JPS60176235A - Ｘ線露光用マスク原板 - Google Patents
Ｘ線露光用マスク原板Info
- Publication number
- JPS60176235A JPS60176235A JP59031900A JP3190084A JPS60176235A JP S60176235 A JPS60176235 A JP S60176235A JP 59031900 A JP59031900 A JP 59031900A JP 3190084 A JP3190084 A JP 3190084A JP S60176235 A JPS60176235 A JP S60176235A
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- JP
- Japan
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- ray
- original plate
- mask
- ray exposure
- substrate
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の技術分野）
本発明法人規模集積回路（ＬＳＩ）の製造の際に微細パ
ターンをＸ線露光によりウエノ・に焼付けるときに用い
るマスクの原板、特にＸ線吸収層のバターニング加工が
容易な原板に関するものである。
ターンをＸ線露光によりウエノ・に焼付けるときに用い
るマスクの原板、特にＸ線吸収層のバターニング加工が
容易な原板に関するものである。
（発明の背景）
Ｘ線露光用のマスクは、基本的には第１図（断面図）に
示すようにＸ線を透過し得る基板（１）とその上に形成
された所定微細パターンのＸ線吸収１！ （２）とから
なり、基板（１）としては窒化シリコン、ボロンナイト
ライドポリイミド樹脂等の薄膜が使用され、Ｘ線吸収層
（２）としては金、白金などが使用されている。ただし
、基板（１）としての窒化シリコンやポリイミド樹脂の
薄膜は大きな面積にすると平面性を保てないので実際に
は第１図に示すようにフレーム（３）で支持する。
示すようにＸ線を透過し得る基板（１）とその上に形成
された所定微細パターンのＸ線吸収１！ （２）とから
なり、基板（１）としては窒化シリコン、ボロンナイト
ライドポリイミド樹脂等の薄膜が使用され、Ｘ線吸収層
（２）としては金、白金などが使用されている。ただし
、基板（１）としての窒化シリコンやポリイミド樹脂の
薄膜は大きな面積にすると平面性を保てないので実際に
は第１図に示すようにフレーム（３）で支持する。
いずれにせよ、マスクの原板はＸ線を透過し得る基板と
その上に形成されたＸ線吸収層からなり、このＸ線吸収
層を所定微細パターンにバターニング加工することによ
りマスクを作製する訳であるが、これまで使用されてき
た金、白金等は高精度のバターニングが極めて難しく、
特に２姐以下の線巾に加工する場合には通常のドライエ
ツチング装置を使用するバターニング法が使用できなか
った。そのため、特開昭５３−１７０７５に開示された
ような複雑なバターニング法が開発されている。
その上に形成されたＸ線吸収層からなり、このＸ線吸収
層を所定微細パターンにバターニング加工することによ
りマスクを作製する訳であるが、これまで使用されてき
た金、白金等は高精度のバターニングが極めて難しく、
特に２姐以下の線巾に加工する場合には通常のドライエ
ツチング装置を使用するバターニング法が使用できなか
った。そのため、特開昭５３−１７０７５に開示された
ような複雑なバターニング法が開発されている。
高精度のバターニングが難しい理由は、■Ｘ線の吸収を
大きくして、マスクのコントラストを上げるためにバタ
ーニングすべきＸ線吸収層を０．４〜１・・ｐｍの厚さ
にする必要があるが、そのためエツチングした場合、吸
収層の断面が第２図に示すように垂直でないこと、及び
■ＲＩ Ｂ （ＩＪアクティブ・イオン・エツチング）
やイオンビームエツチングのような通常のドライエツチ
ング装置を用いるバターニングを行なうと、金粒子が動
くので、線巾１μｍ以下のパターンを高精度で所定の位
置に形成できないことにある。
大きくして、マスクのコントラストを上げるためにバタ
ーニングすべきＸ線吸収層を０．４〜１・・ｐｍの厚さ
にする必要があるが、そのためエツチングした場合、吸
収層の断面が第２図に示すように垂直でないこと、及び
■ＲＩ Ｂ （ＩＪアクティブ・イオン・エツチング）
やイオンビームエツチングのような通常のドライエツチ
ング装置を用いるバターニングを行なうと、金粒子が動
