JPH04337901A - 有極型誘電体フィルタ - Google Patents
有極型誘電体フィルタInfo
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- JPH04337901A JPH04337901A JP11039491A JP11039491A JPH04337901A JP H04337901 A JPH04337901 A JP H04337901A JP 11039491 A JP11039491 A JP 11039491A JP 11039491 A JP11039491 A JP 11039491A JP H04337901 A JPH04337901 A JP H04337901A
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- dielectric
- coupling
- capacitance
- resonators
- resonator
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Links
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、移動体通信用空中線共
用器に用いる有極型誘電体フィルタに関するものである
。
用器に用いる有極型誘電体フィルタに関するものである
。
【0002】
【従来の技術】従来、このような分野の技術としては、
例えば本願出願人の出願に係る特願昭63−26044
0号、特願平02−031575号、米国モトローラ社
の米国特許Re32,768号及び村田製作所の特開昭
62−77703号公報、特開昭62−243402号
公報、特開昭62−157402号公報に示されるもの
がある。
例えば本願出願人の出願に係る特願昭63−26044
0号、特願平02−031575号、米国モトローラ社
の米国特許Re32,768号及び村田製作所の特開昭
62−77703号公報、特開昭62−243402号
公報、特開昭62−157402号公報に示されるもの
がある。
【0003】図6は従来の第1の構成例の誘電体フィル
タの斜視図である。図において、71は縦W、横L及び
高さHを有し、一体構造の直方体状の誘電体である。誘
電体71の正面(前側面)80、背面(後ろ側面)81
、左側面82、右側面83及び底面84は例えばメッキ
により導電性のメタライズパターンが形成され、更に誘
電体71の上面(開放面)85には導電性の周波数調整
用パターン72−1〜72−4が穴73−1〜73−3
を介存させて形成されている。誘電体71には周波数調
整用パターン72−1〜72−4を貫通し、誘電体共振
器として機能する中心導体(以下誘電体共振器という)
74−1〜74−4が埋没して設けられ、更に誘電体共
振器74−1〜74−4に外部回路75−1〜75−4
が埋没して設けられている。図のような外部回路75−
1と75−2は誘電体共振器74−1と誘電体共振器7
4−2との間を接続して、また外部回路75−3と75
−4は誘電体共振器74−3と誘電体共振器74−4と
の間を接続して減衰極を形成する一部を構成している。 入力ピン76−1、出力ピン76−2及びカップリング
ピン77−1〜77−2を取り囲む半径D(>d)を有
し、例えばガラスエポキシのような誘電体からなる円筒
78−1〜78−4と入力ピン76−1とカップリング
ピン77−1との間、及び出力ピン76−2とカップリ
ングピン77−2との間をそれぞれ電気的に接続する導
電線79−1と導電線79−2とからなる。穴73−1
〜73−3の内部は、例えばメッキによる導電性のメタ
ライズ層が形成されておらず、適当な径と深さによるた
だの丸い穴であり、この穴の径及び深さを変えて誘電体
共振器間の結合量を調整するものである。なお、誘電体
共振器用の穴と結合量調整の穴はほぼ平行に形成されて
いる。
タの斜視図である。図において、71は縦W、横L及び
高さHを有し、一体構造の直方体状の誘電体である。誘
電体71の正面(前側面)80、背面(後ろ側面)81
、左側面82、右側面83及び底面84は例えばメッキ
により導電性のメタライズパターンが形成され、更に誘
電体71の上面(開放面)85には導電性の周波数調整
用パターン72−1〜72−4が穴73−1〜73−3
を介存させて形成されている。誘電体71には周波数調
整用パターン72−1〜72−4を貫通し、誘電体共振
器として機能する中心導体(以下誘電体共振器という)
74−1〜74−4が埋没して設けられ、更に誘電体共
振器74−1〜74−4に外部回路75−1〜75−4
が埋没して設けられている。図のような外部回路75−
1と75−2は誘電体共振器74−1と誘電体共振器7
4−2との間を接続して、また外部回路75−3と75
−4は誘電体共振器74−3と誘電体共振器74−4と
の間を接続して減衰極を形成する一部を構成している。 入力ピン76−1、出力ピン76−2及びカップリング
ピン77−1〜77−2を取り囲む半径D(>d)を有
し、例えばガラスエポキシのような誘電体からなる円筒
