JPH0434143B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0434143B2 JPH0434143B2 JP60016205A JP1620585A JPH0434143B2 JP H0434143 B2 JPH0434143 B2 JP H0434143B2 JP 60016205 A JP60016205 A JP 60016205A JP 1620585 A JP1620585 A JP 1620585A JP H0434143 B2 JPH0434143 B2 JP H0434143B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- silicon
- glass substrate
- transparent glass
- metal silicide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造工程において使
用されるフオトマスク形成のためのフオトマスク
ブランクの形成方法に関するものである。
用されるフオトマスク形成のためのフオトマスク
ブランクの形成方法に関するものである。
半導体装置、特に微細パターンを要する半導体
装置の製造に際し、写真製版工程で使用されるク
ロム等のハードマスクは、従来のエマルジヨンマ
スクに比べて膜厚の薄い材料が使えるためパター
ンの微細化が可能となり、かつその寿命も長くな
る等の多くの利点がある。このフオトマスクブラ
ンクとしてのハードマスクの形成は、例えば材料
がクロムの場合は第２図に示すように、透明ガラ
ス基板１上にスパツタ法等によりクロム膜２を
500〜1000Å程度の膜厚に形成する。このクロム
膜２の形成は、第３図に示すようなスパツタ装置
を用いる。
装置の製造に際し、写真製版工程で使用されるク
ロム等のハードマスクは、従来のエマルジヨンマ
スクに比べて膜厚の薄い材料が使えるためパター
ンの微細化が可能となり、かつその寿命も長くな
る等の多くの利点がある。このフオトマスクブラ
ンクとしてのハードマスクの形成は、例えば材料
がクロムの場合は第２図に示すように、透明ガラ
ス基板１上にスパツタ法等によりクロム膜２を
500〜1000Å程度の膜厚に形成する。このクロム
膜２の形成は、第３図に示すようなスパツタ装置
を用いる。
すなわち、第３図において、１０，１１はそれ
ぞれカソードおよびアノード電極であり、１２は
クロム，タンタルまたは金属シリサイド等のター
ゲツト、１３は高周波電源である。
ぞれカソードおよびアノード電極であり、１２は
クロム，タンタルまたは金属シリサイド等のター
ゲツト、１３は高周波電源である。
図示のようにAr等の不活性ガスを導入し、こ
れによりターゲツト１２の表面を衝撃することに
よりターゲツト１２の金属に対応した金属薄膜、
例えばクロム膜２が対向する透明ガラス基板１上
に形成される。
れによりターゲツト１２の表面を衝撃することに
よりターゲツト１２の金属に対応した金属薄膜、
例えばクロム膜２が対向する透明ガラス基板１上
に形成される。
上記したように、半導体製造工程で用いられる
クロム等のハードマスクは膜厚が薄いためパター
ンの微細化が可能であり、寿命も長くなる等の多
くの利点がある。透明ガラス基板１上にクロム等
のハードマスクを抵抗加熱法で蒸着する場合に
は、蒸着時に不純物が混入する等の問題があり、
良質のハードマスクブランクが形成できなかつ
た。特に、融点の高い金属は困難である。しか
し、第３図のようなスパツタ法によるハードマス
クの形成方法では、Arプラズマで所望のターゲ
ツト（マスク材）１２を物理的にスパツタさせる
ことにより透明ガラス基板１上にフオトマスクブ
ランクを形成できるので、高融点材料にも有利と
なる。新しいフオトマスクブランクとしての金属
シリサイド膜の形成も、ターゲツト１２に金属シ
リサイドを用いることで容易に形成できる。
クロム等のハードマスクは膜厚が薄いためパター
ンの微細化が可能であり、寿命も長くなる等の多
くの利点がある。透明ガラス基板１上にクロム等
のハードマスクを抵抗加熱法で蒸着する場合に
は、蒸着時に不純物が混入する等の問題があり、
良質のハードマスクブランクが形成できなかつ
た。特に、融点の高い金属は困難である。しか
し、第３図のようなスパツタ法によるハードマス
クの形成方法では、Arプラズマで所望のターゲ
ツト（マスク材）１２を物理的にスパツタさせる
ことにより透明ガラス基板１上にフオトマスクブ
ランクを形成できるので、高融点材料にも有利と
なる。新しいフオトマスクブランクとしての金属
シリサイド膜の形成も、ターゲツト１２に金属シ
リサイドを用いることで容易に形成できる。
ところで、従来はフオトマスク材料として透明
ガラス基板１上にクロム（Cr）膜２が形成され
用いられている。近年の半導体産業において大容
量、高集積化が進む中で、高信頼性マスクの必要
性が増してきた。つまり、ウエハステツパ用のレ
テイクルマルクは無欠陥マスクが要求され、かつ
マスク洗浄に対しても洗浄による欠損が問題とな
る。その対策として考えられる金属シリサイド膜
を用いたハードマスクは、基板ガラスがSiO2，
Al2O3等の金属酸化膜ができており、接着性は強
固となる。
ガラス基板１上にクロム（Cr）膜２が形成され
用いられている。近年の半導体産業において大容
量、高集積化が進む中で、高信頼性マスクの必要
性が増してきた。つまり、ウエハステツパ用のレ
テイクルマルクは無欠陥マスクが要求され、かつ
