JPH043422B2 - - Google Patents
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- JPH043422B2 JPH043422B2 JP11527483A JP11527483A JPH043422B2 JP H043422 B2 JPH043422 B2 JP H043422B2 JP 11527483 A JP11527483 A JP 11527483A JP 11527483 A JP11527483 A JP 11527483A JP H043422 B2 JPH043422 B2 JP H043422B2
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- pump
- mechanical booster
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/14—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by plasma treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0894—Processes carried out in the presence of a plasma
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/19—Details relating to the geometry of the reactor
- B01J2219/194—Details relating to the geometry of the reactor round
- B01J2219/1941—Details relating to the geometry of the reactor round circular or disk-shaped
- B01J2219/1942—Details relating to the geometry of the reactor round circular or disk-shaped spherical
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29K—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES B29B, B29C OR B29D, RELATING TO MOULDING MATERIALS OR TO MATERIALS FOR MOULDS, REINFORCEMENTS, FILLERS OR PREFORMED PARTS, e.g. INSERTS
- B29K2023/00—Use of polyalkenes or derivatives thereof as moulding material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/18—Vacuum control means
- H01J2237/182—Obtaining or maintaining desired pressure
- H01J2237/1825—Evacuating means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/336—Changing physical properties of treated surfaces
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はプラズマ処理方法に関する。さらに詳
しく述べると、本発明は、例えばポリプロピレ
ン、ポリエチレン等の合成樹脂材料からなる製品
（被処理物）の表面を改質するためにその表面を
酸素プラズマで低温プラズマ処理する方法に関す
る。
しく述べると、本発明は、例えばポリプロピレ
ン、ポリエチレン等の合成樹脂材料からなる製品
（被処理物）の表面を改質するためにその表面を
酸素プラズマで低温プラズマ処理する方法に関す
る。
従来技術
近年、自動車部品の材料が軽量でかつ意匠性に
優れた合成樹脂材料に移行しつつあることは周知
の通りである。ところが、比較的安価で容易に入
手可能なポリプロピレン、ポリエチレン等の合成
