JPH04343401A - チタン酸バリウム系磁器半導体 - Google Patents
チタン酸バリウム系磁器半導体Info
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- JPH04343401A JPH04343401A JP3115964A JP11596491A JPH04343401A JP H04343401 A JPH04343401 A JP H04343401A JP 3115964 A JP3115964 A JP 3115964A JP 11596491 A JP11596491 A JP 11596491A JP H04343401 A JPH04343401 A JP H04343401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barium titanate
- resistivity
- curie point
- resistance
- mol
- Prior art date
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- Thermistors And Varistors (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、キュリー点以上の温度
において正の抵抗温度係数を有し、室温抵抗率が非常に
小さいことによる優れたＰＴＣ特性を有するチタン酸バ
リウム系磁器半導体に関するものである。
において正の抵抗温度係数を有し、室温抵抗率が非常に
小さいことによる優れたＰＴＣ特性を有するチタン酸バ
リウム系磁器半導体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】希土類元素、タンタル、ビスマス、タン
グステン、銀、アンチモン等の酸化物をチタン酸バリウ
ム系磁器に添加することによって、正の抵抗温度係数（
ＰＴＣ特性）を有する磁器半導体が得られることは従来
から知られている。また、例えば特開昭５３−５９８８
８号公報等には、希土類元素、タンタル、ニオブ、また
はアンチモンを含有するチタン酸バリウム系磁器半導体
組成物に二酸化ケイ素を添加し、酸素の存在下で焼成す
ることによって磁器半導体組成物の電気特性が向上する
ことが記載されている。
グステン、銀、アンチモン等の酸化物をチタン酸バリウ
ム系磁器に添加することによって、正の抵抗温度係数（
ＰＴＣ特性）を有する磁器半導体が得られることは従来
から知られている。また、例えば特開昭５３−５９８８
８号公報等には、希土類元素、タンタル、ニオブ、また
はアンチモンを含有するチタン酸バリウム系磁器半導体
組成物に二酸化ケイ素を添加し、酸素の存在下で焼成す
ることによって磁器半導体組成物の電気特性が向上する
ことが記載されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のチタン酸バリウム系磁器半導体は、キュリー点以上
の温度における抵抗率の立ち上がり幅が小さく、また、
室温における抵抗率が大きいため、電流容量の小さい回
路中に対応し得るような汎用性に優れた低抵抗ＰＴＣ素
子が得難いという問題を生じている。
来のチタン酸バリウム系磁器半導体は、キュリー点以上
の温度における抵抗率の立ち上がり幅が小さく、また、
室温における抵抗率が大きいため、電流容量の小さい回
路中に対応し得るような汎用性に優れた低抵抗ＰＴＣ素
子が得難いという問題を生じている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、キュリー点移動物質としてＰｂＴｉＯ３
を含むチタン酸バリウム系基体組成物に、半導体化剤と
して０．１１モル％より多く、０．１３モル％より少な
い範囲のＳｂ２ Ｏ３ を含むことを特徴としている。
するために、キュリー点移動物質としてＰｂＴｉＯ３
を含むチタン酸バリウム系基体組成物に、半導体化剤と
して０．１１モル％より多く、０．１３モル％より少な
い範囲のＳｂ２ Ｏ３ を含むことを特徴としている。
【０００５】
【作用】上記のようにキュリー点移動物質としてＰｂＴ
ｉＯ３ を含み、かつ、半導体化剤として０．１１モル
％より多く、０．１３モル％より少ない範囲のＳｂ２
Ｏ３ を添加して作製することにより、室温における抵
抗率が非常に小さく、しかもキュリー点以上の温度にお
いて抵抗率の立ち上がり幅の大きい正の抵抗温度係数を