78−1〜78−4と入力ピン76−1とカップリング
ピン77−1との間、及び出力ピン76−2とカップリ
ングピン77−2との間をそれぞれ電気的に接続する導
電線79−1と導電線79−2とからなる。穴73−1
〜73−3の内部は、例えばメッキによる導電性のメタ
ライズ層が形成されておらず、適当な径と深さによるた
だの丸い穴であり、この穴の径及び深さを変えて誘電体
共振器間の結合量を調整するものである。なお、誘電体
共振器用の穴と結合量調整の穴はほぼ平行に形成されて
いる。
【0004】図7は図6に示す誘電体フィルタの等価回
路である。なおこの等価回路において、入力ピン76−
1とカップリングピン77−1との間を接続している導
電線79−1のインダクタンス及び出力ピン76−2と
カップリングピン77−2との間を接続している導電線
79−2のインダクタンスは小さいので無視している。 図において、並列共振回路(l74−1,C74−1)
、(l74−2,C74−2)、(l74−3,C74
−3)及び(l74−4,C74−4)は各々誘電体共
振器74−1〜74−4のインダクタンスと容量である
。C71は入力ピン76−1と誘電体共振器74−1と
の間に存在する容量、C75は出力ピン76−2と誘電
体共振器74−4との間に存在する容量、l72は穴7
3−1によってコントロールされる誘電体共振器74−
1と誘電体共振器74−2間のインダクタンス、l73
は穴73−2によってコントロールされる誘電体共振器
74−2と誘電体共振器74−3間のインダクタンス、
l74は穴73−3によってコントロールされる誘電体
共振器74−3と誘電体共振器74−4間のインダクタ
ンスである。C77はカップリングピン77−1と誘電
体共振器74−2との間の容量、C78はカップリング
ピン77−2と誘電体共振器74−3との間の容量であ
る。この等価回路は通過帯域の高域側に減衰極周波数f
t ∞が存在することを示しており、減衰極周波数ft
∞は
路である。なおこの等価回路において、入力ピン76−
1とカップリングピン77−1との間を接続している導
電線79−1のインダクタンス及び出力ピン76−2と
カップリングピン77−2との間を接続している導電線
79−2のインダクタンスは小さいので無視している。 図において、並列共振回路(l74−1,C74−1)
、(l74−2,C74−2)、(l74−3,C74
−3)及び(l74−4,C74−4)は各々誘電体共
振器74−1〜74−4のインダクタンスと容量である
。C71は入力ピン76−1と誘電体共振器74−1と
の間に存在する容量、C75は出力ピン76−2と誘電
体共振器74−4との間に存在する容量、l72は穴7
3−1によってコントロールされる誘電体共振器74−
1と誘電体共振器74−2間のインダクタンス、l73
は穴73−2によってコントロールされる誘電体共振器
74−2と誘電体共振器74−3間のインダクタンス、
l74は穴73−3によってコントロールされる誘電体
共振器74−3と誘電体共振器74−4間のインダクタ
ンスである。C77はカップリングピン77−1と誘電
体共振器74−2との間の容量、C78はカップリング
ピン77−2と誘電体共振器74−3との間の容量であ
る。この等価回路は通過帯域の高域側に減衰極周波数f
t ∞が存在することを示しており、減衰極周波数ft
∞は
【0005】
【数1】
【0006】図8は図6の従来の第1の構成例の誘電体
フィルタの減衰特性図である。図より通過帯域の高域側
に減衰極周波数ft ∞が存在することがわかる。この
ような誘電体フィルタは、誘電体共振器間の結合に穴を
用いた構造のためスペース性及び調整の容易性に難点が
ある。
フィルタの減衰特性図である。図より通過帯域の高域側
に減衰極周波数ft ∞が存在することがわかる。この
ような誘電体フィルタは、誘電体共振器間の結合に穴を
用いた構造のためスペース性及び調整の容易性に難点が
ある。
【0007】図9は従来の第2の構成例の誘電体フィル
タの斜視図であって、特開昭62−77703号公報に
示されているものである。
タの斜視図であって、特開昭62−77703号公報に
示されているものである。
【0008】図9において、1は酸化チタン系セラミッ
ク誘電体等からなる誘電体ブロックで、該ブロック1の
四側面には金属膜からなる外導体2が形成され、誘電体
ブロック1の中には適当間隔おきに貫通孔3…が形成さ
れている。この貫通孔3…の内面には金属膜からなる内
導体4が形成され、誘電体ブロック1底面に形成した導
電膜(不図示)によって前記外導体2と短絡されている
(以下、この誘電体ブロック底面を短絡端面という)。 前記各内導体4…、外導体2及びその間に存す誘電体ブ
ロック1によって誘電体共振器A1,A2…(以下、単
に共振器という)が構成されている。共振器A1,A2
…の間には共振器相互を結合させるための一手段として
の結合孔6…が形成され、隣合う共振器A1,A2…が
電磁的に結合されている。各共振器を結合孔6…によっ
て結合した場合、その結合は誘導性である。このような
構造の誘電体フィルタは公知である。
