JPH04346436A - バンプ製造方法とバンプ製造装置 - Google Patents
バンプ製造方法とバンプ製造装置Info
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- JPH04346436A JPH04346436A JP3119987A JP11998791A JPH04346436A JP H04346436 A JPH04346436 A JP H04346436A JP 3119987 A JP3119987 A JP 3119987A JP 11998791 A JP11998791 A JP 11998791A JP H04346436 A JPH04346436 A JP H04346436A
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- capillary
- hole
- wedge
- thin metal
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属細線を素材にして
円板状のバンプを基板のバンプ形成領域に形成するバン
プ製造方法及びこのバンプを形成するためのバンプ製造
装置、特に一定の厚さを有するバンプをバンプ形成領域
に形成することのできるバンプ製造方法及びバンプ製造
装置に関する。
円板状のバンプを基板のバンプ形成領域に形成するバン
プ製造方法及びこのバンプを形成するためのバンプ製造
装置、特に一定の厚さを有するバンプをバンプ形成領域
に形成することのできるバンプ製造方法及びバンプ製造
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】次に、従来のバンプ製造方法とバンプ製
造装置について図３を参照しながら説明する。図３は、
従来のバンプ製造方法を説明するための工程順要部側断
面図である。なお、本明細書においては、同一部品、同
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。
造装置について図３を参照しながら説明する。図３は、
従来のバンプ製造方法を説明するための工程順要部側断
面図である。なお、本明細書においては、同一部品、同
一材料等に対しては全図をとおして同じ符号を付与して
ある。
【０００３】従来のバンプ製造方法、すなわち基板のバ
ンプ形成領域、例えば半導体チップ１２の電極１２ａ
に金属接合した円板状のバンプ１１ｂ（同図（ｄ） 参
照） を形成するためには、まず同図（ａ）に示すよう
に半導体チップ１２の方向に前進と後退とを交互に行う
ボンディングアーム（図示せず）に保持されたキャピラ
リ２１の貫通孔２１ａ から繰り出した金属細線、例え
ばシリコン等を若干量含む金（Ａｕ）線１１を水素炎若
しくは火花放電等により溶融し、半導体チップ１２の電
極１２ａ と対向するキャピラリの先端に球状の金属ボ
ール、すなわち金ボール１１ａ を作る（ 同図（ｂ）
参照） 。
ンプ形成領域、例えば半導体チップ１２の電極１２ａ
に金属接合した円板状のバンプ１１ｂ（同図（ｄ） 参
照） を形成するためには、まず同図（ａ）に示すよう
に半導体チップ１２の方向に前進と後退とを交互に行う
ボンディングアーム（図示せず）に保持されたキャピラ
リ２１の貫通孔２１ａ から繰り出した金属細線、例え
ばシリコン等を若干量含む金（Ａｕ）線１１を水素炎若
しくは火花放電等により溶融し、半導体チップ１２の電
極１２ａ と対向するキャピラリの先端に球状の金属ボ
