JPH0433925A - 液晶性ポリエステルエーテルイミドおよびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の背景〕 〈産業上の利用分野〕 本発明は、熱可塑性ポリエステルエーテルイミドに関す
る。詳しくは、本発明は、溶融時に光学的異方性を示し
、成形加工性、耐熱性に優れた全芳香族液晶性ポリエス
テルエーテルイミド、及びその製造法に関するものであ
る。

〈従来の技術〉 近年、電気・電子分野および自動車分野の発展に伴い、
プラスチックスに対しても高性能化の要求が高まりつつ
あり、数多くのプラスチックスが開発されて市場に提供
されている。これらの中でも、溶融時に光学的異方性を
示し、分子鎖が平行に配列していて、成形体の機械的性
質が向上していると共に、成形加工性にも優れたサーモ
トロピック液晶性高分子と呼ばれる一群の高分子化合物
が注目されている。

これらの液晶性ポリマーとしては、ｐ−ヒドロキシ安息
香酸、４．４’　　−ビフェノールおよびテレフタル酸
より得られるポリエステル、ｐ−ヒドロキシ安息香酸お
よびヒドロキシナフトエ酸より得られるポリエステル、
ポリエチレンテレフタレートおよびｐ−ヒドロキシ安息
香酸より得られるポリエステルなどがよく知られている
。

また、高分子主鎖中にイミド基を有する液晶性ポリエス
テルも知られている。例えば、トリメリット酸とアミノ
フェノールより合成されるポリエステルイミド（Ｍａｃ
ｒｏｍｏｌ　、Ｃｈｅｍ、　、　１８４．１２２３（１
９８３））、トリメリット酸、アミノフェノールおよび
ヒドロキシナフトエ酸より合成されるポリエステルイミ
ド（米国特許第４３８３１０５号明細書）、あるいはポ
リエチレンテレフタレート、アミノフェノールおよびヒ
ドロキシフタル酸より合成されるポリエステルイミド（
特開昭６０−４５３１号公報）などが知られている。し
かし、これらのポリエステルは、全芳香族ポリエステル
イミドの場合は溶融温度が高くて成形加工性に劣り、ま
た含脂肪族ポリエステルイミドの場合は耐熱性が十分で
あるとはいえなかった。

〔発明の概要〕

〈発明が解決しようとする課題〉 本発明の目的は、前記液晶性ポリエステルイミドの問題
点を解決し、成形加工性と耐熱性のバランスに優れた新
規の全芳香族液晶性ポリエステルエーテルイミドを提供
することにある。

く課題を解決するための手段〉 本発明は、エーテル基を有する特定のイミドモノマーを
使用することによって得られる新規な全芳香族液晶性ポ
リエステルエーテルイミドが成形加工性に優れ、また耐
熱性にも優れることを見いだしてなされたものである。

本発明は、また、特定のエーテル基を有するイミドモノ
マーと特定のジカルボン酸機能誘導体と特定のヒドロキ
シカルボン酸機能誘導体とを反応させ、エステル結合を
生成させて重合させることによってこの全芳香族液晶性
ポリエステルエーテルイミドを製造することができるこ
とを見いだしてなされたものである。

すなわち、本発明による液晶性ポリエステルエ−チルイ
ミドは、下記構造単位〔Ｉ〕、（ＩＩ）およびＣＩＩＩ
）より構成され（ただし、各構造単位は互いにエステル
結合で連結されている）、構造単位（１”Ｉ）　＋　［
ＩＩ］　）が全体の５〜５０モル％、構造単位〔■〕が
全体の５０〜９５モル％を占め、構造単位（１）および
［ＩＩ）のモル比が０．９５≦（Ｉ）／　［ｎ）≦１．
０５の範囲にあり、ガラス転位温度が１５０℃以上であ
ること、を特徴とするものである。

エーテルイミドの製造法は、下記一般式（ＩＶ）、（Ｖ
）および［ＶＩ］の化合物を反応させて下記−般式〔■
〕で示される化合物を脱離させること、を特徴とするも
のである。