ク誘電体等からなる誘電体ブロックで、該ブロック1の
四側面には金属膜からなる外導体2が形成され、誘電体
ブロック1の中には適当間隔おきに貫通孔3…が形成さ
れている。この貫通孔3…の内面には金属膜からなる内
導体4が形成され、誘電体ブロック1底面に形成した導
電膜(不図示)によって前記外導体2と短絡されている
(以下、この誘電体ブロック底面を短絡端面という)。 前記各内導体4…、外導体2及びその間に存す誘電体ブ
ロック1によって誘電体共振器A1,A2…(以下、単
に共振器という)が構成されている。共振器A1,A2
…の間には共振器相互を結合させるための一手段として
の結合孔6…が形成され、隣合う共振器A1,A2…が
電磁的に結合されている。各共振器を結合孔6…によっ
て結合した場合、その結合は誘導性である。このような
構造の誘電体フィルタは公知である。
【0009】前記誘電体ブロック1の上面1aは導電膜
が形成されない開放端面とされ、その端面に2つの共振
器A3,A4をとばしてその前後に存する共振器A2,
A5を接続するためのリアクタンス素子が形成されてい
る。図示例において、リアクタンス素子を開放端面に銀
ペースト等で形成した導電パターン7によって実現され
る。即ち、導電パターン7は、共振器2Aの内導体4に
接続されたランド部7aと、共振器A5の内導体4に接
続されたランド部7bと、この両ランド部7a,7bに
対しギャップG1,G2を介し両端が対向するランド部
7cとから成り、前記ギャップG1,G2によってリア
クタンス素子の一例である静電容量素子を構成している
。
が形成されない開放端面とされ、その端面に2つの共振
器A3,A4をとばしてその前後に存する共振器A2,
A5を接続するためのリアクタンス素子が形成されてい
る。図示例において、リアクタンス素子を開放端面に銀
ペースト等で形成した導電パターン7によって実現され
る。即ち、導電パターン7は、共振器2Aの内導体4に
接続されたランド部7aと、共振器A5の内導体4に接
続されたランド部7bと、この両ランド部7a,7bに
対しギャップG1,G2を介し両端が対向するランド部
7cとから成り、前記ギャップG1,G2によってリア
クタンス素子の一例である静電容量素子を構成している
。
【0010】上記のように2つの共振器A3,A4をと
ばしてその前後に存する共振器A2,A5を静電容量素
子で接続すれば、フィルタ特性は上下2つの減衰域に極
P1,P2ができる。極P1,P2の位置はリアクタン
ス素子のインピーダンスの大きさによって変化する。一
般にインピーダンスが高くなる程極が中心周波数f0
から離れる傾向がある。なお、ローインピーダンスの場
合は極が通過域に入り好ましくない。
ばしてその前後に存する共振器A2,A5を静電容量素
子で接続すれば、フィルタ特性は上下2つの減衰域に極
P1,P2ができる。極P1,P2の位置はリアクタン
ス素子のインピーダンスの大きさによって変化する。一
般にインピーダンスが高くなる程極が中心周波数f0
から離れる傾向がある。なお、ローインピーダンスの場
合は極が通過域に入り好ましくない。
【0011】前記極は、リアクタンス素子を接続するこ
とによってとばされる共振器の数、リアクタンス素子の
種類(容量性か誘導性か)及び各共振器を結合する要素
(結合孔若しくはリアクタンス等の結合素子)の種類(
容量性か導電性か)によって上下の減衰域の一方に選択
的に形成することができる。今、図10の誘電体フィル
タの等価回路に示すようにリアクタンス素子をX、結合
要素をKとすると、発生する極の位置は図11の通りで
ある。但し、図中、Cは容量性、Lは誘導性を意味する
。
とによってとばされる共振器の数、リアクタンス素子の
種類(容量性か誘導性か)及び各共振器を結合する要素
(結合孔若しくはリアクタンス等の結合素子)の種類(
容量性か導電性か)によって上下の減衰域の一方に選択
的に形成することができる。今、図10の誘電体フィル
タの等価回路に示すようにリアクタンス素子をX、結合
要素をKとすると、発生する極の位置は図11の通りで
ある。但し、図中、Cは容量性、Lは誘導性を意味する
。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図6に
示す従来の穴によって通過帯域の高域側に減衰極周波数
を設ける構造の誘電体フィルタは、ある一定形状以上の
穴を必要とするため本質的に小形化が難しいこと、なら
びに穴の位置、直径及び深さ等を変えて結合量の調整を
行う構造のために調整がしにくいこと、調整に時間がか
かる等の問題点があった。
示す従来の穴によって通過帯域の高域側に減衰極周波数
を設ける構造の誘電体フィルタは、ある一定形状以上の
穴を必要とするため本質的に小形化が難しいこと、なら
びに穴の位置、直径及び深さ等を変えて結合量の調整を
行う構造のために調整がしにくいこと、調整に時間がか
かる等の問題点があった。
【0013】また、図9に示す従来の誘電体フィルタに
於いては、有限周波数に於いて実現可能な減衰極数が制
限され、必要な減衰特性を得るためには多くの減衰極を
必要とし誘電体共振器を増加しなければならず、小型高