樹脂材料は、それらを例えば車両外板に使用した
場合、材料表面とその上に施される塗膜との密着
性が悪いので、不所望な層間剥離を発生すること
が屡々である。かかる問題を解消する１手段とし
て、塗装に先がけて樹脂材料の表面を改質して塗
膜の密着性を良好ならしめる技術、例えば、塗装
前に樹脂材料の表面をグロー放電、コロナ放電、
ラジオ波放電、マイクロ波放電等に曝してその材
料の表面を酸化（極性基の導入）するかもしくは
エツチング（いわゆるアンカー効果の向上）する
技術が知られている。このような技術はプラズマ
処理技術と呼ばれている。
優れた合成樹脂材料に移行しつつあることは周知
の通りである。ところが、比較的安価で容易に入
手可能なポリプロピレン、ポリエチレン等の合成
樹脂材料は、それらを例えば車両外板に使用した
場合、材料表面とその上に施される塗膜との密着
性が悪いので、不所望な層間剥離を発生すること
が屡々である。かかる問題を解消する１手段とし
て、塗装に先がけて樹脂材料の表面を改質して塗
膜の密着性を良好ならしめる技術、例えば、塗装
前に樹脂材料の表面をグロー放電、コロナ放電、
ラジオ波放電、マイクロ波放電等に曝してその材
料の表面を酸化（極性基の導入）するかもしくは
エツチング（いわゆるアンカー効果の向上）する
技術が知られている。このような技術はプラズマ
処理技術と呼ばれている。
ところで、樹脂部品をプラズマ処理する場合に
は、その部品の耐熱性を考慮して、処理容器内を
真空状態にして処理ガスをプラズマ化させる方
法、いわゆる低温プラズマ（あるいは低圧プラズ
マ）処理方法が主として用いられている。ここ
で、処理容器内を減圧、真空状態にしかつ処理中
にその真空を維持するため、先ず油回転ポンプで
粗引きし、引き続いてメカニカルブースターポン
プで真空引きし、そしてその真空圧を維持する手
法が一般的に用いられている。
は、その部品の耐熱性を考慮して、処理容器内を
真空状態にして処理ガスをプラズマ化させる方
法、いわゆる低温プラズマ（あるいは低圧プラズ
マ）処理方法が主として用いられている。ここ
で、処理容器内を減圧、真空状態にしかつ処理中
にその真空を維持するため、先ず油回転ポンプで
粗引きし、引き続いてメカニカルブースターポン
プで真空引きし、そしてその真空圧を維持する手
法が一般的に用いられている。
上記した油回転ポンプは、その偏心ローターの
回転により吸入、圧縮及び排気を繰り返して排気
していくタイプであるので、ローターの回転中に
高熱を発し、したがつて、油温を約80℃以下にコ
ントロールするための空冷又は水冷手段を装備し
ている。しかしながら、この油回転ポンプの圧縮
部分は、たとえ上記のような冷却手段があろうと
も、その冷却が極く一部分のみに限られるので、
約200〜300℃に高温になることが屡々である。ポ
ンプの圧縮部分がこのような高温状態にある時に
プラズマ処理用ガスである酸素ガスをポンプに流
したとすると、当然のことながらこのローター圧
縮部分で爆発がおこり、ケーシング側壁が本体よ
り外れ、ポンプそのものが損壊する。この問題を
回避するため、水封ポンプを用いて粗引きし、そ
の後でメカニカルブースターポンプを用いて真空
排気する手法が考えられる。が、この手法を用い
た場合、水封ポンプは油回転ポンプに比して所要
動力が大きくかつ排気能力が低い（すなわち、到
達真空圧が高い）ので、自ずと排気時間が長くな
り、特に自動車部品等の量産ラインでは生産戦略
に対応できないという新たな問題が発生する。
回転により吸入、圧縮及び排気を繰り返して排気
していくタイプであるので、ローターの回転中に
高熱を発し、したがつて、油温を約80℃以下にコ
ントロールするための空冷又は水冷手段を装備し
ている。しかしながら、この油回転ポンプの圧縮
部分は、たとえ上記のような冷却手段があろうと
も、その冷却が極く一部分のみに限られるので、
約200〜300℃に高温になることが屡々である。ポ
ンプの圧縮部分がこのような高温状態にある時に
プラズマ処理用ガスである酸素ガスをポンプに流
したとすると、当然のことながらこのローター圧
縮部分で爆発がおこり、ケーシング側壁が本体よ
り外れ、ポンプそのものが損壊する。この問題を
回避するため、水封ポンプを用いて粗引きし、そ
の後でメカニカルブースターポンプを用いて真空
排気する手法が考えられる。が、この手法を用い
た場合、水封ポンプは油回転ポンプに比して所要
動力が大きくかつ排気能力が低い（すなわち、到
