JPH04344655A - 積層型感光体 - Google Patents
積層型感光体Info
- Publication number
- JPH04344655A JPH04344655A JP11620191A JP11620191A JPH04344655A JP H04344655 A JPH04344655 A JP H04344655A JP 11620191 A JP11620191 A JP 11620191A JP 11620191 A JP11620191 A JP 11620191A JP H04344655 A JPH04344655 A JP H04344655A
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- Japan
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- group
- type
- photoreceptor
- phthalocyanine
- resin
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は導電性支持体上に少なく
とも電荷発生層と電荷輸送層とを設けた積層感光体にお
いて、特に長波長領域に分光感度を有する積層型感光体
に関する。
とも電荷発生層と電荷輸送層とを設けた積層感光体にお
いて、特に長波長領域に分光感度を有する積層型感光体
に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、近赤外光(波長780nm以上)
を光源とするレーザープリンタの開発が盛んに行われ、
これに伴い長波長領域に分光感度を有する感光体の需要
が高まった。
を光源とするレーザープリンタの開発が盛んに行われ、
これに伴い長波長領域に分光感度を有する感光体の需要
が高まった。
【0003】従来、この種の目的に使用される感光体と
しては、セレン、テルル、ヒ素の合金を用いる感光体ま
たは色素増感された硫化カドミウムを用いる無機系のも
のであった。これらはいずれも強い毒性を有する欠点が
ある。そこでこれらの欠点を解決するために長波長領域
に分光感度を有する有機光導電性物質が種々検討された
結果、フタロシアニン系化合物が他に比べ吸収波長領域
が長波長側へ拡大している特性を利用して、例えば、特
公平3−27898号公報には、電荷発生層にフタロシ
アニンを含有し、電荷輸送層に下記一般式で表されるよ
うなスチリル化合物を含有する積層型感光体が開示され
ている。
しては、セレン、テルル、ヒ素の合金を用いる感光体ま
たは色素増感された硫化カドミウムを用いる無機系のも
のであった。これらはいずれも強い毒性を有する欠点が
ある。そこでこれらの欠点を解決するために長波長領域
に分光感度を有する有機光導電性物質が種々検討された
結果、フタロシアニン系化合物が他に比べ吸収波長領域
が長波長側へ拡大している特性を利用して、例えば、特
公平3−27898号公報には、電荷発生層にフタロシ
アニンを含有し、電荷輸送層に下記一般式で表されるよ
うなスチリル化合物を含有する積層型感光体が開示され
ている。
【0004】
【化2】
【0005】から選ばれた1種のヘテロ環基を示す。n
は、0、1、または2を示し、R1、R2は炭素数3以
下のアルキル基である。但し、Zは、OまたはSを示し
、ヘテロ環基は置換されていてもよい。)
は、0、1、または2を示し、R1、R2は炭素数3以
下のアルキル基である。但し、Zは、OまたはSを示し
、ヘテロ環基は置換されていてもよい。)
【0006】
【発明が解決しようとする問題点】しかし上記のような
感光体においても、未だ十分な感度が得られず、画像に
カブリが生じるという欠点を有する。また帯電、露光、
除電等の画像形成プロセスを繰り返すことによって、帯
電の際に発生するオゾンや、高輝度で照射されるレーザ
等によって電荷輸送物質が劣化をおこし、帯電電位の低
下、あるいは残留電位の上昇により画像みだれが生じる
等の問題がある。
感光体においても、未だ十分な感度が得られず、画像に
カブリが生じるという欠点を有する。また帯電、露光、
除電等の画像形成プロセスを繰り返すことによって、帯
電の際に発生するオゾンや、高輝度で照射されるレーザ
等によって電荷輸送物質が劣化をおこし、帯電電位の低
下、あるいは残留電位の上昇により画像みだれが生じる
等の問題がある。
【0007】したがって本発明の目的は、上記問題点を
解消し、可視領域および半導体レーザの波長領域にわた
り高感度でしかも製造工程が容易でかつ安価で、電子写
真特性の安定した感光体を提供することにある。
解消し、可視領域および半導体レーザの波長領域にわた
り高感度でしかも製造工程が容易でかつ安価で、電子写
真特性の安定した感光体を提供することにある。
【0008】
【問題を解決するための手段】導電性支持体上に、電荷
発生層と電荷輸送層とを設けた積層型の感光体において
、前記電荷発生層が少なくとも1種のχ型、τ型、η型
無金属フタロシアニン化合物を含有し、前記電荷輸送層
が下記一般式(I)で表される新規ジスチリル化合物を
含有することを特徴とする感光体に関する。
発生層と電荷輸送層とを設けた積層型の感光体において
、前記電荷発生層が少なくとも1種のχ型、τ型、η型
無金属フタロシアニン化合物を含有し、前記電荷輸送層
が下記一般式(I)で表される新規ジスチリル化合物を
含有することを特徴とする感光体に関する。
【0009】
【化3】
【0010】(式中、Ar1、Ar2はそれぞれ置換基
を有してもよいアルキル基またはアリール基を示す。A
r3はそれぞれ置換基を有してもよいアルキル基、アラ
ルキル基またはアリール基を示す。R1およびR2はそ
れぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロ
ゲン原子を示す。R3は水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、
チオエーテル基、置換基を有してもよいアリール基また
は置換基を有してもよい複素環基を示す。)本発明に用
いられるχ型、τ型、η型無金属フタロシアニンは例え