ール、すなわち金ボール１１ａ を作る（ 同図（ｂ）
参照） 。
【０００４】次いで、ボンディングアームを半導体チッ
プ１２の方向に前進させて、ボンディングアームが保持
したキャピラリ２１により金ボール１１ａ を半導体チ
ップ１２の電極１２ａ に押圧すると、この金ボール１
１ａ は電極１２ａ と金属接合するとともに、変形し
て円板状のバンプ１１ｂ となる（ 同図（ｃ） 参照
） 。
プ１２の方向に前進させて、ボンディングアームが保持
したキャピラリ２１により金ボール１１ａ を半導体チ
ップ１２の電極１２ａ に押圧すると、この金ボール１
１ａ は電極１２ａ と金属接合するとともに、変形し
て円板状のバンプ１１ｂ となる（ 同図（ｃ） 参照
） 。
【０００５】そして、この後、バンプ製造装置を構成す
るクランパー（図示せず）により金線１１を固定し、ボ
ンディングアームとともにキャピラリ２１を半導体チッ
プ１２から離隔すると、金ボール１１ａ を形成する際
の熱により強度が低下しているバンプ１１ｂ の付近で
この金線１１が引き千切られて、キャピラリ２１の離隔
方向に線心を一致させた切り株状の残置金線１１ｄ を
有するバンプ１１ｂ が半導体チップ１２の電極１２ａ
上に形成される（ 同図（ｄ） 参照） 。
るクランパー（図示せず）により金線１１を固定し、ボ
ンディングアームとともにキャピラリ２１を半導体チッ
プ１２から離隔すると、金ボール１１ａ を形成する際
の熱により強度が低下しているバンプ１１ｂ の付近で
この金線１１が引き千切られて、キャピラリ２１の離隔
方向に線心を一致させた切り株状の残置金線１１ｄ を
有するバンプ１１ｂ が半導体チップ１２の電極１２ａ
上に形成される（ 同図（ｄ） 参照） 。
【０００６】したがって、かかる一連の作業を繰り返し
て実行すれば、半導体チップ１２の複数の電極１２ａ
上にバンプ１１ｂ を形成できることとなる。
て実行すれば、半導体チップ１２の複数の電極１２ａ
上にバンプ１１ｂ を形成できることとなる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述した従
来のバンプ製造装置を使用し、従来のバンプ製造方法に
より半導体チップ１２の電極１２ａ 上に形成したバン
プ１１ｂ の残置金線１１ｄ の長さＨは、一定してい
なかった。
来のバンプ製造装置を使用し、従来のバンプ製造方法に
より半導体チップ１２の電極１２ａ 上に形成したバン
プ１１ｂ の残置金線１１ｄ の長さＨは、一定してい
なかった。
【０００８】このため、残置金線１１ｄ を半導体チッ
プ１２の電極１２ａ 方向に平打ちし、表面を平坦にし
たバンプ１１ｂ の厚さにむらが発生するという問題が
あった。本発明は、このような問題を解消するためにな
されたものであって、その目的は一定の厚さを有するバ
ンプ１１ｂ を半導体チップ１２の電極１２ａ 上に形
成することのできるバンプ製造方法及びバンプ製造装置
を提供することにある。
プ１２の電極１２ａ 方向に平打ちし、表面を平坦にし
たバンプ１１ｂ の厚さにむらが発生するという問題が
あった。本発明は、このような問題を解消するためにな
されたものであって、その目的は一定の厚さを有するバ
ンプ１１ｂ を半導体チップ１２の電極１２ａ 上に形
成することのできるバンプ製造方法及びバンプ製造装置
を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的の第１の目的
（バンプ製造方法） は、図１に示すようにキャピラリ
２１の先端に抜ける貫通孔２１ａ から繰り出した金属
