JPH04337320A - 全芳香族ポリエステル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規な芳香族ポリエス
テルに関するものである。さらに詳しくは、耐熱性に優
れた全芳香族ポリエステルおよび溶融時に光学的異方性
を示し、成形加工性、耐熱性に優れた液晶性の全芳香族
ポリエステルに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電気・電子分野、自動車分野の発
展に伴い、これらの分野に使用されるプラスチックスに
対しても高度の性能が求められつつあり、これらの要求
を充たすべく、数多くのプラスチックスが開発され市場
に提供されている。これらの中でも特に、溶融時に分子
鎖が特定方向に配向し、光学的異方性を示し、成形加工
性に優れ、また成形体の機械的性質にも優れているサー
モトロピック高分子（液晶性ポリマー）と呼ばれる一群
の高分子が注目されている。これらの液晶性ポリマーと
しては、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、４，４’−ビフェノ
ールおよびテレフタル酸より得られるポリエステル（特
公昭４７−４７８７０号）、ｐ−ヒドロキシ安息香酸お
よびヒドロキシナフトエ酸より得られるポリエステル（
特開昭５４−７７６９１号）、ポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）およびｐ−ヒドロキシ安息香酸より得ら
れるポリエステル（Ｗ．Ｊ．Ｊａｃｋｓｏｎ等、Ｊ．Ｐ
ｏｌｙｍ．Ｓｃｉ．Ｐｏｌｙｍ．Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，１
４巻、２０４３頁（１９７８）、米国特許３，８０４，
８０５号明細書）などが知られている。しかし、ｐ−ヒ
ドロキシ安息香酸、４，４’−ビフェノールおよびテレ
フタル酸より得られるポリエステルは液晶開始温度（ガ
ラス転移温度）が高く、成形加工性に問題があり、ｐ−
ヒドロキシ安息香酸およびヒドロキシナフトエ酸より得
られるポリエステル、ならびにポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）およびｐ−ヒドロキシ安息香酸より得ら
れるポリエステルは、熱変形温度が低く耐熱性が低いも
のであった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
液晶性ポリエステルの問題点を解決し、成形加工性と耐
熱性のバランスに優れた新規の全芳香族ポリエステル、
全芳香族液晶性ポリエステルを提供することにある。

【０００４】

【課題を解決するための手段】本発明は、芳香環に脂肪
族側鎖を有する特定のモノマーを使用することによって
得られる新規な全芳香族ポリエステル、および全芳香族
液晶性ポリエステルが、成形加工性に優れ、また耐熱性
にも優れることを見い出してなされたものである。すな
わち、本発明は、下記構造単位〔Ｉ〕、〔ＩＩ〕および
〔ＩＩＩ〕より構成され（ただし、各構成単位は、互い
にエステル結合で連結されている）、構成単位〔Ｉ〕と
〔ＩＩ〕は実質的に当量であり、構成単位〔Ｉ〕と〔Ｉ
Ｉ〕の合計モル数と、構成単位〔ＩＩＩ〕のモル数との
比が５／９５〜１００／０であり、溶融温度が３００℃
以上である全芳香族ポリエステルである。

【０００５】

【化２】

【０００６】式中、Ａｒ１、Ａｒ２は、それぞれ独立に
炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基であり、例えば、フ
ェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントリ
レン基、ターフェニレン基、および、前記の骨格に炭素
数１〜６のアルキル側鎖またはフェニル基等の芳香族側
鎖を１〜６個有する基が挙げられる。構造単位〔Ｉ〕は
、２，２’，３，３’，５，５’−ヘキサメチル−１，
１’−ビフェニル−４，４’−ジオールから、水酸基の
水素原子を除いた残基である。構造単位〔ＩＩ〕は、芳
香族ジカルボン酸より水酸基を除いた残基である構造単
位〔ＩＩＩ〕は、芳香族ヒドロキシカルボン酸化合物の
、水酸基から水素を、カルボキシル基から水酸基を除い
た残基である。本発明において全芳香族ポリエステルと
は、エステル結合で連結されている各構成単位が、実質
上全て芳香族構造（ただし、側鎖を有していてもよい）
をとるものをいう。

