JPH04339332A - 光記録ディスクおよびその製造方法 - Google Patents
光記録ディスクおよびその製造方法Info
- Publication number
- JPH04339332A JPH04339332A JP3111776A JP11177691A JPH04339332A JP H04339332 A JPH04339332 A JP H04339332A JP 3111776 A JP3111776 A JP 3111776A JP 11177691 A JP11177691 A JP 11177691A JP H04339332 A JPH04339332 A JP H04339332A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- optical recording
- protective film
- recording film
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/913—Material designed to be responsive to temperature, light, moisture
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/146—Laser beam
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光記録ディスク、特に
光透過性の基板と、この基板の上に直接または中間層を
介して形成された記録膜と、この記録膜の上に設けられ
た保護膜とを有する光記録ディスクおよびその製造方法
に関する。
光透過性の基板と、この基板の上に直接または中間層を
介して形成された記録膜と、この記録膜の上に設けられ
た保護膜とを有する光記録ディスクおよびその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光記録ディスク、例えば光磁気記
録ディスクとしては、図４に示されるような構成のもの
が知られている。すなわち、図４に示されるように、デ
ィスク状の基板５１の上には、誘電体膜５２が設けられ
、この誘電体膜５２のうえには、金属の記録膜５３が設
けられ、この記録膜５３の上には誘電体保護膜５４が設
けられる。さらに、誘電体保護膜５４の上には、通常、
接着層５５を介して、保護板５８が接合される。さらに
、このような光記録ディスクの外周側面には、記録膜５
３の、特に、側面を保護するため、樹脂等の充填剤５７
が充填される。
録ディスクとしては、図４に示されるような構成のもの
が知られている。すなわち、図４に示されるように、デ
ィスク状の基板５１の上には、誘電体膜５２が設けられ
、この誘電体膜５２のうえには、金属の記録膜５３が設
けられ、この記録膜５３の上には誘電体保護膜５４が設
けられる。さらに、誘電体保護膜５４の上には、通常、
接着層５５を介して、保護板５８が接合される。さらに
、このような光記録ディスクの外周側面には、記録膜５
３の、特に、側面を保護するため、樹脂等の充填剤５７
が充填される。
【０００３】このような従来の光記録ディスクの、特に
、薄膜は、通常、図５および図６に示されるような方法
で製造される。すなわち、図５に示されるように、まず
、真空成膜装置のベルジャ（図示しない）内の基板ホル
ダ６０に固定されたディスク状の基板５１の周縁上に、
リング状のマスク８０が載置される。このマスク８０の
内周面８０ａは、マスクの中心線とほぼ平行になってい
る。このマスク８０を設置した後、スパッタ等の真空成
膜法で基板上に誘電体膜５２、記録膜５３および誘電体
保護膜５４が積層される（図６）。しかる後、マスク８
０を外し、接着層５５を介して、保護板５８が接合され
、さらに光記録ディスクの外周側面に充填剤５７が充填
される（図４）。
、薄膜は、通常、図５および図６に示されるような方法
で製造される。すなわち、図５に示されるように、まず
、真空成膜装置のベルジャ（図示しない）内の基板ホル
ダ６０に固定されたディスク状の基板５１の周縁上に、
リング状のマスク８０が載置される。このマスク８０の
内周面８０ａは、マスクの中心線とほぼ平行になってい
る。このマスク８０を設置した後、スパッタ等の真空成
膜法で基板上に誘電体膜５２、記録膜５３および誘電体
保護膜５４が積層される（図６）。しかる後、マスク８
０を外し、接着層５５を介して、保護板５８が接合され
、さらに光記録ディスクの外周側面に充填剤５７が充填
される（図４）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
光記録ディスクの構成では、記録膜の外周端は露出し、
