分的に重畳せ
る裏面電極膜である。
導体装置を示し、１は透明基板、２ａ，２ｂ，２
ｃ…は基板１上に一定間隔で被着された透明導電
膜、３ａ，３ｂ，３ｃ…は各透明導電膜上に重畳
被着された非晶質半導体膜、４ａ，４ｂ，４ｃ…
は各非晶質半導体膜上に重畳被着され、かつ各右
隣りの透明導電膜２ｂ，２ｃ…に部分的に重畳せ
る裏面電極膜である。
各非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３ｃ…は、その
内部に例えば膜面に平行なPIN接合を含み、従つ
て透明基板１及び透明導電膜２ａ，２ｂ，２ｃ…
を順次介して光入射があると、光起電力を発生す
る。各非晶質半導体３ａ，３ｂ，３ｃ…内で発生
した光起電力は裏面電極膜４ａ，４ｂ，４ｃでの
接続により直列的に相加される。
内部に例えば膜面に平行なPIN接合を含み、従つ
て透明基板１及び透明導電膜２ａ，２ｂ，２ｃ…
を順次介して光入射があると、光起電力を発生す
る。各非晶質半導体３ａ，３ｂ，３ｃ…内で発生
した光起電力は裏面電極膜４ａ，４ｂ，４ｃでの
接続により直列的に相加される。
この様な装置において、光利用効率を左右する
一つの要因は、装置全体の受光面積（即ち、基板
面積）に対し、実際に発電に寄与する非晶質半導
体膜３ａ，３ｂ，３ｃの総面積の占める割合いで
ある。然るに、各非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３
ｃ…の隣接間に必然的に存在する非晶質半導体の
ない領域（図中符号NONで示す領域）は上記面
積割合いを低下させる。
一つの要因は、装置全体の受光面積（即ち、基板
面積）に対し、実際に発電に寄与する非晶質半導
体膜３ａ，３ｂ，３ｃの総面積の占める割合いで
ある。然るに、各非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３
ｃ…の隣接間に必然的に存在する非晶質半導体の
ない領域（図中符号NONで示す領域）は上記面
積割合いを低下させる。
従つて光利用効率を向上するには、まず透明導
電膜２ａ，２ｂ，２ｃ…の隣接間隔を小さくし、
そして非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３ｃ…の隣接
間隔を小さくせねばならない。
電膜２ａ，２ｂ，２ｃ…の隣接間隔を小さくし、
そして非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３ｃ…の隣接
間隔を小さくせねばならない。
この様な間隔縮少は各膜の加工精度で決まり、
従つて、従来は細密加工性に優れている写真蝕刻
技術が用いられている。この技術による場合、基
板１上全面への透明導電膜の被着工程と、フオト
レジスト及びエツチングによる各個別の透明導電
膜２ａ，２ｂ，２ｃ…の分離、即ち、各透明導電
膜２ａ，２ｂ，２ｃ…の隣接間隔部分の除去工程
と、これら各透明導電膜上を含む基板１上全面へ
の非晶質半導体膜の被着工程と、フオトレジスト
及びエツチングによる各個別の非晶質半導体膜３
ａ，３ｂ，３ｃ…の分離、即ち、各非晶質半導体
膜３ａ，３ｂ，３ｃの隣接間隔部分の除去工程と
を順次経ることになる。
従つて、従来は細密加工性に優れている写真蝕刻
技術が用いられている。この技術による場合、基
板１上全面への透明導電膜の被着工程と、フオト
レジスト及びエツチングによる各個別の透明導電
膜２ａ，２ｂ，２ｃ…の分離、即ち、各透明導電
膜２ａ，２ｂ，２ｃ…の隣接間隔部分の除去工程
と、これら各透明導電膜上を含む基板１上全面へ
の非晶質半導体膜の被着工程と、フオトレジスト
及びエツチングによる各個別の非晶質半導体膜３
ａ，３ｂ，３ｃ…の分離、即ち、各非晶質半導体
膜３ａ，３ｂ，３ｃの隣接間隔部分の除去工程と
を順次経ることになる。
しかし乍ら、写真蝕刻技術は細密加工の上で優
れてはいるが、蝕刻パターンを規定するフオトレ
ジストのピンホールや周縁での剥れにより非晶質
半導体膜に欠陥を生じさせやすい。
れてはいるが、蝕刻パターンを規定するフオトレ
ジストのピンホールや周縁での剥れにより非晶質
半導体膜に欠陥を生じさせやすい。
特開昭57−12568号公報に開示された先行技術
は、レーザ照射による膜の焼き切りで上記隣接間
隔を設けるものであり、写真蝕刻技術で必要なフ
オトレジストを一切使わないその技法は上記の課
題を解決する上で極めて有効である。又写真蝕刻
技術で得られる各非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３
ｃ…の隣接間隔は約600μｍであるが、レーザ使
用の場合、その間隔を更に小さくすることができ
る。
