JPH0434142B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0434142B2 JPH0434142B2 JP60016204A JP1620485A JPH0434142B2 JP H0434142 B2 JPH0434142 B2 JP H0434142B2 JP 60016204 A JP60016204 A JP 60016204A JP 1620485 A JP1620485 A JP 1620485A JP H0434142 B2 JPH0434142 B2 JP H0434142B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal silicide
- silicide film
- transparent glass
- glass substrate
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造工程において使
用されるフオトマスク形成のためのフオトマスク
ブランクの形成方法に関するものである。
用されるフオトマスク形成のためのフオトマスク
ブランクの形成方法に関するものである。
半導体装置、特に微細パターンを要する半導体
装置の製造に際し、写真製版工程で使用されるク
ロム等のハードマスクは、従来のエマルジヨンマ
スクに比べて、膜厚の薄い材料が使えるためパタ
ーンの微細化が可能となり、かつ、その寿命も長
くなる等の多くの利点がある。このフオトマスク
材料としてのハードマスクの形成、たとえば材料
がクロムの場合は第２図に示すように、透明ガラ
ス基板１上にスパツタ法等によりクロム膜２を
500〜1000Å程度の膜厚に形成する。このクロム
膜２の形成は、第３図に示すようなスパツタ装置
を用いる。
装置の製造に際し、写真製版工程で使用されるク
ロム等のハードマスクは、従来のエマルジヨンマ
スクに比べて、膜厚の薄い材料が使えるためパタ
ーンの微細化が可能となり、かつ、その寿命も長
くなる等の多くの利点がある。このフオトマスク
材料としてのハードマスクの形成、たとえば材料
がクロムの場合は第２図に示すように、透明ガラ
ス基板１上にスパツタ法等によりクロム膜２を
500〜1000Å程度の膜厚に形成する。このクロム
膜２の形成は、第３図に示すようなスパツタ装置
を用いる。
すなわち、第３図において、１０，１１はそれ
ぞれカソードおよびアノード電極である。１２は
クロム、タンタル等のターゲツト、１３は高周波
電源であり、図示のようにAr等の不活性ガスを
導入し、これによりターゲツト１２の表面を衝撃
することによりターゲツト１２の金属に対応した
金属膜、例えばクロム膜２が対向する透明ガラス
基板１上に形成される。
ぞれカソードおよびアノード電極である。１２は
クロム、タンタル等のターゲツト、１３は高周波
電源であり、図示のようにAr等の不活性ガスを
導入し、これによりターゲツト１２の表面を衝撃
することによりターゲツト１２の金属に対応した
金属膜、例えばクロム膜２が対向する透明ガラス
基板１上に形成される。
上記したように、半導体製造工程で用いられる
クロム等のハードマスクは膜厚が薄いためパター
ンの微細化が可能であり、寿命も長くなる等の多
くの利点がある。石英等の透明ガラス基板１上に
クロム等のハードマスクを抵抗加熱法で蒸着する
場合においては、蒸着時に不純物が混入する等の
問題があり、良質のハードマスク材料が形成でき
なかつた。特に融点の高い金属は困難である。し
かし、第３図のようなスパツタ法によるハードマ
スクの形成方法では、Arプラズマで所望のター
ゲツト（マスク材）を物理的にスパツタさせるこ
とにより透明ガラス基板１上にフオトマスク材料
を形成できるので高融点材料にも有利となる。新
しいフオトマスク材料としての金属シリサイド膜
の形成もターゲツト材に金属シリサイドを用いる
ことで容易に形成できる。
クロム等のハードマスクは膜厚が薄いためパター
ンの微細化が可能であり、寿命も長くなる等の多
くの利点がある。石英等の透明ガラス基板１上に
クロム等のハードマスクを抵抗加熱法で蒸着する
場合においては、蒸着時に不純物が混入する等の
問題があり、良質のハードマスク材料が形成でき
なかつた。特に融点の高い金属は困難である。し
かし、第３図のようなスパツタ法によるハードマ
スクの形成方法では、Arプラズマで所望のター
ゲツト（マスク材）を物理的にスパツタさせるこ
とにより透明ガラス基板１上にフオトマスク材料
を形成できるので高融点材料にも有利となる。新
しいフオトマスク材料としての金属シリサイド膜
の形成もターゲツト材に金属シリサイドを用いる
ことで容易に形成できる。
従来のハードマスクは一層（Crマスク）また
は２層（低反射Crマスク）の膜構造のものが多
く、膜形成はスパツタ等で容易にできる。しかし
ながら、フオトマスク材料として金属シリサイド
膜を用いた場合、通常、室温または100℃前後の
基板加熱で膜形成することが多く、例えばスパツ
タ後の金属シリサイドが非晶質で十分シリサイド
化しておらず一様な膜形成が困難であつた。
は２層（低反射Crマスク）の膜構造のものが多
く、膜形成はスパツタ等で容易にできる。しかし
ながら、フオトマスク材料として金属シリサイド
膜を用いた場合、通常、室温または100℃前後の
基板加熱で膜形成することが多く、例えばスパツ
タ後の金属シリサイドが非晶質で十分シリサイド
化しておらず一様な膜形成が困難であつた。
この発明は、上記のような従来のものの欠点を