有するチタン酸バリウム系磁器半導体が得られる。この
結果、電流容量の小さい回路中に対応することが可能で
汎用性に優れた低抵抗ＰＴＣ素子を得ることができる。
ｉＯ３ を含み、かつ、半導体化剤として０．１１モル
％より多く、０．１３モル％より少ない範囲のＳｂ２
Ｏ３ を添加して作製することにより、室温における抵
抗率が非常に小さく、しかもキュリー点以上の温度にお
いて抵抗率の立ち上がり幅の大きい正の抵抗温度係数を
有するチタン酸バリウム系磁器半導体が得られる。この
結果、電流容量の小さい回路中に対応することが可能で
汎用性に優れた低抵抗ＰＴＣ素子を得ることができる。
【０００６】
〔実施例１〕無水炭酸バリウム（ＢａＣＯ３ 、堺化学
社製高純度品）、高純度二酸化チタン（ＴｉＯ２ 、東
邦チタニウム社製）、酸化鉛（ＰｂＯ、日本化学社製リ
サージ１号）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３ 、和光純薬
社製、９９．９％）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２ ）、酸
化アンチモン（Ｓｂ２ Ｏ３ 、レアメタリック社製、
９９．９％）を出発原料として以下の組成となるように
配合した。
社製高純度品）、高純度二酸化チタン（ＴｉＯ２ 、東
邦チタニウム社製）、酸化鉛（ＰｂＯ、日本化学社製リ
サージ１号）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３ 、和光純薬
社製、９９．９％）、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２ ）、酸
化アンチモン（Ｓｂ２ Ｏ３ 、レアメタリック社製、
９９．９％）を出発原料として以下の組成となるように
配合した。
【０００７】
（Ｂａ０．９５Ｐｂ０．０５）ＴｉＯ３＋０．
０００５ＭｎＯ２＋０．００５ＳｉＯ２ ＋０．００１
２Ｓｂ２Ｏ３ すなわち、上記式に示されているように、キュリー点移
動物質としてＰｂＴｉＯ３ を５モル％、鉱化剤として
ＭｎＯ２ を０．０５モル％、異常粒成長抑制剤として
二酸化ケイ素を０．５モル％、そして、半導体化剤とし
てのＳｂ２ Ｏ３ を０．１２モル％それぞれ含有する
ように配合した。
０００５ＭｎＯ２＋０．００５ＳｉＯ２ ＋０．００１
２Ｓｂ２Ｏ３ すなわち、上記式に示されているように、キュリー点移
動物質としてＰｂＴｉＯ３ を５モル％、鉱化剤として
ＭｎＯ２ を０．０５モル％、異常粒成長抑制剤として
二酸化ケイ素を０．５モル％、そして、半導体化剤とし
てのＳｂ２ Ｏ３ を０．１２モル％それぞれ含有する
ように配合した。
【０００８】配合後の原料１キログラムを、内容積５リ
ットルのナイロン製ボールミルに、メノウボール（直径
２５ｍｍ）４０個とイオン交換水３リットルと共に入れ
、２４時間混合した。混合終了後、濾過し、１３０℃で
１６時間乾燥した。その後、乾燥混合物を内径４５ｍｍ
、高さ６５ｍｍの成形用金型に充填し、１５０ｋｇ／ｃ
ｍ２ の圧力で加圧成形した後１８０℃／ｍｉｎの昇温
速度で１１５０℃まで昇温し、１１５０℃で２時間仮焼
した。
ットルのナイロン製ボールミルに、メノウボール（直径
２５ｍｍ）４０個とイオン交換水３リットルと共に入れ
、２４時間混合した。混合終了後、濾過し、１３０℃で
１６時間乾燥した。その後、乾燥混合物を内径４５ｍｍ
、高さ６５ｍｍの成形用金型に充填し、１５０ｋｇ／ｃ
ｍ２ の圧力で加圧成形した後１８０℃／ｍｉｎの昇温
速度で１１５０℃まで昇温し、１１５０℃で２時間仮焼
した。
【０００９】その後、仮焼物を乳鉢で粉砕した後、１１
９メッシュのふるいを通して分級し、粉末を成形用金型
（内径１２．５ｍｍ、高さ３５ｍｍ）に入れ、１トン／
ｃｍ２ の圧力で加圧成形し、その成形物を次の条件に
て焼成した。 〔温度範囲〕 〔昇温また
は降温の条件〕室温〜８００℃
１４５℃／ｈの昇温８００℃
２時間保持８００〜１３６０℃
１５０℃／ｈの昇温１３６０℃
１５分間保持１３
６０〜１０００℃ ３６０℃／ｈの降温
１０００〜５５０℃ ２４５℃／ｈ
の降温５５０℃
温度コントロールの終了焼成後の試料は室温に冷却
した後、錠剤状成形物の円盤面にオーミック性の銀電極
（デグサ社製）を塗布し、５８０℃で５分間焼付けて電
極を形成した。さらに、その電極上にカバー電極（デグ
サ社製）を塗布し、５６０℃で５分間焼付けを行って、
チタン酸バリウム系磁器半導体の試料を得た。