は、レーザ照射による膜の焼き切りで上記隣接間
隔を設けるものであり、写真蝕刻技術で必要なフ
オトレジストを一切使わないその技法は上記の課
題を解決する上で極めて有効である。又写真蝕刻
技術で得られる各非晶質半導体膜３ａ，３ｂ，３
ｃ…の隣接間隔は約600μｍであるが、レーザ使
用の場合、その間隔を更に小さくすることができ
る。
レーザ使用の際に留意すべきことは、焼き切ら
んとする膜部分の下に他の膜が存在しておれば、
それに損傷を与えないことである。さもなけれ
ば、目的の膜部分を焼き切つた上、必要としない
下の膜まで焼き切つてしまう。上記先行技術は、
この要求を満すために、レーザ出力やパルス周波
数を各膜に対して選択することを提案している。
んとする膜部分の下に他の膜が存在しておれば、
それに損傷を与えないことである。さもなけれ
ば、目的の膜部分を焼き切つた上、必要としない
下の膜まで焼き切つてしまう。上記先行技術は、
この要求を満すために、レーザ出力やパルス周波
数を各膜に対して選択することを提案している。
しかし乍ら、レーザ出力やパルス周波数の安定
化を図ることは困難であり、従つてこの種の装置
における各種の厚みが非常に薄いことを考慮する
と、レーザ出力あるいはパルス周波数の選択によ
り他の膜の損傷を防止する方法は最善のものでは
ない。
化を図ることは困難であり、従つてこの種の装置
における各種の厚みが非常に薄いことを考慮する
と、レーザ出力あるいはパルス周波数の選択によ
り他の膜の損傷を防止する方法は最善のものでは
ない。
＜発明の開示＞
本発明は、レーザを利用するものであるが、透
明導電膜と半導体膜との重畳体からなる光半導体
装置において、これら各膜の光吸収率特性の差異
に着目し、これを利用している。
明導電膜と半導体膜との重畳体からなる光半導体
装置において、これら各膜の光吸収率特性の差異
に着目し、これを利用している。
第２図は光波長と膜の吸収率との関係を示して
おり、図中実線が非晶質シリコンの吸収率を、又
破線が透明導電膜（酸化錫膜）の吸収率を夫々表
わしている。従つて、例えば1μｍ前後の波長の
レーザ光を透明導電膜に照射すれば、斯るレーザ
光に対する透明導電膜の吸収率はピークにあるの
で、斯るレーザ照射部分の透明導電膜を容易に除
去することができる。一方、約0.6μｍの波長のレ
ーザ光を非晶質半導体膜に、その部分除去のため
に照射すれば、斯るレーザ光に対する吸収率は、
非晶質半導体に対して透明導電膜の方が極めて低
いので、透明導電膜は上記レーザ照射により損傷
を受け難い。
おり、図中実線が非晶質シリコンの吸収率を、又
破線が透明導電膜（酸化錫膜）の吸収率を夫々表
わしている。従つて、例えば1μｍ前後の波長の
レーザ光を透明導電膜に照射すれば、斯るレーザ
光に対する透明導電膜の吸収率はピークにあるの
で、斯るレーザ照射部分の透明導電膜を容易に除
去することができる。一方、約0.6μｍの波長のレ
ーザ光を非晶質半導体膜に、その部分除去のため
に照射すれば、斯るレーザ光に対する吸収率は、
非晶質半導体に対して透明導電膜の方が極めて低
いので、透明導電膜は上記レーザ照射により損傷
を受け難い。
本発明は斯る新規な着想に基づいており、その
特徴は、要約すれば、透明導電膜の不要部分が第
１波長のレーザ光を照射することにより除去され
た後、上記半導体膜の不要部分の少なくとも一部
は、上記透明導電膜に対する光吸収率が上記半導
体膜に対するそれよりも十分に低い第２波長のレ
ーザ光を照射することにより部分的に除去され、
上記透明導電膜の一部分が露出せしめられる点に
ある。
特徴は、要約すれば、透明導電膜の不要部分が第
１波長のレーザ光を照射することにより除去され
た後、上記半導体膜の不要部分の少なくとも一部
は、上記透明導電膜に対する光吸収率が上記半導
体膜に対するそれよりも十分に低い第２波長のレ
ーザ光を照射することにより部分的に除去され、
上記透明導電膜の一部分が露出せしめられる点に
ある。
本発明を実施する上において、半導体膜として
非晶質シリコン、非晶質ゲルマニウム、非晶質窒
化シリコン等の非晶質半導体やその他の無定形半
導体が用いられ、又、透明導電膜として酸化錫
膜、酸化錫・インジウム膜等が用いられる。
非晶質シリコン、非晶質ゲルマニウム、非晶質窒
化シリコン等の非晶質半導体やその他の無定形半
導体が用いられ、又、透明導電膜として酸化錫
膜、酸化錫・インジウム膜等が用いられる。
又、本発明方法は、先行技術に開示されたレー
ザ出力やパルス周波数による選択性と共に組合わ
せて実施できる。
ザ出力やパルス周波数による選択性と共に組合わ
せて実施できる。
＜実施例＞
第３図乃至Ｆは本発明実施例方法を工程順に示
している。第３図Ａの工程では、厚さ１mm〜３mm