性能誘電体フィルタが得られないという問題点があった
。
於いては、有限周波数に於いて実現可能な減衰極数が制
限され、必要な減衰特性を得るためには多くの減衰極を
必要とし誘電体共振器を増加しなければならず、小型高
性能誘電体フィルタが得られないという問題点があった
。
【0014】本発明は、穴を設けることに伴う上記問題
点及び有限周波数に於ける減衰極が少なく必要な減衰特
性を得るためには誘電体共振器の段数が多くなるという
問題点を解決するため、減衰域を形成するための又は減
衰特性を改善するための容量を間隔により実現し、飛び
越し結合を用いないで実現可能な最大限の減衰極を有す
る誘電体フィルタを提供することを目的とする。
点及び有限周波数に於ける減衰極が少なく必要な減衰特
性を得るためには誘電体共振器の段数が多くなるという
問題点を解決するため、減衰域を形成するための又は減
衰特性を改善するための容量を間隔により実現し、飛び
越し結合を用いないで実現可能な最大限の減衰極を有す
る誘電体フィルタを提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、一体構造の誘電体と、前記誘電体内に形成し
た複数の誘電体共振器と、前記誘電体共振器間のオーバ
ーカップリングインピーダンスと、前記誘電体共振器の
共振周波数及び前記オーバーカップリングインピーダン
スを調整するための調整パターンと、前記誘電体共振器
間の結合形式及び結合量を調整するための調整パターン
とを有する有極型誘電体フィルタにおいて、極周波数を
形成する外部付加容量又は減衰特性を改善する外部付加
容量を構成する間隔を設けたものである。
するため、一体構造の誘電体と、前記誘電体内に形成し
た複数の誘電体共振器と、前記誘電体共振器間のオーバ
ーカップリングインピーダンスと、前記誘電体共振器の
共振周波数及び前記オーバーカップリングインピーダン
スを調整するための調整パターンと、前記誘電体共振器
間の結合形式及び結合量を調整するための調整パターン
とを有する有極型誘電体フィルタにおいて、極周波数を
形成する外部付加容量又は減衰特性を改善する外部付加
容量を構成する間隔を設けたものである。
【0016】
【作用】本発明は外部付加容量を間隔で実現し、前記外
部付加容量により極周波数を形成し、減衰特性を改善す
る。これにより、所望の減衰量を最小限の誘電体共振器
で達成することができ、小型、高性能の有極型誘電体フ
ィルタを得ることができる。
部付加容量により極周波数を形成し、減衰特性を改善す
る。これにより、所望の減衰量を最小限の誘電体共振器
で達成することができ、小型、高性能の有極型誘電体フ
ィルタを得ることができる。
【0017】
【実施例】図1は本発明の第1の実施例の有極型誘電体
フィルタを示す斜視図である。図1で100は縦W(例
えば4.3mm)、横L(例えば16.0mm)、及び
高さH(例えば9.0mm)を有した一体構造の例えば
セラミックから成る直方体状の誘電体である。図におい
て、誘電体100の正面(前側面)102、背面(後ろ
側面)103、左側面104、右側面105、及び底面
106は斜線で示すように、例えばメッキにより導電性
のメタライズ層を形成している。
フィルタを示す斜視図である。図1で100は縦W(例
えば4.3mm)、横L(例えば16.0mm)、及び
高さH(例えば9.0mm)を有した一体構造の例えば
セラミックから成る直方体状の誘電体である。図におい
て、誘電体100の正面(前側面)102、背面(後ろ
側面)103、左側面104、右側面105、及び底面
106は斜線で示すように、例えばメッキにより導電性
のメタライズ層を形成している。
【0018】更に、導電性の周波数調整用パターン10
7−1〜107−5及び結合量調整用パターン108−
1〜108−4は誘電体100の上面(開放面)101
にギャップ117−1〜117−8を介在し形成してい
る。周波数調整用パターン107−1〜107−5を貫
通し誘電体共振器として機能する中心導体(以下誘電体
共振器という)109−1〜109−5は誘電体100
に埋没して設けられ、更にこの誘電体共振器109−1
〜109−5に外部回路111−1〜111−5が挿入
され埋没している。
7−1〜107−5及び結合量調整用パターン108−
1〜108−4は誘電体100の上面(開放面)101
にギャップ117−1〜117−8を介在し形成してい
る。周波数調整用パターン107−1〜107−5を貫
通し誘電体共振器として機能する中心導体(以下誘電体
共振器という)109−1〜109−5は誘電体100
に埋没して設けられ、更にこの誘電体共振器109−1
〜109−5に外部回路111−1〜111−5が挿入
され埋没している。
【0019】外部回路111−1〜111−5は誘電体
共振器109−1と誘電体共振器109−2との間、及
び誘電体共振器109−4と誘電体共振器109−5と
の間をそれぞれ接続して減衰極を形成するものであり、
例えばガラスエポキシの誘電体からなる円筒内に導電性
の入力カップリングピン112−1、カップリングピン
112−2〜112−4、出力カップリングピン112