ば特公昭48−34189号公報、特開昭58−182
639号公報、特開昭60−19153号公報に詳細に
記載されており、これらのフタロシアニンは2種以上の
混合物として使用してもよい。
を有してもよいアルキル基またはアリール基を示す。A
r3はそれぞれ置換基を有してもよいアルキル基、アラ
ルキル基またはアリール基を示す。R1およびR2はそ
れぞれ水素原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロ
ゲン原子を示す。R3は水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基、アラルキル基、アルケニル基、アルキニル基、
チオエーテル基、置換基を有してもよいアリール基また
は置換基を有してもよい複素環基を示す。)本発明に用
いられるχ型、τ型、η型無金属フタロシアニンは例え
ば特公昭48−34189号公報、特開昭58−182
639号公報、特開昭60−19153号公報に詳細に
記載されており、これらのフタロシアニンは2種以上の
混合物として使用してもよい。
【0011】本発明に用いられるτ型無金属フタロシア
ニンは、CuKα1/Niの1.541λのX線を使用
した際、ブラッグ角度(2θ±0.2度)が7.6、9
.2、16.8、17.4、20.4および20.9に
強い線を示すX線回折図形を有するものである。特に、
赤外線吸収スペクトルが700〜760cm ̄1の間に
751±2cm ̄1が最もつよい4本の吸収帯を、13
20〜1340cm ̄1の間に2本のほぼ同じ強さの吸
収帯を、3288±3cm ̄1に特徴的な吸収を有する
ものが望ましい。
ニンは、CuKα1/Niの1.541λのX線を使用
した際、ブラッグ角度(2θ±0.2度)が7.6、9
.2、16.8、17.4、20.4および20.9に
強い線を示すX線回折図形を有するものである。特に、
赤外線吸収スペクトルが700〜760cm ̄1の間に
751±2cm ̄1が最もつよい4本の吸収帯を、13
20〜1340cm ̄1の間に2本のほぼ同じ強さの吸
収帯を、3288±3cm ̄1に特徴的な吸収を有する
ものが望ましい。
【0012】τ型無金属フタロシアニンの代表的な製造
方法はα型無金属フタロシアニンを50〜180℃、好
ましくは60〜130℃においてτ型を示すに足りる十
分な時間撹拌あるいは機械的歪力をもってミリングする
ところに特徴がある。なお、X線回折および赤外線吸収
スペクトルは、製造時における条件の相違によって結晶
中の格子欠陥あるいは転移のでき方等によって多少のズ
レができるために範囲をもって示したものである。
方法はα型無金属フタロシアニンを50〜180℃、好
ましくは60〜130℃においてτ型を示すに足りる十
分な時間撹拌あるいは機械的歪力をもってミリングする
ところに特徴がある。なお、X線回折および赤外線吸収
スペクトルは、製造時における条件の相違によって結晶
中の格子欠陥あるいは転移のでき方等によって多少のズ
レができるために範囲をもって示したものである。
【0013】τ型無金属フタロシアニンの原料となるα
型無金属フタロシアニンは、モーザーおよびトーマスの
「フタロシアニン化合物」(Moser and Th
omas “Phthalocyanine Comp
ounds”)などの公知の方法および他の適当な方法
によって得られるものが使用できる。例えば、無金属フ
タロシアニンは硫酸などの酸によって脱金属ができる金
属フタロシアニン、例えばリチウムフタロシアニン、ナ
トリウムフタロシアニン、カルシウムフタロシアニン、
マグネシウムフタロシアニンなどの酸処理によって、ま
た、フタロジニトリル、アミノイミノイソインドレニン
などから直接合成したものが使用できる。 この無金属フタロシアニンは、望ましくは5℃以下で硫
酸などの酸に溶解もしくは酸塩にしたものを、水、好ま
しくは氷水中に注ぎ再析出、もしくは加水分解すること
によってα型無金属フタロシアニンが得られる。α型無
金属フタロシアニンは乾燥状態もしくは水ペースト状態
で撹拌もしくはミリングされる。このときの分散メディ
アとしては通常顔料の分散、乳化、混合などに用いられ
るものでもよく、例えばガラスビーズ、スチールビーズ
、アルミナボール、フリント石などを挙げることができ
る。しかし分散メディアは必ずしも必要ではない。磨砕
助剤としては、通常顔料分散の磨砕助剤として用いられ
るもの、例えば食塩、重炭酸ソーダ、ぼう硝などを挙げ
ることができる。撹拌、ミリング時に分散媒を必要とす
る場合には、撹拌、ミリング時の温度において液状のも
の、例えば、グリセリン、エチレングリコール、ジエチ
レングリコールなどのアルコール系溶剤、ポリエチレン
グリコール系分散媒、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルなどの
セロソルブ系分散媒、ケトン系分散媒、エステルケトン
系などの分散媒を使用することができる。
型無金属フタロシアニンは、モーザーおよびトーマスの
「フタロシアニン化合物」(Moser and Th
omas “Phthalocyanine Comp
ounds”)などの公知の方法および他の適当な方法
によって得られるものが使用できる。例えば、無金属フ
タロシアニンは硫酸などの酸によって脱金属ができる金
属フタロシアニン、例えばリチウムフタロシアニン、ナ
トリウムフタロシアニン、カルシウムフタロシアニン、
マグネシウムフタロシアニンなどの酸処理によって、ま
た、フタロジニトリル、アミノイミノイソインドレニン
などから直接合成したものが使用できる。 この無金属フタロシアニンは、望ましくは5℃以下で硫
酸などの酸に溶解もしくは酸塩にしたものを、水、好ま
しくは氷水中に注ぎ再析出、もしくは加水分解すること
によってα型無金属フタロシアニンが得られる。α型無
金属フタロシアニンは乾燥状態もしくは水ペースト状態
で撹拌もしくはミリングされる。このときの分散メディ
アとしては通常顔料の分散、乳化、混合などに用いられ
るものでもよく、例えばガラスビーズ、スチールビーズ
、アルミナボール、フリント石などを挙げることができ
る。しかし分散メディアは必ずしも必要ではない。磨砕