細線１１を溶融し、貫通孔２１ａ 内を貫通している金
属細線１１と連結した球状の金属ボール１１ａ をキャ
ピラリ２１の先端に形成する溶融工程と、キャピラリ２
１を介して金属ボール１１ａ を基板１２の表面に設け
たバンプ形成領域１２ａ に押圧し、金属ボール１１ａ
を円板状のバンプ１１ｂ に変形してバンプ形成領域
１２ａ に接合する押圧工程と、キャピラリ２１がバン
プ形成領域１２ａ から離隔する際に、キャピラリ２１
の先端とバンプ１１ｂ との間で金属細線１１を引き千
切る切断工程とを含んでなるバンプ製造方法において、
金属細線１１を引き千切る前に、バンプ１１ｂ から一
定距離離れた金属細線１１の外周面に楔状のノッチ１１
ｃ（Ｎｏｔｃｈ；Ｖ溝状の切込み） を入れることを特
徴とするバンプ製造方法により達成される。
（バンプ製造方法） は、図１に示すようにキャピラリ
２１の先端に抜ける貫通孔２１ａ から繰り出した金属
細線１１を溶融し、貫通孔２１ａ 内を貫通している金
属細線１１と連結した球状の金属ボール１１ａ をキャ
ピラリ２１の先端に形成する溶融工程と、キャピラリ２
１を介して金属ボール１１ａ を基板１２の表面に設け
たバンプ形成領域１２ａ に押圧し、金属ボール１１ａ
を円板状のバンプ１１ｂ に変形してバンプ形成領域
１２ａ に接合する押圧工程と、キャピラリ２１がバン
プ形成領域１２ａ から離隔する際に、キャピラリ２１
の先端とバンプ１１ｂ との間で金属細線１１を引き千
切る切断工程とを含んでなるバンプ製造方法において、
金属細線１１を引き千切る前に、バンプ１１ｂ から一
定距離離れた金属細線１１の外周面に楔状のノッチ１１
ｃ（Ｎｏｔｃｈ；Ｖ溝状の切込み） を入れることを特
徴とするバンプ製造方法により達成される。
【００１０】また、前記目的の第２の目的 （バンプ製
造装置） は、図２に示すように基板１２の表面に設け
たバンプ形成領域１２ａ と対面する先端に抜ける貫通
孔３１ａ と側面から貫通孔３１ａ に至る側孔３１ｂ
とを有し、基板１２の方向に前進と後退とを交互に行
うボンディングアーム３２に保持されて貫通孔３１ａ
から金属細線１１を繰り出すキャピラリ３１と、キャピ
ラリ３１の側孔３１ｂ 内に移動自在に配設されて楔状
に尖った先端を貫通孔３１ａ に向けた金属細線１１の
硬度より大きな硬度を有する材料よりなるウェジ３３と
、予め定めたシーケンスにより側孔３１ｂ 内でウェッ
ジ３３の貫通孔３１ａへの接近とこの貫通孔３１ａ か
らの離隔とを交互に行うウェッジ駆動部３４とを含んで
なることを特徴とするバンプ製造装置により達成される
。
造装置） は、図２に示すように基板１２の表面に設け
たバンプ形成領域１２ａ と対面する先端に抜ける貫通
孔３１ａ と側面から貫通孔３１ａ に至る側孔３１ｂ
とを有し、基板１２の方向に前進と後退とを交互に行
うボンディングアーム３２に保持されて貫通孔３１ａ
から金属細線１１を繰り出すキャピラリ３１と、キャピ
ラリ３１の側孔３１ｂ 内に移動自在に配設されて楔状
に尖った先端を貫通孔３１ａ に向けた金属細線１１の
硬度より大きな硬度を有する材料よりなるウェジ３３と
、予め定めたシーケンスにより側孔３１ｂ 内でウェッ
ジ３３の貫通孔３１ａへの接近とこの貫通孔３１ａ か
らの離隔とを交互に行うウェッジ駆動部３４とを含んで
なることを特徴とするバンプ製造装置により達成される
。
【００１１】
【作用】本発明のバンプ製造方法は、図１に示すように
基板表面のバンプ形成領域、例えば半導体チップ１２の
電極１２ａ 上に形成したバンプ１１ｂ に繋がった金
属細線、例えば金線１１を引き千切る前に、バンプ１１