の透明なガラス基板１０上全面に、厚さ2000Å〜
5000Åの酸化錫からなる透明導電膜１１が被着さ
れる。
している。第３図Ａの工程では、厚さ１mm〜３mm
の透明なガラス基板１０上全面に、厚さ2000Å〜
5000Åの酸化錫からなる透明導電膜１１が被着さ
れる。
第３図Ｂの工程では、隣接間隔部１１′がレー
ザ光照射により除去されて、個別の各透明導電膜
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ…が分離形成される。使
用されるレーザは波長約1.06μｍ出力1.3×108W／
cm2、パルス周波数3KHzのYAGレーザが適当であ
り、隣接間隔部１１′の間隔L1は約100μｍに設定
される。
ザ光照射により除去されて、個別の各透明導電膜
１１ａ，１１ｂ，１１ｃ…が分離形成される。使
用されるレーザは波長約1.06μｍ出力1.3×108W／
cm2、パルス周波数3KHzのYAGレーザが適当であ
り、隣接間隔部１１′の間隔L1は約100μｍに設定
される。
第３図Ｃの工程では、各透明導電膜１１ａ，１
１ｂ，１１ｃ…の表面を含んで基板１０上全面に
厚さ5000Å〜7000Åの非晶質シリコン膜１２が被
着される。斯るシリコン膜はその内部に膜面と平
行なPIN接合を含み、従つてより具体的には、ま
ずＰ型の非晶質シリコン膜が被着され、次いでＩ
型及びＮ型の非晶質シリコン膜が順次積層被着さ
れる。
１ｂ，１１ｃ…の表面を含んで基板１０上全面に
厚さ5000Å〜7000Åの非晶質シリコン膜１２が被
着される。斯るシリコン膜はその内部に膜面と平
行なPIN接合を含み、従つてより具体的には、ま
ずＰ型の非晶質シリコン膜が被着され、次いでＩ
型及びＮ型の非晶質シリコン膜が順次積層被着さ
れる。
第３図Ｄの工程では、隣接間隔部１２′がレー
ザ光照射により除去されて、個別の各非晶質シリ
コン膜１２ａ，１２ｂ，１２ｃ…が分離形成され
る。使用されるレーザは波長0.51μｍ、出力２×
103W／cm2、CWのArレーザが適当であり、隣接
間隔部１２′の間隔L2は約300μｍに設定される。
ザ光照射により除去されて、個別の各非晶質シリ
コン膜１２ａ，１２ｂ，１２ｃ…が分離形成され
る。使用されるレーザは波長0.51μｍ、出力２×
103W／cm2、CWのArレーザが適当であり、隣接
間隔部１２′の間隔L2は約300μｍに設定される。
このとき、隣接間隔部１２′の下に存在する透
明導電膜部分１１０にもレーザ光が最終的に到達
するが、注意すべきは、現在の波長の光の吸収率
は第２図にて述べた如く、非晶質シリコン膜に対
して透明導電膜の方が極めて低い。よつて非晶質
シリコン膜１２をその膜厚分だけ除去するにほゞ
必要十分な照射時間長をもつてレーザ光を走査さ
せると、非晶質シリコン膜の膜厚分だけ完全に除
去されて、その結果一時的にレーザ光が透明導電
膜部分１１０を直撃するに致つたとしても、その
部分はほとんど損傷を受けない。
明導電膜部分１１０にもレーザ光が最終的に到達
するが、注意すべきは、現在の波長の光の吸収率
は第２図にて述べた如く、非晶質シリコン膜に対
して透明導電膜の方が極めて低い。よつて非晶質
シリコン膜１２をその膜厚分だけ除去するにほゞ
必要十分な照射時間長をもつてレーザ光を走査さ
せると、非晶質シリコン膜の膜厚分だけ完全に除
去されて、その結果一時的にレーザ光が透明導電
膜部分１１０を直撃するに致つたとしても、その
部分はほとんど損傷を受けない。
第３図Ｅの工程では、透明導電膜部分１１０及
び非晶質シリコン膜１２ａ，１２ｂ，１２ｃ…の
各表面を含んで基板１０上全面に2000Å〜1μｍ
厚さのアルミニウムからなる裏面電極膜１３が被
着される。
び非晶質シリコン膜１２ａ，１２ｂ，１２ｃ…の
各表面を含んで基板１０上全面に2000Å〜1μｍ
厚さのアルミニウムからなる裏面電極膜１３が被
着される。
第３図Ｆの最終工程では、隣接間隔部１３′が
レーザ光照射により除去されて、個別の各裏面電
極膜１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…が形成される。使
用されるレーザは波長約1.06μｍ、出力５×
106W／cm2、パルス周波数3KHzのYAGレーザが
適当であり、隣接間隔部１３′の間隔L3は約20μ
ｍに設定される。
レーザ光照射により除去されて、個別の各裏面電
極膜１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…が形成される。使
用されるレーザは波長約1.06μｍ、出力５×
106W／cm2、パルス周波数3KHzのYAGレーザが
適当であり、隣接間隔部１３′の間隔L3は約20μ
ｍに設定される。