【０００７】本発明の全芳香族ポリエステルは、構造単
位〔Ｉ〕と〔ＩＩ〕は実質的に当量である。実質的に当
量であるとは、構造単位〔Ｉ〕と〔ＩＩ〕とのモル比〔
Ｉ〕／〔ＩＩ〕が０．９〜１．１、好ましくは、０．９
５〜１．０５である。このことは、必ずしもこの全芳香
族ポリエステルが、構造単位〔Ｉ〕と〔ＩＩ〕とからな
るポリエステルブロックと構造単位〔ＩＩＩ〕からなる
ポリエステルブロックとのブロックコポリエステルであ
ることを意味するものではない。すなわち、このような
ブロックコポリエステルの他に、各構造単位が無作為に
結合しているランダムコポリエステル（無作為とはいっ
ても、各構造単位がエステル結合で結合しているところ
より、それらの配列には自ずから制限あることはいうま
でもない）を包含するものである。

【０００８】本発明の全芳香族ポリエステルは、構造単
位〔Ｉ〕と〔ＩＩ〕の合計モル数と、構造単位〔ＩＩＩ
〕のモル数との比が５／９５〜１００／０である。そし
てその比が５／９５〜５５／４５の時、液晶性のポリエ
ステルを提供するものである。本発明の芳香族ポリエス
テルは、十分に分子量の大きいものであるべきであり、
その溶融温度が３００℃以上のものである。

【０００９】（全芳香族ポリエステルおよび全芳香族液
晶性ポリエステルの製造） 一般的説明 本発明の製造方法により得られる全芳香族ポリエステル
、全芳香族液晶性ポリエステルは、エステル結合形成に
関して合目的な任意の方法によって製造することができ
る。この全芳香族ポリエステル、および全芳香族液晶性
ポリエステルがビスフェノール化合物（〔Ｉ〕に対応）
と芳香族ジカルボン酸化合物（〔ＩＩ〕に対応）と芳香
族ヒドロキシカルボン酸化合物（〔ＩＩＩ〕に対応）と
のコポリマーに相当するものであることからすれば、こ
れらの化合物をエステル形成条件下に反応させる方法が
典型的であるといえる。この場合の「エステル形成条件
下」とは、直接エステル化（縮合により生成する水を加
熱／共沸等によって除去する場合、あるいは適当な縮合
剤を使用する場合を含む）の外に、これらの反応体の少
なくとも一方をその機能的誘導体の形で反応させる場合
、例えば芳香族カルボン酸を酸ハライド（例えば酸クロ
ライド）、酸無水物（特に、混合酸無水物）とし、ジオ
ールと反応させる場合、ならびにヒドロキシル基をその
アシル誘導体の形で芳香族カルボン酸と反応させる場合
、および、芳香族カルボン酸をエステル誘導体の形でヒ
ドロキシル基と反応させる場合、その他を包含するもの
である。

【００１０】具体的な方法 本発明の全芳香族ポリエステル、および全芳香族液晶性
ポリエステルの具体的な製造法の一つは、下記の一般式
で示される化合物〔ＩＶ〕、〔Ｖ〕および〔ＶＩ〕から
、化合物〔ＶＩＩ〕を脱離させることからなるものであ
る。

【００１１】

【化３】

【００１２】（式中、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独
立に炭素数６〜１８の芳香族炭素基であり、Ｙ１、Ｙ２
およびＹ３は同一または異種のＨ−、Ｒ１−ＣＯ−であ
り、Ｒ１は炭素数１〜６の炭化水素基である。Ｚ１、Ｚ
２およびＺ３は同一または異種のＨＯ−、Ｒ２Ｏ−であ
り、Ｒ２は炭素数１〜８の炭化水素基である。） Ｙ−Ｚ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　〔ＶＩＩ〕（式中、ＹおよびＺは、式〔Ｉ
Ｖ〕〜〔ＶＩ〕の化合物で使用されたＹ１〜Ｙ３のいず
れかならびにＺ１〜Ｚ３のいずれかをそれぞれ示す。）
化合物〔ＩＶ〕〜〔ＶＩ〕の反応によって脱離する式〔
ＶＩＩ〕の化合物は、ＹおよびＺがそれぞれ化合物〔Ｉ
Ｖ〕〜〔ＶＩ〕で使用したＹ１〜Ｙ３およびＺ１〜Ｚ３
に対応する化合物である。