くので、線巾１μｍ以下のパターンを高精度で所定の位
置に形成できないことにある。
（発明の目的）
従って、本発明の目的は通常のドライエツチング装置を
用いたバター、ニングによってＸ線吸収層のバターニン
グが可能で、しかも十分なコントラストを与えるＸ糖露
光用マスク原板を提供することにある。
用いたバター、ニングによってＸ線吸収層のバターニン
グが可能で、しかも十分なコントラストを与えるＸ糖露
光用マスク原板を提供することにある。
（発明の概要）
本発明者は鋭意研究の結果、Ｘ線吸収層として金や白金
に代えてＸ線吸収性金属゛のシリサイドを使用すること
によって通常のドライエツチング装置を用いたバターニ
ングでも高精度の微細パターンを得ることができ、しか
も十分なコントラストを有するマスクが得られることを
見い出し、本発明を成すに至った。よって、本発明は、
Ｘ線を透過し得る基板と該基板上に形成されたＸ線吸収
層とからなるＸ線露光用マスク原板に於いて、前記Ｘ線
吸収層が、Ｘ線吸収性金属のシリサイドであることを特
徴とするＸ線露光用原板を提供する、本発明に使用され
るシリサイドそれ自体は一部公知であり、一般式Ｍｘ
Ｓ ｉ ｙで示される。ＭはＸ線吸収性金属であり、例
えばＰｔ 、Ｐｄ 、 Ｗ、Ｔａ。
に代えてＸ線吸収性金属゛のシリサイドを使用すること
によって通常のドライエツチング装置を用いたバターニ
ングでも高精度の微細パターンを得ることができ、しか
も十分なコントラストを有するマスクが得られることを
見い出し、本発明を成すに至った。よって、本発明は、
Ｘ線を透過し得る基板と該基板上に形成されたＸ線吸収
層とからなるＸ線露光用マスク原板に於いて、前記Ｘ線
吸収層が、Ｘ線吸収性金属のシリサイドであることを特
徴とするＸ線露光用原板を提供する、本発明に使用され
るシリサイドそれ自体は一部公知であり、一般式Ｍｘ
Ｓ ｉ ｙで示される。ＭはＸ線吸収性金属であり、例
えばＰｔ 、Ｐｄ 、 Ｗ、Ｔａ。
Ｍｏ、Ｈｏ、Ｅｒ 、Ｏｓ、又はＩｒなどが挙げられる
。但し、たとえＸ線吸収性金属であっても例えば金のよ
うにＳｉとシリサイドを形成しないか又は形成し難い金
属は除外される。
。但し、たとえＸ線吸収性金属であっても例えば金のよ
うにＳｉとシリサイドを形成しないか又は形成し難い金
属は除外される。
このようなシリサイドはＣＶ Ｄ （ｃｈｅｍｉｃａｌ
ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって、その
場で形成してもよい。いずれにせよ、Ｘ線吸収層として
形成後は熱アニーリングを行なわずに、もしくはコント
ロールされた熱アニールを行い粒径を１０００λ以下に
保つことが好ましい。
ｖａｐｏｕｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によって、その
場で形成してもよい。いずれにせよ、Ｘ線吸収層として
形成後は熱アニーリングを行なわずに、もしくはコント
ロールされた熱アニールを行い粒径を１０００λ以下に
保つことが好ましい。
その場で基板上にシリサイドを形成しながらＸ線吸収層
を形成する方法以外に、予めシリサイドを用意し、この
シリサイドをターゲットまたは蒸発源としてスパッタリ
ング、真空蒸着、イオンプレーティフグなどの真空薄膜
形成法によって基板上にＸ線吸収層を形成させてもよい
。
を形成する方法以外に、予めシリサイドを用意し、この
シリサイドをターゲットまたは蒸発源としてスパッタリ
ング、真空蒸着、イオンプレーティフグなどの真空薄膜
形成法によって基板上にＸ線吸収層を形成させてもよい
。
このようなＸ線吸収層は、必要なコントラストを得るた
め、レジストのン゛値やＸ線の波長によりＸ線吸収係数
に応じて一般に０．２〜２μｍの膜厚好ましくは０．３
〜１．０μｍの膜厚とするうＸ＃！吸収層を形成する下
地の基板としては上述の如きボロンナイトライド、窒化
シリコン、ポリイミド、ポリエチレン、ポリエステル、
ポリバラキシレンなどの樹脂が使用される。窒化シリコ
ンは一般に半導体のウェハとして使用されるシリコン板
の上にＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）により形成され、ポリイミドそ
の他の樹脂はその溶剤溶液の形でシリコン板の上に塗布
・乾燥させることによシ形成される。
め、レジストのン゛値やＸ線の波長によりＸ線吸収係数
に応じて一般に０．２〜２μｍの膜厚好ましくは０．３
〜１．０μｍの膜厚とするうＸ＃！吸収層を形成する下
地の基板としては上述の如きボロンナイトライド、窒化
シリコン、ポリイミド、ポリエチレン、ポリエステル、