助剤としては、通常顔料分散の磨砕助剤として用いられ
るもの、例えば食塩、重炭酸ソーダ、ぼう硝などを挙げ
ることができる。撹拌、ミリング時に分散媒を必要とす
る場合には、撹拌、ミリング時の温度において液状のも
の、例えば、グリセリン、エチレングリコール、ジエチ
レングリコールなどのアルコール系溶剤、ポリエチレン
グリコール系分散媒、エチレングリコールモノメチルエ
ーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルなどの
セロソルブ系分散媒、ケトン系分散媒、エステルケトン
系などの分散媒を使用することができる。
【0014】結晶転移工程において使用される撹拌、ミ
リング装置としては、例えば、サンドミル、ニーダー、
ホモミキサー、アジター、スターラー、バンバリーミキ
サー、ボールミル、アトライターなどを挙げることがで
きる。
リング装置としては、例えば、サンドミル、ニーダー、
ホモミキサー、アジター、スターラー、バンバリーミキ
サー、ボールミル、アトライターなどを挙げることがで
きる。
【0015】結晶転移工程における温度範囲は50〜1
80℃、好ましくは60〜130℃で行う。また、通常
の結晶転移工程におけるのと同様に結晶核を用いるもの
も有効な方法である。
80℃、好ましくは60〜130℃で行う。また、通常
の結晶転移工程におけるのと同様に結晶核を用いるもの
も有効な方法である。
【0016】τ型への結晶転移速度は、撹拌、ミリング
の効率、歪力、原料の粒子径、温度などの種々の条件に
依存する。結晶転移工程終了後、通常の精製法で磨砕助
剤および分散媒などを除去し、乾燥することによって目
的とするτ型無金属フタロシアニンを得ることができる
。
の効率、歪力、原料の粒子径、温度などの種々の条件に
依存する。結晶転移工程終了後、通常の精製法で磨砕助
剤および分散媒などを除去し、乾燥することによって目
的とするτ型無金属フタロシアニンを得ることができる
。
【0017】また、η型無金属フタロシアニンは、無金
属フタロシアニン、特に、α型無金属フタロシアニン1
00重量部と、ベンゼン核に置換基を有する無金属フタ
ロシアニン、またはベンゼン核に置換基を有してもよい
フタロシアニン窒素同位体もしくは金属フタロシアニン
の1種あるいは2種以上を50重量部以下との混合物を
、30〜220℃、好ましくは60〜130℃において
τ型無金属フタロシアニンを得ると同様の撹拌もしくは
ミリングすることによって製造することができるもので
あり、純粋な無金属フタロシアニンに限らず、他のフタ
ロシアニン類との混合物をも指称するものである。この
η型無金属フタロシアニンは、赤外線吸収スペクトルが
700〜760cm ̄1の間に753±1cm ̄1が最
も強い4本の吸収帯を、1320〜1340cm ̄1の
間に2本のほぼ同じ強さの吸収帯を、3285±5cm
−1に特徴的な吸収を有するものである。η型無金属フ
タロシアニンは、ブラッグ角度が7.6、9.2、16
.8、17.4、および28.5に強いピークを示すX
線回折図形を有するものと、7.6、9.2、16.8
、17.4、21.5、および27.5に強いピークを
示すX線回折図形を有するものとがある。
属フタロシアニン、特に、α型無金属フタロシアニン1
00重量部と、ベンゼン核に置換基を有する無金属フタ
ロシアニン、またはベンゼン核に置換基を有してもよい
フタロシアニン窒素同位体もしくは金属フタロシアニン
の1種あるいは2種以上を50重量部以下との混合物を
、30〜220℃、好ましくは60〜130℃において
τ型無金属フタロシアニンを得ると同様の撹拌もしくは
ミリングすることによって製造することができるもので
あり、純粋な無金属フタロシアニンに限らず、他のフタ
ロシアニン類との混合物をも指称するものである。この
η型無金属フタロシアニンは、赤外線吸収スペクトルが
700〜760cm ̄1の間に753±1cm ̄1が最
も強い4本の吸収帯を、1320〜1340cm ̄1の
間に2本のほぼ同じ強さの吸収帯を、3285±5cm
−1に特徴的な吸収を有するものである。η型無金属フ
タロシアニンは、ブラッグ角度が7.6、9.2、16
.8、17.4、および28.5に強いピークを示すX
線回折図形を有するものと、7.6、9.2、16.8
、17.4、21.5、および27.5に強いピークを
示すX線回折図形を有するものとがある。
【0018】上記フタロシアニンの置換基としては、ア
ミノ基、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基、シアノ
基、メルカプト基、ハロゲン原子などがあり、さらにス
ルホン基、カルボン酸基、またはこれらの金属塩、アン
モニウム基、アミン基などを比較的簡単な置換基として
例示することができる。さらに、ベンゼン核にアルキレ
ン基、スルホニル基、カルボニル基、イミノ基などを介
して種々の置換基を導入することができ、これらは、従
来、フタロシアニン顔料の技術分野において凝集防止剤
、結晶成長防止剤、あるいは結晶転移防止剤として公知
のもの(例えばUSP4088507号)もしくは未知
のものを使用することができる。
ミノ基、ニトロ基、アルキル基、アルコキシ基、シアノ
基、メルカプト基、ハロゲン原子などがあり、さらにス
ルホン基、カルボン酸基、またはこれらの金属塩、アン
モニウム基、アミン基などを比較的簡単な置換基として
例示することができる。さらに、ベンゼン核にアルキレ
ン基、スルホニル基、カルボニル基、イミノ基などを介
して種々の置換基を導入することができ、これらは、従
来、フタロシアニン顔料の技術分野において凝集防止剤
、結晶成長防止剤、あるいは結晶転移防止剤として公知
のもの(例えばUSP4088507号)もしくは未知
のものを使用することができる。
【0019】χ型無金属フタロシアニンはCuKα1/
Niの1.451のX線を使用した際、ブラッグ角度(
2θ±0.2度)が7.5、9.1、16.7、17.
3. 22.3に強い線を示すX線回折図形を有するも
のである。
Niの1.451のX線を使用した際、ブラッグ角度(
2θ±0.2度)が7.5、9.1、16.7、17.