【００１３】重縮合反応が直接エステル化である場合は
、Ｙ１〜Ｙ３が水素原子、Ｚ１〜Ｚ３が水酸基である。 機能誘導体による場合、例えば脱モノカルボン酸重縮合
反応の場合は、例えばＹ１〜Ｙ３がＲ１−ＣＯ−、Ｚ１
〜Ｚ３が水酸基であって、脱離する化合物は勿論Ｒ１−
ＣＯＯＨであり、脱アルコール重縮合反応の場合は、例
えばＹ１〜Ｙ３が水素原子、Ｚ１〜Ｚ３がＲ２Ｏ−であ
って、脱離する化合物は勿論Ｒ２ＯＨである。なお、式
〔ＩＶ〕〜〔ＶＩ〕の化合物で使用されたＹ１〜Ｙ３お
よびＺ１〜Ｚ３がそれぞれ２種類以上である場合は、式
〔ＶＩＩ〕の脱離化合物も理論上はそれらの順列組合せ
に相当する数だけ存在することになる。一般式〔ＩＶ〕
のＹ１およびＹ２は、水素原子およびＲ１−ＣＯ−であ
り、Ｒ１は炭素数１から６までの炭化水素基である。Ｒ
１の具体的な例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピ
ル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−アミ
ル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、フ
ェニル基等を挙げることができる。特に好ましくは、水
素原子、および、Ｒ１−ＣＯ−で示される基で、Ｒ１が
メチル、エチル、フェニル基である。一般式〔Ｖ〕のＺ
１およびＺ２は、水酸基およびＲ２−Ｏ−であり、Ｒ２
は炭素数１から６までの炭化水素基である。Ｒ２の具体
的な例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−
プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−アミル、ｎ−
ペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキシル、フェニル等
を挙げることができる。特に好ましくは、水酸基、およ
び、Ｒ２−Ｏ−で示される基で、Ｒ１がフェニル、メチ
ル、エチル基である。一般式〔ＶＩ〕のＹ３およびＺ３
の具体例は、上記で示したＹ１およびＹ２ならびにＺ１
およびＺ２と同様であって、特に好ましくは、Ｙ３は水
素またはＲ１−ＣＯ−で示される基であり、Ｒ１がメチ
ル、エチル、フェニル基であるもの、ならびにＺ３は水
酸基またはＲ２−Ｏ−で示される基であり、Ｒ２がフェ
ニル、メチル、エチル基であるものである。

【００１４】本発明の全芳香族ポリエステルおよび液晶
性の全芳香族ポリエステルは、前記の〔ＩＶ〕〜〔ＶＩ
〕等の化合物から、例えば、次の方法によって製造する
ことができる。（１）　ジアシロキシモノマー〔ＩＶ〕
、ジカルボン酸モノマー〔Ｖ〕、アシロキシカルボン酸
モノマー〔ＶＩ〕から脱モノカルボン酸による重縮合反
応によって製造する方法。（２）　ジヒドロキシモノマ
ー〔ＩＶ〕、ヒドロキシカルボン酸モノエステルモノマ
ー〔Ｖ〕、ジカルボン酸ジエステルモノマー〔ＶＩ〕か
らの脱モノアルコールによる重縮合反応によって製造す
る方法。（３）　この他にも、〔ＩＶ〕〜〔ＶＩ〕の構
成モノマーのＹ１〜Ｙ３およびＺ１〜Ｚ３の種類によっ
ては、脱水や脱エステル等が起こることもある。