除去するためになされたもので、シリサイド化を
十分行い均一のフオトマスクブランクの形成方法
を提供することを目的としている。
除去するためになされたもので、シリサイド化を
十分行い均一のフオトマスクブランクの形成方法
を提供することを目的としている。
この発明のフオトマスクブランクの形成方法
は、透明ガラス基板上に直接金属シリサイド膜を
形成し、この金属シリサイド膜を、赤外線で高
温、短時間または赤外線レーザでアニールするこ
とによりフオトマスクブランクを形成するように
したものである。
は、透明ガラス基板上に直接金属シリサイド膜を
形成し、この金属シリサイド膜を、赤外線で高
温、短時間または赤外線レーザでアニールするこ
とによりフオトマスクブランクを形成するように
したものである。
この発明においては、アニールすることにより
非晶質の金属シリサイド膜が結晶性の金属シリサ
イド膜となり、フオトマスク材料として透明ガラ
ス基板との熱ストレスを緩和するためマスクパタ
ーンのむら、変形が生じず、また、透明ガラス基
板にダメージを与えることがない。
非晶質の金属シリサイド膜が結晶性の金属シリサ
イド膜となり、フオトマスク材料として透明ガラ
ス基板との熱ストレスを緩和するためマスクパタ
ーンのむら、変形が生じず、また、透明ガラス基
板にダメージを与えることがない。
第１図ａ〜ｃはこの発明の一実施例を示す工程
図である。まず、第１図ａに示すように、スパツ
タ等で石英等の透明ガラス基板１上にモリブテン
（Mo）、チタン（Ti）等の金属シリサイド膜３を
直接形成する。つまり、金属シリサイド膜４は金
属膜を形成してからシリサイド化するような間接
的な形成ではなく、直接的に形成するものであ
る。次に、第１図ｂに示すように金属シリサイド
膜３を高温、短時間、たとえば900℃、数10秒間
赤外線５でアニールし、第１図ｃに示すようにア
ニールされた金属シリサイド膜４を形成する。
図である。まず、第１図ａに示すように、スパツ
タ等で石英等の透明ガラス基板１上にモリブテン
（Mo）、チタン（Ti）等の金属シリサイド膜３を
直接形成する。つまり、金属シリサイド膜４は金
属膜を形成してからシリサイド化するような間接
的な形成ではなく、直接的に形成するものであ
る。次に、第１図ｂに示すように金属シリサイド
膜３を高温、短時間、たとえば900℃、数10秒間
赤外線５でアニールし、第１図ｃに示すようにア
ニールされた金属シリサイド膜４を形成する。
その後の工程は図示してないが、レジストを塗
布後電子ビーム等で所要のパターンに描画後現像
工程を経てレジストパターンを形成し、このレジ
ストパターンをマスクにして金属シリサイド膜を
エツチング除去した後、レジストパターンを除去
して所要のフオトマスクを形成する。
布後電子ビーム等で所要のパターンに描画後現像
工程を経てレジストパターンを形成し、このレジ
ストパターンをマスクにして金属シリサイド膜を
エツチング除去した後、レジストパターンを除去
して所要のフオトマスクを形成する。
一般に、たとえば石英等の透明ガラス基板上に
金属シリサイド膜をスパツタ法で形成した場合、
非晶質の金属シリサイド膜が形成される。つま
り、金属とシリコンが不均一に混在しているた
め、たとえばマスク製造におけるエツチング工程
で金属とシリコンのエツチング速度の差からパタ
ーンのムラが生じる。
金属シリサイド膜をスパツタ法で形成した場合、
非晶質の金属シリサイド膜が形成される。つま
り、金属とシリコンが不均一に混在しているた
め、たとえばマスク製造におけるエツチング工程
で金属とシリコンのエツチング速度の差からパタ
ーンのムラが生じる。
また、スパツタ後の金属シリサイド膜は抵抗が
大きく（数100Ω）、たとえば電子ビーム（EB）
によりマスク描画を行う場合、チヤージアツプ現
象が起こり、パターン変形の原因にもなる。
大きく（数100Ω）、たとえば電子ビーム（EB）
によりマスク描画を行う場合、チヤージアツプ現
象が起こり、パターン変形の原因にもなる。
そこで、第１図ｂに示すように金属シリサイド
膜３を500℃前後の温度でアニールすることで結
晶性の金属シリサイド膜４を形成すれば均一な金
属シリサイド膜が形成でき、上記したようなマス
ク製造工程におけるエツチングムラ（パターンの
ムラ）が無くなる。
膜３を500℃前後の温度でアニールすることで結
晶性の金属シリサイド膜４を形成すれば均一な金
属シリサイド膜が形成でき、上記したようなマス
ク製造工程におけるエツチングムラ（パターンの
ムラ）が無くなる。
アニールは高温、短時間（900℃、数10秒）の
赤外線アニールを行う。これは透明ガラス基板１
と金属シリサイド膜４の熱ストレスを緩和するた
めと、透明ガラス基板にダメージを与えないため
である。
赤外線アニールを行う。これは透明ガラス基板１
と金属シリサイド膜４の熱ストレスを緩和するた
めと、透明ガラス基板にダメージを与えないため
である。
この発明は以上説明したとおり、スパツタ等で
透明ガラス基板上に直接形成した金属シリサイド
膜を赤外線を用いて高温、短時間でアニールし均
一な結晶性の金属シリサイド膜を形成し、これを
フオトマスク材料として用いるようにしたので、
従来にない高品質のフオトマスクブランクを提供
でき、しかも短時間のアニールであるため量産に
適する利点がある。
透明ガラス基板上に直接形成した金属シリサイド
膜を赤外線を用いて高温、短時間でアニールし均
一な結晶性の金属シリサイド膜を形成し、これを
フオトマスク材料として用いるようにしたので、
従来にない高品質のフオトマスクブランクを提供
でき、しかも短時間のアニールであるため量産に