また、外周端を覆ったにしても有機物の充填剤でしか覆
えないために、記録膜の腐食を防止するには十分とは言
えない。従って、長期間放置した場合、光記録ディスク
の記録膜が外周部から腐食し始め、製品の安全性が保証
できなくるという問題が生じる。
光記録ディスクの構成では、記録膜の外周端は露出し、
また、外周端を覆ったにしても有機物の充填剤でしか覆
えないために、記録膜の腐食を防止するには十分とは言
えない。従って、長期間放置した場合、光記録ディスク
の記録膜が外周部から腐食し始め、製品の安全性が保証
できなくるという問題が生じる。
【０００５】このような課題を解決するために本発明は
創案されたものであり、その目的は上記の問題点を解決
し、記録膜の耐食牲に優れる構造を有する光記録ディス
クをおよびその製造方法を提供することにある。
創案されたものであり、その目的は上記の問題点を解決
し、記録膜の耐食牲に優れる構造を有する光記録ディス
クをおよびその製造方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、光透過性の基板と、この基板の上に直接ま
たは中間層を介して形成された記録膜と、この記録膜の
上に設けられた保護膜とを有する光記録ディスクにおい
て、前記保護膜は、誘電体保護膜であり、記録膜の上部
平坦面および側面の全面を一体的に被覆するように構成
した。
に本発明は、光透過性の基板と、この基板の上に直接ま
たは中間層を介して形成された記録膜と、この記録膜の
上に設けられた保護膜とを有する光記録ディスクにおい
て、前記保護膜は、誘電体保護膜であり、記録膜の上部
平坦面および側面の全面を一体的に被覆するように構成
した。
【０００７】また、ディスク基板の周縁部の上に、リン
グ形状のマスクであって、リング内周部全周に亘って顎
部を備えるマスクを載置した後、スパッタ法により、前
記基板の上に記録膜を成膜し、しかる後、この記録膜成
膜時における不活性ガス圧よりも高い作動圧力で誘電体
保護膜をスパッタ法により成膜するように構成した。
グ形状のマスクであって、リング内周部全周に亘って顎
部を備えるマスクを載置した後、スパッタ法により、前
記基板の上に記録膜を成膜し、しかる後、この記録膜成
膜時における不活性ガス圧よりも高い作動圧力で誘電体
保護膜をスパッタ法により成膜するように構成した。
【０００８】
【作用】本発明の光記録ディスクの記録膜は、その上部
平坦面および側面の全面が一体的に誘電体保護膜で被覆
されているので、特に記録膜の側面（外周端）からの腐
食が防止でき、耐久性が向上する。本発明の光記録ディ
スク製造方法は、リング形状のマスクであって、リング
内周部全周に亘って顎部を備えるマスクを用い、記録膜
成膜時における不活性ガス圧よりも高い不活性ガス圧で
誘電体保護膜を成膜するので、記録膜の側面端部を誘電
体保護膜で覆うことができる。
平坦面および側面の全面が一体的に誘電体保護膜で被覆
されているので、特に記録膜の側面（外周端）からの腐
食が防止でき、耐久性が向上する。本発明の光記録ディ
スク製造方法は、リング形状のマスクであって、リング
内周部全周に亘って顎部を備えるマスクを用い、記録膜
成膜時における不活性ガス圧よりも高い不活性ガス圧で
誘電体保護膜を成膜するので、記録膜の側面端部を誘電
体保護膜で覆うことができる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の光記録ディスクの一例として
光磁気記録ディスクを例にとって説明する。図１には、
光磁気記録ディスク１の外周部が見えるように切り欠か
かれた概略断面斜視図が示される。
光磁気記録ディスクを例にとって説明する。図１には、
光磁気記録ディスク１の外周部が見えるように切り欠か
かれた概略断面斜視図が示される。
【００１０】光磁気記録ディスク１は、ディスク状の基
板１１と、この基板１１の上に設けられる中間層として
の誘電体膜１２と、この誘電体膜１２の上に設けられる
記録膜１３と、この記録膜１３の上に設けられる誘電体
保護膜１４とを有している。さらに、通常、誘電体保護
膜１４の上には、接着層１５を介して、保護板１８が接
合される。さらに、このような光記録ディスクの外周側
面には、記録膜１３の、特に、側面をさらに保護するた
め、樹脂等の充填剤１７を充填することが好ましい。
板１１と、この基板１１の上に設けられる中間層として
の誘電体膜１２と、この誘電体膜１２の上に設けられる
記録膜１３と、この記録膜１３の上に設けられる誘電体
保護膜１４とを有している。さらに、通常、誘電体保護
膜１４の上には、接着層１５を介して、保護板１８が接
合される。さらに、このような光記録ディスクの外周側
面には、記録膜１３の、特に、側面をさらに保護するた
め、樹脂等の充填剤１７を充填することが好ましい。