達真空圧が高い）ので、自ずと排気時間が長くな
り、特に自動車部品等の量産ラインでは生産戦略
に対応できないという新たな問題が発生する。
発明の目的
本発明の目的は、プラズマ処理用ガスとして酸
素ガス又は酸素ガスを含む混合ガスを用いた低温
プラズマ処理方法であつて、そのようなガスの排
気処理中にガス爆発の危険が全くなくかつ迅速に
排気を実施可能な改良されたプラズマ処理方法を
提供することにある。
素ガス又は酸素ガスを含む混合ガスを用いた低温
プラズマ処理方法であつて、そのようなガスの排
気処理中にガス爆発の危険が全くなくかつ迅速に
排気を実施可能な改良されたプラズマ処理方法を
提供することにある。
発明の構成
上記した目的は、本発明によれば、被処理物を
収容した処理容器内を真空にし、酸素ガス又は酸
素ガスを含む混合ガスによりその被処理物を低温
プラズマ処理する方法において、水封ポンプ、油
回転ポンプ及びメカニカルブースターポンプを組
み合わせて真空排気処理を行なうことによつて達
成することができる。
収容した処理容器内を真空にし、酸素ガス又は酸
素ガスを含む混合ガスによりその被処理物を低温
プラズマ処理する方法において、水封ポンプ、油
回転ポンプ及びメカニカルブースターポンプを組
み合わせて真空排気処理を行なうことによつて達
成することができる。
本発明の実施において、水封ポンプと油回転ポ
ンプにより大気圧から粗引きし、次にメカニカル
ブースターポンプによりその最大吸入圧力以下の
真空圧から0.01〜1Torrまで真空排気し、引き続
いて酸素ガス又は酸素ガスを含む混合ガスを供給
すると同時に油回転ポンプを停止させ、水封ポン
プ及びメカニカルブースターポンプにより排気処
理を行なうのが好ましい。
ンプにより大気圧から粗引きし、次にメカニカル
ブースターポンプによりその最大吸入圧力以下の
真空圧から0.01〜1Torrまで真空排気し、引き続
いて酸素ガス又は酸素ガスを含む混合ガスを供給
すると同時に油回転ポンプを停止させ、水封ポン
プ及びメカニカルブースターポンプにより排気処
理を行なうのが好ましい。
さらに、処理容器、メカニカルブースターポン
プ及び水封ポンプを直列に配置し、そして前記水
封ポンプを最後段にメカニカルブースターポンプ
の吐出口側に接続しかつ油回転ポンプ及び前記メ
カニカルブースターポンプを並列に配置して排気
処理を行なうのが好ましい。
プ及び水封ポンプを直列に配置し、そして前記水
封ポンプを最後段にメカニカルブースターポンプ
の吐出口側に接続しかつ油回転ポンプ及び前記メ
カニカルブースターポンプを並列に配置して排気
処理を行なうのが好ましい。
さらに加えて、処理容器及びメカニカルブース
ターポンプを直列に配置し、そして最後段のメカ
ニカルブースターポンプの吐出口側に水封ポンプ
及び油回転ポンプを並列に配置して排気処理を行
なうのが好ましい。
ターポンプを直列に配置し、そして最後段のメカ
ニカルブースターポンプの吐出口側に水封ポンプ
及び油回転ポンプを並列に配置して排気処理を行
なうのが好ましい。
実施例
次に、添付の図面を参照しながら本発明の実施
を説明する。
を説明する。
最初に、比較のため、従来のプラズマ処理方法
を第１図で説明する。図中の１は円筒形処理容器
であり、ステンレス鋼（SUS304）製、そして内
容積５m3である。被処理（図示せず）は適当なハ
ンガー手段を介してこの容器１内に収容される。
処理容器１には、容器内を大気圧に戻すための真
空リーク弁６、そして真空圧を表示するとともに
リレー信号を出すための２点式ピラニ真空計１４
が取り付けられている。
を第１図で説明する。図中の１は円筒形処理容器
であり、ステンレス鋼（SUS304）製、そして内
容積５m3である。被処理（図示せず）は適当なハ
ンガー手段を介してこの容器１内に収容される。
処理容器１には、容器内を大気圧に戻すための真
空リーク弁６、そして真空圧を表示するとともに
リレー信号を出すための２点式ピラニ真空計１４
が取り付けられている。
処理容器１へのプラズマの導入のため、先ずマ
イクロ波発振機１５で2450MHzのマイクロ波を発
生させアイソレータ、パワーモニター検出部及び
スリースタブチユーナー（いずれも図示せず）を
通した後、導波管１６によつてプラズマ発生炉１
７に伝送する。一方、プラズマ処理用ガス（ここ
では酸素ガス）を圧縮封入したガスボンベ１９を
用意し、そのバルブ２０の開閉によつて、流量計
21の指示にもとづく適切量の酸素ガスを、ナイロ
