JPH03136355A - ヒートシンク付半導体装置 - Google Patents

ヒートシンク付半導体装置

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JPH03136355A
JPH03136355A JP1276833A JP27683389A JPH03136355A JP H03136355 A JPH03136355 A JP H03136355A JP 1276833 A JP1276833 A JP 1276833A JP 27683389 A JP27683389 A JP 27683389A JP H03136355 A JPH03136355 A JP H03136355A
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heat sink
package
resin
semiconductor device
bonded
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Kiyoshi Katsuraoka
桂岡　潔
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はヒートシンク付半導体装置の構造に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のヒートシンク付半導体装置は、第３図に
示すようにパッケージ１３にＩＣチップ１５を・固着し
た後、金属細線１６で配線し、金属キャップ１２とシー
ルリング１７とを抵抗溶接により接着し、金属キャップ
１２上に樹脂１８を介して金属キャ５ツブ１２周辺の接
着部のパッケージ１．３上にヒートシンク１１が取り付
けられ、第３図のヒートシンク付半導体装置のなってい
た。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来のヒートシンク付半導体装置は、ヒートシ
ンクとパッ、ケ）−ジを樹脂を介して取り付ける場合、
高温で・キュアを行ない樹脂を硬化させ、接着を行なう
。
ところがこの際、ヒートシンクの接着面は平になってお
り、ヒートシンクとパッケージの界面は樹脂で密着され
、この状態でキュアを行なうとキャップとヒートシンク
の間が密封されて、この間の圧力は上昇し、流動状態に
ある樹脂を外部へ向かって押し出す様に働く。この圧力
により、接着面の一部に引き下がりと呼ばれる薄くて弱
い接着部が発生したり、または完全に突き破り貫通孔を
形成し、ヒートシンクの接着強度を低下させたり、放熱
効果を低下させ、製品の信頼性に著しい障害を与えると
いう欠点があった。
〔課題を解決するための手段〕
本発明は、パッケージの中央部の半導体素子搭載部にＩ
Ｃチップを有し、外部導出する内部電極が半導体素子搭
載部の周辺に形成され、ＩＣチップと電気的に金属細線
にて接続され、内部電極周辺に側壁を有し、この側壁上
部にＩＣチップを気密封止するためのキャップが接着さ
れており、このキャップを囲むようにパッケージと接着
したヒートシンクを有するヒートシンク付半導体装置に
おいて、ヒートシンクは、ヒートシンクとパッケージに
よって作られる空洞に通じる穴を有することを特徴とす
る。
〔実施例〕 次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の第１の実施例を示しており、第１図（
ａ）はヒートシンクの底面図、第１図（ｂ）はヒートシ
ンク付半導体装置の断面図である。本実施例では、ヒー
トシンク１１の接着面の各辺の中央部に講１９が設けら
れている。この様に一部に溝１９をもつヒートシンク１
１は、パッケージ１３に取付ける際、樹脂１８をキュア
し金属キャップ１２とヒートシンク１１間の圧力か上昇
しても渭１９が通気孔の役割を果たすことにより、密封
されず、引き下がりを抑制することができる。このこと
により、ヒートシンク１１とパッケージ１３を樹脂１８
により接着してもヒートシンクの接着強度及び放熱効果
は低下することかない 第２図は本発明の第２の実施例を示しており、第２図（
ａ＞は、ヒートシンクの底面図、第２図（ｂ）はヒート
シンク付半導体装置の断面図である０本実施例では、ヒ
ートシンク１１の凹部に貫通孔２０を設けであるところ
が第１の実施例と異なっており、他の部分は同じである
。この実施例はヒートシンクの接着面積が第１の実施例
より拡大することができ、放熱効果及びヒートシンクの
接着強度を更に向上させられる利点がある。
〔発明の効果〕
本発明はヒートシンクに溝あるいは貫通孔を設けるとい
う簡単な構成により、ヒートシンクとパッケージを樹脂
を介して接着する時に生じる引き下がり、又は貫通孔の
発生を無くすことができ、ヒートシンクの接着強度及び
放熱効果が改善され、製品の信頼性向上に効果がある。
のヒートシンク付半導体装置の断面図である。
１１・・・ヒートシンク、１２・・・金属キャップ、１
３・・・パッケージ、１４・・・外部リード、１５・・
・ＩＣチップ１．１６・・・金属細線、１７・・・シー
ルリング、１８・・・樹脂、１９・・・溝、２０・・・
貫通孔。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　パッケージの中央部の半導体素子搭載部にＩＣチップ
    を有し、外部導出する内部電極が半導体素子搭載部の周
    辺に形成され、ＩＣチップと電気的に金属細線にて接続
    され、内部電極周辺に側壁を有し、この側壁上部にＩＣ
    チップを気密封止するためのキャップが接着されており
    、このキャップを囲むようにパッケージと接着したヒー
    トシンクを有するヒートシンク付半導体装置において、
    ヒートシンクは、ヒートシンクとパッケージによって作
    られる空洞に通じる穴を有することを特徴とするヒート
    シンク付半導体装置。
JP27683389A 1989-10-23 1989-10-23 ヒ―トシンク付半導体装置 Expired - Lifetime JP2503685B2 (ja)

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