3. 22.3に強い線を示すX線回折図形を有するも
のである。
【0020】χ型無金属フタロシアニンの代表的な製造
方法は、α型無金属フタロシアニンから不純物および任
意の金属原子を除去し、長時間ミリングすることによっ
て得られる。また、α型無金属フタロシアニンを一部分
のχ型無金属フタロシアニンおよび脂肪族有機溶媒と混
合させ、結晶転移させることによっても得られる。
方法は、α型無金属フタロシアニンから不純物および任
意の金属原子を除去し、長時間ミリングすることによっ
て得られる。また、α型無金属フタロシアニンを一部分
のχ型無金属フタロシアニンおよび脂肪族有機溶媒と混
合させ、結晶転移させることによっても得られる。
【0021】またα型無金属フタロシアニンを10 ̄2
〜20Torrの圧力範囲内で昇華させることによって
も得ることができる。
〜20Torrの圧力範囲内で昇華させることによって
も得ることができる。
【0022】ここで本発明の感光体に用いられる一般式
(I)のジスチリル化合物の製法について以下に示す。
(I)のジスチリル化合物の製法について以下に示す。
【0023】本発明の感光体に用いられるジスチリル化
合物は、例えば、下記一般式(II)で表されるアルデ
ヒド化合物と
合物は、例えば、下記一般式(II)で表されるアルデ
ヒド化合物と
【0024】
【化4】
【0025】(式中、Ar3、R1、R2、R3は(I
)と同義。)下記一般式(III)で表されるリン化合
物を縮合させることにより合成することができる。
)と同義。)下記一般式(III)で表されるリン化合
物を縮合させることにより合成することができる。
【0026】
【化5】
【0027】(式中、Ar1、Ar2は(I)と同義。
Xは
【0028】
【数1】
【0029】で表されるトリアルキルまたはトリアリー
ルスルホニウム基、あるいはPO(OR5)2で表され
るジアルキルまたはジアリール亜リン酸基を示す。但し
式中Yはハロゲン原子、R4、R5はそれぞれアルキル
基またはアリール基を示す。)また、一般式(I)で表
されるジスチリル化合物は、下記一般式(IV)および
(V)で表される化合物を縮合させることによっても合
成することができる。
ルスルホニウム基、あるいはPO(OR5)2で表され
るジアルキルまたはジアリール亜リン酸基を示す。但し
式中Yはハロゲン原子、R4、R5はそれぞれアルキル
基またはアリール基を示す。)また、一般式(I)で表
されるジスチリル化合物は、下記一般式(IV)および
(V)で表される化合物を縮合させることによっても合
成することができる。
【0030】
【化6】
【0031】(式中、Ar1、Ar2、Ar3、R1、
R2、R3は(I)と同義、Xは(III)と同義。)
上記方法における反応溶媒としては、例えば炭化水素、
アルコール類、エーテル類が良好で、メタノール、エタ
ノール、iso−プロピルアルコール、ブタノール、2
−メトキシエタノール、1,2−ジメトキシエタン、ビ
ス(2−メトキシエチル)エーテル、ジオキサン、テト
ラヒドロフラン、トルエン、キシレン、ジメチルスルホ
キシド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピ
ロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンな
どが挙げられる。中でも極性溶媒、例えば、N,N−ジ
メチルホルムアミドおよびジメチルスルホキシドが好適
である。
R2、R3は(I)と同義、Xは(III)と同義。)
上記方法における反応溶媒としては、例えば炭化水素、
アルコール類、エーテル類が良好で、メタノール、エタ
ノール、iso−プロピルアルコール、ブタノール、2
−メトキシエタノール、1,2−ジメトキシエタン、ビ
ス(2−メトキシエチル)エーテル、ジオキサン、テト
ラヒドロフラン、トルエン、キシレン、ジメチルスルホ
キシド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルピ
ロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノンな
どが挙げられる。中でも極性溶媒、例えば、N,N−ジ
メチルホルムアミドおよびジメチルスルホキシドが好適
である。
【0032】縮合剤としては苛性ソーダ、苛性カリ、ナ
トリウムアミド、水素ナトリウム、およびナトリウムメ
チラート、カリウム−ter−ブトキシドなどのアルコ
ラートが用いられる。
トリウムアミド、水素ナトリウム、およびナトリウムメ
チラート、カリウム−ter−ブトキシドなどのアルコ
ラートが用いられる。
【0033】また反応温度は約0℃〜約100℃、好ま
しくは10℃〜80℃であり、広範囲にわたって選択す
ることができる。
しくは10℃〜80℃であり、広範囲にわたって選択す
ることができる。
【0034】上記一般式(I)で表されるようなジスチ
リル化合物はいずれも窒素原子を中心に非対称である点
に構造的特徴を有している。これにより立体障害が小さ
く、結着剤中において結晶化をおさえることができるの
で結着材への良好な相溶性を示す。以下に、本発明の感
光体に使用する一般式(I)で表されるジスチリル化合
物を具体的に示すが、これに限定されるものではない。
リル化合物はいずれも窒素原子を中心に非対称である点
に構造的特徴を有している。これにより立体障害が小さ
く、結着剤中において結晶化をおさえることができるの
で結着材への良好な相溶性を示す。以下に、本発明の感
光体に使用する一般式(I)で表されるジスチリル化合
物を具体的に示すが、これに限定されるものではない。
【0035】
【化7】
【0036】
【化8】
【0037】
【化9】
【0038】
【化10】
【0039】
【化11】
【0040】
【化12】
【0041】
【化13】
【0042】
【化14】
【0043】
【化15】
【0044】
【化16】
【0045】導電性支持体上に、電荷発生材料として前
記無金属フタロシアニンを1または2種以上含有する電
荷発生層と、電荷輸送材料として一般式(I)で表され
るジスチリル化合物を含有する電荷輸送層とを形成する
ことによって、高感度で耐久性に優れた本発明の感光体
を提供することができる。
記無金属フタロシアニンを1または2種以上含有する電
荷発生層と、電荷輸送材料として一般式(I)で表され
るジスチリル化合物を含有する電荷輸送層とを形成する
ことによって、高感度で耐久性に優れた本発明の感光体
を提供することができる。