−5を保持し、一端はオーバーカップリング形成基板1
10に固定されている。前記の入力カップリングピン1
12−1とカップリングピン112−2の一端はオーバ
ーカップリング容量接続パターン113−1により電気
的に接続され、カップリングピン112−3の一端はオ
ーバーカップリング容量接続パターン113−3に電気
的に接続され、カップリングピン112−4と出力カッ
プリングピン112−5の一端はオーバーカップリング
容量接続パターン113−2により電気的に接続されて
いる。前記のオーバーカップリング容量接続パターン1
13−1〜113−3はオーバーカップリング形成基板
110の上面に形成されており、オーバーカップリング
容量接続パターン113−1と113−2との間に間隔
(d1)を設け、オーバーカップリング容量接続パター
ン113−2と113−3との間に間隔(d2)を設け
、この間隔(d1),(d2)により静電容量が形成さ
れ、誘電体フィルタ特性の減衰域を形成する。更に、前
記の入力カップリングピン112−1の一端には電気信
号を入力するための端子115−1が接続され、出力カ
ップリングピン112−5の一端には電気信号を出力す
るための端子115−2が接続されている。
共振器109−1と誘電体共振器109−2との間、及
び誘電体共振器109−4と誘電体共振器109−5と
の間をそれぞれ接続して減衰極を形成するものであり、
例えばガラスエポキシの誘電体からなる円筒内に導電性
の入力カップリングピン112−1、カップリングピン
112−2〜112−4、出力カップリングピン112
−5を保持し、一端はオーバーカップリング形成基板1
10に固定されている。前記の入力カップリングピン1
12−1とカップリングピン112−2の一端はオーバ
ーカップリング容量接続パターン113−1により電気
的に接続され、カップリングピン112−3の一端はオ
ーバーカップリング容量接続パターン113−3に電気
的に接続され、カップリングピン112−4と出力カッ
プリングピン112−5の一端はオーバーカップリング
容量接続パターン113−2により電気的に接続されて
いる。前記のオーバーカップリング容量接続パターン1
13−1〜113−3はオーバーカップリング形成基板
110の上面に形成されており、オーバーカップリング
容量接続パターン113−1と113−2との間に間隔
(d1)を設け、オーバーカップリング容量接続パター
ン113−2と113−3との間に間隔(d2)を設け
、この間隔(d1),(d2)により静電容量が形成さ
れ、誘電体フィルタ特性の減衰域を形成する。更に、前
記の入力カップリングピン112−1の一端には電気信
号を入力するための端子115−1が接続され、出力カ
ップリングピン112−5の一端には電気信号を出力す
るための端子115−2が接続されている。
【0020】前記の結合量調整用パターン108−1〜
108−4の一端は誘電体100の正面(前側面)10
2に、他端は背面(後ろ側面)103のメタライズパタ
ーンに接続され、周波数調整用パターン107−1と1
07−2との間、周波数調整用パターン107−2と1
07−3との間、周波数調整用パターン107−3と1
07−4との間及び周波数調整用パターン107−4と
107−5との間の誘導性インピーダンス結合を調整す
るために設けられたものであり、結合調整用の電極とし
て機能する。
108−4の一端は誘電体100の正面(前側面)10
2に、他端は背面(後ろ側面)103のメタライズパタ
ーンに接続され、周波数調整用パターン107−1と1
07−2との間、周波数調整用パターン107−2と1
07−3との間、周波数調整用パターン107−3と1
07−4との間及び周波数調整用パターン107−4と
107−5との間の誘導性インピーダンス結合を調整す
るために設けられたものであり、結合調整用の電極とし
て機能する。
【0021】次に、このような有極型誘電体フィルタの
動作を説明する。図示していない外部装置からマイクロ
周波数800〜880MHz の電気信号を端子115
−1、入力カップリングピン112−1、カップリング
ピン112−2を介して誘電体共振器109−1及び1
09−2に印加させると、誘電体共振器109−1及び
109−2の周辺に前記周波数の電磁界が発生する。誘
電体共振器109−2の電磁界は、キャップ117−3
、結合量調整用パターン108−2、ギャップ117−
4及び周波数調整用パターン107−3を介して隣接の
誘電体共振器109−3に伝わり、この誘電体共振器1
09−3の周辺に電磁界を発生する。以下同様にして、
電磁界は誘電体共振器109−4,109−5に伝わる
。 誘電体共振器109−5の電磁界による電気信号は出力
カップリングピン112−5及び端子115−2に伝わ
り、一方誘電体共振器109−4の電磁界による電気信
号はカップリングピン112−4及びオーバーカップリ
ング容量接続パターン113−2を介して出力カップリ
ングピン112−5及び端子115−2に伝わる。端子
115−2は図示しない負荷に接続されているので、端
子115−1に入力された電気信号は最終的には端子1
15−2を介して負荷に導かれる。