・・・・・・ぼり ・・・・・・〔Ｉ〕 また、本発明による上記の液晶性ポリエステル（式中、
Ｙ　　、Ｙ　　およびＹ３は同一または異種のＨ−また
はＲ１Ｃ０−であり、Ｒ１は炭素数１から６までの炭化
水素基である。ｚｌ、ｚ２および２　は同一または異種
のＨＯ−またはＲ２０−であり、Ｒ２は炭素数１から８
までの炭化水素基である。） Ｙ−Ｚ　　　　　　　　　　　　　　　・・・・・・頁
（式中、ＹおよびＺは、式［ＩＶ）〜［ＶＩ）の化合物
で使用されたＹ１〜Ｙ３のいずれかならびに２１〜Ｚ３
のいずれかをそれぞれ示す。）く効　果〉 本発明による液晶性ポリエステルエーテルイミドは、全
芳香族性でありながら、成形加工性に優れ、しかも耐熱
性が高い。

〔発明の詳細な説明〕

くポリエステルエーテルイミド〉 く分子構造の一般的説明〉 本発明による液晶性ポリエステルエーテルイミドは、下
記の構造単位（Ｉ）、（ＩＩ）および〔■〕より構成さ
れ、各構造単位が互いにエステル結合で連結されたもの
である。すなわち、このポリエステルエーテルイミドは
、芳香族エーテルイミド結合を有するビスフェノール化
合物（〔Ｉ〕に対応）とフタル酸（〔ＩＩ〕に対応）と
ｐ−ヒドロキシ安息香酸とのコポリエステルである。

・・・・・・［１） 本発明によるこのポリエステルエーテルイミドは、構造
単位（［１１＋　［ＩＩ）　）が全体の５〜５０モル％
、好ましくは２０〜５０モル％、構造単位〔ＩＩＩ〕が
全体の５０〜９５モル％、好ましくは５０〜９０モル％
、を占めてなるもである。また、構造単位〔１〕とｌ”
ｎｌとのモル比〔Ｉ〕／［■）は、０．９〜１．１、好
ましくは０．９５〜１．０５である。

このように、構造単位〔１〕と［ＩＩ）のモル比（１）
／　（ｎ）はほぼ１であるが、このことは必ずしもこの
ポリエステルポリエーテルイミドが（１）と［ＩＩ］と
からなるポリエステルブロックと（ｍ）からなるポリエ
ステルブロックとからなるブロックコポリエステルであ
ることを意味するものではない。すなわち、本発明によ
るポリエステルエーテルイミドは、このようなブロック
コポリエステルの外に、各構造単位が無作為に結合して
いるランダムコポリエステル（無作為といっても、各構
造単位がエステル結合で結合しているところより、それ
らの配列には自から制限があることはいうまでもない）
を包含するものである。

本発明による液晶性ポリエステルエーテルイミドは、十
分に分子量の大きいものであるべきである。しかしなが
ら、このポリエステルエーテルイミドは、繁用の有機溶
剤に不溶なため、分子量の測定は不可能である。従って
、高分子性の目安として、高分子特有の性質であるガラ
ス転位温度を以って、本発明のポリエステルエーテルイ
ミドを限定するものとする。

このポリエステルエーテルイミドの分子量は、示差走査
型熱量計（ＤＳＣ）で測定したガラス転位温度が１５０
℃以上、好ましくは１５０〜３００℃、程度である。

なお、構造単位（１）および（ＩＩ）はノくう、メタお
よびオルトの構造異性体があるが、これらの構造単位内
で異性体が混在していてもよい。

く構造単位〉 構造単位〔Ｉ〕は、４．４−オキシシフタル酸とアミノ
フェノールとのビスイミドに相当するビスフェノール化
合物からの残基である。

構造単位（１）として、アミノフェノール残基がパラ、
メタおよびオルトの３種類の構造異性体があげられるが
、好ましいのは下記構造に示されるアミノフェノール残
基がパラ構造および（または）メタ構造、のエーテル基
を含有するイミド化合物残基である。