ポリバラキシレンなどの樹脂が使用される。窒化シリコ
ンは一般に半導体のウェハとして使用されるシリコン板
の上にＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）により形成され、ポリイミドそ
の他の樹脂はその溶剤溶液の形でシリコン板の上に塗布
・乾燥させることによシ形成される。
このような基板の上に上述のＸ線吸収層を形成してなる
本発明のマスク原板を、Ｘ線吸収層の上に所定パターン
のレジストを形成した後、通常のドライエツチング装置
を用いてエツチングを行なうと、所定微細パターンを有
するＸ＃Ｊ露光用マスクが得られる。得られたマスクの
Ｘ線吸収層の断面を見ると第３図に示すように垂直な断
面を有し、また位置も正確な所定位置に来る。
本発明のマスク原板を、Ｘ線吸収層の上に所定パターン
のレジストを形成した後、通常のドライエツチング装置
を用いてエツチングを行なうと、所定微細パターンを有
するＸ＃Ｊ露光用マスクが得られる。得られたマスクの
Ｘ線吸収層の断面を見ると第３図に示すように垂直な断
面を有し、また位置も正確な所定位置に来る。
以下、第４図を引用しながら実施例により本発明を具体
的に説明するが、本発明はこれらに限られるものではな
い。
的に説明するが、本発明はこれらに限られるものではな
い。
（実施例１）
（１）両面研磨した厚さ０．３８ｍｍ直径５０薗の円盤
状シリコン単結晶ウェハ（Ｗ）を洗浄後、減圧ＣＶＤに
より表裏両面に厚さ２１ｒｎの窒化シリコン層（１）、
（１′）を形成し、これを基板とする。
状シリコン単結晶ウェハ（Ｗ）を洗浄後、減圧ＣＶＤに
より表裏両面に厚さ２１ｒｎの窒化シリコン層（１）、
（１′）を形成し、これを基板とする。
次に表面の窒化シリコン層（１）の上に、白金及びシリ
コンの分割ターゲットを使用して、スパッタリングを行
なうことにより、その場で膜厚１ｕｎの白金シリサイド
からなるＸ線吸収層（２）を形成させる。形成後、ＮＪ
囲気中で３５０℃で６０分の不十分な熱アニーリングを
行ない、本発明のマスク原板を得る。
コンの分割ターゲットを使用して、スパッタリングを行
なうことにより、その場で膜厚１ｕｎの白金シリサイド
からなるＸ線吸収層（２）を形成させる。形成後、ＮＪ
囲気中で３５０℃で６０分の不十分な熱アニーリングを
行ない、本発明のマスク原板を得る。
（２）Ｘ線吸収層（２）の上に更に厚さ１μｍのレジス
ト（４）を形成させた（第４図（１）参照）後、１ μ
ｍライン＆スペースのストライプ・パターンに露光し現
像することにょ９、ストライプ・パターンのレジスト（
４） ヲ４る（第４図（２）参照）。
ト（４）を形成させた（第４図（１）参照）後、１ μ
ｍライン＆スペースのストライプ・パターンに露光し現
像することにょ９、ストライプ・パターンのレジスト（
４） ヲ４る（第４図（２）参照）。
次に通常のドライエツチング装置の一種である反応性ス
パッタエツチング装置を用いて、５％の０２を含むＣ１
′４Ｆ、ガス圧： ０．０５ ’Ｊ’ｏｒｒ、！周波パ
ワー：１００Ｗの条件で露出したＸ線吸収層（２）をド
ライエツチングする。これにより、Ｘ線吸収層（２）が
バターニングされる。その後、酸素プラズマでレジスト
パターン（４）を剥離除去する。
パッタエツチング装置を用いて、５％の０２を含むＣ１
′４Ｆ、ガス圧： ０．０５ ’Ｊ’ｏｒｒ、！周波パ
ワー：１００Ｗの条件で露出したＸ線吸収層（２）をド
ライエツチングする。これにより、Ｘ線吸収層（２）が
バターニングされる。その後、酸素プラズマでレジスト
パターン（４）を剥離除去する。
（３）バターニングされたＸ線吸収１ｆＩ（２’）の上
にポリイミドフェス溶液をスピンコードした後、１２０
℃３０分、２２０’Ｃ；３０分及び３００’０３０分の
キュアを行ない）厚さ約２μｍのポリイミド樹脂保護膜
（５）を形成する（第４図（３）参照）。
にポリイミドフェス溶液をスピンコードした後、１２０
℃３０分、２２０’Ｃ；３０分及び３００’０３０分の
キュアを行ない）厚さ約２μｍのポリイミド樹脂保護膜
（５）を形成する（第４図（３）参照）。
（４）次に裏面の窒化シリコン層（１′）の上に厚さ１
μｍのレジスト（６）を形成させた後、所定の７レーム
パターンに露光し現像することによ、［定フレームパタ
ーンのレジスト（６）を形成させる。
μｍのレジスト（６）を形成させた後、所定の７レーム
パターンに露光し現像することによ、［定フレームパタ
ーンのレジスト（６）を形成させる。
その後、露出している部分の窒化シリコン層（１′）を
ＣＦ、のプラズマエツチングにより除去し、窒化シリコ