【0046】以下に、導電性支持体上に電荷発生層と電
荷輸送層とを積層した本発明にかかる積層型感光体を形
成する場合について具体的に説明する。
荷輸送層とを積層した本発明にかかる積層型感光体を形
成する場合について具体的に説明する。
【0047】本発明の積層型感光体は、導電性支持体上
に上述したχ型、τ型、η型無金属フタロシアニンを、
蒸着または適当な樹脂を溶解させた溶液中に分散させて
作製した塗布液を塗布乾燥して電荷発生層を形成する。 この時、電荷発生層の膜厚は4μm以下、好ましくは2
μm以下とする。使用する無金属フタロシアニン化合物
が少なすぎると感度が悪く、多すぎると帯電性が悪くな
ったり、機械的強度が弱くなったりするため、電荷発生
層中のフタロシアニン化合物1重量部に対するバインダ
ー樹脂の割合を、0〜10重量部、好ましくは0〜3重
量部となるようにする。
に上述したχ型、τ型、η型無金属フタロシアニンを、
蒸着または適当な樹脂を溶解させた溶液中に分散させて
作製した塗布液を塗布乾燥して電荷発生層を形成する。 この時、電荷発生層の膜厚は4μm以下、好ましくは2
μm以下とする。使用する無金属フタロシアニン化合物
が少なすぎると感度が悪く、多すぎると帯電性が悪くな
ったり、機械的強度が弱くなったりするため、電荷発生
層中のフタロシアニン化合物1重量部に対するバインダ
ー樹脂の割合を、0〜10重量部、好ましくは0〜3重
量部となるようにする。
【0048】このようにして形成された電荷発生層上に
、電荷輸送材料としての一般式(I)で表されるジスチ
リル化合物、およびバインダー樹脂を含む溶液を塗布乾
燥して電荷輸送層を形成し本発明の感光体を作製する。 この時、電荷輸送層の膜厚は3〜30μm、好ましくは
5〜20μmとするのが望ましい。また、電荷輸送層中
のジスチリル化合物の割合は、バインダー樹脂1重量部
に対して0.02〜2重量部、好ましくは0.03〜1
.3重量部となるようにする。なお電荷輸送材料がそれ
自身バインダーとして使用できる高分子電荷輸送材料で
ある場合は、他のバインダー樹脂を使用しなくてもよい
。
、電荷輸送材料としての一般式(I)で表されるジスチ
リル化合物、およびバインダー樹脂を含む溶液を塗布乾
燥して電荷輸送層を形成し本発明の感光体を作製する。 この時、電荷輸送層の膜厚は3〜30μm、好ましくは
5〜20μmとするのが望ましい。また、電荷輸送層中
のジスチリル化合物の割合は、バインダー樹脂1重量部
に対して0.02〜2重量部、好ましくは0.03〜1
.3重量部となるようにする。なお電荷輸送材料がそれ
自身バインダーとして使用できる高分子電荷輸送材料で
ある場合は、他のバインダー樹脂を使用しなくてもよい
。
【0049】上記のようにフタロシアニンを適当な樹脂
中に分散させる形態ではなく、フタロシアニンの蒸着膜
を電荷発生層とする積層型感光体でも比較的高い感度を
有するものが得られるが、蒸着膜の作成には高真空排気
装置を必要としコスト高につながる。
中に分散させる形態ではなく、フタロシアニンの蒸着膜
を電荷発生層とする積層型感光体でも比較的高い感度を
有するものが得られるが、蒸着膜の作成には高真空排気
装置を必要としコスト高につながる。
【0050】また本発明の感光体は、導電性支持体上に
中間層を設けた構成のものであってもよく、これによっ
て接着性の改良、塗工性の向上、支持体の保護、支持体
側から感光層への電荷注入性の向上をはかることができ
る。
中間層を設けた構成のものであってもよく、これによっ
て接着性の改良、塗工性の向上、支持体の保護、支持体
側から感光層への電荷注入性の向上をはかることができ
る。
【0051】中間層に用いられる材料としてはポリイミ
ド、ポリアミド、ニトロセルロースポリビニルブチラー
ル、ポリビニルアルコール、酸化アルミニウム等が適当
で、また膜厚は1μm以下が望ましい。
ド、ポリアミド、ニトロセルロースポリビニルブチラー
ル、ポリビニルアルコール、酸化アルミニウム等が適当
で、また膜厚は1μm以下が望ましい。
【0052】さらに本発明の感光体は表面保護層を設け
たものであってもよい。表面保護層に用いられる材料と
しては、アクリル樹脂、ポリアリール樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ウレタン樹脂などのポリマーをそのまま、
または酸化スズや酸化インジウムなどの低抵抗化合物を
分散させたものなどが適当である。
たものであってもよい。表面保護層に用いられる材料と
しては、アクリル樹脂、ポリアリール樹脂、ポリカーボ
ネート樹脂、ウレタン樹脂などのポリマーをそのまま、
または酸化スズや酸化インジウムなどの低抵抗化合物を
分散させたものなどが適当である。
【0053】また有機プラズマ重合膜を使用することが
できる。有機プラズマ重合膜は必要に応じて適宜酸素、
窒素、ハロゲン、周期律表の第III族、第V族原子を
含んでいてもよい。表面保護層の膜厚は、5μm以下が
望ましい。
できる。有機プラズマ重合膜は必要に応じて適宜酸素、
窒素、ハロゲン、周期律表の第III族、第V族原子を
含んでいてもよい。表面保護層の膜厚は、5μm以下が
望ましい。
【0054】尚、本発明の積層型感光体は導電性支持体
上に電荷輸送層と電荷発生層をこの順序で積層したもの
であってもよい。
上に電荷輸送層と電荷発生層をこの順序で積層したもの
であってもよい。
【0055】本発明の感光体に用いられる導電性支持体
としては、銅、アルミニウム、鉄、ニッケル等の泊ある
いは板を、シート状またはドラム状にしたものが使用さ
れ、る。またこれらの金属を、プラスチックフィルム等
に真空蒸着、無電解メッキ等によって付着させたもの、
あるいは導電性ポリマー、酸化インジュウム、酸化スズ
等の導電性化合物の層を同様に、紙あるいはプラスチッ
クフィルムなどの支持体上に塗布もしくは蒸着によって
設けたもの等を使用することができる。
としては、銅、アルミニウム、鉄、ニッケル等の泊ある
いは板を、シート状またはドラム状にしたものが使用さ
れ、る。またこれらの金属を、プラスチックフィルム等
に真空蒸着、無電解メッキ等によって付着させたもの、
あるいは導電性ポリマー、酸化インジュウム、酸化スズ
等の導電性化合物の層を同様に、紙あるいはプラスチッ
クフィルムなどの支持体上に塗布もしくは蒸着によって
設けたもの等を使用することができる。
【0056】本発明の感光体の製造に使用されるバイン
ダー樹脂は電気絶縁性であり、単独で測定して1×10