・・・・・・（Ｉ　ａ） ・・・・・・（Ｉ　ｂ） 構造単位（ＩＩ）はフタル酸残基であるところ、これに
もバラ、メタおよびオルトの構造異性体があって、具体
的にはテレフタル酸残基、イソフタル酸残基、およびフ
タル酸残基であるが、好ましいのはテレフタル酸残基お
よび（または）イソフタル酸残基、である。

構造単位（ｍ）は、ｐ−ヒドロキシ安息香酸残基である
。

くポリエステルエーテルイミドの製造〉く−船釣説明〉 本発明による液晶性ポリエステルエーテルイミドは、ポ
リエステル結合、エーテル結合および（または）イミド
結合の形成に関して合目的的な任意の方法によって製造
することができる。

このポリエステルエーテルイミドがビスフェノール化合
物（〔Ｉ〕に対応）とフタル酸（〔ＩＩ〕に対応）とｐ
−ヒドロキシ安息香酸（〔■〕に対応）とのコポリエス
テルに相当するものであるところからすれば、これらの
化合物をエステル形成条件下に反応させる方法が典型的
であるといえる。

この場合の「エステル形成条件下」とは、直接エステル
化（縮合により生成する水を共沸等によって除去する場
合あるいは適当な縮合剤を使用する場合を含む）の外に
これら反応体の少なくとも一方をその機能的誘導体の形
で反応させる場合、たとえば、フタル酸およびｐ−ヒド
ロキシ安息香酸を酸ハライド（たとえば酸クロライド）
または酸無水物（特に、混合無水物）の形でビスフエノ
ール化合物（〔Ｉ〕に対応）と反応させる場合、ならび
にビスフェノール化合物をそのアシル誘導体の形でフタ
ル酸およびｐ−ヒドロキシ安息香酸と反応させる場合、
その他を包含するものである。

ビスフェノール化合物（〔Ｉ〕に対応）は、芳香族ポリ
イミド製造に慣用されているところに従って、−旦アミ
ド酸を生成させ、それを脱水閉環／イミド環形成させる
ことによって製造するのが代表的である。

く具体的な方法〉 本発明による液晶性ポリエステルエーテルイミドの具体
的な製造法の一つは、下記の化合物（ＩＶ）、（Ｖ）お
よび（Ｖ［）より、化合物〔■〕を脱離させることから
なるものである。

・・・・・・〔関 （式中、Ｙｌ、Ｙ２およびＹ３は同一または異種の■−
またはＲＩＣｏ−であり、Ｒ１は炭素数１から６までの
炭化水素基である。ｚｌ、Ｚ２およびＺ３は同一または
異種のＨＯ−またはＲ２０−であり、Ｒ２は炭素数１か
ら８までの炭化水素基である。） Ｙ−Ｚ　　　　　　　・・・・・・・・・　〔■〕（式
中、Ｙおよび２は、式［ＩＶ］〜（Ｖｌ）の化合物で使
用されたＹ１〜Ｙ３のいずれかならびに２１〜Ｚ３のい
ずれかをそれぞれ示す。）化合物［ＩＶ）〜〔■〕の反
応によって脱離する式〔■〕の化合物は、ＹおよびＺが
それぞれ化合物（ＴＶ）〜（ＶＩ）で使用したＹ１〜Ｙ
３およびｚ１〜ｚ３に対応する化合物である。

重縮合反応が直接エステル化の場合は、Ｙ１〜Ｙ　がＨ
，Ｚ１〜Ｚ３がＯＨであって、脱離する化合物〔■〕が
Ｈ２０である。機能的誘導体によるたとえば脱モノカル
ボン酸重縮合反応の場合は、たとえばＹ　−Ｙ　がＲＣ
Ｏ，Ｚ１〜ｚ３が０Ｈであって、脱離する化合物は勿論
ＲＩＣＯＯＨであり、また脱モノアルコール重縮合反応
の場合は、たとえばＹ　　−Ｙ　　がＨ，Ｚ１〜Ｚ３が
ＲＯであって、脱離する化合物は勿論Ｒ２０Ｈである。

