JPH0434144B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0434144B2 JPH0434144B2 JP60115863A JP11586385A JPH0434144B2 JP H0434144 B2 JPH0434144 B2 JP H0434144B2 JP 60115863 A JP60115863 A JP 60115863A JP 11586385 A JP11586385 A JP 11586385A JP H0434144 B2 JPH0434144 B2 JP H0434144B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- photomask
- chromium
- film
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置の製造工程に用いられ
るフオトマスクに関し、特に、フオトマスク材料
の改良に関するものである。
るフオトマスクに関し、特に、フオトマスク材料
の改良に関するものである。
従来のフオトマスクの製造方法を第２図ａ〜ｄ
により説明する。まず、第２図ａのように、透明
ガラス基板１にスパツタ法または蒸着法等により
クロム等の金属マスク材料２を800〜1000Åに形
成し、次に第２図ｂのように、金属マスク材料２
上にレジスト３を塗布した後、光または電子ビー
ム（EB）により所望のパターンを描画した後、
現像処理を行いレジストパターンを形成する。次
いで、第２図ｃのように、ガラスプラズマ等によ
りクロム等の金属マスク材料２をエツチング除去
し、レジストパターンを除去することにより、第
２図ｄのようにフオトマスク（ハードマスク）が
形成される。
により説明する。まず、第２図ａのように、透明
ガラス基板１にスパツタ法または蒸着法等により
クロム等の金属マスク材料２を800〜1000Åに形
成し、次に第２図ｂのように、金属マスク材料２
上にレジスト３を塗布した後、光または電子ビー
ム（EB）により所望のパターンを描画した後、
現像処理を行いレジストパターンを形成する。次
いで、第２図ｃのように、ガラスプラズマ等によ
りクロム等の金属マスク材料２をエツチング除去
し、レジストパターンを除去することにより、第
２図ｄのようにフオトマスク（ハードマスク）が
形成される。
半導体装置、特に微細パターンを要する半導体
装置の製造に際し、写真製版工程で使用されるク
ロム等のハードマスクは、従来のエマルジヨンマ
スクに比べて膜厚の薄い材料が使えるために、パ
ターンの微細化が可能となり、かつその寿命も長
くなる等の多くの利点がある。
装置の製造に際し、写真製版工程で使用されるク
ロム等のハードマスクは、従来のエマルジヨンマ
スクに比べて膜厚の薄い材料が使えるために、パ
ターンの微細化が可能となり、かつその寿命も長
くなる等の多くの利点がある。
しかしながら、この場合同時にクロム等のハー
ドマスクの金属マスク材料２のエツチング技術が
重要な位置を占めることになる。クロムを例にと
ると、従来、エツチングは硝酸第二セリウムアン
モン〔Ce（NH4）2（NO2）6〕と過塩素酸〔HClO4〕
との混合水溶液等の薬品によるウエツトケミカル
エツチングが適用されていた。しかしながら、近
年パターンの微細化に伴つてエツチングも進歩
し、ガスプラズマまたは反応性イオンエツチング
を利用したドライエツチング技術が開発され利用
されるようになつた。クロムのプラズマエツチン
グの場合、塩素などのハロゲン元素と酸素とを含
んだ混合ガスをグロー放電させることにより Cr＋20＋2Cl→CrO2Cl2 と考えられる反応でクロムエツチングされる。
ドマスクの金属マスク材料２のエツチング技術が
重要な位置を占めることになる。クロムを例にと
ると、従来、エツチングは硝酸第二セリウムアン
モン〔Ce（NH4）2（NO2）6〕と過塩素酸〔HClO4〕
との混合水溶液等の薬品によるウエツトケミカル
エツチングが適用されていた。しかしながら、近
年パターンの微細化に伴つてエツチングも進歩
し、ガスプラズマまたは反応性イオンエツチング
を利用したドライエツチング技術が開発され利用
されるようになつた。クロムのプラズマエツチン
グの場合、塩素などのハロゲン元素と酸素とを含
んだ混合ガスをグロー放電させることにより Cr＋20＋2Cl→CrO2Cl2 と考えられる反応でクロムエツチングされる。
上記したように、クロム等のハードマスクは微
細パターン形成に有利であるが、エツチング、特
にガスプラズマを用いたドライエツチングではそ
の速度が遅いという欠点があつた。つまり、クロ
ムの場合、エツチング速度は約100Å／分
（300W，0.2Torrの条件で）程度であり、エツチ
ング時間は８〜10分（800〜1000Å膜厚）要する
ことになる。また、長時間エツチングによるレジ
ストの膜減りも多く、問題がある。
細パターン形成に有利であるが、エツチング、特
にガスプラズマを用いたドライエツチングではそ
の速度が遅いという欠点があつた。つまり、クロ
ムの場合、エツチング速度は約100Å／分
（300W，0.2Torrの条件で）程度であり、エツチ
ング時間は８〜10分（800〜1000Å膜厚）要する
ことになる。また、長時間エツチングによるレジ
ストの膜減りも多く、問題がある。
この発明は、上記のような従来の欠点を除去す
るためになされたもので、ドライエツチングによ
つて膜剥がれのない微細パターンを有する、容易
に製造できるフオトマスクを得ることを目的とす
る。
るためになされたもので、ドライエツチングによ
つて膜剥がれのない微細パターンを有する、容易
に製造できるフオトマスクを得ることを目的とす
る。
この発明にかかるフオトマスクは、石英等の透
明ガラス基板上に、Ti−MoまたはTi−Mo−Ｗ
の多元素金属合金のシリサイド化物からなる薄膜
を形成し、この薄膜にドライエツチングを施して
所要のパターンを形成してなるものである。
明ガラス基板上に、Ti−MoまたはTi−Mo−Ｗ
の多元素金属合金のシリサイド化物からなる薄膜
を形成し、この薄膜にドライエツチングを施して
所要のパターンを形成してなるものである。
この発明においては、マスクパターンを形成す
る金属マスク材料としてMoを含む多元素金属シ
リサイド膜を用いているから、エツチング速度が
速くなり、基板とのなじみもよいので膜ハガレを