ン層（１′）をバターニングする（第４図（４ン参照）
。
ＣＦ、のプラズマエツチングにより除去し、窒化シリコ
ン層（１′）をバターニングする（第４図（４ン参照）
。
（５）残ったレジスト（６）を除去した後、露出してい
る部分のウェハｌ）を３０％ＫＯＨ水溶液を使用してエ
ツチングすることにより除去し、フレーム（３）を作製
する。
る部分のウェハｌ）を３０％ＫＯＨ水溶液を使用してエ
ツチングすることにより除去し、フレーム（３）を作製
する。
こうして第４図（５）に示す如きＸａ露光用マスクが得
られる。得られたマスクは、Ｘ線吸収層（２）の線巾１
μｍが整然と形正しく所定の位置に形成され、その断面
形状はほぼ第３図の通りであった。
られる。得られたマスクは、Ｘ線吸収層（２）の線巾１
μｍが整然と形正しく所定の位置に形成され、その断面
形状はほぼ第３図の通りであった。
（実施例２）
Ｘ線吸収層（２）としてパラジウムシリサイドを使用し
、膜厚を０．８μｍとしたほかは実施例１と全く同様に
処理し、高精度のパターンを有するマスクを得た。
、膜厚を０．８μｍとしたほかは実施例１と全く同様に
処理し、高精度のパターンを有するマスクを得た。
実施例１〜２のマスクをＸ線露光装置（Ｘ線は波長８．
３４Ａのｌ’Ｊ −Ｋα線）にセットして、シリコンウ
ェハ上に形成された厚さ１μ「ｎのＰＭＭＡレジストに
対し露光を行なったところ、Ｘ線吸収層（２）の膜減シ
もなく非常に高精度のレジスト像を得ることができた。
３４Ａのｌ’Ｊ −Ｋα線）にセットして、シリコンウ
ェハ上に形成された厚さ１μ「ｎのＰＭＭＡレジストに
対し露光を行なったところ、Ｘ線吸収層（２）の膜減シ
もなく非常に高精度のレジスト像を得ることができた。
この結果、本実施例のマスクは十分なコントラストを有
することが確かめられた。
することが確かめられた。
（発明の効果）
以上の通り、本発明によれば通常のドライエツチング装
置で高精度にバターニングでき、しかもコントラストの
十分なＸ線吸収層を有するＸ線露光用マスク原板が得ら
れる。
置で高精度にバターニングでき、しかもコントラストの
十分なＸ線吸収層を有するＸ線露光用マスク原板が得ら
れる。
第１図は従来のＸ線露光用マスクの一列を示す断面図で
ある。 第２図は第１図の部分拡大図である。 第３図は本発明のマスク原板から作製されたマスクの一
例を示す部分拡大断面図である。 第４図は本実施例のマスク原板からマスクを作製する各
工程に於けるマスク原板の断面図である。 （主要部分の符号の説明） １・・・Ｘ線を透過し得る基板 ２・・・Ｘ線吸収層 ３・・・フレーム ４・・・レジスト ５・・ポリイミド（保膜層） ６・・・レジメ、ト Ｗ・・・ウェハに使用されるシリコン板ｉＩ’ ｌ？Ｆ
出願人 日本光学工業株式会社代理人 渡 辺 隆 男 第１図 第２図 Ｎ３図
ある。 第２図は第１図の部分拡大図である。 第３図は本発明のマスク原板から作製されたマスクの一
例を示す部分拡大断面図である。 第４図は本実施例のマスク原板からマスクを作製する各
工程に於けるマスク原板の断面図である。 （主要部分の符号の説明） １・・・Ｘ線を透過し得る基板 ２・・・Ｘ線吸収層 ３・・・フレーム ４・・・レジスト ５・・ポリイミド（保膜層） ６・・・レジメ、ト Ｗ・・・ウェハに使用されるシリコン板ｉＩ’ ｌ？Ｆ
出願人 日本光学工業株式会社代理人 渡 辺 隆 男 第１図 第２図 Ｎ３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｉ Ｘ線を透過し得る基板と該基板上に形成されたＸ線
吸収層とからなるＸ線露光用マスク原板に於いて、前記
Ｘ線吸収層が、Ｘ線吸収性金属のシリサイドであること
を特徴とするＸ線露光用原板。 ２ 前記Ｘ線吸収性金属がＰｔ 、 Ｐｄ、 Ｗ、 Ｔ
ａ。 Ｍｏ 、 Ｈｏ 、Ｂｒ 、 Ｏｓ 、又は Ｉｒであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線露
光用原板。 ３ 前記シリサイドが結晶粒径１０００Ａ以下であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ線露光用
原板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59031900A JPS60176235A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | Ｘ線露光用マスク原板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59031900A JPS60176235A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | Ｘ線露光用マスク原板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60176235A true JPS60176235A (ja) | 1985-09-10 |