なお、式（ＩＶ）〜（Ｖｌ）の化合物で使用したＹ　　
−Ｙ　　および２１〜ｚ３がそれぞれ２種類以上である
場合は、式〔■〕の脱離化合物も理論上はそれらの順列
組合せに相当する数だけ存在することになる。

一般式（ＩＶ）のＹ　およびＹ２がＲ’ＣＯ−であると
きのＲ１の具体的な例としては、メチル、エチル、ｎ−
プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ
−アミル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシ
ル、フェニル基などを挙げることができる。Ｙｌおよび
Ｙ２として特に好ましいのは、水素原子、およびＲＩＣ
Ｏ−で示される基でＲ１がメチル、エチルおよびフェニ
ル基であるもの、である。ＹｌおよびＹ２は、同一であ
るものが代表的である。

一般式〔ｖ〕のＺｌおよびＺ２がＲ２０−であるときの
Ｒ２の具体的な例としては、メチル、エチル、ｎ−プロ
ピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ア
ミル、ｎ−ペンチル、ｎ−へキシル、シクロへキシル、
フェニル基などを挙げることかできる。ＺｌおよびＺ２
として特に好ましいのは、水酸基、およびＲ２０−で示
される基でＲ２がフェニル、メチルおよびエチル基であ
るもの、である。Ｚ　およびＺ２も、同一であるものが
代表的である。

一般式（ＶＩ）のＹ　およびＺ３の具体例は上記で示し
たＹ　　、Ｙ　　、Ｚ　　およびｚ２と同様であって、
特に好ましいものは、Ｙ３が水素原子、およびＲＣｏ−
で示される基でＲ１がメチル、工が水酸基、およびＲ２
０−で示される基でＲ１がフェニル、メチル、およびエ
チル基であるものである。

化合物（ＩＶＩの具体的な製造方法は、下記の通りであ
る。

一般式〔■〕で示される、４．４−オキシシフタル酸・
２無水物と、一般式（ＩＸ）で示されるアミノフェノー
ル誘導体との反応により、一般式〔Ｘ〕で示されるアミ
ド酸誘導体を先ず生成させる。

Ｈ２Ｎ＋Ｏ−Ｙ　　　　・・・・・・・・・［ＩＸ）引
き続き、このアミド酸誘導体〔Ｘ〕を加熱により脱水閉
環させることによって、一般式ＣＩＶ）のＹが水素原子
であるジヒドロキシイミド化合物が得られる。

上記の４，４′　−オキシシフタル酸・２無水物とアミ
ノフェノール誘導体との反応は、両成分を溶媒中で混合
させるだけで容品に進行して、アミド酸誘導体（Ｘ）を
生成する。反応は室温で十分に進行するが、好ましくは
反応温度条件は一２０℃から１００℃の範囲であり、多
くの場合、０℃から８０℃の範囲で実施される。この反
応は発熱を伴って短時間に進行し、通常特別な触媒の存
在は必要としない。使用される反応溶媒としては、両成
分を溶解させ、不活性な溶媒であれば特に制限されるも
のではなく、脂肪族炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒
、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、非プロトン性極性溶
媒などが用いられる。特に、ジメチルホルムアミド、ジ
メチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の非プロ
トン性極性溶媒が原料成分及び生成物であるアミド酸化
合物の溶解性の点で好ましい。アミド酸誘導体〔Ｘ〕の
脱水閉環は、得られたアミド酸誘導体溶液を８０〜２５
０℃、好ましくは１００〜１８０℃、に加熱することに
より行われる。

このジヒドロキシイミド化合物に、有機カルボン酸（Ｒ
ｌＣＯＯＨ）　、またはその機能誘導体たとえば酸無水
物、酸クロリド等を反応させることによって、一般式（
ｒＶ）のＹがＲ”ＣＯ−で示されるイミド化合物が得ら
れる。