【００１１】ディスク状の基板１１は、光透過性のガラ
スや、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタクリル酸メ
チル（ＰＭＭＡ）等の樹脂から形成される。このような
基板１１の厚さは０．５〜１．５ｍｍ程度とされる。基
板１１の上に設けられる誘電体膜１２は、ＺｎＳ、Ｓｉ
Ｏ、ＳｉＯ２ 、ＳｉＮｘ 、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ、Ｃａ
Ｆ２ 等の誘電体材料から形成される。このような誘電
体膜１２の厚さは、通常、５０〜１５０ｎｍ程度である
。
スや、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタクリル酸メ
チル（ＰＭＭＡ）等の樹脂から形成される。このような
基板１１の厚さは０．５〜１．５ｍｍ程度とされる。基
板１１の上に設けられる誘電体膜１２は、ＺｎＳ、Ｓｉ
Ｏ、ＳｉＯ２ 、ＳｉＮｘ 、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ、Ｃａ
Ｆ２ 等の誘電体材料から形成される。このような誘電
体膜１２の厚さは、通常、５０〜１５０ｎｍ程度である
。
【００１２】このような誘電体膜１２に形成される記録
膜１３は、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧａＴｂＣｏ
、ＧｄＦｅＢｉ、ＤｙＦｅ、ＧｄＦｅ、ＧｄＣｏ、Ｂｉ
ＳｍＹｂＣｏＧｅＩＧ、ＢｉＳｍＥｒＧａＩＧ、ＧｄＩ
Ｇ、ＣｏＣｒ、ＣｒＯ２ 、ＰｔＣｏ、ＥｕＯＦｅ、Ｅ
ｕＯ、ＭｎＣｕＢｉ、ＭｎＡｌＧｅ、ＭｎＢｉ等の光磁
気記録材料から形成される。このような記録膜の厚さは
通常、１５〜１００ｎｍである。本発明の対象となる他
の記録膜材料としては、光記録可能な公知の種々の金属
材料が挙げられ、具体的には、Ｔｅ系のピット形成タイ
プの記録材や、Ａｓ−Ｔｅ−Ｇｅ系、Ｓｎ−Ｔｅ−Ｓｅ
系、ＴｅＯｘ 系、Ｓｂ２ Ｓｅ３ 等の相変化による
記録材料等が一例として挙げられる。記録膜１３の厚さ
は、１５〜１００ｎｍ程度である。このような記録膜１
３の外周端部は１３ａは、図示のごとく誘電体膜１２の
外周端部１２ａを覆うようにすることが好ましい。記録
膜の劣化は、空気や水と触れることによって促進され、
これを防止するためである。
膜１３は、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧａＴｂＣｏ
、ＧｄＦｅＢｉ、ＤｙＦｅ、ＧｄＦｅ、ＧｄＣｏ、Ｂｉ
ＳｍＹｂＣｏＧｅＩＧ、ＢｉＳｍＥｒＧａＩＧ、ＧｄＩ
Ｇ、ＣｏＣｒ、ＣｒＯ２ 、ＰｔＣｏ、ＥｕＯＦｅ、Ｅ
ｕＯ、ＭｎＣｕＢｉ、ＭｎＡｌＧｅ、ＭｎＢｉ等の光磁
気記録材料から形成される。このような記録膜の厚さは
通常、１５〜１００ｎｍである。本発明の対象となる他
の記録膜材料としては、光記録可能な公知の種々の金属
材料が挙げられ、具体的には、Ｔｅ系のピット形成タイ
プの記録材や、Ａｓ−Ｔｅ−Ｇｅ系、Ｓｎ−Ｔｅ−Ｓｅ
系、ＴｅＯｘ 系、Ｓｂ２ Ｓｅ３ 等の相変化による
記録材料等が一例として挙げられる。記録膜１３の厚さ
は、１５〜１００ｎｍ程度である。このような記録膜１
３の外周端部は１３ａは、図示のごとく誘電体膜１２の
外周端部１２ａを覆うようにすることが好ましい。記録
膜の劣化は、空気や水と触れることによって促進され、
これを防止するためである。
【００１３】記録膜１３の上には誘電体保護膜１４が設
けられる。このような誘電体保護膜１４は、図示のごと
く記録膜の上部平坦面１３ｂのみならず側面１３ａの全
面を一体的に被覆するように形成されている．これによ
り、記録膜側面からの腐食が防止される。このような誘
電体保護膜１４は、ＺｎＳ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２ 、Ｓｉ
Ｎｘ 、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ、ＣａＦ２ 等の材質から形
成され、その厚さは、通常、５０〜１００ｎｍ程度であ
る。 このような誘電体保護膜１４上には前述したように接着
層１５を介して、保護板１８が接合される。接着層１５
としては、紫外線硬化型樹脂、ホットメルト、両面テー
プ等の材料が用いられ、保護板１８としては、ガラス、
ＰＣ、ＰＭＭＡ等の材料が用いられる。光記録ディスク
の外周側面には、より好ましい態様として、紫外線硬化
型樹脂、ホットメルト樹脂等の充填剤１７が充填される
。
けられる。このような誘電体保護膜１４は、図示のごと
く記録膜の上部平坦面１３ｂのみならず側面１３ａの全
面を一体的に被覆するように形成されている．これによ