【００１５】（１）の方法の脱モノカルボン酸重縮合反
応法においては、脱離するモノカルボン酸が酢酸である
場合が主に用いられる。（２）の方法の脱モノアルコー
ル重縮合反応法においては、フェノールが脱離成分であ
る場合が主に用いられる。（１）の方法の脱モノカルボ
ン酸重縮合反応は、無触媒で進行するため好適な重合法
である。（２）の方法の脱モノアルコール重縮合反応の
触媒としては、酢酸第１スズ、酸化アンチモン、テトラ
ブチルチタネート、酢酸鉛、酢酸ナトリウムなどの金属
化合物が用いられる。重縮合反応において、温度、加熱
時間、圧力などの重合条件は、使用する反応物および所
望する重合度に依存し変化させる事ができるが、一般的
には、不活性ガス下で約４００℃までの加熱により酢酸
あるいはフェノールを留出させながら重合を行うことが
ふつうである。また、一般に、重合終期には反応系内を
減圧状態にして、反応を完結させることが好ましい。ま
た、重縮合反応を途中で止めて反応物を取り出し、続い
て固相にて重合させ最終製品とすることもできる。

【００１６】（全芳香族ポリエステルおよび液晶性の全
芳香族ポリエステルの製造に使用される化合物の例）本
発明による一般式〔ＩＶ〕で示される化合物としては、
２，２’，３，３’，５，５’−ヘキサメチル−１，１
’−ビフェニル−４，４’−ジオール、４，４’−ジア
セトキシ−２，２’，３，３’，５，５’−ヘキサメチ
ル−１，１’−ビフェニルなどである。

【００１７】本発明に用いられる一般式〔Ｖ〕で示され
る化合物としては、テレフタル酸、イソフタル酸、４，
４’−ビフェニルジカルボン酸、２，６−ナフタレンジ
カルボン酸、あるいはそれらの機能誘導体である。具体
例としては、テレフタル酸、イソフタル酸、テレフタル
酸モノメチル、テレフタル酸モノエチル、テレフタル酸
モノプロピル、テレフタル酸モノブチル、テレフタル酸
モノフェニルなどのテレフタル酸モノエステル類、イソ
フタル酸モノメチル、イソフタル酸モノエチル、イソフ
タル酸モノプロピル、イソフタル酸モノブチル、イソフ
タル酸モノフェニルなどのイソフタル酸モノエステル類
、２，６−ナフタレンジカルボン酸、２，６−ナフタレ
ンジカルボン酸モノメチル、２，６−ナフタレンジカル
ボン酸モノエチル、２，６−ナフタレンジカルボン酸モ
ノプロピル、２，６−ナフタレンジカルボン酸モノブチ
ル、２，６−ナフタレンジカルボン酸モノフェニルなど
の２，６−ナフタレンジカルボン酸モノエステル類、４
，４’−ビフェニルジカルボン酸、４，４’−ビフェニ
ルジカルボン酸モノメチル、４，４’−ビフェニルジカ
ルボン酸モノエチル、４，４’−ビフェニルジカルボン
酸モノプロピル、４，４’−ビフェニルジカルボン酸モ
ノブチル、４，４’−ビフェニルジカルボン酸モノフェ
ニルなどの４，４’−ビフェニルジカルボン酸モノエス
テル類、テレフタル酸ジメチル、テレフタル酸ジエチル
、テレフタル酸ジフェニルなどのテレフタル酸ジエステ
ル類、イソフタル酸ジメチル、イソフタル酸ジエチル、
イソフタル酸ジフェニルなどのイソフタル酸ジエステル
類等、２，６−ナフタレンジカルボン酸ジメチル、２，
６−ナフタレンジカルボン酸ジエチル、イソフタル酸ジ
フェニルなどの２，６−ナフタレンジカルボン酸ジエス
テル類、４，４’−ビフェニルジカルボン酸ジメチル、
４，４’−ビフェニルジカルボン酸ジエチル、イソテレ
フタル酸ジフェニルなどの４，４’−ビフェニルジカル
ボン酸ジエステル類等を挙げることができる。これらの
中でも、テレフタル酸、イソフタル酸、２，６−ナフタ
レンジカルボン酸、４，４’−ビフェニルジカルボン酸
、テレフタル酸ジメチルエステル、イソフタル酸ジメチ
ルエステル、２，６−ナフタレンジカルボン酸ジメチル
エステル、４，４’−ビフェニルジカルボン酸ジメチル
エステル、テレフタル酸ジフェニルエステル、イソフタ
ル酸ジフェニルエステル、２，６−ナフタレンジカルボ
ン酸ジフェニルエステル、４，４’−ビフェニルジカル
ボン酸ジフェニルエステルなどが好ましい。