一般式［ＩＶ）のＹが水素原子であるヒドロキシイミド
化合物を、有機カルボン酸あるいはその機能誘導体と反
応させて一般式（ＩＶ）のＹがＲＩＣＯ−で示されるア
シロキシイミド化合物を製造するには、有機カルボン酸
を用いる場合は、硫酸、塩酸等の無機鉱酸あるいはｐ−
トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸等の有機酸を
触媒として用い、副生ずる水を取り除きながら加熱すれ
ばよく、有機カルボン酸の機能誘導体である酸無水物を
用いる場合は、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩
基を触媒として用いあるいは無触媒で加熱すればよく、
また酸クロリドを用いる場合は、副生ずる塩酸を取り除
くために、トリエチルアミン、ピリジン等の有機塩基を
共存させ反応させればよい。製造工程の簡便性及び経済
性の観点から、酸無水物を用いるアシル化が好適である
。

その場合のアシル化は０℃から酸無水物の沸点の間の温
度で行われるが、好ましいのは室温から１５０℃の間で
あり、また反応溶媒中で反応を行なうことが好ましくて
、その場合の反応溶媒としては、ヒドロキシイミド化合
物およびアシロキシイミド化合物の溶解性より前述のジ
メチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチ
ルピロリドン等の非プロトン性極性溶媒が好ましい。

また、一般式（ＩＶ）のＹがＲ’　ＣＯ−で示されるア
シロキシイミド化合物は、前記アミド酸誘導体〔Ｘ〕に
酸無水物を相当量反応させることによって直接製造する
こともできる。

本発明によるポリエステルのカルボン酸残基を与えるべ
き化合物の一方としての一般式（Ｖ）で示される化合物
は、テレフタル酸、イソフタル酸あるいはそれらの機能
誘導体である。具体例としては、テレフタル酸、イソフ
タル酸、テレフタル酸モノメチル、テレフタル酸モノエ
チル、テレフタル酸モノプロピル、テレフタル酸モノブ
チル、テレフタル酸モノフェニルなどのテレフタル酸モ
ノエステル類、イソフタル酸モノメチル、イソフタル酸
モノエチル、イソフタル酸モノプロピル、イソフタル酸
モノブチル、イソフタル酸モノフェニルなどのイソフタ
ル酸モノエステル類、テレフタル酸ジメチル、テレフタ
ル酸ジエチル、テレフタル酸ジフェニルなどのテレフタ
ル酸ジエステル類、イソフタル酸ジメチル、イソフタル
酸ジエチル、イソフタル酸ジフェニルなどのイソフタル
酸ジエステル類等を挙げることができる。これらの中で
も、テレフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸ジメチ
ルエステル、イソフタル酸ジメチルエステル、テレフタ
ル酸ジフェニルエステル、イソフタル酸ジフェニルエス
テルなどが好ましい。

本発明によるポリエステルのカルボン酸残基を与えるべ
き化合物の他方としての一般式（Ｖｌ）で示される化合
物は、ヒドロキシ安息香酸あるいはそれらの機能誘導体
である。具体例としては、４−ヒドロキシ安息香酸、４
−ヒドロキシ安息香酸メチル、４−ヒドロキシ安息香酸
エチル、４−ヒドロキシ安息香酸プロピル、４−ヒドロ
キシ安息香酸ブチル、４−ヒドロキシ安息香酸ベンジル
、４−ヒドロキシ安息香酸フェニル等の４−ヒドロキシ
安息香酸及びそのエステル類、４−アセトキシ安息香酸
、４−アセトキシ安息香酸メチル、４−アセトキシ安息
香酸エチル、４−アセトキシ安息香酸プロピル、４−ア
セトキシ安息香酸フェニル等の４−アシロキシ安息香酸
及びそのエステル類を挙げることができる。これらの中
で、特に４−ヒドロキシ安息香酸、４−アセトキシ安息
香酸、４−ヒドロキシ安息香酸メチル、４−アセトキシ
安息香酸メチル、４−ヒドロキシ安息香酸フェニル、４
−アセトキシ安息香酸フェニルが好ましい。