ｂ から所定距離離れた金線１１の外周面にノッチ１１
ｃ を入れるようにしている。
基板表面のバンプ形成領域、例えば半導体チップ１２の
電極１２ａ 上に形成したバンプ１１ｂ に繋がった金
属細線、例えば金線１１を引き千切る前に、バンプ１１
ｂ から所定距離離れた金線１１の外周面にノッチ１１
ｃ を入れるようにしている。
【００１２】したがって、かかるノッチ１１ｃ を外周
面に入れた金線１１を引き千切ると、その切断点はノッ
チ１１ｃ のところになるので、図３で説明した切り株
状の残置金線１１ｄ の長さＨは一定となる。かくして
、このバンプ１１ｂ を平打し、表面が平坦なバンプ１
１ｂ にした際にその厚さは一定となる。
面に入れた金線１１を引き千切ると、その切断点はノッ
チ１１ｃ のところになるので、図３で説明した切り株
状の残置金線１１ｄ の長さＨは一定となる。かくして
、このバンプ１１ｂ を平打し、表面が平坦なバンプ１
１ｂ にした際にその厚さは一定となる。
【００１３】また、本発明のバンプ製造装置は、図２に
示すように楔状に尖った先端を貫通孔３１ａ に向けた
ウェッジ３３をキャピラリ３１の側孔３１ｂ 内で自在
に移動するように構成している。
示すように楔状に尖った先端を貫通孔３１ａ に向けた
ウェッジ３３をキャピラリ３１の側孔３１ｂ 内で自在
に移動するように構成している。
【００１４】したがって、キャピラリ３１の貫通孔３１
ａ から繰り出した金線１１を溶融して形成した金ボー
ル（図示せず）を、このキャピラリ３１の先端で半導体
チップ１２の電極１２ａ に押圧してバンプ１１ｂ を
形成した直後にウェッジ３３を金線１１を貫通させてい
る貫通孔３１ａ 方向に移動すると、このウェッジの楔
状に尖った先端は金線１１の外周面にノッチ１１ｃ を
入れることとなる。
ａ から繰り出した金線１１を溶融して形成した金ボー
ル（図示せず）を、このキャピラリ３１の先端で半導体
チップ１２の電極１２ａ に押圧してバンプ１１ｂ を
形成した直後にウェッジ３３を金線１１を貫通させてい
る貫通孔３１ａ 方向に移動すると、このウェッジの楔
状に尖った先端は金線１１の外周面にノッチ１１ｃ を
入れることとなる。
【００１５】この後、金線１１をクランパー（図示せず
）で固定し、ボンディングアーム３２とともにキャピラ
リ３１を半導体チップ１２から離隔すると金線１１は、
このノッチ１１ｃのところで引き千切られるて、図３で
説明した切り株状の残置金線１１ｄ の長さＨは一定と
なる。かくして、このバンプ１１ｂ を平打し、表面が
平坦なバンプ１１ｂ にした際にその厚さは一定となる
。
）で固定し、ボンディングアーム３２とともにキャピラ
リ３１を半導体チップ１２から離隔すると金線１１は、
このノッチ１１ｃのところで引き千切られるて、図３で
説明した切り株状の残置金線１１ｄ の長さＨは一定と
なる。かくして、このバンプ１１ｂ を平打し、表面が
平坦なバンプ１１ｂ にした際にその厚さは一定となる
。
【００１６】
【実施例】以下、本発明のそれぞれの一実施例について
は図１及び図２を参照しながら説明する。図１は本発明
のバンプ製造方法の一実施例を説明するための図で、同
図（ａ） 〜同図（ｄ） はバンプ製造方法の工程順要
部側断面図、同図（ｅ） はノッチを外周面に入れた金
線の要部拡大側面図である。また図２は本発明のバンプ
製造装置の一実施例を説明するための図であって、同図
（ａ） はバンプ製造装置の要部側断面図、同図（ｂ）
〜同図（ｄ） は金線の外周面にノッチを入れる工程
順要部側断面図である。
は図１及び図２を参照しながら説明する。図１は本発明