12Ω・cm以上の体積抵抗を有することが望ましい。 例えば、それ自体公知の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
光硬化性樹脂、光導電性樹脂等の結着材を使用すること
ができる。具体的には、フェノール樹脂、ユリア樹脂、
メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂、塩化ビニル
−酢酸ビニル共重合体、ブチラール樹脂、キシレン樹脂
、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリアクリレート樹脂、、飽和ポリエステル樹脂、フ
ェノキシ樹脂等が挙げられる。本発明の感光体において
、電荷発生層を形成する際に用い得るバインダー樹脂と
しては、光感度の点からみて特にブチラール樹脂が好ま
しい。また電荷輸送層を形成する際には耐久性の面から
見てポリカーボネート樹脂が特に好ましい。
ダー樹脂は電気絶縁性であり、単独で測定して1×10
12Ω・cm以上の体積抵抗を有することが望ましい。 例えば、それ自体公知の熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、
光硬化性樹脂、光導電性樹脂等の結着材を使用すること
ができる。具体的には、フェノール樹脂、ユリア樹脂、
メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂、塩化ビニル
−酢酸ビニル共重合体、ブチラール樹脂、キシレン樹脂
、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂
、ポリアクリレート樹脂、、飽和ポリエステル樹脂、フ
ェノキシ樹脂等が挙げられる。本発明の感光体において
、電荷発生層を形成する際に用い得るバインダー樹脂と
しては、光感度の点からみて特にブチラール樹脂が好ま
しい。また電荷輸送層を形成する際には耐久性の面から
見てポリカーボネート樹脂が特に好ましい。
【0057】本発明の感光体はバインダー樹脂とともに
ハロゲン化パラフィン、ポリ塩化ビフェニル、ジメチル
ナフタレン、ジブチルフタレート、O−ターフェニルな
どの可塑剤やクロラニル、テトラシアノエチレン、2,
4,7−トリニトロフルオレノン、5,6−ジシアノベ
ンゾキノン、テトラシアノキノジメタン、テトラクロル
無水フタル酸、3,5−ジニトロ安息香酸等の電子吸引
性増感剤、メチルバイオレット、ローダミンB、シアニ
ン染料、ピリリウム塩、チアピリリウム塩等の増感剤を
使用してもよい。
ハロゲン化パラフィン、ポリ塩化ビフェニル、ジメチル
ナフタレン、ジブチルフタレート、O−ターフェニルな
どの可塑剤やクロラニル、テトラシアノエチレン、2,
4,7−トリニトロフルオレノン、5,6−ジシアノベ
ンゾキノン、テトラシアノキノジメタン、テトラクロル
無水フタル酸、3,5−ジニトロ安息香酸等の電子吸引
性増感剤、メチルバイオレット、ローダミンB、シアニ
ン染料、ピリリウム塩、チアピリリウム塩等の増感剤を
使用してもよい。
【0058】また、これらの樹脂を溶解する溶剤は、樹
脂の種類によって異なるが、例えば、メタノール、エタ
ノール、iso−プロピルアルコール等のアルコール類
、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等
のケトン類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−
ジメチルアセトアミド等のアミド類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステ
ル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン
、四塩化炭素、トリクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン
化炭化水素類、あるいはベンゼン、トルエン、キシレン
、モノクロルベンゼン等の芳香族類等を用いることがで
きる。
脂の種類によって異なるが、例えば、メタノール、エタ
ノール、iso−プロピルアルコール等のアルコール類
、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等
のケトン類、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−
ジメチルアセトアミド等のアミド類、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテ
ル等のエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステ
ル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロルエチレン
、四塩化炭素、トリクロルエチレン等の脂肪族ハロゲン
化炭化水素類、あるいはベンゼン、トルエン、キシレン
、モノクロルベンゼン等の芳香族類等を用いることがで
きる。
【0059】以下に前記ジスチリル化合物例(8)で表
されるジスチリル化合物の合成方法を示す。
されるジスチリル化合物の合成方法を示す。
【0060】下記式:
【0061】
【化17】
【0062】で表されるアルデヒド化合物4.03gと
、下記式:
、下記式:
【0063】
【化18】
【0064】であらわされるホスホネート化合物3.0
4gをジメチルホルムアルデヒド40mlに溶解させた
。得られた溶液を5℃以下に冷却しながら、ジメチルホ
ルムアミド20ml中にカルシウム−ter−ブトキシ
ド1.68gを含む懸濁液を滴下し、室温で8時間撹拌
した。室温で4時間撹拌した後、80℃で2時間反応さ
せ、反応を完結させた。得られた混合物を氷水500m
l中にバージした後、希塩酸で中和し、約30分後、析
出した結晶を濾過し、濾過生成物を水で洗浄後ベンゼン
に溶解させ、シリカゲルカラムクロマトで分離生成した
。
4gをジメチルホルムアルデヒド40mlに溶解させた
。得られた溶液を5℃以下に冷却しながら、ジメチルホ
ルムアミド20ml中にカルシウム−ter−ブトキシ
ド1.68gを含む懸濁液を滴下し、室温で8時間撹拌
した。室温で4時間撹拌した後、80℃で2時間反応さ
せ、反応を完結させた。得られた混合物を氷水500m
l中にバージした後、希塩酸で中和し、約30分後、析
出した結晶を濾過し、濾過生成物を水で洗浄後ベンゼン
に溶解させ、シリカゲルカラムクロマトで分離生成した