【００１８】本発明に用いられる一般式〔ＶＩ〕で示さ
れる化合物としては、ヒドロキシ安息香酸、６−ヒドロ
キシ−２−ナフトエ酸、４’−ヒドロキシ−ビフェニル
カルボン酸およびそれらの機能誘導体である。具体例と
しては、４−ヒドロキシ安息香酸、４−ヒドロキシ安息
香酸メチル、４−ヒドロキシ安息香酸エチル、４−ヒド
ロキシ安息香酸プロピル、４−ヒドロキシ安息香酸ブチ
ル、４−ヒドロキシ安息香酸ベンジル、４−ヒドロキシ
安息香酸フェニル等の４−ヒドロキシ安息香酸およびそ
のエステル類、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、６−
ヒドロキシ−２−ナフトエ酸メチル、６−ヒドロキシ−
２−ナフトエ酸エチル、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ
酸プロピル、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸ブチル、
６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸ベンジル、６−ヒドロ
キシ−２−ナフトエ酸フェニル等の６−ヒドロキシ−２
−ナフトエ酸およびそのエステル類、４’−ヒドロキシ
ビフェニルカルボン酸、４’−ヒドロキシビフェニルカ
ルボン酸メチル、４’−ヒドロキシビフェニルカルボン
酸エチル、４’−ヒドロキシビフェニルカルボン酸プロ
ピル、４’−ヒドロキシビフェニルカルボン酸ブチル、
４’−ヒドロキシビフェニルカルボン酸ベンジル、４’
−ヒドロキシビフェニルカルボン酸フェニル等の４’−
ヒドロキシビフェニルカルボン酸およびそのエステル類
、４−アセトキシ安息香酸、４−アセトキシ安息香酸メ
チル、４−アセトキシ安息香酸エチル、４−アセトキシ
安息香酸プロピル、４−アセトキシ安息香酸フェニル等
の４−アセトキシ安息香酸およびそのエステル類、６−
アセトキシ−２−ナフトエ酸、６−アセトキシ−２−ナ
フトエ酸メチル、６−アセトキシ−２−ナフトエ酸エチ
ル、６−アセトキシ−２−ナフトエ酸プロピル、６−ア
セトキシ−２−ナフトエ酸フェニル等の６−アシロキシ
ナフトエ酸およびそのエステル類、４’−アセトキシビ
フェニルカルボン酸、４’−アセトキシビフェニルカル
ボン酸メチル、４’−アセトキシビフェニルカルボン酸
エチル、４’−アセトキシビフェニルカルボン酸プロピ
ル、４’−アセトキシビフェニルカルボン酸フェニル等
の４’−アシロキシビフェニルカルボン酸およびそのエ
ステル類を挙げることができる。これらの中で特に、４
−ヒドロキシ安息香酸、４−アセトキシ安息香酸、４−
ヒドロキシ安息香酸メチル、４−アセトキシ安息香酸メ
チル、４−ヒドロキシ安息香酸フェニル、４−アセトキ
シ安息香酸フェニル、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸
、６−アセトキシ−２−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ−
２−ナフトエ酸メチル、６−ヒドロキシ−２−ナフトエ
酸フェニル、６−アセトキシ−２−ナフトエ酸フェニル
、４’−ビフェニルカルボン酸、４’−アセトキシビフ
ェニルカルボン酸、４’−ビフェニルカルボン酸メチル
、４’−ビフェニルカルボン酸フェニル、４’−アセト
キシビフェニルカルボン酸フェニルが好ましい。なお一
般式〔ＩＶ〕、〔Ｖ〕および〔ＶＩ〕の化合物は、それ
ぞれ１種類ずつ単独で用いてもよく、２種以上を併用し
てもよい。