動作を説明する。図示していない外部装置からマイクロ
周波数800〜880MHz の電気信号を端子115
−1、入力カップリングピン112−1、カップリング
ピン112−2を介して誘電体共振器109−1及び1
09−2に印加させると、誘電体共振器109−1及び
109−2の周辺に前記周波数の電磁界が発生する。誘
電体共振器109−2の電磁界は、キャップ117−3
、結合量調整用パターン108−2、ギャップ117−
4及び周波数調整用パターン107−3を介して隣接の
誘電体共振器109−3に伝わり、この誘電体共振器1
09−3の周辺に電磁界を発生する。以下同様にして、
電磁界は誘電体共振器109−4,109−5に伝わる
。 誘電体共振器109−5の電磁界による電気信号は出力
カップリングピン112−5及び端子115−2に伝わ
り、一方誘電体共振器109−4の電磁界による電気信
号はカップリングピン112−4及びオーバーカップリ
ング容量接続パターン113−2を介して出力カップリ
ングピン112−5及び端子115−2に伝わる。端子
115−2は図示しない負荷に接続されているので、端
子115−1に入力された電気信号は最終的には端子1
15−2を介して負荷に導かれる。
【0022】図2は図1の本発明の第1の実施例の有極
型誘電体フィルタの等価回路である。図において、l1
は誘電体共振器109−1のインダクタンス、C1
は誘電体共振器109−1の容量、l2 は誘電体共振
器109−2のインダクタンス、C2 は誘電体共振器
109−2の容量、l3 は誘電体共振器109−3の
インダクタンス、C3 は誘電体共振器109−3の容
量、l4 は誘電体共振器109−4のインダクタンス
、C4 は誘電体共振器109−4の容量、l5 は誘
電体共振器109−5のインダクタンス、C5 は誘電
体共振器109−5の容量である。
型誘電体フィルタの等価回路である。図において、l1
は誘電体共振器109−1のインダクタンス、C1
は誘電体共振器109−1の容量、l2 は誘電体共振
器109−2のインダクタンス、C2 は誘電体共振器
109−2の容量、l3 は誘電体共振器109−3の
インダクタンス、C3 は誘電体共振器109−3の容
量、l4 は誘電体共振器109−4のインダクタンス
、C4 は誘電体共振器109−4の容量、l5 は誘
電体共振器109−5のインダクタンス、C5 は誘電
体共振器109−5の容量である。
【0023】C11は入力カップリングピン111−1
と誘電体共振器109−1との間に存在する容量、C1
5は出力カップリングピン112−5と誘電体共振器1
09−5との間に存在する容量、jωL12は誘電体共
振器109−1と誘電体共振器109−2との間を結合
する誘導性インピーダンス、jωL23は誘電体共振器
109−2と誘電体共振器109−3との間を結合する
誘導性インピーダンス、jωL34は誘電体共振器10
9−3と誘電体共振器109−4との間を結合する誘導
性インピーダンス、jωL45は誘電体共振器109−
4と誘電体共振器109−5との間を結合する誘導性イ
ンピーダンスである。
と誘電体共振器109−1との間に存在する容量、C1
5は出力カップリングピン112−5と誘電体共振器1
09−5との間に存在する容量、jωL12は誘電体共
振器109−1と誘電体共振器109−2との間を結合
する誘導性インピーダンス、jωL23は誘電体共振器
109−2と誘電体共振器109−3との間を結合する
誘導性インピーダンス、jωL34は誘電体共振器10
9−3と誘電体共振器109−4との間を結合する誘導
性インピーダンス、jωL45は誘電体共振器109−
4と誘電体共振器109−5との間を結合する誘導性イ
ンピーダンスである。
【0024】Cp1はカップリングピン112−2と誘
電体共振器109−2との間の容量、Cp2はカップリ
ングピン112−4と誘電体共振器109−4との間の
容量、Cp5はカップリングピン112−3と誘電体共
振器109−3との間の容量である。また、Cp3はオ
ーバーカップリング容量接続パターン113−1と11
3−3の間の間隔(d1)により形成される容量、Cp
4はオーバーカップリング容量接続パターン113−3
と113−2の間の間隔(d2)により形成される容量
である。
電体共振器109−2との間の容量、Cp2はカップリ
ングピン112−4と誘電体共振器109−4との間の
容量、Cp5はカップリングピン112−3と誘電体共
振器109−3との間の容量である。また、Cp3はオ
ーバーカップリング容量接続パターン113−1と11
3−3の間の間隔(d1)により形成される容量、Cp
4はオーバーカップリング容量接続パターン113−3
と113−2の間の間隔(d2)により形成される容量
である。
【0025】なお、入力カップリングピン112−1と
カップリングピン112−2とを接続するオーバーカッ
プリング容量接続パターン113−1のインダクタンス
(l21)、カップリングピン112−4と出力カップ
リングピン112−5とを接続するオーバーカップリン
グ容量接続パターン113−2のインダクタンス(l2