なお、一般式（ＩＶ）、（Ｖ）および［ＶＩ）の化合物
は１種単独で用いてもよく、２種以上併用してもよい。

これらの化合物による本発明の液晶性ポリエステルエー
テルイミドは、次の方法によって製造することができる
。

（１）シアシロキシイミド化合物（〔Ｉ〕）　、フタル
酸（（ＩＩ）　）およびアシロキシ安息香酸（Ｃｍ］）
から脱モノカルボン酸による重縮合反応によって製造す
る方法。

（２）ジヒドロキシイミド化合物（［１））　、ジカル
ボン酸のジエステル（［ＩＩ）　）およびヒドロキシ安
息香酸のモノエステル（（ＩＩ［）　）からの脱モノア
ルコールによる重縮合反応によって製造する方法。

（１）法の脱モノカルボン酸重縮合反応法では、脱離す
るモノカルボン酸としては酢酸が主に用いられる。（２
）法の脱モノアルコール重縮合反応法では、フェノール
が脱離成分として主に用いられる。

（１）法の脱モノカルボン酸重縮合反応は、無触媒で進
行するので、好適な重合法である。（２）法の脱モノア
ルコール重縮合反応は触媒を使用することが好ましく、
その場合の触媒としては、酢酸第一スズ、酸化アンチモ
ン、テトラブチルチタネート、酢酸鉛、酢酸ナトリウム
などの金属化合物が用いられる。

重縮合反応において、温度、加熱時間、圧力などの重合
条件は、使用する反応物および所望する重合度に依存し
変化させることができるが、たとえば、脱離化合物Ｙ−
Ｘが酢酸である場合は、不活性ガス下で約４００℃まで
の加熱により酢酸を留出させながら重合を行うことがふ
つうである。

一般に、重合終期には反応系内を減圧状態にして、反応
を完結させることが好ましい。また、重縮合反応を途中
で止めて反応物を取り出し、続いて固相にて重合させ最
終製品とすることもできる。

くポリエステルエーテルイミドの利用〉本発明のポリエ
ステルエーテルイミドは液晶開始温度が４００℃以下と
低く、射出成形、押出成形、圧縮成形、ブロー成形など
の通常の溶融成形に供することができ、三次元成形品、
フィルム、繊維、容器などに加工することが可能である
。また、他の熱可塑性樹脂と混合することによってポリ
マーアロイとすることもできる。

なお成形時には本発明の液晶性ポリエステルエーテルイ
ミドに、ガラス繊維、炭素繊維などの強化剤、充填剤、
酸化防止剤、安定剤、可塑剤、離形剤などの添加剤を添
加して、成形品に所望の特性を付与することができる。

く実　験　例〉 実施例１ 攪拌装置、窒素導入管、蒸留凝縮器、および温度計を備
えた３００ｍ１のフラスコ中に、４．４−オキシリ（Ｎ
−（３−アセトキシフェニル）フタルイミド）４６．１
ｇ　（０，０８モル）、テレフタル酸１３゜３ｇ　（０
，０８モル）、およびｐ−アセトキシ安息香酸４３．２
ｇ　（０，２４モル）を投入し、減圧、窒素導入を３回
繰り返して反応系内を窒素に置換した。窒素気流下で３
５０℃まで２時間かけて、酢酸の除去を伴って加熱し、
３５０℃で３０分加熱を続けた。更に反応系内を減圧と
して３０分加熱を続け、重合を完結させた。

反応系内を窒素で常圧に戻し、重合物を溶融状態で取り
出した。

重合物のＩＲスペクトルは第１図に示した通りであり、
このデータを用いて重合物が目的のポリマーであること
を確認した。

ガラス転位温度は、１８０℃であった。

このポリマーは２５０℃以上の温度で溶融し、良好な光
学異方性を示した。なお、光学異方性は、ライツ社製ホ
ットステージを装備したニコン社製偏向顕微鏡を用いて
観察を行った。