９メッシュのふるいを通して分級し、粉末を成形用金型
（内径１２．５ｍｍ、高さ３５ｍｍ）に入れ、１トン／
ｃｍ２ の圧力で加圧成形し、その成形物を次の条件に
て焼成した。 〔温度範囲〕 〔昇温また
は降温の条件〕室温〜８００℃
１４５℃／ｈの昇温８００℃
２時間保持８００〜１３６０℃
１５０℃／ｈの昇温１３６０℃
１５分間保持１３
６０〜１０００℃ ３６０℃／ｈの降温
１０００〜５５０℃ ２４５℃／ｈ
の降温５５０℃
温度コントロールの終了焼成後の試料は室温に冷却
した後、錠剤状成形物の円盤面にオーミック性の銀電極
（デグサ社製）を塗布し、５８０℃で５分間焼付けて電
極を形成した。さらに、その電極上にカバー電極（デグ
サ社製）を塗布し、５６０℃で５分間焼付けを行って、
チタン酸バリウム系磁器半導体の試料を得た。
【００１０】この試料のキュリー点は１４８℃であり、
抵抗の立ち上がり幅は３．８桁であった。また試料の室
温における抵抗率は４．６Ω・ｃｍであった。抵抗−温
度特性の測定結果を図１中のａの曲線にて示している。
抵抗の立ち上がり幅は３．８桁であった。また試料の室
温における抵抗率は４．６Ω・ｃｍであった。抵抗−温
度特性の測定結果を図１中のａの曲線にて示している。
【００１１】〔実施例２〕無水炭酸バリウム（ＢａＣＯ
３ 、堺化学社製高純度品）、高純度二酸化チタン（Ｔ
ｉＯ２ 、東邦チタニウム社製）、酸化鉛（ＰｂＯ、日
本化学社製リサージ１号）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３
、和光純薬社製、９９．９％）、二酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ２ ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２ Ｏ３ 、レアメタ
リック社製、９９．９％）を出発原料として以下の組成
となるように配合した。
３ 、堺化学社製高純度品）、高純度二酸化チタン（Ｔ
ｉＯ２ 、東邦チタニウム社製）、酸化鉛（ＰｂＯ、日
本化学社製リサージ１号）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３
、和光純薬社製、９９．９％）、二酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ２ ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２ Ｏ３ 、レアメタ
リック社製、９９．９％）を出発原料として以下の組成
となるように配合した。
【００１２】
（Ｂａ０．９５Ｐｂ０．０５）ＴｉＯ３＋０．
０００５ＭｎＯ２＋０．００５ＳｉＯ２ ＋０．００１
２５Ｓｂ２Ｏ３ 上記の配合で、実施例１と同様な操作でチタン酸バリウ
ム系磁器半導体を作製した。焼成後の試料に実施例１と
同様に電極を形成し、電気特性を測定した。
０００５ＭｎＯ２＋０．００５ＳｉＯ２ ＋０．００１
２５Ｓｂ２Ｏ３ 上記の配合で、実施例１と同様な操作でチタン酸バリウ
ム系磁器半導体を作製した。焼成後の試料に実施例１と
同様に電極を形成し、電気特性を測定した。
【００１３】この試料のキュリー点は１４５℃であり、
抵抗の立ち上がり幅は３．５桁であった。また、試料の
室温における抵抗率は３．７Ω・ｃｍであった。抵抗−
温度特性の測定結果を図１中のｂの曲線にて示している
。
抵抗の立ち上がり幅は３．５桁であった。また、試料の
室温における抵抗率は３．７Ω・ｃｍであった。抵抗−
温度特性の測定結果を図１中のｂの曲線にて示している
。
【００１４】〔比較例１〕無水炭酸バリウム（ＢａＣＯ
３ 、堺化学社製高純度品）、高純度二酸化チタン（Ｔ
ｉＯ２ 、東邦チタニウム社製）、酸化鉛（ＰｂＯ、日
本化学社製リサージ１号）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３
、和光純薬社製、９９．９％）、二酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ２ ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２ Ｏ３ 、レアメタ
リック社製、９９．９％）を出発原料として以下の組成
となるように配合した。
３ 、堺化学社製高純度品）、高純度二酸化チタン（Ｔ
ｉＯ２ 、東邦チタニウム社製）、酸化鉛（ＰｂＯ、日