。
【0065】流出物からベンゼンを留去後、アセトニト
リルから再結晶して、淡黄白色結晶2.9g(収率52
%)を得た。
リルから再結晶して、淡黄白色結晶2.9g(収率52
%)を得た。
【0066】元素分析の結果は以下のとおりである。
【0067】
【表1】
【0068】
【実施例】以後の実施例に用いられる本発明のジスチリ
ル化合物は前記合成例またはこれと類似の方法により合
成を行ったものである。
ル化合物は前記合成例またはこれと類似の方法により合
成を行ったものである。
【0069】実施例1
χ型無金属フタロシアニン0.45重量部、ブチラール
樹脂(BX−1、積水化学(株)製)0.45重量部を
ジクロルエタン50重量部とともにサンドミルにより分
散させた。得られたフタロシアニン顔料の分散物を厚さ
100μmのアルミ化マイラー上にフィルムアプリケー
ターを用いて、乾燥膜厚が0.3g/m2となるように
塗布した後乾燥し電荷発生層を形成した。この上にジス
チリル化合物(1)40重量部およびポリカーボネート
樹脂(PC−Z、三菱ガス化学(株)製)60重量部を
テトラヒドロフラン(THF)400重量部に溶解した
溶液を、乾燥膜厚が20μmになるように塗布、乾燥さ
せて電荷輸送層を形成して、2層からなる感光層を有す
る感光体を作成した。
樹脂(BX−1、積水化学(株)製)0.45重量部を
ジクロルエタン50重量部とともにサンドミルにより分
散させた。得られたフタロシアニン顔料の分散物を厚さ
100μmのアルミ化マイラー上にフィルムアプリケー
ターを用いて、乾燥膜厚が0.3g/m2となるように
塗布した後乾燥し電荷発生層を形成した。この上にジス
チリル化合物(1)40重量部およびポリカーボネート
樹脂(PC−Z、三菱ガス化学(株)製)60重量部を
テトラヒドロフラン(THF)400重量部に溶解した
溶液を、乾燥膜厚が20μmになるように塗布、乾燥さ
せて電荷輸送層を形成して、2層からなる感光層を有す
る感光体を作成した。
【0070】この感光体を780nmの半導体レーザー
を用いた市販のレーザープリンタ(ミノルタカメラ(株
)製SP−101)に組み込み、印加電圧−6Kvのコ
ロナ放電により帯電させ、初期表面電位V0(v)、表
面電位が初期表面電位の半分に減衰するために必要な露
光量(以下、半減露光量)E1/2(erg/cm2)
、1秒間暗中に放置したときの初期電位の減衰率DDR
1(%)を測定した。結果を表2に示す。
を用いた市販のレーザープリンタ(ミノルタカメラ(株
)製SP−101)に組み込み、印加電圧−6Kvのコ
ロナ放電により帯電させ、初期表面電位V0(v)、表
面電位が初期表面電位の半分に減衰するために必要な露
光量(以下、半減露光量)E1/2(erg/cm2)
、1秒間暗中に放置したときの初期電位の減衰率DDR
1(%)を測定した。結果を表2に示す。
【0071】実施例2〜4
実施例1で用いたジスチリル化合物(1)の代わりにジ
スチリル化合物(3)、(5)、(7)を用いた以外は
実施例1と同様の方法で3種類の積層感光体を作成した
。各々の感光体について実施例1と同様の方法でV0、
E1/2、DDR1を測定し、この結果を表2に示す。
スチリル化合物(3)、(5)、(7)を用いた以外は
実施例1と同様の方法で3種類の積層感光体を作成した
。各々の感光体について実施例1と同様の方法でV0、
E1/2、DDR1を測定し、この結果を表2に示す。
【0072】実施例5
τ型フタロシアニン0.45重量部、ポリビニルブチラ
ール(BH−3、積水化学(株)製)0.9重量部をT
HF100重量部とともにサンドミルにより分散させた
。 得られたフタロシアニン顔料の分散物を厚さ100μm
のアルミ化マイラー上にフィルムアプリケーターを用い
て、乾燥膜厚が0.2g/m2となるように塗布した後
乾燥し電荷発生層を形成した。この上にジスチリル化合
物(23)35重量部およびポリカーボネート樹脂(C
−1400、帝人化成(株)製)65重量部をジクロル
メタン500重量部に溶解した溶液を、乾燥膜厚が25
μmになるように浸漬塗布し、乾燥させて電荷輸送層を
形成して、2層からなる感光層を有する感光体を作成し
た。この感光体について実施例1と同様の方法でV0、
E1/2、DDR1を測定し、結果を表2に示す。
ール(BH−3、積水化学(株)製)0.9重量部をT
HF100重量部とともにサンドミルにより分散させた
。 得られたフタロシアニン顔料の分散物を厚さ100μm
のアルミ化マイラー上にフィルムアプリケーターを用い
て、乾燥膜厚が0.2g/m2となるように塗布した後
乾燥し電荷発生層を形成した。この上にジスチリル化合
物(23)35重量部およびポリカーボネート樹脂(C
−1400、帝人化成(株)製)65重量部をジクロル
メタン500重量部に溶解した溶液を、乾燥膜厚が25
μmになるように浸漬塗布し、乾燥させて電荷輸送層を
形成して、2層からなる感光層を有する感光体を作成し
た。この感光体について実施例1と同様の方法でV0、
E1/2、DDR1を測定し、結果を表2に示す。
【0073】実施例6〜7
実施例5で用いたジスチリル化合物(23)の代わりに
ジスチリル化合物(30)、(37)を用いた以外は実
施例1と同様の方法で3種類の積層感光体を作成した。 各々の感光体について実施例1と同様の方法でV0、E
1/2、DDR1を測定し、この結果を表2に示す。
ジスチリル化合物(30)、(37)を用いた以外は実
施例1と同様の方法で3種類の積層感光体を作成した。 各々の感光体について実施例1と同様の方法でV0、E
1/2、DDR1を測定し、この結果を表2に示す。
【0074】実施例8
η型フタロシアニン0.9重量部、ポリビニルブチラー
ル(XYHL、ユニオンカーバイト(株)製)0.45
重量部をトルエン100重量部とともにサンドミルによ
り分散させた。得られたフタロシアニン顔料の分散物を
厚さ100μmのアルミ化マイラー上にフィルムアプリ
ケーターを用いて、乾燥膜厚が0.15g/m2となる
ように塗布した後乾燥し電荷発生層を形成した。この上
にジスチリル化合物(46)50重量部およびポリアリ
ール樹脂(U−100、ユニチカ(株)製)50重量部
をジクロルメタン500重量部に溶解した溶液を、乾燥
膜厚が23μmになるように塗布、乾燥させて電荷輸送
層を形成して、2層からなる感光層を有する感光体を作
製した。 この感光体について実施例1と同様の方法でV0、E1
/2、DDR1を測定し、結果を表2に示す。
ル(XYHL、ユニオンカーバイト(株)製)0.45