2)は、一般に|ωl21|<<|1/ωCp1|及び
|ωl22|<<|1/ωCp2|を満足するようにl
21とCp1及びl22とCp2を決定するので、図2
ではl21とl22は無視してある。
カップリングピン112−2とを接続するオーバーカッ
プリング容量接続パターン113−1のインダクタンス
(l21)、カップリングピン112−4と出力カップ
リングピン112−5とを接続するオーバーカップリン
グ容量接続パターン113−2のインダクタンス(l2
2)は、一般に|ωl21|<<|1/ωCp1|及び
|ωl22|<<|1/ωCp2|を満足するようにl
21とCp1及びl22とCp2を決定するので、図2
ではl21とl22は無視してある。
【0026】図2の等価回路の減衰極周波数f∞は中心
周波数をf0 とした場合、f0 <f∞となり通過領
域の高域側に存在する。
周波数をf0 とした場合、f0 <f∞となり通過領
域の高域側に存在する。
【0027】
【数2】
【0028】図5は図1の本発明の第1の実施例の有極
型誘電体フィルタの減衰特性図である。図において、横
軸は周波数(MHz)、縦軸は減衰量(dB)を示す。 また図から明らかなように、図1による有極型誘電体フ
ィルタは、通過帯域より高い周波数即ち高域側に減衰極
があることを示している。
型誘電体フィルタの減衰特性図である。図において、横
軸は周波数(MHz)、縦軸は減衰量(dB)を示す。 また図から明らかなように、図1による有極型誘電体フ
ィルタは、通過帯域より高い周波数即ち高域側に減衰極
があることを示している。
【0029】以上のように、本発明の第1の実施例によ
れば誘導性インピーダンスを実現するために図1の上面
(開放面)101に結合量調整用パターン108−1〜
108−4を設けることにより、従来の穴を設けるフィ
ルタと比べ小形化を可能とし、また結合量調査用パター
ンを上面(開放面)に設けているため例えばレーザート
リミングなどで当該パターン幅を容易に変えることが出
来、フィルタの特性を容易に調整できる。
れば誘導性インピーダンスを実現するために図1の上面
(開放面)101に結合量調整用パターン108−1〜
108−4を設けることにより、従来の穴を設けるフィ
ルタと比べ小形化を可能とし、また結合量調査用パター
ンを上面(開放面)に設けているため例えばレーザート
リミングなどで当該パターン幅を容易に変えることが出
来、フィルタの特性を容易に調整できる。
【0030】また、図に示すようにオーバーカップリン
グ容量接続パターン113−1と113−3の間に間隔
(d1)を設け、113−3と113−2の間に間隔(
d2)を設けて静電容量を形成し、有限周波数に極を生
じさせているので、従来の誘電体フィルタの場合よりも
減衰極を増加させることが可能となり、高性能な有極型
誘電体フィルタが得られる。
グ容量接続パターン113−1と113−3の間に間隔
(d1)を設け、113−3と113−2の間に間隔(
d2)を設けて静電容量を形成し、有限周波数に極を生
じさせているので、従来の誘電体フィルタの場合よりも
減衰極を増加させることが可能となり、高性能な有極型
誘電体フィルタが得られる。
【0031】図3は本発明の第2の実施例の有極型誘電
体フィルタを示す斜視図である。この有極型誘電体フィ
ルタは誘電体共振器209−1〜209−5間を容量性
インピーダンスにより結合するもので、その他は図1に
示す有極型誘電体フィルタと同様の構成となっている。
体フィルタを示す斜視図である。この有極型誘電体フィ
ルタは誘電体共振器209−1〜209−5間を容量性
インピーダンスにより結合するもので、その他は図1に
示す有極型誘電体フィルタと同様の構成となっている。
【0032】図4は図3に示す有極型誘電体フィルタの
等価回路を示すもので、C12,C23,C24,C3
4,C45は前記容量性インピーダンスの静電容量成分
である。
等価回路を示すもので、C12,C23,C24,C3
4,C45は前記容量性インピーダンスの静電容量成分
である。
【0033】図4から分かるように、第2の実施例の有
極型誘電体フィルタによっても第1の実施例の場合と同
様の効果を得ることができる。
極型誘電体フィルタによっても第1の実施例の場合と同
様の効果を得ることができる。
【0034】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように本発明によ
れば、誘電体共振器に結合するオーバーカップリング容
量接続パターン間に間隔を設け、前記間隔による静電容
量で極周波数を形成しているので、オーバーカップリン
グ接続なしに最小数の誘電体共振器により最大の減衰量
が存在することとなり、従来にない小型、高性能の有極
型誘電体フィルタを実現することができる。
れば、誘電体共振器に結合するオーバーカップリング容
量接続パターン間に間隔を設け、前記間隔による静電容
量で極周波数を形成しているので、オーバーカップリン
グ接続なしに最小数の誘電体共振器により最大の減衰量
が存在することとなり、従来にない小型、高性能の有極
型誘電体フィルタを実現することができる。