適する利点がある。
第１図ａ〜ｃはこの発明の一実施例のフオトマ
スクブランクの製造工程を示す断面図、第２図は
従来のフオトマスク材料が透明ガラス基板上に形
成された状態を示す断面図、第３図はスパツタ装
置の概略構成図である。 図において、１は石英等の透明ガラス基板、３
は金属シリサイド膜、４はアニール後の金属シリ
サイド膜、５は赤外線を示す。なお、各図中の同
一符号は同一または相当部分を示す。
スクブランクの製造工程を示す断面図、第２図は
従来のフオトマスク材料が透明ガラス基板上に形
成された状態を示す断面図、第３図はスパツタ装
置の概略構成図である。 図において、１は石英等の透明ガラス基板、３
は金属シリサイド膜、４はアニール後の金属シリ
サイド膜、５は赤外線を示す。なお、各図中の同
一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 透明ガラス基板上に直接金属シリサイド膜を
形成した後、前記金属シリサイド膜を赤外線を用
いて高温、短時間でアニールすることを特徴とす
るフオトマスクブランクの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60016204A JPS61173252A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | フォトマスクブランクの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60016204A JPS61173252A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | フォトマスクブランクの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61173252A JPS61173252A (ja) | 1986-08-04 |
| JPH0434142B2 true JPH0434142B2 (ja) | 1992-06-05 |
Family
ID=11909978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60016204A Granted JPS61173252A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | フォトマスクブランクの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61173252A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4650608B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2011-03-16 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
| JP2007185126A (ja) * | 2006-01-12 | 2007-07-26 | Sekisui Film Kk | 畝の被覆構造及び畝の被覆方法 |
| JP4687929B2 (ja) * | 2009-12-25 | 2011-05-25 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5185380A (ja) * | 1975-05-21 | 1976-07-26 | Dainippon Printing Co Ltd | |
| JPS5750431A (en) * | 1980-09-10 | 1982-03-24 | Toshiba Corp | Forming method for minute pattern |
| JPS5796535A (en) * | 1980-12-08 | 1982-06-15 | Seiko Epson Corp | Cvd device |
| JPS57157249A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-28 | Nec Corp | Preparation of optical exposure mask |
| JPS57160127A (en) * | 1981-03-27 | 1982-10-02 | Nec Corp | Manufacture of transcribe mask for x-ray exposure |
| JPS60176235A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Ｘ線露光用マスク原板 |
-
1985
- 1985-01-28 JP JP60016204A patent/JPS61173252A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61173252A (ja) | 1986-08-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
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| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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