本化学社製リサージ１号）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３
、和光純薬社製、９９．９％）、二酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ２ ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２ Ｏ３ 、レアメタ
リック社製、９９．９％）を出発原料として以下の組成
となるように配合した。
【００１５】
（Ｂａ０．９５Ｐｂ０．０５）ＴｉＯ３＋
０．０００５ＭｎＯ２＋０．００５ＳｉＯ２ ＋０．０
０１１Ｓｂ２Ｏ３ 上記の配合で、実施例１と同様な操作でチタン酸バリウ
ム系磁器半導体を作製した。焼成後の試料に実施例１と
同様に電極を形成し、電気特性を測定した。
０．０００５ＭｎＯ２＋０．００５ＳｉＯ２ ＋０．０
０１１Ｓｂ２Ｏ３ 上記の配合で、実施例１と同様な操作でチタン酸バリウ
ム系磁器半導体を作製した。焼成後の試料に実施例１と
同様に電極を形成し、電気特性を測定した。
【００１６】この試料のキュリー点は１４５℃であり、
抵抗の立ち上がり幅は３．２桁であった。また、試料の
室温における抵抗率は１２．５Ω・ｃｍであった。抵抗
−温度特性の測定結果を図１中のｃの曲線にて示してい
る。
抵抗の立ち上がり幅は３．２桁であった。また、試料の
室温における抵抗率は１２．５Ω・ｃｍであった。抵抗
−温度特性の測定結果を図１中のｃの曲線にて示してい
る。
【００１７】〔比較例２〕無水炭酸バリウム（ＢａＣＯ
３ 、堺化学社製高純度品）、高純度二酸化チタン（Ｔ
ｉＯ２ 、東邦チタニウム社製）、酸化鉛（ＰｂＯ、日
本化学社製リサージ１号）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３
、和光純薬社製、９９．９％）、二酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ２ ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２ Ｏ３ 、レアメタ
リック社製、９９．９％）を出発原料として以下の組成
となるように配合した。
３ 、堺化学社製高純度品）、高純度二酸化チタン（Ｔ
ｉＯ２ 、東邦チタニウム社製）、酸化鉛（ＰｂＯ、日
本化学社製リサージ１号）、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ３
、和光純薬社製、９９．９％）、二酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ２ ）、酸化アンチモン（Ｓｂ２ Ｏ３ 、レアメタ
リック社製、９９．９％）を出発原料として以下の組成
となるように配合した。
【００１８】
（Ｂａ０．９５Ｐｂ０．０５）ＴｉＯ３＋
０．０００５ＭｎＯ２＋０．００５ＳｉＯ２ ＋０．０
０１３Ｓｂ２Ｏ３ 上記の配合で、実施例１と同様な操作でチタン酸バリウ
ム系磁器半導体を作製した。焼成後の試料に実施例１と
同様に電極を形成し、電気特性を測定した。
０．０００５ＭｎＯ２＋０．００５ＳｉＯ２ ＋０．０
０１３Ｓｂ２Ｏ３ 上記の配合で、実施例１と同様な操作でチタン酸バリウ
ム系磁器半導体を作製した。焼成後の試料に実施例１と
同様に電極を形成し、電気特性を測定した。
【００１９】この試料の室温における抵抗率は３４００
Ω・ｃｍであった。
Ω・ｃｍであった。
【００２０】以上実施例１、実施例２、比較例１、比較
例２の結果を整理すると、表１に示すようになる。
例２の結果を整理すると、表１に示すようになる。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１から明らかなように、半導体化剤とし
てチタン酸バリウム系基体組成物にＳｂ２ Ｏ３ を添
加することによって、室温における抵抗率を非常に小さ
くすることができる。しかし、Ｓｂ２ Ｏ３ の添加量
が、０．１１モル％より少ない場合、または、０．１３
モル％よりも多い場合には室温における抵抗率は大きく
なってしまう。したがって、半導体化剤としてのＳｂ２
Ｏ３ の添加量は、ＰｂＴｉＯ３ をキュリー点移動
物質として含むチタン酸バリウム系磁器半導体において
、０．１１モル％より多く、０．１３モル％より少ない
範囲とすることによって、室温抵抗率が非常に小さく、
かつ、抵抗率の立ち上がり幅の大きい優れたＰＴＣ特性