【００１９】（全芳香族ポリエステルおよび液晶性の全
芳香族ポリエステルの利用）本発明の全芳香族ポリエス
テルおよび液晶性の全芳香族ポリエステルは、溶融温度
が３００〜４８０℃であり、射出成形、押出成形、圧縮
成形、ブロー成形などの通常の溶融成形に供することが
でき、三次元成形品、フィルム、繊維、容器などに加工
することが可能である。また、他の熱可塑性樹脂と混合
することによってポリマーアロイとすることもできる。 なお成形時には、本発明の全芳香族ポリエステルおよび
液晶性の全芳香族ポリエステルに、ガラス繊維、炭素繊
維などの強化剤、充填剤、酸化防止剤、安定剤、可塑剤
、離形剤などの添加剤を添加して、成形品に所望の特性
を付与することができる。

【００２０】

【実施例】次に、実施例によって、本発明をさらに具体
的に説明する。実施例中、溶融温度は、ＤＳＣ測定（２
０℃／分、窒素中）により行った。 実施例　１ 撹拌装置、窒素導入管、蒸留凝縮器、温度計を備えた重
合管中に、４，４’−ジアセトキシ−２，２’，３，３
’，５，５’−ヘキサメチルビフェニル２．１２７ｇ（
６．０ミリモル）、テレフタル酸０．９９７ｇ（６．０
ミリモル）、ｐ−アセトキシ安息香酸６．４８６ｇ（３
６．０ミリモル）を投入し（〔Ｉ〕＋〔ＩＩ〕）／〔Ｉ
ＩＩ〕＝２５／７５）、減圧、窒素導入を３回繰り返し
、反応系内の雰囲気をを窒素で置換した。窒素気流下、
２４０℃で３０分加熱撹拌し、続いて２８０℃で１時間
反応させた。この段階で、酢酸が早く溜出した。続いて
３００℃で１時間加熱を続け、３３０℃に昇温し、３０
０Ｔｏｒｒに減圧して３０分反応させ、さらに３５５℃
で０．２Ｔｏｒｒで２０分反応させ、重合を完結させた
。反応系内を窒素で常圧に戻し、重合物を取り出した。 この重合物の溶融温度は３２５℃であり、良好な光学異
方性を示した。また、ペンタフルオロフェノール中、０
．１ｇ／ｄｌ、２０℃で測定した対数粘度は２．６７で
あった。その他の物性を含め、表１に示す。

【００２１】実施例　２ 実施例１において、ｐ−アセトキシ安息香酸の量を８．
６４８ｇ（４８．０ミリモル）とした以外は実施例１と
同様に反応を行った（〔Ｉ〕＋〔ＩＩ〕）／〔ＩＩＩ〕
＝２０／８０）。得られた重合物は、溶融温度３７８℃
であり、良好な光学異方性を示した。その他の物性を含
め、表１に示す。

【００２２】実施例　３ 実施例１において、ｐ−アセトキシ安息香酸の量を４．
３２４ｇ（２４．０ミリモル）とした以外は、実施例１
と同様に反応を行った（〔Ｉ〕＋〔ＩＩ〕）／〔ＩＩＩ
〕＝３３／６７）。得られた重合物は、溶融温度３３２
℃であり、良好な光学異方性を示した。その他の物性を
含め、表１に示す。

【００２３】実施例　４ 実施例１において、ｐ−アセトキシ安息香酸の量を３．
２４３ｇ（１８．０ミリモル）とした以外は実施例１と
同様に反応を行った（〔Ｉ〕＋〔ＩＩ〕）／〔ＩＩＩ〕
＝４０／６０）。得られた重合物は、溶融温度３７６℃
であり、良好な光学異方性を示した。その他の物性を含
め、表１に示す。