裏面電極膜１３の材料であるアルミニウムの融
点は透明導電膜１１に比して非常に低く、従つて
各透明導電膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの分離に用
いたレーザ出力より十分低い出力値のレーザが用
いられていることに注意すべきである。よつて裏
面電極膜１３をその膜厚分だけ除去するにほゞ必
要十分な照射時間長をもつてレーザ光を走査させ
ると、裏面電極膜の膜厚分だけ完全に除去され
て、その結果一時的にレーザ光が透明導電膜部分
１１０を直撃するに致つたとしても、その部分は
ほとんど損傷を受けない。
点は透明導電膜１１に比して非常に低く、従つて
各透明導電膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃの分離に用
いたレーザ出力より十分低い出力値のレーザが用
いられていることに注意すべきである。よつて裏
面電極膜１３をその膜厚分だけ除去するにほゞ必
要十分な照射時間長をもつてレーザ光を走査させ
ると、裏面電極膜の膜厚分だけ完全に除去され
て、その結果一時的にレーザ光が透明導電膜部分
１１０を直撃するに致つたとしても、その部分は
ほとんど損傷を受けない。
尚、裏面電極膜１３の斯る部分除去に際し、除
去部分の表面に黒色インク等を塗布してレーザ光
の吸収を促進するようにすればより確実に裏面電
極膜１３の所望部分のみを除去することができ
る。
去部分の表面に黒色インク等を塗布してレーザ光
の吸収を促進するようにすればより確実に裏面電
極膜１３の所望部分のみを除去することができ
る。
上記実施例で挙げた各種の数値は例示的なもの
であつて、適宜変更できることはもちろんであ
り、例えば各透明導電膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ
…の間隔を20μｍ程度になしても良い。
であつて、適宜変更できることはもちろんであ
り、例えば各透明導電膜１１ａ，１１ｂ，１１ｃ
…の間隔を20μｍ程度になしても良い。
＜効果＞
本発明によれば、透明導電膜と、その上に被着
された半導体膜とを備えた光半導体装置を製造す
る際に、透明導電膜の部分的除去と半導体膜の部
分的除去とを行うレーザの波長を適宜に使い分け
ることにより、透明導電膜の部分を容易に除去す
ることができると共に、半導体膜のレーザによる
部分的除去を、他の膜を損傷することなく確実に
なすことができ、レーザによる超微細加工を有効
に利用することができる。
された半導体膜とを備えた光半導体装置を製造す
る際に、透明導電膜の部分的除去と半導体膜の部
分的除去とを行うレーザの波長を適宜に使い分け
ることにより、透明導電膜の部分を容易に除去す
ることができると共に、半導体膜のレーザによる
部分的除去を、他の膜を損傷することなく確実に
なすことができ、レーザによる超微細加工を有効
に利用することができる。
第１図は典型的な光半導体装置の側面図、第２
図は光吸収特性図、第３図Ａ乃至Ｆは本発明実施
例を示す工程別側面図である。 １１ａ，１１ｂ，１１ｃ……透明導電膜、１２
ａ，１２ｂ，１２ｃ……非晶質半導体層。
図は光吸収特性図、第３図Ａ乃至Ｆは本発明実施
例を示す工程別側面図である。 １１ａ，１１ｂ，１１ｃ……透明導電膜、１２
ａ，１２ｂ，１２ｃ……非晶質半導体層。
Claims (1)
- １ 透明導電膜と、該導電膜上に被着され、該膜
を透過せる光に感応する半導体膜とを備えた光半
導体装置の製造に際し、上記透明導電膜の不要部
分が第１波長のレーザ光を照射することにより除
去された後、上記半導体膜の不要部分の少なくと
も一部は、上記透明導電膜に対する光吸収率が上
記半導体膜に対するそれよりも十分に低い0.6μｍ
以下の第２波長のレーザ光を照射することにより
部分的に除去され、上記透明導電膜の一部分が露
出せしめられることを特徴とする光半導体装置の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57147357A JPS5935489A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 光半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57147357A JPS5935489A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 光半導体装置の製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3300520A Division JP2648064B2 (ja) | 1991-11-15 | 1991-11-15 | 光半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5935489A JPS5935489A (ja) | 1984-02-27 |