のバンプ製造方法の一実施例を説明するための図で、同
図（ａ） 〜同図（ｄ） はバンプ製造方法の工程順要
部側断面図、同図（ｅ） はノッチを外周面に入れた金
線の要部拡大側面図である。また図２は本発明のバンプ
製造装置の一実施例を説明するための図であって、同図
（ａ） はバンプ製造装置の要部側断面図、同図（ｂ）
〜同図（ｄ） は金線の外周面にノッチを入れる工程
順要部側断面図である。
【００１７】本発明のバンプ製造方法の一実施例は、図
３により説明した従来のバンプ製造方法と同様に、まず
、従来のバンプ製造装置のキャピラリ２１の貫通孔２１
ａ から繰り出した金属細線、例えばシリコン等を若干
量含む金線１１を水素炎若しくは火花放電等により溶融
し、半導体チップ１２の電極１２ａ と対向するキャピ
ラリ２１の先端に球状の金属ボール、すなわち金ボール
１１ａ を作る（ 図１の（ａ） 参照） 。
３により説明した従来のバンプ製造方法と同様に、まず
、従来のバンプ製造装置のキャピラリ２１の貫通孔２１
ａ から繰り出した金属細線、例えばシリコン等を若干
量含む金線１１を水素炎若しくは火花放電等により溶融
し、半導体チップ１２の電極１２ａ と対向するキャピ
ラリ２１の先端に球状の金属ボール、すなわち金ボール
１１ａ を作る（ 図１の（ａ） 参照） 。
【００１８】次いで、キャピラリ２１を２００度程度に
加熱された半導体チップ１２の方向に移動し、キャピラ
リ２１の先端で金ボール１１ａ を半導体チップ１２の
電極、例えばアルミニウム膜よりなる電極１２ａ に押
圧すると、この金ボール１１ａ は変形しながら電極１
２ａ と金属接合し、電極１２ａ に確りと被着した円
板状のバンプ１１ｂとなる （図１の（ｂ） 参照）
。
加熱された半導体チップ１２の方向に移動し、キャピラ
リ２１の先端で金ボール１１ａ を半導体チップ１２の
電極、例えばアルミニウム膜よりなる電極１２ａ に押
圧すると、この金ボール１１ａ は変形しながら電極１
２ａ と金属接合し、電極１２ａ に確りと被着した円
板状のバンプ１１ｂとなる （図１の（ｂ） 参照）
。
【００１９】この後、クランパー（図示せず）により金
線１１を固定しない状態で、キャピラリ２１を半導体チ
ップ１２から僅かに離隔してそのまま一時停止させる。 そして、この状態で互いに楔状の先端を水平にして対向
した二つのノッチ形成治具２２をそれぞれ矢印Ａ方向に
移動し、ノッチ形成治具２２の先端で金線１１の外周面
を押圧するとその外周面にはＶ溝状の切込み、すなわち
ノッチ１１ｃ が入ることとなる（ 図１の（ｅ） 参
照） 。
線１１を固定しない状態で、キャピラリ２１を半導体チ
ップ１２から僅かに離隔してそのまま一時停止させる。 そして、この状態で互いに楔状の先端を水平にして対向
した二つのノッチ形成治具２２をそれぞれ矢印Ａ方向に
移動し、ノッチ形成治具２２の先端で金線１１の外周面
を押圧するとその外周面にはＶ溝状の切込み、すなわち
ノッチ１１ｃ が入ることとなる（ 図１の（ｅ） 参
照） 。
【００２０】この後、二つのノッチ形成治具２２を矢印
Ａ’ 方向に移動して元の位置に戻してからクランパー
により金線１１を固定し、キャピラリ２１を更に半導体
チップ１２から離隔すると、金線１１はこのノッチ１１
ｃ から引き千切られることとなり、半導体チップ１２
の電極１２ａ に形成されたバンプ１１ｂ 表面の切り
株状の残置金線１１ｄ の長さは一定となる。かくして
、このバンプ１１ｂ を平打し、表面が平坦なバンプ１
１ｂ にした際にその厚さは一定となる。
Ａ’ 方向に移動して元の位置に戻してからクランパー
