JPH01230202A - 正特性サーミスタ材料とその製造方法 - Google Patents
正特性サーミスタ材料とその製造方法Info
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- JPH01230202A JPH01230202A JP63054778A JP5477888A JPH01230202A JP H01230202 A JPH01230202 A JP H01230202A JP 63054778 A JP63054778 A JP 63054778A JP 5477888 A JP5477888 A JP 5477888A JP H01230202 A JPH01230202 A JP H01230202A
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- JP
- Japan
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- temperature coefficient
- positive temperature
- coefficient thermistor
- thermistor material
- oxide
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/022—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances
- H01C7/023—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient mainly consisting of non-metallic substances containing oxides or oxidic compounds, e.g. ferrites
- H01C7/025—Perovskites, e.g. titanates
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、特定の温度で抵抗値が急激に増大する正特性
サーミスタ材料およびその製造方法に関するものである
。
サーミスタ材料およびその製造方法に関するものである
。
（従来の技術）
チタン酸バリウムを主成分とし、ニオブあるいは希土類
元素などで半導体化された正特性サーミスタは１通常ス
イッチング温度と呼ばれる特定の温度以上で急激な抵抗
値増加を示す、この特性を利用して１発熱体として、あ
るいはテレビジョン受像機の消磁回路のスイッチング素
子などの広範な用途に用いられている。
元素などで半導体化された正特性サーミスタは１通常ス
イッチング温度と呼ばれる特定の温度以上で急激な抵抗
値増加を示す、この特性を利用して１発熱体として、あ
るいはテレビジョン受像機の消磁回路のスイッチング素
子などの広範な用途に用いられている。
この正特性サーミスタの基本特性としては、常温での抵
抗値、抵抗温度係数（α）、抵抗値変化幅があり、抵抗
温度係数（α）は次式により算出される。
抗値、抵抗温度係数（α）、抵抗値変化幅があり、抵抗
温度係数（α）は次式により算出される。
ここで、Ｔ８は２５℃での抵抗値の２倍の抵抗値となる
温度で、スイッチング温度と呼ばれるものであり、Ｔ８
はＴ□より高い任意の温度（通常はＴ２はＴ、より５０
℃高い温度）、Ｒ１およびＲ２は各々温度Ｔ、、Ｔ、で
の抵抗値を示す、また、抵抗変化幅は最大抵抗値と最小
抵抗値の比で表わされる。
温度で、スイッチング温度と呼ばれるものであり、Ｔ８
はＴ□より高い任意の温度（通常はＴ２はＴ、より５０
℃高い温度）、Ｒ１およびＲ２は各々温度Ｔ、、Ｔ、で
の抵抗値を示す、また、抵抗変化幅は最大抵抗値と最小
抵抗値の比で表わされる。
上記スイッチング温度は、非導体化したチタン酸バリウ
ム（ＢａＴｉＯ３）では約１２０℃であるが、酸化鉛（
ｐｂｏ）を固溶させることにより、スイッチング温度を
高温側に移動できることが公知である。また、酸化スト
ロンチウム（ＳｒＯ） 、酸化錫（ＳｎＯ３）等を固溶
させることにより、スイッチング温度を低温側に移動で
きることも公知である。
ム（ＢａＴｉＯ３）では約１２０℃であるが、酸化鉛（
ｐｂｏ）を固溶させることにより、スイッチング温度を
高温側に移動できることが公知である。また、酸化スト
ロンチウム（ＳｒＯ） 、酸化錫（ＳｎＯ３）等を固溶
させることにより、スイッチング温度を低温側に移動で
きることも公知である。
また、チタン酸バリウム系半導体磁器の焼結性を向上さ
せ、磁器を緻密化するための鉱化剤の役割を果たすもの
として、二酸化珪素（Ｓｉｎ、 ）が添加される。
せ、磁器を緻密化するための鉱化剤の役割を果たすもの
として、二酸化珪素（Ｓｉｎ、 ）が添加される。
このＳｉｎ、は、チタン酸バリウム系半導体磁器の焼結
時に液相を形成して急激な粒成長を抑制する効果を持つ
と考えられており、したがって、均一に分散させるのが
好ましい。
時に液相を形成して急激な粒成長を抑制する効果を持つ
と考えられており、したがって、均一に分散させるのが
好ましい。
（発明が解決しようとする［ｇ）
ＳｉＯ□は、上記のように焼結性向上２粒成長抑制など
の重要な効果を持っているが、比重が軽く、かさ密度が
小さいこと、また、凝集しやすく、凝集体が固く容易に
つぶれないなどの性質を持っており、チタン酸バリウム
系半導体磁器中に均一に分散させるのは難しい欠点があ
った。
の重要な効果を持っているが、比重が軽く、かさ密度が
小さいこと、また、凝集しやすく、凝集体が固く容易に
つぶれないなどの性質を持っており、チタン酸バリウム
系半導体磁器中に均一に分散させるのは難しい欠点があ
った。
特に、ＰｂＯを含むチタン酸バリウム系半導体磁器では
、ＳｉＯ□の多い部分が絶縁性の黄色い斑点を形成する
ことが多く、磁器内部、磁器表面部における異常部分の
原因となり、破壊電圧の低下につながるものであった。
、ＳｉＯ□の多い部分が絶縁性の黄色い斑点を形成する
ことが多く、磁器内部、磁器表面部における異常部分の
原因となり、破壊電圧の低下につながるものであった。
本発明の目的は、従来の欠点を解消し、Ｓｉ成分の均一
分散を達成して、磁器の均質性を向上させることにより
、正特性サーミスタとしての特性、特に破壊電圧を向上
させることである （課題を解決するための手段） チタン酸バリウム、ニオブあるいは希土類元素などの半
導体化元素、酸化鉛およびメタ珪酸カルシウムを含むこ
とを特徴とする特性サーミスタ材料であり、化学式が（
Ｂａ０，７Ｐｂ、、２．）ＴｉＯ３＋０．０２ＣａＳｉ
Ｏ３＋ ０．０００４ＭｎＯ２ ＋ ０．００２Ｙ、Ｏ
，となるように、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３） 、酸化
チタン（Ｔｉｏ２） を酸化鉛（ｐｂｏ） 、酸化イツ
トリウム（Ｙ、 ０． ） 、メタ珪酸カルシウム（Ｃ
ａＳｉＯ３）および二酸化マンガン（ＭｎＯ３）を坪量
し１通常の方法で混合、焼成するものである。
分散を達成して、磁器の均質性を向上させることにより
、正特性サーミスタとしての特性、特に破壊電圧を向上
させることである （課題を解決するための手段） チタン酸バリウム、ニオブあるいは希土類元素などの半
導体化元素、酸化鉛およびメタ珪酸カルシウムを含むこ
とを特徴とする特性サーミスタ材料であり、化学式が（
Ｂａ０，７Ｐｂ、、２．）ＴｉＯ３＋０．０２ＣａＳｉ
Ｏ３＋ ０．０００４ＭｎＯ２ ＋ ０．００２Ｙ、Ｏ
，となるように、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３） 、酸化
チタン（Ｔｉｏ２） を酸化鉛（ｐｂｏ） 、酸化イツ
トリウム（Ｙ、 ０． ） 、メタ珪酸カルシウム（Ｃ
ａＳｉＯ３）および二酸化マンガン（ＭｎＯ３）を坪量
し１通常の方法で混合、焼成するものである。
（作 用）
上記構成により、ＳｉはＣａ５ｉＯ，として分散される
ため、５ｉｎ２の凝集性が改善され、Ｓｉがチタン酸バ
リウム系半導体磁器中に均一に分散されやすくなるもの
である。
ため、５ｉｎ２の凝集性が改善され、Ｓｉがチタン酸バ
リウム系半導体磁器中に均一に分散されやすくなるもの
である。
（実施例）
本実施例においては、化学式が（Ｂａ、、 ７Ｐｔｌｏ
、 ａｍ）ＴｉＯ３＋ ０．００２Ｙ２０３ ＋ ０．
０２ＣａＳｘＯ，＋ ０．０００４ＭｎＯ２となるよう
に、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３） 、酸化チタン（Ｔｉ
％ ） 、ｆｔｌ化鉛（ｐｂｏ） 、酸化イツトリウム
（ＹｚＯｉ）ｔメタ珪酸カルシウム（ＣａＳｉＯ３）お
よび二酸化マンガン（ＭｎＯｚ ）を坪量し、通常の方
法で混合、仮焼、粉砕した粉体を形成し、１３５０℃で
焼成して直径１４■。
、 ａｍ）ＴｉＯ３＋ ０．００２Ｙ２０３ ＋ ０．
０２ＣａＳｘＯ，＋ ０．０００４ＭｎＯ２となるよう
に、炭酸バリウム（ＢａＣＯ３） 、酸化チタン（Ｔｉ
％ ） 、ｆｔｌ化鉛（ｐｂｏ） 、酸化イツトリウム
（ＹｚＯｉ）ｔメタ珪酸カルシウム（ＣａＳｉＯ３）お
よび二酸化マンガン（ＭｎＯｚ ）を坪量し、通常の方
法で混合、仮焼、粉砕した粉体を形成し、１３５０℃で
焼成して直径１４■。
厚さ２＋ｍの円板状のセラミックを得、ニッケルメッキ
と銀よりなる電極を形成した。同時に、従来方法の比較
例として、化学式が （Ｂａ、、 、 Ｐｂ、、 、、Ｃａｏ、 ａｍ２ ）
Ｔｉｏ、 ＋ ０．００２Ｙ、Ｏ，＋０．０２ＳｉＯ，
＋０．０００４ＭｎＯ２となるように、炭酸バリウム、
酸化鉛、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化イツトリウ
ム、二酸化珪素、二酸化マンガンを坪量し、上記と同様
にして同じ形状のセラミックを得、同様の電極を形成し
た。この２種類の試料の抵抗値、抵抗温度係数（α）、
破壊電圧を測定した。
と銀よりなる電極を形成した。同時に、従来方法の比較
例として、化学式が （Ｂａ、、 、 Ｐｂ、、 、、Ｃａｏ、 ａｍ２ ）
Ｔｉｏ、 ＋ ０．００２Ｙ、Ｏ，＋０．０２ＳｉＯ，
＋０．０００４ＭｎＯ２となるように、炭酸バリウム、
酸化鉛、炭酸カルシウム、酸化チタン、酸化イツトリウ
ム、二酸化珪素、二酸化マンガンを坪量し、上記と同様
にして同じ形状のセラミックを得、同様の電極を形成し
た。この２種類の試料の抵抗値、抵抗温度係数（α）、
破壊電圧を測定した。
また、電極を形成する前のセラミックスの状態で比重を
測定し、その結果を表に示す。
測定し、その結果を表に示す。
表
（発明の効果）
表より明らかな通り、本発明のものは従来方法により作
成したものに比べて破壊電圧が高く、正特性サーミスタ
としての特性が著しく向上しており、その実用上の効果
は大である。
成したものに比べて破壊電圧が高く、正特性サーミスタ
としての特性が著しく向上しており、その実用上の効果
は大である。
Claims (2)
- （１）チタン酸バリウム，ニオブあるいは希土類元素な
どの半導体化元素，酸化鉛およびメタ珪酸カルシウムを
含むことを特徴とする正特性サーミスタ材料。 - （２）化学式が（Ｂａ＿０＿．＿７Ｐｂ＿０＿．＿２＿
０）ＴｉＯ＿３＋０．０２ＣａＳｉＯ＿３＋０．０００
４ＭｎＯ＿２＋０．００２Ｙ＿２Ｏ＿３となるように、
炭酸バリウム（ＢａＣＯ＿３），酸化チタン（ＴｉＯ＿
２），酸化鉛（ＰｂＯ），酸化イットリウム（Ｙ＿２Ｏ
＿３），メタ珪酸カルシウム（ＣａＳｉＯ＿３）および
二酸化マンガン（ＭｎＯ＿２）を坪量し、通常の方法で
混合，焼成したことを特徴とする正特性サーミスタ材料
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054778A JPH01230202A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 正特性サーミスタ材料とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63054778A JPH01230202A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 正特性サーミスタ材料とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01230202A true JPH01230202A (ja) | 1989-09-13 |
Family
ID=12980228
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63054778A Pending JPH01230202A (ja) | 1988-03-10 | 1988-03-10 | 正特性サーミスタ材料とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01230202A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6740261B1 (en) | 1997-03-19 | 2004-05-25 | Denso Corporation | Wide-range type thermistor element and method of producing the same |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5220291A (en) * | 1975-08-08 | 1977-02-16 | Tdk Corp | Semiconductor porcelain composition |
-
1988
- 1988-03-10 JP JP63054778A patent/JPH01230202A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5220291A (en) * | 1975-08-08 | 1977-02-16 | Tdk Corp | Semiconductor porcelain composition |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6740261B1 (en) | 1997-03-19 | 2004-05-25 | Denso Corporation | Wide-range type thermistor element and method of producing the same |
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