【００２４】実施例　５ 実施例１において、ｐ−アセトキシ安息香酸の量を２．
１６１ｇ（１２．０ミリモル）とした以外は実施例１と
同様に反応を行った（〔Ｉ〕＋〔ＩＩ〕）／〔ＩＩＩ〕
＝５０／５０）。得られた重合物は、溶融温度４００℃
であり、良好な光学異方性を示した。その他の物性を含
め、表１に示す。

【００２５】実施例　６ 実施例１において、ｐ−アセトキシ安息香酸の量を１．
０８１ｇ（６．０ミリモル）とした以外は、実施例１と
同様に反応を行った（〔Ｉ〕＋〔ＩＩ〕）／〔ＩＩＩ〕
＝６７／３３）。得られた重合物は、溶融温度４２７℃
であった。その他の物性を含め、表１に示す。

【００２６】実施例　７ 実施例１において、ｐ−アセトキシ安息香酸の量を０．
５４０ｇ（３．０ミリモル）とした以外は、実施例１と
同様に反応を行った（〔Ｉ〕＋〔ＩＩ〕）／〔ＩＩＩ〕
＝８０／２０）。得られた重合物は、溶融温度４２９℃
であった。その他の物性を含め、表１に示す。

【００２７】実施例　８ 実施例１において、ｐ−アセトキシ安息香酸を用いなか
った以外は、実施例１と同様に反応を行った（〔Ｉ〕＋
〔ＩＩ〕）／〔ＩＩＩ〕＝１００／０）。得られた重合
物は、溶融温度４６６℃であった。その他の物性を含め
、表１に示す。

【００２８】

【表１】

【００２９】注）　Ｔｇ：ガラス転移温度　　　　：Ｄ
ＳＣ測定（２０℃／分、窒素中） Ｔｍ：溶融温度　　　　　　　　　　：ＤＳＣ測定（２
０℃／分、窒素中） ＴＤ：重量減少開始温度　　：ＤＳＣ測定（２０℃／分
、窒素中） 比較例１は、構造単位〔Ｉ〕の代わりに非置換ビフェニ
ール骨格を導入したもの。

【００３０】

【発明の効果】本発明の全芳香族ポリエステルおよび液
晶性の全芳香族ポリエステルは、溶融温度が３００〜４
８０℃であり、また優れた成形加工性があるので、射出
成形、押出成形、圧縮成形、ブロー成形などの通常の溶
融成形に供することができ、三次元成形品、フィルム、
繊維、容器などに加工することが可能である。また、他
の熱可塑性樹脂と混合することによってポリマーアロイ
とすることもできる。得られた成形品は優れた機械的性
質を示し、また成形時には本発明のポリエステルに、ガ
ラス繊維、炭素繊維などの強化剤、充填剤、酸化防止剤
、安定剤、可塑剤、離型剤などの添加剤を添加して、成
形品に所望の特性を付与することができるので、広範な
応用分野に使用することができる。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】　　下記構造単位〔Ｉ〕、〔ＩＩ〕および
   〔ＩＩＩ〕より構成され（ただし、各構成単位は、互い
   にエステル結合で連結されている）、構成単位〔Ｉ〕と
   〔ＩＩ〕は実質的に当量であり、構造単位〔Ｉ〕と〔Ｉ
   Ｉ〕の合計モル数と、構造単位〔ＩＩＩ〕のモル数との
   比が５／９５〜１００／０であり、溶融温度が３００℃
   以上である全芳香族ポリエステル： 【化１】 （式中、Ａｒ１、Ａｒ２は、それぞれ独立に炭素数６〜
   １８の芳香族炭化水素基である）。
2. 【請求項２】　　請求項１に記載の全芳香族ポリエステ
   ルにおいて、構造単位〔Ｉ〕と〔ＩＩ〕の合計モル数と
   、構造単位〔ＩＩＩ〕のモル数との比が５／９５〜５５
   ／４５である、液晶性の全芳香族ポリエステル。