ン製ガスチユーブ２２を通してプラズマ発生管１
８に供給する。プラズマ発生炉１７と直交するこ
のプラズマ発生管１８でプラズマを発生させ、こ
のプラズマをテフロン（フルオロカーボン樹脂の
登録商標）製のコネクタであるフロロコネクタ及
びフランジ（いずれも図示せず）を経て処理容器
１内のシヤワー管３５に送り、ここから被処理物
上に噴射する。
イクロ波発振機１５で2450MHzのマイクロ波を発
生させアイソレータ、パワーモニター検出部及び
スリースタブチユーナー（いずれも図示せず）を
通した後、導波管１６によつてプラズマ発生炉１
７に伝送する。一方、プラズマ処理用ガス（ここ
では酸素ガス）を圧縮封入したガスボンベ１９を
用意し、そのバルブ２０の開閉によつて、流量計
21の指示にもとづく適切量の酸素ガスを、ナイロ
ン製ガスチユーブ２２を通してプラズマ発生管１
８に供給する。プラズマ発生炉１７と直交するこ
のプラズマ発生管１８でプラズマを発生させ、こ
のプラズマをテフロン（フルオロカーボン樹脂の
登録商標）製のコネクタであるフロロコネクタ及
びフランジ（いずれも図示せず）を経て処理容器
１内のシヤワー管３５に送り、ここから被処理物
上に噴射する。
なお、処理容器内１の真空排気処理のためのポ
ンプ構成は次の通りである：処理容器１の底部に
は、それと各真空ポンプとを接続するための排気
ダクト２が取り付けられている。ここで使用する
真空ポンプは、排気速度2000m3／hr、最大吸入圧
力10Torr及び到達圧力５×10-4Torrの能力を有
するメカニカルブースターポンプ（所要電力
7.5kW）３、そして排気速度600m3／hr、最大吸
入圧力100Torr及び到達圧力2Torrの能力を有す
るメカニカルブースターポンプ（所要電力
3.7kW）４である。これらの真空ポンプへと途上
に、主制御弁７、真空圧設定のための圧力制御弁
８、そして真空圧設定のためのものであつて手動
導操作可能な操作弁９が取り付けられている。図
中の１０，１１及び１２は、それぞれ、バイパス
回路調整のための真空弁である。１３は圧力検知
により信号を出す真空スイツチ、そして１４は真
空圧を表示するとともにリレー信号を出す２点式
ピラニ真空計である。この従来のポンプ構成で
は、それぞれオイルミストトラツプ２４及び３１
を装備した油回転ポンプ２３及び３０（排気速度
400m3／hr及び到達圧力５×10-3Torrの能力を有
する）によつて容器内の粗引きをやるようにでき
ているので、酸素ガス流入に原因してこれらのポ
ンプのローター圧縮部分で爆発が発生する。
ンプ構成は次の通りである：処理容器１の底部に
は、それと各真空ポンプとを接続するための排気
ダクト２が取り付けられている。ここで使用する
真空ポンプは、排気速度2000m3／hr、最大吸入圧
力10Torr及び到達圧力５×10-4Torrの能力を有
するメカニカルブースターポンプ（所要電力
7.5kW）３、そして排気速度600m3／hr、最大吸
入圧力100Torr及び到達圧力2Torrの能力を有す
るメカニカルブースターポンプ（所要電力
3.7kW）４である。これらの真空ポンプへと途上
に、主制御弁７、真空圧設定のための圧力制御弁
８、そして真空圧設定のためのものであつて手動
導操作可能な操作弁９が取り付けられている。図
中の１０，１１及び１２は、それぞれ、バイパス
回路調整のための真空弁である。１３は圧力検知
により信号を出す真空スイツチ、そして１４は真
空圧を表示するとともにリレー信号を出す２点式
ピラニ真空計である。この従来のポンプ構成で
は、それぞれオイルミストトラツプ２４及び３１
を装備した油回転ポンプ２３及び３０（排気速度
400m3／hr及び到達圧力５×10-3Torrの能力を有
する）によつて容器内の粗引きをやるようにでき
ているので、酸素ガス流入に原因してこれらのポ
ンプのローター圧縮部分で爆発が発生する。
次いで、本発明のプラズマ処理方法を第２図で
説明する。第２図に図示のプラズマ処理装置は、
前記した第１図のプラズマ処理装置とは異なつ
て、排気速度600m3／hr及び到達圧力17Torr（水
温15℃で）の能力を有する水封ポンプ５（所要電
力30kW）、そして制御弁２９を介して排気系に
接続したものであつてオイルミストトラツプ２６
付の油回転ポンプ２５（排気速度400m3／hr及び
到達圧力５×10-3Torrの能力を有する）（所要電
力11kW）をポンプ構成に有する。なお、第１図