り、記録膜側面からの腐食が防止される。このような誘
電体保護膜１４は、ＺｎＳ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２ 、Ｓｉ
Ｎｘ 、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ、ＣａＦ２ 等の材質から形
成され、その厚さは、通常、５０〜１００ｎｍ程度であ
る。 このような誘電体保護膜１４上には前述したように接着
層１５を介して、保護板１８が接合される。接着層１５
としては、紫外線硬化型樹脂、ホットメルト、両面テー
プ等の材料が用いられ、保護板１８としては、ガラス、
ＰＣ、ＰＭＭＡ等の材料が用いられる。光記録ディスク
の外周側面には、より好ましい態様として、紫外線硬化
型樹脂、ホットメルト樹脂等の充填剤１７が充填される
。
【００１４】次に、上述してきた本発明の光記録ディス
クの製造方法を、図２および図３に基づいて説明する。 真空成膜法としてはスパッタ法が用いられる。まず、真
空成膜装置のベルジャ（図示しない）内の基板ホルダ２
０にディスク状の基板１１を固定する。ついで、このデ
ィスク状の基板１１の周縁上に、リング状のマスク３０
を載置する。このマスク３０の内周面の形状に特徴を有
する。
クの製造方法を、図２および図３に基づいて説明する。 真空成膜法としてはスパッタ法が用いられる。まず、真
空成膜装置のベルジャ（図示しない）内の基板ホルダ２
０にディスク状の基板１１を固定する。ついで、このデ
ィスク状の基板１１の周縁上に、リング状のマスク３０
を載置する。このマスク３０の内周面の形状に特徴を有
する。
【００１５】すなわち、マスク３０の内周面は、載置面
３１に対してマスクの内側に突出する傾斜面を備える顎
部３２と、この顎部３２の最内側からこんどは外方に傾
斜する傾斜面３３とを内周の全周に亘って有する。顎部
３２の載置面３１に対する傾斜は、１０〜６０度、好ま
しくは３５〜５５度である。このような顎部３２を設け
ることにより、成膜されるべく膜材料が適宜、回り込み
、前記記録膜１３の側面端部１３ａを覆うことができる
。
３１に対してマスクの内側に突出する傾斜面を備える顎
部３２と、この顎部３２の最内側からこんどは外方に傾
斜する傾斜面３３とを内周の全周に亘って有する。顎部
３２の載置面３１に対する傾斜は、１０〜６０度、好ま
しくは３５〜５５度である。このような顎部３２を設け
ることにより、成膜されるべく膜材料が適宜、回り込み
、前記記録膜１３の側面端部１３ａを覆うことができる
。
【００１６】このようなマスク３０を基板１１上に載置
した後、誘電体材料をターゲットとして、誘電体膜１２
を積層させる。この場合、誘電体膜１２の外周端面は図
３に示されるように回り込みが生じないような形状とす
ることが好ましく、スパッタ条件としての、不活性ガス
圧（スパッタ圧）を０．５Ｐａ以下、特に、０．０２〜
０．２Ｐａとすることが好ましい。不活性ガスとしては
、アルゴン、ヘリウム、クリプトン等が用いられるが、
通常、経済性を考えて、アルゴンが用いられる。
した後、誘電体材料をターゲットとして、誘電体膜１２
を積層させる。この場合、誘電体膜１２の外周端面は図
３に示されるように回り込みが生じないような形状とす
ることが好ましく、スパッタ条件としての、不活性ガス
圧（スパッタ圧）を０．５Ｐａ以下、特に、０．０２〜
０．２Ｐａとすることが好ましい。不活性ガスとしては
、アルゴン、ヘリウム、クリプトン等が用いられるが、
通常、経済性を考えて、アルゴンが用いられる。
【００１７】ついで、この誘電体膜１２の上に記録膜１
３をスパッタ法で成膜する。この場合、記録膜１３の外
周端面は図３に示されるようにわずかに回り込みが生じ
るような形状とすることが好ましく、スパッタ条件とし
ての、不活性ガス圧（例えば、アルゴンガス圧）を前記
誘電体膜の成膜時のそれよりも高くすることが好ましい
。具体的な不活性ガス圧は０．２〜０．６Ｐａ程度とさ
れる。
３をスパッタ法で成膜する。この場合、記録膜１３の外
周端面は図３に示されるようにわずかに回り込みが生じ
るような形状とすることが好ましく、スパッタ条件とし
ての、不活性ガス圧（例えば、アルゴンガス圧）を前記
誘電体膜の成膜時のそれよりも高くすることが好ましい
。具体的な不活性ガス圧は０．２〜０．６Ｐａ程度とさ
れる。
【００１８】ついで、この記録膜１３の上に誘電体保護
膜１４をスパッタ法で成膜する。この場合、スパッタ条
件としての、不活性ガス圧（例えば、アルゴンガス圧）
を前記記録膜の成膜時のそれよりも高くする。マスクの
顎部の傾斜に沿って、誘電体保護膜１４の膜材料が回り
込み、前記記録膜１３の側面端部１３ａを覆うことがで
きるようにするためである。これにより、耐食性は格段
と向上する。具体的な不活性ガス圧は０．６〜２Ｐａ、