生じることもない。
る金属マスク材料としてMoを含む多元素金属シ
リサイド膜を用いているから、エツチング速度が
速くなり、基板とのなじみもよいので膜ハガレを
生じることもない。
第１図ａ〜ｃはこの発明の一実施例を示すフオ
トマスクの製造工程を示す断面図である。まず、
第１図ａに示すように、石英等の透明ガラス基板
１上にモリブデン（Mo）とチタン（Ti）、モリ
ブデン（Mo）とチタン（Ti）とタングステン
（Ｗ）等の金属のターゲツトをスパツタ法または
EB等により照射して、約1000Å程度の膜厚の多
元素金属シリサイド膜４を形成する。次いで第１
図ｂに示すように、金属シリサイド膜４上にレジ
スト３を塗布し、光またはEBにより所望のパタ
ーンを描画し、レジストパターンを形成する。そ
の後、現像処理、およびベーキングを施した後、
第１図ｃに示すように、金属シリサイド膜４上の
エツチングを行うことにより金属シリサイドのマ
スクパターン５が形成され、半導体装置用のフオ
トマスクが形成される。
トマスクの製造工程を示す断面図である。まず、
第１図ａに示すように、石英等の透明ガラス基板
１上にモリブデン（Mo）とチタン（Ti）、モリ
ブデン（Mo）とチタン（Ti）とタングステン
（Ｗ）等の金属のターゲツトをスパツタ法または
EB等により照射して、約1000Å程度の膜厚の多
元素金属シリサイド膜４を形成する。次いで第１
図ｂに示すように、金属シリサイド膜４上にレジ
スト３を塗布し、光またはEBにより所望のパタ
ーンを描画し、レジストパターンを形成する。そ
の後、現像処理、およびベーキングを施した後、
第１図ｃに示すように、金属シリサイド膜４上の
エツチングを行うことにより金属シリサイドのマ
スクパターン５が形成され、半導体装置用のフオ
トマスクが形成される。
多元素金属シリサイド膜４をマスク材料として
用いると、ドライエツチング性の容易さ、透明ガ
ラス基板１との接着性が増すことで高品質のマス
クが提供できる。透明ガラス基板１上にフオトレ
ジストまたはEBレジストを4000〜6000Å塗布し
た後、光またはEBでパターンを描画した場合、
金属シリサイド膜４は100Ω程度の抵抗であり、
EB描画におけるチヤージアツプ現象はない。金
属シリサイド膜４はクロム膜に比べてドライエツ
チングが容易に行える。例えばモリブデン
（Mo）とチタン（Ti）の金属シリサイド膜４の
場合、CF4＋O2（２％）の混合ガスを使用し、
0.3Torrの真空度、300Wの条件で約500〜1000
Å／分のエツチング速度であり、従来のクロム膜
のドライエツチングに比べ約５〜10倍のスピード
となる。これは十分量産に適しており、かつその
ために寸法制御も容易となる。
用いると、ドライエツチング性の容易さ、透明ガ
ラス基板１との接着性が増すことで高品質のマス
クが提供できる。透明ガラス基板１上にフオトレ
ジストまたはEBレジストを4000〜6000Å塗布し
た後、光またはEBでパターンを描画した場合、
金属シリサイド膜４は100Ω程度の抵抗であり、
EB描画におけるチヤージアツプ現象はない。金
属シリサイド膜４はクロム膜に比べてドライエツ
チングが容易に行える。例えばモリブデン
（Mo）とチタン（Ti）の金属シリサイド膜４の
場合、CF4＋O2（２％）の混合ガスを使用し、
0.3Torrの真空度、300Wの条件で約500〜1000
Å／分のエツチング速度であり、従来のクロム膜
のドライエツチングに比べ約５〜10倍のスピード
となる。これは十分量産に適しており、かつその
ために寸法制御も容易となる。
また、金属シリサイド膜４はシリコン（Si）を
主成分としており、石英（SiO2，Al2O3等を含
む）基板とのなじみもよく、膜ハガレの問題はな
く、信頼性の高いフオトマスクが製造できる。
主成分としており、石英（SiO2，Al2O3等を含
む）基板とのなじみもよく、膜ハガレの問題はな
く、信頼性の高いフオトマスクが製造できる。
この発明によれば、石英等の透明ガラス基板上
に、Ti−MoまたはTi−Mo−Ｗからなる多元素
金属合金のシリサイド化物からなる薄膜を形成
し、この薄膜にドライエツチングを施してしての
パターンを形成するようにしたので、高速のドラ
イエツチングにて膜剥がれのない微細パターンを
有する、容易に製造できる信頼性の高いフオトマ
スクを得ることができる効果がある。
に、Ti−MoまたはTi−Mo−Ｗからなる多元素
金属合金のシリサイド化物からなる薄膜を形成
し、この薄膜にドライエツチングを施してしての
パターンを形成するようにしたので、高速のドラ
イエツチングにて膜剥がれのない微細パターンを
有する、容易に製造できる信頼性の高いフオトマ
スクを得ることができる効果がある。
第１図ａ〜ｃはこの発明の一実施例であるフオ
トマスクの製造工程を示す断面図、第２図ａ〜ｄ
は従来のフオトマスクの製造工程を示す断面図で
ある。 図において、１は透明ガラス基板、３はレジス
ト、４は多元素金属シリサイド膜、５はマスクパ
ターンである。なお、各図中の同一符号は同一ま
たは相当部分を示す。
トマスクの製造工程を示す断面図、第２図ａ〜ｄ
は従来のフオトマスクの製造工程を示す断面図で
ある。 図において、１は透明ガラス基板、３はレジス
ト、４は多元素金属シリサイド膜、５はマスクパ
ターンである。なお、各図中の同一符号は同一ま
たは相当部分を示す。
Claims (1)
- １ 透明ガラス基板上に、Ti−MoまたはTi−
Mo−Ｗの多元素金属合金のシリサイド化物から
なる薄膜を形成し、該薄膜にドライエツチングを
施して上記透明ガラス基板上に所要のパターンを
形成してなることを特徴とするフオトマスク。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60115863A JPS61273545A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | フオトマスク |
| US06/841,469 US4738907A (en) | 1985-05-29 | 1986-03-20 | Process for manufacturing a photomask |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60115863A JPS61273545A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | フオトマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61273545A JPS61273545A (ja) | 1986-12-03 |