及び第２図のプラズマ処理装置において、理解を
容易ならしめるため、同一の手段には同一の参照
番号を付した。
説明する。第２図に図示のプラズマ処理装置は、
前記した第１図のプラズマ処理装置とは異なつ
て、排気速度600m3／hr及び到達圧力17Torr（水
温15℃で）の能力を有する水封ポンプ５（所要電
力30kW）、そして制御弁２９を介して排気系に
接続したものであつてオイルミストトラツプ２６
付の油回転ポンプ２５（排気速度400m3／hr及び
到達圧力５×10-3Torrの能力を有する）（所要電
力11kW）をポンプ構成に有する。なお、第１図
及び第２図のプラズマ処理装置において、理解を
容易ならしめるため、同一の手段には同一の参照
番号を付した。
処理容器１へのプラズマの導入は、先に第１図
において説明した通りであるので、ここでは重複
をさけて説明を省略する。本発明による真空排気
処理を第３図のタイムチヤートをあわせて参照し
ながら説明すると、次の通りである：先ず、処理
容器１の開閉扉（図示せず）を閉じ、さらに真空
リーク弁６を閉じ、その後で真空排気を開始す
る。主制御弁７及び制御弁８が開き、これと同時
に水封ポンプ５及び油回転ポンプ２５が作動す
る。所定時間の経過後、真空弁１２が閉じ、処理
容器１内を減圧し始める。真空スイツチ１３が予
め設定した圧力100Torrを検知（第１圧力検知）
した後、それの発する信号によつてメカニカルブ
ースターポンプ４が作動を開始する。次いで、２
点式ピラニ真空計１４が圧力100Torrを検知（第
２圧力検知）した後（この真空計では予め
100Torr及び0.01Torrに圧力を設定）、それの発
するリレー信号によつてメカニカルブースターポ
ンプ３が作動を開始し、真空弁１１を閉じる。さ
らに、前記したピラニ真空計１４が圧力
0.01Torrを検知（第３圧力検知）すると、真空
弁１０と主制御弁７が閉じさらにこれらと同時に
制御弁２９が閉じて油回転ポンプ２５が停止す
る。この結果制御弁８の配管側のみに排気流が形
成される。この排気流はまた、真空弁１０及び１
１ならびに制御弁２９が閉じたことによつて、油
回転ポンプ側及びバイパス側へは流れず、よつ
て、ポンプ３、ポンプ４及びポンプ５を通る一連
の流れが形成される。また、前記したピラニ真空
計１４が圧力0.01Torrを検知すると、それの発
する圧力信号によつて真空バルブ２０が開き、ボ
ンベ１９内の酸素ガスが流量計２１により定量さ
れ、ガスチユーブ２２、プラズマ発生管１８を経
て処理容器１内へ送られる。容器内へ流れ込んだ
酸素ガスは、先の一連の排気流にそつて、ポンプ
３及び４内を通り、水封ポンプ５内では水に接触
しながら流れ、最後に大気中へ放出される。ここ
で、操作弁９の開度を予め調整しておくことによ
つて、所定のガス供給量下で所定のプラズマ処理
真空圧になるように予め設定することができる。
において説明した通りであるので、ここでは重複
をさけて説明を省略する。本発明による真空排気
処理を第３図のタイムチヤートをあわせて参照し
ながら説明すると、次の通りである：先ず、処理
容器１の開閉扉（図示せず）を閉じ、さらに真空
リーク弁６を閉じ、その後で真空排気を開始す
る。主制御弁７及び制御弁８が開き、これと同時
に水封ポンプ５及び油回転ポンプ２５が作動す
る。所定時間の経過後、真空弁１２が閉じ、処理
容器１内を減圧し始める。真空スイツチ１３が予
め設定した圧力100Torrを検知（第１圧力検知）
した後、それの発する信号によつてメカニカルブ
ースターポンプ４が作動を開始する。次いで、２
点式ピラニ真空計１４が圧力100Torrを検知（第
２圧力検知）した後（この真空計では予め
100Torr及び0.01Torrに圧力を設定）、それの発
するリレー信号によつてメカニカルブースターポ
ンプ３が作動を開始し、真空弁１１を閉じる。さ
らに、前記したピラニ真空計１４が圧力
0.01Torrを検知（第３圧力検知）すると、真空
弁１０と主制御弁７が閉じさらにこれらと同時に
制御弁２９が閉じて油回転ポンプ２５が停止す
る。この結果制御弁８の配管側のみに排気流が形
成される。この排気流はまた、真空弁１０及び１
１ならびに制御弁２９が閉じたことによつて、油
回転ポンプ側及びバイパス側へは流れず、よつ
て、ポンプ３、ポンプ４及びポンプ５を通る一連
の流れが形成される。また、前記したピラニ真空
計１４が圧力0.01Torrを検知すると、それの発