| JPH0447466B2 true JPH0447466B2 (ja) | 1992-08-04 |
Family
ID=15428363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57147357A Granted JPS5935489A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | 光半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5935489A (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60182757A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 集積型太陽電池 |
| JPS6142971A (ja) * | 1984-08-06 | 1986-03-01 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS616828A (ja) * | 1984-06-20 | 1986-01-13 | Sanyo Electric Co Ltd | 集積型光起電力装置の製造方法 |
| JPH0650781B2 (ja) * | 1984-06-29 | 1994-06-29 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US4668840A (en) * | 1984-06-29 | 1987-05-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
| JPS6174376A (ja) * | 1984-09-19 | 1986-04-16 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜光起電力素子の製造方法 |
| JPH0624198B2 (ja) * | 1984-10-29 | 1994-03-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光加工方法 |
| US4697041A (en) * | 1985-02-15 | 1987-09-29 | Teijin Limited | Integrated solar cells |
| JPS6265479A (ja) * | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| JPS61210681A (ja) * | 1986-02-20 | 1986-09-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 集積型光起電力装置の製造方法 |
| JP2820466B2 (ja) * | 1989-11-13 | 1998-11-05 | 三菱重工業株式会社 | 光起電力発生装置の製造方法 |
| JP2648064B2 (ja) * | 1991-11-15 | 1997-08-27 | 三洋電機株式会社 | 光半導体装置の製造方法 |
| GB2459274A (en) | 2008-04-15 | 2009-10-21 | Renewable Energy Corp Asa | Wafer based solar panels |
| CN102612756A (zh) * | 2010-03-18 | 2012-07-25 | 富士电机株式会社 | 薄膜太阳能电池和其制造方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52108780A (en) * | 1976-03-08 | 1977-09-12 | Seiko Epson Corp | Manufacture for solar cell |
-
1982
- 1982-08-24 JP JP57147357A patent/JPS5935489A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5935489A (ja) | 1984-02-27 |
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