重量部をトルエン100重量部とともにサンドミルによ
り分散させた。得られたフタロシアニン顔料の分散物を
厚さ100μmのアルミ化マイラー上にフィルムアプリ
ケーターを用いて、乾燥膜厚が0.15g/m2となる
ように塗布した後乾燥し電荷発生層を形成した。この上
にジスチリル化合物(46)50重量部およびポリアリ
ール樹脂(U−100、ユニチカ(株)製)50重量部
をジクロルメタン500重量部に溶解した溶液を、乾燥
膜厚が23μmになるように塗布、乾燥させて電荷輸送
層を形成して、2層からなる感光層を有する感光体を作
製した。 この感光体について実施例1と同様の方法でV0、E1
/2、DDR1を測定し、結果を表2に示す。
【0075】比較例1〜6
実施例1で用いたジスチリル化合物(1)の代わりに下
記に示すジスチリル化合物(1−1)、(1−2)、(
1−3)、(1−4)、(1−5)、(1−6)を用い
た以外は実施例1と同様の方法で6種類の積層型感光体
を作製した。また各々の感光体について実施例1と同様
の方法でV0、E1/2、DDR1を測定し、この結果
を表2に示す。
記に示すジスチリル化合物(1−1)、(1−2)、(
1−3)、(1−4)、(1−5)、(1−6)を用い
た以外は実施例1と同様の方法で6種類の積層型感光体
を作製した。また各々の感光体について実施例1と同様
の方法でV0、E1/2、DDR1を測定し、この結果
を表2に示す。
【0076】尚、化合物(1−4)、(1−6)は溶解
性が悪く、感光体作製時に一部結晶が析出した。
性が悪く、感光体作製時に一部結晶が析出した。
【0077】
【化19】
【0078】
【表2】
【0079】
【発明の効果】本発明の積層型感光体においては、電荷
輸送材料として、一般式(1)で表されるジスチリル化
合物と特定の電荷発生材料、χ型、τ型、η型無金属フ
タロシアニンとを組み合わせて構成することにより、特
に長波長領域において高感度である感光体を提供するこ
とができた。
輸送材料として、一般式(1)で表されるジスチリル化
合物と特定の電荷発生材料、χ型、τ型、η型無金属フ
タロシアニンとを組み合わせて構成することにより、特
に長波長領域において高感度である感光体を提供するこ
とができた。
【0080】
Claims (1)
- 【請求項1】導電性支持体上に、電荷発生層と電荷輸送
層とを設けた積層型の感光体においいて、前記電荷発生
層が少なくとも1種のχ型、τ型またはη型の無金属フ
タロシアニン化合物を含有し、前記電荷輸送層が下記一
般式(I)で表されるジスチリル化合物を含有すること
を特徴とする積層型感光体。 【化1】 (式中、Ar1、Ar2はそれぞれ置換基を有してもよ
いアルキル基またはアリール基を示す。Ar3はそれぞ
れ置換基を有してもよいアルキル基、アラルキル基また
はアリール基を示す。R1およびR2はそれぞれ水素原
子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を示
す。R3は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラ
ルキル基、アルケニル基、アルキニル基、チオエーテル
基、置換基を有してもよいアリール基または置換基を有
してもよい複素環基を示す。)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11620191A JP3147406B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 積層型感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11620191A JP3147406B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 積層型感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04344655A true JPH04344655A (ja) | 1992-12-01 |
| JP3147406B2 JP3147406B2 (ja) | 2001-03-19 |
Family
ID=14681343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11620191A Expired - Fee Related JP3147406B2 (ja) | 1991-05-21 | 1991-05-21 | 積層型感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3147406B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0934142A (ja) * | 1995-07-18 | 1997-02-07 | Mitsubishi Chem Corp | 電子写真用感光体 |
| JPH10123733A (ja) * | 1996-10-23 | 1998-05-15 | Mitsubishi Chem Corp | 電子写真感光体 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8263297B2 (en) | 2007-11-28 | 2012-09-11 | Ricoh Company, Ltd. | Electrophotographic photoconductor and electrophotographic apparatus |
-
1991
- 1991-05-21 JP JP11620191A patent/JP3147406B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0934142A (ja) * | 1995-07-18 | 1997-02-07 | Mitsubishi Chem Corp | 電子写真用感光体 |
| JPH10123733A (ja) * | 1996-10-23 | 1998-05-15 | Mitsubishi Chem Corp | 電子写真感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3147406B2 (ja) | 2001-03-19 |
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