好ましくは０．８〜１．２Ｐａとされる。
膜１４をスパッタ法で成膜する。この場合、スパッタ条
件としての、不活性ガス圧（例えば、アルゴンガス圧）
を前記記録膜の成膜時のそれよりも高くする。マスクの
顎部の傾斜に沿って、誘電体保護膜１４の膜材料が回り
込み、前記記録膜１３の側面端部１３ａを覆うことがで
きるようにするためである。これにより、耐食性は格段
と向上する。具体的な不活性ガス圧は０．６〜２Ｐａ、
好ましくは０．８〜１．２Ｐａとされる。
【００１９】以上の３種の膜を成膜するに際しての、そ
の他のスパッタ条件は、例えば、電力０．２〜１．５ｋ
Ｗ、ターゲット電圧０．２〜１．０ｋＶ、ターゲット間
隔５０〜２００ｍｍ、ターゲット径１００〜３００ｍｍ
、基板温度２０〜１００℃である。このようなスパッタ
成膜工程が完了した後、基板に所定の薄膜を形成したも
のをベルジャから搬出し、しかる後、マスク８０を外し
、接着層５５を介して、保護板５８を接合し、さらに光
記録ディスクの外周側面に充填剤５７を充填する。
の他のスパッタ条件は、例えば、電力０．２〜１．５ｋ
Ｗ、ターゲット電圧０．２〜１．０ｋＶ、ターゲット間
隔５０〜２００ｍｍ、ターゲット径１００〜３００ｍｍ
、基板温度２０〜１００℃である。このようなスパッタ
成膜工程が完了した後、基板に所定の薄膜を形成したも
のをベルジャから搬出し、しかる後、マスク８０を外し
、接着層５５を介して、保護板５８を接合し、さらに光
記録ディスクの外周側面に充填剤５７を充填する。
【００２０】以下、具体的実験例に基づいて本発明をさ
らに詳細に説明する。 実験例 真空成膜装置のベルジャ内の基板ホルダに直径３０ｃｍ
、厚さ１．２ｍｍのガラス基板を固定した。ついで、こ
のディスク状の基板の周縁上に外径４０ｃｍ、内径２９
ｃｍ、厚さ５ｍｍの顎部を有するマスクを載置した。な
お、載置面に対する顎部の傾斜は４５度とした。
らに詳細に説明する。 実験例 真空成膜装置のベルジャ内の基板ホルダに直径３０ｃｍ
、厚さ１．２ｍｍのガラス基板を固定した。ついで、こ
のディスク状の基板の周縁上に外径４０ｃｍ、内径２９
ｃｍ、厚さ５ｍｍの顎部を有するマスクを載置した。な
お、載置面に対する顎部の傾斜は４５度とした。
【００２１】ついで、誘電体材料としては、ＺｎＳをタ
ーゲットとして誘電体膜をスパッタ法で８０ｎｍ厚に成
膜させた。この場合における不活性ガス圧（スパッタ圧
）は０．０４Ｐａとした。不活性ガスはアルゴンを用い
た。この誘電体膜の上にＴｂＦｅＣｏの記録膜を９０ｎ
ｍ厚さにスパッタ法で成膜させた。不活性ガス圧は、０
．６Ｐａとした。
ーゲットとして誘電体膜をスパッタ法で８０ｎｍ厚に成
膜させた。この場合における不活性ガス圧（スパッタ圧
）は０．０４Ｐａとした。不活性ガスはアルゴンを用い
た。この誘電体膜の上にＴｂＦｅＣｏの記録膜を９０ｎ
ｍ厚さにスパッタ法で成膜させた。不活性ガス圧は、０
．６Ｐａとした。
【００２２】ついで、この記録膜の上にＺｎＳの誘電体
保護膜をスパッタ法で１００ｎｍ厚に成膜させた。不活
性ガス圧は、１．３Ｐａとした。このように作成した本
発明の光記録ディスクの外周側面をＳＥＭ（走査電子顕
微鏡）で観察したところ、記録膜の側面は完全に誘電体
保護膜で被覆されていることが確認された。また、高温
高湿試験で、従来の方法で製造した光記録ディスクとの
耐食性を比較評価したところ、本発明の光記録ディスク
の耐食性は、従来のそれと比べて格段と向上することが
確認された。
保護膜をスパッタ法で１００ｎｍ厚に成膜させた。不活
性ガス圧は、１．３Ｐａとした。このように作成した本
発明の光記録ディスクの外周側面をＳＥＭ（走査電子顕
微鏡）で観察したところ、記録膜の側面は完全に誘電体
保護膜で被覆されていることが確認された。また、高温
高湿試験で、従来の方法で製造した光記録ディスクとの
耐食性を比較評価したところ、本発明の光記録ディスク
の耐食性は、従来のそれと比べて格段と向上することが
確認された。
【００２３】なお、上記の実施例では、片面記録の光磁
気記録ディスクを例にとって説明してきたが、基板の上
に記録膜を備えた一対の板体を、記録面を対向させた状
態で接合させた、いわゆる両面記録の光磁気記録ディス
クとしてもよい。また、本発明はピット形成タイプや相
変化タイプや色変化タイプの光記録ディスクにも適合で
きることは勿論である。
気記録ディスクを例にとって説明してきたが、基板の上
に記録膜を備えた一対の板体を、記録面を対向させた状
態で接合させた、いわゆる両面記録の光磁気記録ディス
クとしてもよい。また、本発明はピット形成タイプや相
変化タイプや色変化タイプの光記録ディスクにも適合で
きることは勿論である。
【００２４】
【発明の効果】本発明は、光透過性の基板と、この基板