を有するチタン酸バリウム系磁器半導体が得られること
が明らかとなった。
てチタン酸バリウム系基体組成物にＳｂ２ Ｏ３ を添
加することによって、室温における抵抗率を非常に小さ
くすることができる。しかし、Ｓｂ２ Ｏ３ の添加量
が、０．１１モル％より少ない場合、または、０．１３
モル％よりも多い場合には室温における抵抗率は大きく
なってしまう。したがって、半導体化剤としてのＳｂ２
Ｏ３ の添加量は、ＰｂＴｉＯ３ をキュリー点移動
物質として含むチタン酸バリウム系磁器半導体において
、０．１１モル％より多く、０．１３モル％より少ない
範囲とすることによって、室温抵抗率が非常に小さく、
かつ、抵抗率の立ち上がり幅の大きい優れたＰＴＣ特性
を有するチタン酸バリウム系磁器半導体が得られること
が明らかとなった。
【００２３】なお、チタン酸バリウム系磁器半導体の試
料の諸物性の測定方法について説明すれば、以下の通り
である。
料の諸物性の測定方法について説明すれば、以下の通り
である。
【００２４】（１）キュリー点の測定
チタン酸バリウム系磁器半導体の試料を測定用の試料ホ
ルダーに取りつけ、測定槽〔ＭＩＮＩ−ＳＵＢＺＥＲＯ
ＭＣ−８１０Ｐ タバイ エスペック社製〕内に
装着して、−５０℃から１９０℃までの温度変化に対す
る試料の電気抵抗の変化を直流抵抗計（マルチメーター
３４７８Ａ ＹＨＰ製）を用いて測定する。測定により
得られた電気抵抗−温度プロットにより、抵抗値が室温
における抵抗値の２倍になるときの温度をキュリー点と
する。
ルダーに取りつけ、測定槽〔ＭＩＮＩ−ＳＵＢＺＥＲＯ
ＭＣ−８１０Ｐ タバイ エスペック社製〕内に
装着して、−５０℃から１９０℃までの温度変化に対す
る試料の電気抵抗の変化を直流抵抗計（マルチメーター
３４７８Ａ ＹＨＰ製）を用いて測定する。測定により
得られた電気抵抗−温度プロットにより、抵抗値が室温
における抵抗値の２倍になるときの温度をキュリー点と
する。
【００２５】（２）室温抵抗率の測定
チタン酸バリウム系磁器半導体の試料を２５℃の測定槽
において、直流抵抗計（マルチメーター３４７８Ａ Ｙ
ＨＰ製）を用いて電気抵抗を測定する。チタン酸バリウ
ム系磁器半導体の試料の調整において、電極塗布前に試
料の大きさ（径及び厚さ）を測定しておき、次式により
比抵抗（ρ）を算出し、これを抵抗率とする。 ρ＝Ｒ・Ｓ／ｔ ρ： 比抵抗（抵抗率） 〔Ω・ｃｍ〕Ｒ
： 電気抵抗の測定値 〔Ω〕Ｓ： 電
極の面積 〔ｃｍ２ 〕ｔ：
試料の厚さ 〔ｃｍ〕（３）
抵抗率の立ち上がり幅の測定 キュリー点の測定の温度変化（−５０℃から１９０℃）
に対する試料の電気抵抗の変化の測定を、さらに２００
℃を超える温度まで続行し、その抵抗率−温度プロット
において、キュリー点における電気抵抗の急激な立ち上
がりのときの抵抗率と２００℃における抵抗率とを比較
して、その桁数の対数比を抵抗率の立ち上がり幅とする
。
において、直流抵抗計（マルチメーター３４７８Ａ Ｙ
ＨＰ製）を用いて電気抵抗を測定する。チタン酸バリウ
ム系磁器半導体の試料の調整において、電極塗布前に試
料の大きさ（径及び厚さ）を測定しておき、次式により
比抵抗（ρ）を算出し、これを抵抗率とする。 ρ＝Ｒ・Ｓ／ｔ ρ： 比抵抗（抵抗率） 〔Ω・ｃｍ〕Ｒ
： 電気抵抗の測定値 〔Ω〕Ｓ： 電
極の面積 〔ｃｍ２ 〕ｔ：
試料の厚さ 〔ｃｍ〕（３）
抵抗率の立ち上がり幅の測定 キュリー点の測定の温度変化（−５０℃から１９０℃）
に対する試料の電気抵抗の変化の測定を、さらに２００
℃を超える温度まで続行し、その抵抗率−温度プロット
において、キュリー点における電気抵抗の急激な立ち上
がりのときの抵抗率と２００℃における抵抗率とを比較
して、その桁数の対数比を抵抗率の立ち上がり幅とする
。
【００２６】なお、本発明に係わる上記のように作製さ
れた各実施例のチタン酸バリウム系磁器半導体は、室温
での抵抗率が小さいので、電気容量の小さい回路におけ
る低抵抗ＰＴＣ素子として使用することができ、例えば
温度ヒューズ、スイッチング電源のコンパレータ等とし
て使用することができる。また、キュリー点移動物質と
して添加した５モル％のＰｂＴｉＯ３ により、キュリ
ー点が１４０℃付近にあることから、１４０℃付近をス
イッチング温度とするヒーター用素子としても応用でき
る。さらに上記以外にも電解コンデンサーの保護回路、
カラーテレビ自動消磁装置、自動車等のモータ起動装置
、電子機器の加熱防止装置、遅延素子、タイマ、液面計
、無接点スイッチ、リレー接点保護装置などに利用する