【図1】本発明の第1の実施例を示す斜視図である。
【図2】図1の有極型誘電体フィルタの等価回路図であ
る。
る。
【図3】本発明の第2の実施例を示す斜視図である。
【図4】図3の有極型誘電体フィルタの等価回路図であ
る。
る。
【図5】図1の有極型誘電体フィルタの減衰特性図であ
る。
る。
【図6】従来の第1の構成例の誘電体フィルタの斜視図
である。
である。
【図7】図6の誘電体フィルタの等価回路図である。
【図8】図6の誘電体フィルタの減衰特性図である。
【図9】従来の第2の構成例の誘電体フィルタの斜視図
である。
である。
【図10】図9の誘電体フィルタの等価回路図である。
【図11】図9の誘電体フィルタの極の位置を示す図で
ある。
ある。
100 誘電体
107−1〜107−5, 207−1〜 207−5
周波数調整用パターン 108−1〜104−4 結合量調整用パター
ン109−1〜109−5, 209−1〜 209−
5 誘電体共振器110 , 210 オ
ーバーカップリング形成基板111−1〜111−5,
211−1〜 211−5 外部回路112−
1〜112−5, 212−1〜 212−5
カップリングピン113−1〜113−3, 213−
1〜 213−3 オーバーカップリング容量接
続パターン
周波数調整用パターン 108−1〜104−4 結合量調整用パター
ン109−1〜109−5, 209−1〜 209−
5 誘電体共振器110 , 210 オ
ーバーカップリング形成基板111−1〜111−5,
211−1〜 211−5 外部回路112−
1〜112−5, 212−1〜 212−5
カップリングピン113−1〜113−3, 213−
1〜 213−3 オーバーカップリング容量接
続パターン
Claims (1)
- 【請求項1】 一体構造の誘電体と、前記誘電体内に
形成した複数の誘電体共振器と、前記誘電体共振器間の
オーバーカップリングインピーダンスと、前記誘電体共
振器の共振周波数及び前記オーバーカップリングインピ
ーダンスを調整するための調整パターンと、前記誘電体
共振器間の結合形式及び結合量を調整するための調整パ
ターンとを有する有極型誘電体フィルタにおいて、極周
波数を形成する外部付加容量又は減衰特性を改善する外
部付加容量を構成する間隔を設けたことを特徴とする有
極型誘電体フィルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11039491A JPH04337901A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 有極型誘電体フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11039491A JPH04337901A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 有極型誘電体フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04337901A true JPH04337901A (ja) | 1992-11-25 |
Family
ID=14534701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11039491A Pending JPH04337901A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 有極型誘電体フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04337901A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2339340B (en) * | 1998-07-08 | 2003-07-16 | Samsung Electro Mech | Dielectric filter |
| JP2006311306A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Kyocera Corp | 帯域通過フィルタ及び高周波モジュール、並びにこれを用いた無線通信機器 |
-
1991
- 1991-05-15 JP JP11039491A patent/JPH04337901A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2339340B (en) * | 1998-07-08 | 2003-07-16 | Samsung Electro Mech | Dielectric filter |
| JP2006311306A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Kyocera Corp | 帯域通過フィルタ及び高周波モジュール、並びにこれを用いた無線通信機器 |
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