の上に直接または中間層を介して形成された記録膜と、
この記録膜の上に設けられた保護膜とを有する光記録デ
ィスクにおいて、前記保護膜は、誘電体保護膜であり、
記録膜の上部平坦面および側面の全面を一体的に被覆す
るように形成されているので、記録膜の側面からの腐食
起因物質の侵入を防止でき、光記録ディスクの耐食牲は
格段と向上する。
の上に直接または中間層を介して形成された記録膜と、
この記録膜の上に設けられた保護膜とを有する光記録デ
ィスクにおいて、前記保護膜は、誘電体保護膜であり、
記録膜の上部平坦面および側面の全面を一体的に被覆す
るように形成されているので、記録膜の側面からの腐食
起因物質の侵入を防止でき、光記録ディスクの耐食牲は
格段と向上する。
【００２５】また、本発明はディスク基板の周縁部の上
に、リング形状のマスクであって、リング内周部全周に
亘って顎部を備えるマスクを載置した後、スパッタ法に
より、前記基板の上に記録膜を成膜し、しかる後、この
記録膜成膜時における不活性ガス圧よりも高い不活性ガ
ス圧で誘電体保護膜を成膜するので、誘電体保護膜は記
録膜の上部平坦面および側面の全面を一体的に被覆する
ように形成され、光記録ディスクの耐食牲は格段と向上
する。
に、リング形状のマスクであって、リング内周部全周に
亘って顎部を備えるマスクを載置した後、スパッタ法に
より、前記基板の上に記録膜を成膜し、しかる後、この
記録膜成膜時における不活性ガス圧よりも高い不活性ガ
ス圧で誘電体保護膜を成膜するので、誘電体保護膜は記
録膜の上部平坦面および側面の全面を一体的に被覆する
ように形成され、光記録ディスクの耐食牲は格段と向上
する。
【図１】本発明の光磁気記録ディスクの外周部が見える
ように切り欠かれた概略断面斜視図である。
ように切り欠かれた概略断面斜視図である。
【図２】本発明の光磁気記録ディスクの製造方法を説明
するため、基板の外周部が見えるように切り欠かれた概
略断面斜視図であって、基板のうえにマスクが載置され
た図である。
するため、基板の外周部が見えるように切り欠かれた概
略断面斜視図であって、基板のうえにマスクが載置され
た図である。
【図３】本発明の光磁気記録ディスクの製造方法を説明
するため、基板の外周部が見えるように切り欠かれた概
略断面斜視図であって、基板のうえにマスクが載置され
、しかる後、スパッタ薄膜が形成された図である。
するため、基板の外周部が見えるように切り欠かれた概
略断面斜視図であって、基板のうえにマスクが載置され
、しかる後、スパッタ薄膜が形成された図である。
【図４】従来の光磁気記録ディスクの外周部が見えるよ
うに切り欠かれた概略断面斜視図である。
うに切り欠かれた概略断面斜視図である。
【図５】従来の光磁気記録ディスクの製造方法を説明す
るため、基板の外周部が見えるように切り欠かれた概略
断面斜視図であって、基板のうえにマスクが載置された
図である。
るため、基板の外周部が見えるように切り欠かれた概略
断面斜視図であって、基板のうえにマスクが載置された
図である。
【図６】従来の光磁気記録ディスクの製造方法を説明す
るため、基板の外周部が見えるように切り欠かれた概略
断面斜視図であって、基板のうえにマスクが載置され、
しかる後、スパッタ薄膜が形成された図である。
るため、基板の外周部が見えるように切り欠かれた概略
断面斜視図であって、基板のうえにマスクが載置され、
しかる後、スパッタ薄膜が形成された図である。
１１…基板
１３…記録膜
１４…誘電体保護膜
３０…マスク
Claims (6)
- 【請求項１】 光透過性の基板と、この基板の上に直
接または中間層を介して形成された記録膜と、この記録
膜の上に設けられた保護膜とを有する光記録ディスクに
おいて、前記保護膜は、誘電体保護膜であり、記録膜の
上部平坦面および側面の全面を一体的に被覆するように
形成されていることを特徴とする光記録ディスク。 - 【請求項２】 前記誘電体保護膜の材料は、ＺｎＳ、
ＳｉＮｘ 、ＡｌＮ、ＡｌＯＮ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２ 、
ＣａＦ２ 等であることを特徴とする光記録ディスク。 - 【請求項３】 ディスク基板の周縁部の上に、リング
形状のマスクであって、リング内周部全周に亘って顎部
を備えるマスクを載置した後、スパッタ法により、前記
基板の上に記録膜を成膜し、しかる後、この記録膜成膜
時における不活性ガス圧よりも高い不活性ガス圧で誘電
体保護膜をスパッタ法により成膜することを特徴とする
光記録ディスクの製造方法。 - 【請求項４】前記誘電体保護膜の成膜時の不活性ガス圧
は、前記マスクの顎部の傾斜に沿って、膜材料が回り込
み、前記記録膜の側面端部を覆うことができるような圧
力であることを特徴とする請求項３に記載の光記録ディ