ことが可能である。
れた各実施例のチタン酸バリウム系磁器半導体は、室温
での抵抗率が小さいので、電気容量の小さい回路におけ
る低抵抗ＰＴＣ素子として使用することができ、例えば
温度ヒューズ、スイッチング電源のコンパレータ等とし
て使用することができる。また、キュリー点移動物質と
して添加した５モル％のＰｂＴｉＯ３ により、キュリ
ー点が１４０℃付近にあることから、１４０℃付近をス
イッチング温度とするヒーター用素子としても応用でき
る。さらに上記以外にも電解コンデンサーの保護回路、
カラーテレビ自動消磁装置、自動車等のモータ起動装置
、電子機器の加熱防止装置、遅延素子、タイマ、液面計
、無接点スイッチ、リレー接点保護装置などに利用する
ことが可能である。
【００２７】
【発明の効果】本発明に係わるチタン酸バリウム系磁器
半導体は、以上のように、キュリー点移動物質としてＰ
ｂＴｉＯ３ 、チタン酸バリウム系基体組成物に対して
０．１１モル％より多く、０．１３モル％より少ないＳ
ｂ２ Ｏ３ を半導体化剤として含む構成である。
半導体は、以上のように、キュリー点移動物質としてＰ
ｂＴｉＯ３ 、チタン酸バリウム系基体組成物に対して
０．１１モル％より多く、０．１３モル％より少ないＳ
ｂ２ Ｏ３ を半導体化剤として含む構成である。
【００２８】これにより、キュリー点以上の温度におい
て正の抵抗温度係数を有すると共に、室温での抵抗率が
より小さく、かつ、抵抗率の立ち上がり幅の大きいチタ
ン酸バリウム系磁器半導体が作製されるので、電流容量
の小さい回路中に対応することが可能で汎用性に優れた
低抵抗ＰＴＣ素子を得ることができるという効果を奏す
る。
て正の抵抗温度係数を有すると共に、室温での抵抗率が
より小さく、かつ、抵抗率の立ち上がり幅の大きいチタ
ン酸バリウム系磁器半導体が作製されるので、電流容量
の小さい回路中に対応することが可能で汎用性に優れた
低抵抗ＰＴＣ素子を得ることができるという効果を奏す
る。
【図１】本発明に係わるチタン酸バリウム系磁器半導体
における比抵抗温度特性の測定結果を示すグラフである
。
における比抵抗温度特性の測定結果を示すグラフである
。
Claims (1)
- 【請求項１】キュリー点移動物質としてＰｂＴｉＯ３
を含むチタン酸バリウム系基体組成物に、半導体化剤と
して０．１１モル％より多く、０．１３モル％より少な
い範囲のＳｂ２ Ｏ３ を含むことを特徴とするチタン
酸バリウム系磁器半導体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3115964A JP2613323B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | チタン酸バリウム系磁器半導体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3115964A JP2613323B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | チタン酸バリウム系磁器半導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04343401A true JPH04343401A (ja) | 1992-11-30 |
| JP2613323B2 JP2613323B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=14675499
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3115964A Expired - Fee Related JP2613323B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | チタン酸バリウム系磁器半導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2613323B2 (ja) |
-
1991
- 1991-05-21 JP JP3115964A patent/JP2613323B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2613323B2 (ja) | 1997-05-28 |
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