マスク洗浄に対しても洗浄による欠損が問題とな
る。その対策として考えられる金属シリサイド膜
を用いたハードマスクは、基板ガラスがSiO2，
Al2O3等の金属酸化膜ができており、接着性は強
固となる。
一方、上記金属シリサイド膜形成において、金
属とシリコンの比率が一定でない場合、例えば１
つの金属シリサイドのターゲツト１２を用いた場
合、透明ガラス基板１上にシリコンと金属の融点
の差から成分が不均一な金属シリサイド膜が形成
され、後のマスクプロセス、特にエツチング工程
でエツチングのムラができることがあつたり、部
分的に金属のみの部分ができることで、後のマス
ク洗浄により膜ハガレが生じる場合がある。
属とシリコンの比率が一定でない場合、例えば１
つの金属シリサイドのターゲツト１２を用いた場
合、透明ガラス基板１上にシリコンと金属の融点
の差から成分が不均一な金属シリサイド膜が形成
され、後のマスクプロセス、特にエツチング工程
でエツチングのムラができることがあつたり、部
分的に金属のみの部分ができることで、後のマス
ク洗浄により膜ハガレが生じる場合がある。
従来のハードマスクは１層または２層構造のも
のが多く、膜形成は簡単であるが、例えば金属シ
リサイドをマスク材料として用いる場合、前記金
属シリサイドは金属とシリコンの２種類の化合物
でターゲツトが構成されているため、各々のスパ
ツタ率の差から一様で安定した金属シリサイド膜
の形成が困難となる問題点があつた。
のが多く、膜形成は簡単であるが、例えば金属シ
リサイドをマスク材料として用いる場合、前記金
属シリサイドは金属とシリコンの２種類の化合物
でターゲツトが構成されているため、各々のスパ
ツタ率の差から一様で安定した金属シリサイド膜
の形成が困難となる問題点があつた。
この発明は、上記のような従来の問題点を解決
するためになされたもので、一様で高品質のフオ
トマスクブランクを形成することを目的としてい
る。
するためになされたもので、一様で高品質のフオ
トマスクブランクを形成することを目的としてい
る。
この発明に係るフオトマスクブランクの形成方
法は、金属とシリコンのターゲツトを別々に設
け、このターゲツトからの金属シリコンの比率を
金属１に対してシリコン２以上に制御して石英等
の透明ガラス基板上に金属シリサイド膜を形成す
るようにしたものである。
法は、金属とシリコンのターゲツトを別々に設
け、このターゲツトからの金属シリコンの比率を
金属１に対してシリコン２以上に制御して石英等
の透明ガラス基板上に金属シリサイド膜を形成す
るようにしたものである。
この発明においては、金属とシリコンのターゲ
ツトが別々であるため適切な比率で一様に、かつ
均一な金属シリサイド膜が形成される。
ツトが別々であるため適切な比率で一様に、かつ
均一な金属シリサイド膜が形成される。
第１図はこの発明の一実施例を示すフオトマス
クブランクを形成するためのスパツタ装置の概略
構成図である。第１図において、１０，１１はそ
れぞれカソードおよびアノード電極である。１
４，１５は種類の異なつた被スパツタ材料、例え
ば１４はシリコン、１５はMo，Ta，Ｗ等の金属
材料のターゲツトである。カソード電極１０上に
設けられた石英等の透明ガラス基板１上に、Ar
等の不活性ガスプラズマでアノード電極１１側に
設けられた２つの被スパツタ材料のターゲツト１
４，１５をスパツタして金属シリサイド膜を形成
する。
クブランクを形成するためのスパツタ装置の概略
構成図である。第１図において、１０，１１はそ
れぞれカソードおよびアノード電極である。１
４，１５は種類の異なつた被スパツタ材料、例え
ば１４はシリコン、１５はMo，Ta，Ｗ等の金属
材料のターゲツトである。カソード電極１０上に
設けられた石英等の透明ガラス基板１上に、Ar
等の不活性ガスプラズマでアノード電極１１側に
設けられた２つの被スパツタ材料のターゲツト１
４，１５をスパツタして金属シリサイド膜を形成
する。
このように、この発明ではシリコンと金属の２
つの異なつたターゲツトをそれぞれ制御よく用い
ることで、均一な金属シリサイド膜を形成するこ
とができる。例えば石英等の透明ガラス基板１ま
たはアノード電極１１を制御よく回転させり、単
振動を透明ガラス基板１に与えることで得られ
る。また、アノード電極１１上のターゲツト１
４，１５の面積を変えることで、金属とシリコン
の比率を制御して一様で均一な金属シリサイド膜
を形成することができる。
つの異なつたターゲツトをそれぞれ制御よく用い
ることで、均一な金属シリサイド膜を形成するこ
とができる。例えば石英等の透明ガラス基板１ま
たはアノード電極１１を制御よく回転させり、単
振動を透明ガラス基板１に与えることで得られ
る。また、アノード電極１１上のターゲツト１
４，１５の面積を変えることで、金属とシリコン
の比率を制御して一様で均一な金属シリサイド膜
を形成することができる。
また、シリコンと金属の比率は、金属１に対し
てシリコン２以上に制御され、光学濃度はマスク
パターン形成後の欠陥検査等が可能な3.0程度に
制御されるのがよい。
てシリコン２以上に制御され、光学濃度はマスク
パターン形成後の欠陥検査等が可能な3.0程度に
制御されるのがよい。
この発明は以上説明したとおり、金属とシリコ
ンの２つの異なつたターゲツトを金属とシリコン
の比率を金属１に対してシリコン２以上になるよ
うに制御してスパツタすることにより、金属とシ
リコンを別々に石英等の透明ガラス基板上に形成
して金属シリサイド膜を形成するようにしたの
で、一様で、かつ均一なフオトマスクブランクを