スクの製造方法。 - 【請求項５】 前記誘電体保護膜の成膜時の不活性ガ
ス圧は、０．５〜３Ｐａであることを特徴とする請求項
３に記載の光記録ディスクの製造方法。 - 【請求項６】 基板と記録膜の間に、中間層としての
誘電体膜がスパッタ法により形成され、この誘電体膜の
成膜時の不活性ガス圧は、記録膜の成膜時の不活性ガス
圧よりも低いことを特徴とする請求項３に記載の光記録
ディスクの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3111776A JPH04339332A (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | 光記録ディスクおよびその製造方法 |
| US07/788,421 US5382460A (en) | 1991-05-16 | 1991-11-06 | Optical recording disk and production process therefor |
| DE4138109A DE4138109A1 (de) | 1991-05-16 | 1991-11-19 | Optische aufzeichnungsplatte und verfahren zu ihrer herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3111776A JPH04339332A (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | 光記録ディスクおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04339332A true JPH04339332A (ja) | 1992-11-26 |
Family
ID=14569881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3111776A Pending JPH04339332A (ja) | 1991-05-16 | 1991-05-16 | 光記録ディスクおよびその製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5382460A (ja) |
| JP (1) | JPH04339332A (ja) |
| DE (1) | DE4138109A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2068618A1 (en) * | 1991-05-21 | 1992-11-22 | Tadahiko Mizukuki | Optical recording medium and production thereof |
| US5726969A (en) * | 1994-12-28 | 1998-03-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical recording medium having dual information surfaces |
| US5714222A (en) * | 1995-01-23 | 1998-02-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical recording medium and process for producing same |
| DE69729990T2 (de) * | 1996-03-11 | 2004-12-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Optischer datenaufzeichnungsmedium, verfahren zur herstellung dasselbe und verfahren zur wiedergabe/löschen einer aufzeichnung |
| US5989669A (en) * | 1996-09-24 | 1999-11-23 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical information recording disc |
| US6319580B1 (en) * | 1998-06-16 | 2001-11-20 | Hitachi Maxell, Ltd. | Recording disk and producing method therefor |