により金線１１を固定し、キャピラリ２１を更に半導体
チップ１２から離隔すると、金線１１はこのノッチ１１
ｃ から引き千切られることとなり、半導体チップ１２
の電極１２ａ に形成されたバンプ１１ｂ 表面の切り
株状の残置金線１１ｄ の長さは一定となる。かくして
、このバンプ１１ｂ を平打し、表面が平坦なバンプ１
１ｂ にした際にその厚さは一定となる。
【００２１】次に、図２を参照して説明する本発明のバ
ンプ製造装置の一実施例は、従来のバンプ製造装置をベ
ースにして構成したものである。すなわち、本発明のバ
ンプ製造装置の一実施例は、同図（ａ） に示すように
半導体チップ１２の電極１２ａ と対面する先端に抜け
る貫通孔３１ａ と側面から貫通孔３１ａに至る側孔３
１ｂ とを有し、駆動装置（図示せず）により半導体チ
ップ１２の方向に前進と後退とを交互に行うボンディン
グアーム３２に保持されて貫通孔３１ａ から金線１１
を繰り出すキャピラリ３１と、キャピラリ３１の側孔３
１ｂ 内に移動自在に配設されて楔状に尖った先端を貫
通孔３１ａ に向けた金線１１の硬度より大きな硬度を
有する材料、例えば高保磁力特性を有する鉄系材料より
なり然も磁化されたウェッジ３３と、予め定めたシーケ
ンス、例えばキャピラリ３１の貫通孔３１ａ から繰り
出した金線１１を溶融して形成した金ボール１１ａ を
このキャピラリ３１の先端で半導体チップ１２の電極１
２ａ に押圧してバンプ１１ｂ を形成した直後に側孔
３１ｂ 内でウェッジ３３の貫通孔３１ａ への接近と
この貫通孔３１ａ からの離隔とを交互に行うウェッジ
駆動部３４とを含んで構成したものである。
ンプ製造装置の一実施例は、従来のバンプ製造装置をベ
ースにして構成したものである。すなわち、本発明のバ
ンプ製造装置の一実施例は、同図（ａ） に示すように
半導体チップ１２の電極１２ａ と対面する先端に抜け
る貫通孔３１ａ と側面から貫通孔３１ａに至る側孔３
１ｂ とを有し、駆動装置（図示せず）により半導体チ
ップ１２の方向に前進と後退とを交互に行うボンディン
グアーム３２に保持されて貫通孔３１ａ から金線１１
を繰り出すキャピラリ３１と、キャピラリ３１の側孔３
１ｂ 内に移動自在に配設されて楔状に尖った先端を貫
通孔３１ａ に向けた金線１１の硬度より大きな硬度を
有する材料、例えば高保磁力特性を有する鉄系材料より
なり然も磁化されたウェッジ３３と、予め定めたシーケ
ンス、例えばキャピラリ３１の貫通孔３１ａ から繰り
出した金線１１を溶融して形成した金ボール１１ａ を
このキャピラリ３１の先端で半導体チップ１２の電極１
２ａ に押圧してバンプ１１ｂ を形成した直後に側孔
３１ｂ 内でウェッジ３３の貫通孔３１ａ への接近と
この貫通孔３１ａ からの離隔とを交互に行うウェッジ
駆動部３４とを含んで構成したものである。
【００２２】このウェジ駆動部３４は、電磁石３４ａ
と極性を自在に切り換えできる電源３４ｂ とで構成さ
れている。 そして、この電磁石３４ａ はウェッジ３３を収納した
側孔３１ｂ にこのウェッジ３３より外側に配設されて
いる。したがって、電磁石３４ａ は、電源３４ｂ か
ら供給される直流電流の極性により側孔３１ｂ 内のウ
ェッジ３３を吸引したり反撥したりして、ウェッジ３３
を側孔３１ｂ 内で自在に移動させることとなる。
と極性を自在に切り換えできる電源３４ｂ とで構成さ
れている。 そして、この電磁石３４ａ はウェッジ３３を収納した
側孔３１ｂ にこのウェッジ３３より外側に配設されて
いる。したがって、電磁石３４ａ は、電源３４ｂ か