形成することができる効果がある。
ンの２つの異なつたターゲツトを金属とシリコン
の比率を金属１に対してシリコン２以上になるよ
うに制御してスパツタすることにより、金属とシ
リコンを別々に石英等の透明ガラス基板上に形成
して金属シリサイド膜を形成するようにしたの
で、一様で、かつ均一なフオトマスクブランクを
形成することができる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を説明するための
装置の概略構成図、第２図は従来のフオトマスク
の断面図、第３図は従来のスパツタ法を説明する
装置の概略構成図である。 図において、１は透明ガラス基板、１０はカソ
ード電極、１１はアノード電極、１３は高周波電
源、１４はシリコンのターゲツト、１５は金属の
ターゲツトである。なお、各図中の同一符号は同
一または相当部分を示す。
装置の概略構成図、第２図は従来のフオトマスク
の断面図、第３図は従来のスパツタ法を説明する
装置の概略構成図である。 図において、１は透明ガラス基板、１０はカソ
ード電極、１１はアノード電極、１３は高周波電
源、１４はシリコンのターゲツト、１５は金属の
ターゲツトである。なお、各図中の同一符号は同
一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 透明ガラス基板上に金属シリサイド膜を形成
する方法において、前記金属シリサイド膜を、金
属とシリコンの比率を金属１に対してシリコン２
以上に制御してスパツタし、前記シリコンと金属
が所要の比率および膜厚となるように形成するこ
とを特徴とするフオトマスクブランクの形成方
法。 ２ 透明ガラス基板は、石英ガラス基板であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のフオ
トマスクブランクの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60016205A JPS61173253A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | フオトマスクブランクの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60016205A JPS61173253A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | フオトマスクブランクの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61173253A JPS61173253A (ja) | 1986-08-04 |
| JPH0434143B2 true JPH0434143B2 (ja) | 1992-06-05 |
Family
ID=11910009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60016205A Granted JPS61173253A (ja) | 1985-01-28 | 1985-01-28 | フオトマスクブランクの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61173253A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4407815B2 (ja) * | 2004-09-10 | 2010-02-03 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
| JP5007843B2 (ja) * | 2009-09-24 | 2012-08-22 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク及びフォトマスク |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5323277A (en) * | 1976-08-14 | 1978-03-03 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | Photomasking material and photomask |
| JPS60176235A (ja) * | 1984-02-22 | 1985-09-10 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Ｘ線露光用マスク原板 |
-
1985
- 1985-01-28 JP JP60016205A patent/JPS61173253A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61173253A (ja) | 1986-08-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
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| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
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|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |