JPH043444Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本考案は、マイクロモータにおける火花消去、
ノイズ防止等に使用するための磁器バリスタに関
する。

［従来の技術］ マイクロモータの軸に同軸的に配設されたリン
グ形バリスタに対する整流子の接続は、整流子に
接続されている端子をバリスタの電極に半田付け
することによつて行われている。この半田付けの
際に、半田ごての熱がバリスタに急激に加わる
と、熱応力によつてバリスタにクラツクが発生す
るので、一般にはバリスタを予熱し、バリスタと
半田ごてとの温度差を小さくし、クラツクの発生
を抑制していた。

［考案が解決しようとする課題］ しかし、予熱を行うと必然的に半田付け工程が
複雑になるのみでなく、予熱によつてバリスタ以
外の樹脂部分等の劣化が生じる。この劣化を防ぐ
ために予熱温度を80℃〜150℃程度に抑えると、
予熱温度と半田付け温度250℃〜340℃との差をク
ラツク防止に有効な150℃以下に抑えることが不
可能になる。

そこで、本考案の目的は、予熱を行うことなし
に半田付けを行うことが可能な耐熱性の良い磁器
バリスタを提供することにある。

［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するための本考案は、バリスタ
磁器素体の主面上に第１の電極層と緩衝用中間層
と第２の電極層とが順に設けられ、前記第２の電
極層は半田付着性の良い材料で形成されていると
共に前記第１の電極層に電気的に接続されている
ことを特徴とする磁器バリスタに係わるものであ
る。

［作用］ 上記考案の第２の電極層はバリスタを接続する
ための半田付け部分として使用される。この第２
の電極層に半田ごて等が接触してここが加熱され
ても緩衝用中間層が設けられているので、バリス
タ磁器素体にさほど大きな熱応力が加わらない。

［第１の実施例］ 次に、本考案の第１の実施例に係わるリング形
バリスタを第１図及び第２図を参照して説明す
る。

まず、チタン酸ストロンチウムを主成分とする
リング形バリスタ磁器素体１を作製した。この磁
器素体１の外径は10.7mm、内径は6.8mm、厚みは
0.90mmである。

次に、磁器素体１の一方の主面に第１図Ａに示
すパターンに銀電極ペーストを印刷し、乾燥した
後に650℃で30分間焼付け処理を施し、３つに分
割された第１の電極層２，３，４を形成した。

次に、PbO−B2O3−SiO2から成るガラスペー
ストを第１図Ｂに示すように第１の電極層２，
３，４の上に印刷し、乾燥した後に650℃で30分
間焼付け処理してガラス層から成る緩衝用中間層
５を形成した。なお、この中間層５には第１の電
極層２，３，４を露出させるための孔６を各電極
層２，３，４に２個の割合で設けた。

次に、中間層５の上に、第１図Ｃに示すように
第１の電極層２，３，４と同一のパターンに銀ペ
ーストを印刷し、乾燥した後に、650℃で30分間
の焼付け処理を施して３つの第２の電極層７，
８，９を形成した。ガラス層から成る中間層５上
の第２の電極層７，８，９は中間層５の孔６を介
して第１の電極層２，３，４に電気的に接続され
ている。

なお、第１及び第２の電極層２〜４，７〜９の
厚みはそれぞれ6μmであり、中間層５の厚みは
25μmである。

このリング形バリスタをマイクロモータ等に使
用する時には、第２図で破線で示すように第２の
電極層７〜９に対して接続部材１０を半田１１で
接続する。

完成したリング形バリスタを評価するために、
280℃の半田ごてでにヤニ（フラクツクス）入り
共晶半田を第２の電極層７上に盛り、半田ごての
接触時間を２〜３秒として半田付着層を形成した
後に、拡大鏡で磁器素体１のクラツクの発生を50
個の試料について調べた。しかし、クラツクを確
認することは出来なかつた。即ち、クラツクの発
生率は零であつた。次に半田ごての温度を310℃
及び340℃に変えた同様な試験を行つたが、クラ
ツク発生率はやはり零であつた。なお、比較のた
めにガラス層から成る中間層５を省いて、第１及
び第２の電極層２〜４，７〜９を設けたリング形
バリスタを作製し、同様な試験を行つたところ、
半田ごて温度280℃ではクラツク発生率が零であ
つたが、310℃では２％、340℃では10％であつ
た。

以上により、中間層５がクラツク発生の防止に
寄与していることが明らかである。このクラツク
の抑制には、中間層５によつて熱伝導体が制限さ
れていること、及び磁器素体１線膨張係数が13.0
×10−６／℃であるのに対してガラス層から成る
中間層５の線膨張係数が8.1×10−６／℃と大幅
に小さいことが関係している。即ち、中間層５は
第１及び第２の電極層２〜４、７〜９よりも十分
に厚い25μmであると共に、非金属のガラス層で
あるので、磁器素体１の急激な加熱を阻止する。
また、中間層５は熱膨張係数が小さいので、この
熱膨張によつて磁器素体１に大きな応力を与えな
い。

中間層５の材料を線膨張係数6.8のPbO−ZnO
−B2O3−SiO2ガラスに変えて第１の実施例と同
一の試験を行つたところ、同一の作用効果が得ら
れた。また、中間層５を線膨張係数5.5のPbO−
CaO−B2O3−SiO2ガラスに変えて第１の実施例
と同一の試験を行つたところ、同一の作用効果が
得られた。

［第２の実施例］ 次に、第３図及び第４図に示す第２の実施例に
係わるリング形バリスタを説明する。但し、第３
図及び第４図、更に、第３〜第８の実施例を示す
第５図〜第１６図において第１図〜第２図と実質
的に同一な部分には同一の符号を付してその説明
を省略する。

第３図及び第４図に示すリング形バリスタは第
１の電極層２〜４と第２の電極層７〜９とを電気
的に接続するための孔６を覆う絶縁層１２を有し
ている。このため半田の孔６への流入が阻止さ
れ、磁器素体１のクラツクの発生が一層抑制され
る。

［第３の実施例］ 第３の実施例を示す第５図Ａ〜Ｃ及び第６図に
おいては、第１の電極層２〜４と第２の電極層７
〜９との接続方法が変更されている。即ち、第５
図Ａに示すように第１の電極層２〜４を形成した
後、これ等の両端を露出させるように中間層５を
第５図Ｂに示すように形成する。次に、第５図Ｃ
に示すように第２の電極層７〜９を第１の電極層
２〜４と同一パターンに形成する。これにより、
第１の電極層２〜４と第２の電極層７〜９とが両
端部で互いに接続される。

［第４の実施例］ 第７図及び第８図に示す第４の実施例では、第
３の実施例における第２の電極層７〜９の相互間
に絶縁層１３が設けられ、ここへの半田の流入が
阻止されている。

［第５の実施例］ 第９図Ａ〜Ｃ及び第１０図に示す第５の実施例
では、第１の電極層２〜４の一方の端部のみが中
間層５から露出し、ここが第２の電極層７〜９に
接続されている。

［第６の実施例］ 第１１図及び第１２図に示す第６の実施例で
は、第５の実施例と同一に形成された第１の電極
層２〜４と第２の電極層７〜９との接続部の上に
半田流動阻止用絶縁層１４が設けられている。

［第７の実施例］ 第１３図Ａ〜Ｃ及び第１４図に示す第７の実施
例では、第１の電極層２〜４の両端部を露出する
ように中間層５が形成されている。また、この中
間層５は第１の電極層２〜４の相互間にも形成さ
れている。第２の電極層７〜９は第１の電極層２
〜４と同一パターンに形成され、両端部で第１の
電極層２〜４に接続されている。

［第８の実施例］ 第１５図Ａ〜Ｃ及び第１６図に示す第８の実施
例では、第１の電極層２〜４及び中間層５は第３
の実施例と同一に形成されている。第３の実施例
と相違する点は、第２の電極層７〜９に半田流動
を阻止するための幅狭部１５が設けられているこ
とである。この幅狭部１５は第２の電極層７〜９
の両端近傍にそれぞれ設けられているので、第２
の電極層７〜９の中央に接続部材を半田付けした
時に、第２の電極層７〜９の相互間に向つて流れ
る半田が幅狭部１５で阻止される。

［変形例］ 本考案は上述の実施例に限定されるものではな
く、例えば次の変形が可能なものである。

(1) 中間層５のガラス層はPbO、B2O3、SiO2、
ZnO、BaO、CaO、Na20から選択された２種
以上を含むガラス層であることが望ましい。

(2) 中間層５としてガラス層の代りに、エポキシ
系樹脂層、フエノール系樹脂層、又はシリコー
ン系樹脂層等を設けることができる。また、場
合によつては中間層５を導電層とすることもで
きる。

［考案の効果］ 上述のように本考案によれば耐熱特性の良い磁
器バリスタを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａ，Ｂ，Ｃは第１の実施例のバリスタを
製造工程順に示す平面図、第２図は第１図Ｃの
−線断面図、第３図は第２の実施例のバリスタ
を示す平面図、第４図は第３図の−線断面
図、第５図Ａ，Ｂ，Ｃは第３の実施例のバリスタ
を製造工程順に示す平面図、第６図は第５図Ｃの
−線断面図、第７図は第４の実施例のバリス
タを示す平面図、第８図は第７図の−線断面
図、第９図Ａ，Ｂ，Ｃは第５の実施例のバリスタ
を製造工程順に示す平面図、第１０図は第９図Ｃ
の−線断面図、第１１図は第６の実施例のバ
リスタを示す平面図、第１２図は第１１図の
−線断面図、第１３図Ａ，Ｂ，Ｃは第７の実
施例のバリスタを製造工程順に平面図、第１４図
は第１３図Ｃの−線断面図、第１５図
Ａ，Ｂ，Ｃは第８の実施例のバリスタを製造工程
順に示す平面図、第１６図は第１５図Ｃの−
線断面図である。 １……バリスタ磁器素体、２，３，４……第１
の電極層、５……中間層、７，８，９……第２の
電極層。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. バリスタ磁器素体の主面上に第１の電極層と緩
   衝用中間層と第２の電極層とが順に設けられ、前
   記第２の電極層は半田付着性の良い材料で形成さ
   れていると共に前記第１の電極層に電気的に接続
   されていることを特徴とする磁器バリスタ。