Family
ID=12343879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59031900A Pending JPS60176235A (ja) | 1984-02-22 | 1984-02-22 | Ｘ線露光用マスク原板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60176235A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61173251A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクの製造方法 |
| JPS61173253A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクブランクの形成方法 |
| JPS61173252A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクブランクの形成方法 |
| JPS6252551A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
| JPS62153957A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Hoya Corp | フォトマスクブランクとフォトマスク |
| JPS63255918A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-24 | Nissin Electric Co Ltd | Ｘ線露光用マスクとその製造方法 |
| JPH01150324A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPH0252416A (ja) * | 1988-08-16 | 1990-02-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 平行ｘ線用露光マスク |
-
1984
- 1984-02-22 JP JP59031900A patent/JPS60176235A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61173251A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクの製造方法 |
| JPS61173253A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスクブランクの形成方法 |
| JPS61173252A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | フォトマスクブランクの形成方法 |
| JPS6252551A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
| JPS62153957A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-08 | Hoya Corp | フォトマスクブランクとフォトマスク |
| JPS63255918A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-24 | Nissin Electric Co Ltd | Ｘ線露光用マスクとその製造方法 |
| JPH01150324A (ja) * | 1987-12-07 | 1989-06-13 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
| JPH0252416A (ja) * | 1988-08-16 | 1990-02-22 | Agency Of Ind Science & Technol | 平行ｘ線用露光マスク |
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