| TWI317516B (en) * | 2002-06-07 | 2009-11-21 | Fujifilm Corp | Photo-data recording media |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4981743A (en) * | 1988-07-25 | 1991-01-01 | Unisys Corporation | Overcoat composition for optical record |
| JP2797359B2 (ja) * | 1989-01-09 | 1998-09-17 | 東レ株式会社 | 光記録媒体 |
| US5100700A (en) * | 1989-03-10 | 1992-03-31 | Ricoh Company, Ltd. | Information recording medium |
| JPH03224790A (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-03 | Toshiba Corp | 情報記録媒体 |
| JP2543230B2 (ja) * | 1990-06-20 | 1996-10-16 | 松下電器産業株式会社 | 光学情報記録媒体 |
-
1991
- 1991-05-16 JP JP3111776A patent/JPH04339332A/ja active Pending
- 1991-11-06 US US07/788,421 patent/US5382460A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-11-19 DE DE4138109A patent/DE4138109A1/de not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4138109A1 (de) | 1992-11-19 |
| US5382460A (en) | 1995-01-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2237732A1 (en) | Glancing angle deposition of thin films | |
| JP2526864B2 (ja) | 光学記録媒体 | |
| JPS62279532A (ja) | 光デイスク | |
| US4710418A (en) | Optical recording medium | |
| US5382460A (en) | Optical recording disk and production process therefor | |
| JPS6134745A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JPS6168744A (ja) | 光学的記録媒体の製造方法 | |
| JPS639050A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS6148144A (ja) | 光デイスク | |
| EP0488854A2 (en) | Method for the preparation of a magneto-optical recording medium | |
| JPS63176185A (ja) | 情報記録材料 | |
| AU8526098A (en) | Glancing angle deposition of thin films | |
| JPS6470917A (en) | Recording medium | |
| JPH02128346A (ja) | 光磁気デイスク | |
| JP3205921B2 (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH07176078A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JPH0580735B2 (ja) | ||
| JPS6390038A (ja) | 光学的記録媒体 | |
| JPH01251349A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPH01292639A (ja) | 光ディスク | |
| JPH01315050A (ja) | 光磁気ディスク用基板 | |
| JPH02310838A (ja) | 光磁気記録媒体 | |
| JPS59210548A (ja) | レ−ザ−デイスクの製造方法 | |
| JPS61198450A (ja) | 光デイスク保護膜の形成方法 | |
| JPH0773525A (ja) | 光磁気記録媒体およびその薄膜製造装置 |