実施例２ 実施例１の仕込モル比を、４，４−オキシリ（Ｎ−（３
−アセトキシフェニル）フタルイミド）４６、　１ｇ　
（０，０８モル）、テレフタル酸１３、　３ｔｒ　（０
，０８モル）、およびｐ−アセトキシ安息香酸１１５．
３ｇ　（０，６４モル）とした以外は実施例１と同様に
重合を行なった。

このポリマーは、ガラス転位温度が１７０℃であり、２
６０℃以上の温度で良好な光学異方性を示した。

実施例３ 実施例１の、４，４−オキシリ（Ｎ−（３−アセトキシ
フェニル）フタルイミド）を４，４−オキシリ（Ｎ−（
４−アセトキシフェニル）フタルイミド）４６．１ｇ　
（０，０８モル）に、テレフタル酸をイソフタル酸１３
．　３ｔｒ　（０，０８モル）に、それぞれ変更した以
外は実施例１と同様に重合を行なった。

得られた重合物のＩＲスペクトルは第２図に示した通り
であり、このデータを用いて重合物が目的のポリマーで
あることを確認した。

このポリマーは、ガラス転位温度が１９０℃であり、３
３０℃以上の温度で良好な光学異方性を示した。

比較例１ 実施例１の仕込モル比を、４，４−オキシリ（Ｎ−（３
−アセトキシフェニル）フタルイミド）８６、　６ｇ　
（０，１５モル）、テレフタル酸２４．９ｇ　（０，１
５モル）、およびｐ−アセトキシ安息香酸３６．　　Ｏ
ｇ　（０，２モル）とした以外は実施例１と同様に重合
を行なった。

このポリマーは２４５℃以上の温度で溶融するが、光学
異方性を示さなかった。

比較例２ 実施例１の４．４−オキシリ（Ｎ−（３−アセトキシフ
ェニル）フタルイミド）をビス（Ｎ−（３−アセトキシ
フェニル））ピロメリットイミドに変更した以外は実施
例１と同様に重合を行なりだが、重合中に重合物が固化
したので、重合を完結することができなかった。

この重合物は、４００℃までは流動しなかった。

【図面の簡単な説明】

第１ｖ！Ｊおよび第２図は、それぞれ実施例１および実
施例２で得られた重合物のＩＲスペクトルである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下記構造単位〔 I 〕、〔II〕および〔III〕より構
   成され（ただし、各構造単位は互いにエステル結合で連
   結されている）、構造単位（〔 I 〕＋〔II〕）が全体
   の５〜５０モル％、構造単位〔III〕が全体の５０〜９
   ５モル％を占め、構造単位〔 I 〕および〔II〕のモル
   比が０．９５≦〔 I 〕／〔II〕≦１．０５の範囲にあ
   り、ガラス転位温度が１５０℃以上であることを特徴と
   する、液晶性ポリエステルエーテルイミド。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔III〕 ２、下記一般式〔IV〕、〔Ｖ〕および〔VI〕の化合物を
   反応させて下記一般式〔VII〕で示される化合物を脱離
   させることを特徴とする、請求項１で示される液晶性ポ
   リエステルエーテルイミドの製造法。 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔IV〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔Ｖ〕 ▲数式、化学式、表等があります▼・・・〔VI〕 （式中、Ｙ＾１、Ｙ＾２およびＹ＾３は同一または異種
   のＨ−またはＲ＾１ＣＯ−であり、Ｒ＾１は炭素数１か
   ら６までの炭化水素基である。Ｚ＾１、Ｚ＾２およびＺ
   ＾３は同一または異種のＨＯ−またはＲ＾２Ｏ−であり
   、Ｒ＾２は炭素数１から８までの炭化水素基である。） Ｙ−Ｚ・・・〔VII〕 （式中、ＹおよびＺは、式〔IV〕〜〔VI〕の化合物で使
   用されたＹ＾１〜Ｙ＾３のいずれかならびにＺ＾１〜Ｚ
   ＾３のいずれかをそれぞれ示す。）