する圧力信号によつて真空バルブ２０が開き、ボ
ンベ１９内の酸素ガスが流量計２１により定量さ
れ、ガスチユーブ２２、プラズマ発生管１８を経
て処理容器１内へ送られる。容器内へ流れ込んだ
酸素ガスは、先の一連の排気流にそつて、ポンプ
３及び４内を通り、水封ポンプ５内では水に接触
しながら流れ、最後に大気中へ放出される。ここ
で、操作弁９の開度を予め調整しておくことによ
つて、所定のガス供給量下で所定のプラズマ処理
真空圧になるように予め設定することができる。
酸素ガスを供給し、所定の真空圧に設定後、マ
イクロ波を発振させ、酸素ガスをプラズマ化して
処理容器内の被処理物を表面処理する。プラズマ
処理の終了後、ポンプ内を真空状態で維持する間
に先ず圧力制御弁８を閉じ（第１停止）、所定時
間の後に全真空ポンプを停止させる（第２停止）。
ポンプの停止後、真空リーク弁６を開け、処理容
器１内を大気圧に戻して一連のプラズマ処理を完
了する。
イクロ波を発振させ、酸素ガスをプラズマ化して
処理容器内の被処理物を表面処理する。プラズマ
処理の終了後、ポンプ内を真空状態で維持する間
に先ず圧力制御弁８を閉じ（第１停止）、所定時
間の後に全真空ポンプを停止させる（第２停止）。
ポンプの停止後、真空リーク弁６を開け、処理容
器１内を大気圧に戻して一連のプラズマ処理を完
了する。
発明の効果
本発明によれば、水封ポンプ内を流れる水は、
排気能力維持のために常時冷却されているので、
ローターの回転により高温化される懸念がなく、
したがつて、酸素ガスを排気処理する際の爆発の
危険性を解消することができる。さらに、本発明
によれば、従来方法と較べて非常に短時間のうち
に排気処理を完了することができる。
排気能力維持のために常時冷却されているので、
ローターの回転により高温化される懸念がなく、
したがつて、酸素ガスを排気処理する際の爆発の
危険性を解消することができる。さらに、本発明
によれば、従来方法と較べて非常に短時間のうち
に排気処理を完了することができる。
第１図は従来方法を実施するためのプラズマ処
理装置の一例を示した概略図、第２図は本発明方
法を実施するためのプラズマ処理装置の好ましい
一例を示した概略図、そして第３図は第２図の装
置を使用して本発明方法を実施する場合の真空排
気処理のタイムチヤートである。 図中、１は処理容器、２は排気ダクト、３及び
４はメカニカルブースターポンプ、５は水封ポン
プ、そして２５は油回転ポンプである。
理装置の一例を示した概略図、第２図は本発明方
法を実施するためのプラズマ処理装置の好ましい
一例を示した概略図、そして第３図は第２図の装
置を使用して本発明方法を実施する場合の真空排
気処理のタイムチヤートである。 図中、１は処理容器、２は排気ダクト、３及び
４はメカニカルブースターポンプ、５は水封ポン
プ、そして２５は油回転ポンプである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被処理物を収容した処理容器内を真空にし、
酸素ガス又は酸素ガスを含む混合ガスによりその
被処理物を低温プラズマ処理する方法であつて、
水封ポンプ、油回転ポンプ及びメカニカルブース
ターポンプを組み合わせて真空排気処理を行なう
ことを特徴とするプラズマ処理方法。 ２ 水封ポンプと油回転ポンプにより大気圧から
粗引きし、次にメカニカルブースターポンプによ
りその最大吸入圧力以下の真空圧から0.01〜
1Torrまで真空排気し、引き続いて酸素ガス又は
酸素ガスを含む混合ガスを供給すると同時に油回
転ポンプを停止させ、水封ポンプ及びメカニカル
ブースターポンプにより排気処理を行なう、特許
請求の範囲第１項に記載のプラズマ処理方法。 ３ 処理容器、メカニカルブースターポンプ及び
水封ポンプを直列に配置し、そして前記水封ポン
プを最後段のメカニカルブースターポンプの吐出
口側に接続しかつ油回転ポンプ及び前記メカニカ
ルブースターポンプを並列に配置して排気処理を
行なう、特許請求の範囲第１項に記載のプラズマ
処理方法。 ４ 処理容器及びメカニカルブースターポンプを
直列に配置し、そして最後段のメカニカルブース
ターポンプの吐出口側に水封ポンプ及び油回転ポ
ンプを並列に配置して排気処理を行なう、特許請
求の範囲第１項に記載のプラズマ処理方法。
Priority Applications (11)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11527483A JPS608049A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | プラズマ処理方法 |