| JPH0434144B2 true JPH0434144B2 (ja) | 1992-06-05 |
Family
ID=14673011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60115863A Granted JPS61273545A (ja) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | フオトマスク |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4738907A (ja) |
| JP (1) | JPS61273545A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0734109B2 (ja) * | 1987-12-22 | 1995-04-12 | 三菱電機株式会社 | フォトマスクの製造方法 |
| US5336587A (en) * | 1988-05-24 | 1994-08-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing main plates for exposure printing |
| US5020083A (en) * | 1989-04-21 | 1991-05-28 | Lepton Inc. | X-ray masks, their fabrication and use |
| EP0489542B1 (en) * | 1990-12-05 | 1998-10-21 | AT&T Corp. | Lithographic techniques |
| US5244759A (en) * | 1991-02-27 | 1993-09-14 | At&T Bell Laboratories | Single-alignment-level lithographic technique for achieving self-aligned features |
| JPH04368947A (ja) * | 1991-06-18 | 1992-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | 位相シフトマスクの作成方法 |
| JP3064769B2 (ja) * | 1992-11-21 | 2000-07-12 | アルバック成膜株式会社 | 位相シフトマスクおよびその製造方法ならびにその位相シフトマスクを用いた露光方法 |
| US5674647A (en) * | 1992-11-21 | 1997-10-07 | Ulvac Coating Corporation | Phase shift mask and manufacturing method thereof and exposure method using phase shift mask |
| US5733688A (en) * | 1994-12-14 | 1998-03-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Lithographic mask structure and method of producing the same comprising W and molybdenum alloy absorber |
| US6811959B2 (en) | 2002-03-04 | 2004-11-02 | International Business Machines Corporation | Hardmask/barrier layer for dry etching chrome films and improving post develop resist profiles on photomasks |
| JP4695964B2 (ja) * | 2005-11-09 | 2011-06-08 | アルバック成膜株式会社 | グレートーンマスク及びその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5642183A (en) * | 1979-09-13 | 1981-04-20 | Tokyo Shibaura Electric Co | Shielding plug |
| JPS5642176A (en) * | 1979-09-14 | 1981-04-20 | Rhythm Watch Co Ltd | Time correction device of timepiece |
| JPS61173250A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | フオトマスク材料 |
| JPS61270760A (ja) * | 1985-05-27 | 1986-12-01 | Hitachi Metals Ltd | フオトマスク |
| JPS61273546A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | 金属シリサイドフオトマスクの製造方法 |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP60115863A patent/JPS61273545A/ja active Granted
-
1986
- 1986-03-20 US US06/841,469 patent/US4738907A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61273545A (ja) | 1986-12-03 |
| US4738907A (en) | 1988-04-19 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
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