| AU24671/84A AU549376B2 (en) | 1983-02-25 | 1984-02-16 | Plasma treatment |
| EP91115536A EP0461683B1 (en) | 1983-02-25 | 1984-02-23 | Method for plasma treatment of resin material |
| EP84101926A EP0120307B1 (en) | 1983-02-25 | 1984-02-23 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| DE3486470T DE3486470T2 (de) | 1983-02-25 | 1984-02-23 | Verfahren zum Plasmabehandeln von Kunststoffharz |
| DE3486317T DE3486317T2 (de) | 1983-02-25 | 1984-02-23 | Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von Kunstharz. |
| US06/825,941 US4678644A (en) | 1983-02-25 | 1986-01-30 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| AU82240/87A AU603397B2 (en) | 1983-02-25 | 1987-12-08 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| AU82239/87A AU8223987A (en) | 1983-02-25 | 1987-12-08 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| AU82237/87A AU8223787A (en) | 1983-02-25 | 1987-12-08 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
| AU82238/87A AU8223887A (en) | 1983-02-25 | 1987-12-08 | Apparatus and method for plasma treatment of resin material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11527483A JPS608049A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | プラズマ処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS608049A JPS608049A (ja) | 1985-01-16 |
| JPH043422B2 true JPH043422B2 (ja) | 1992-01-23 |
Family
ID=14658600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11527483A Granted JPS608049A (ja) | 1983-02-25 | 1983-06-28 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS608049A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106807184A (zh) * | 2017-02-08 | 2017-06-09 | 成都凯圣捷科技有限公司 | 等离子除氧系统 |
-
1983
- 1983-06-28 JP JP11527483A patent/JPS608049A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS608049A (ja) | 1985-01-16 |
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