ら供給される直流電流の極性により側孔３１ｂ 内のウ
ェッジ３３を吸引したり反撥したりして、ウェッジ３３
を側孔３１ｂ 内で自在に移動させることとなる。
【００２３】また、ボンディングアーム３２に固定され
た電源３４ｂは、ボンディングアーム３２の動作やキャ
ピラリ３１の貫通孔３１ａ を貫通している金線１１の
固定と解除とを行うクランパー（図示せず）の動作を集
中的に制御する中央制御部（図示せず）により制御され
て如上の如く予め定めたシーケンスにより極性を変えて
直流電流を電磁石３４ａ に供給する。
た電源３４ｂは、ボンディングアーム３２の動作やキャ
ピラリ３１の貫通孔３１ａ を貫通している金線１１の
固定と解除とを行うクランパー（図示せず）の動作を集
中的に制御する中央制御部（図示せず）により制御され
て如上の如く予め定めたシーケンスにより極性を変えて
直流電流を電磁石３４ａ に供給する。
【００２４】したがって、かかる構成をしたバンプ製造
装置は、キャピラリ３１の先端の金ボール１１ａ が半
導体チップ１２の電極１２ａ上でバンプ１１ｂ にされ
た直後に、電源３４ｂから電磁石３４ａに予め定めた極
性の直流電流を供給すると、この電磁石３４ａ により
反撥されたウェジ３３は貫通孔３１ａ 方向に勢い良く
移動し、その楔状に尖った先端は金線１１の外周面に食
い込むこととなる（同図（ｂ） 及び同図（ｃ） 参照
） 。
装置は、キャピラリ３１の先端の金ボール１１ａ が半
導体チップ１２の電極１２ａ上でバンプ１１ｂ にされ
た直後に、電源３４ｂから電磁石３４ａに予め定めた極
性の直流電流を供給すると、この電磁石３４ａ により
反撥されたウェジ３３は貫通孔３１ａ 方向に勢い良く
移動し、その楔状に尖った先端は金線１１の外周面に食
い込むこととなる（同図（ｂ） 及び同図（ｃ） 参照
） 。
【００２５】この後、電源３４ｂ から電磁石３４ａ
に供給されている直流電流の極性を逆極性にすると、電
磁石３４ａ はウェッジ３３を吸引し、ウェッジ３３の
先端は金線１１の外周面にノッチ１１ｃ を残してこの
金線１１と離隔することとなる（ 同図（ｄ） 参照）
。
に供給されている直流電流の極性を逆極性にすると、電
磁石３４ａ はウェッジ３３を吸引し、ウェッジ３３の
先端は金線１１の外周面にノッチ１１ｃ を残してこの
金線１１と離隔することとなる（ 同図（ｄ） 参照）
。
【００２６】したがって、かかる状態でクランパーによ
り金線１１を固定し、ボンディングアーム３２とともに
キャピラリ３１を半導体チップ１２から離隔する方向に
移動すると、金線１１はこのノッチ１１ｃ のところで
引き千切られて、図３で説明したバンプ１１ｂ表面の切
り株状の残置金線１１ｄ の長さＨは一定となる。
り金線１１を固定し、ボンディングアーム３２とともに
キャピラリ３１を半導体チップ１２から離隔する方向に
移動すると、金線１１はこのノッチ１１ｃ のところで
引き千切られて、図３で説明したバンプ１１ｂ表面の切
り株状の残置金線１１ｄ の長さＨは一定となる。
【００２７】かくして、このバンプ１１ｂ を平打し、
表面が平坦なバンプ１１ｂ にした際にその厚さは一定
となる。
表面が平坦なバンプ１１ｂ にした際にその厚さは一定
となる。
【００２８】
【発明の効果】如上の如く本発明は、一定の厚さを有す
るバンプをバンプ形成領域に形成することのできるバン
プ製造方法及びバンプ製造装置を提供できることとなる
。
るバンプをバンプ形成領域に形成することのできるバン
プ製造方法及びバンプ製造装置を提供できることとなる
。
【図１】は、本発明のバンプ製造方法の一実施例を説明
するための図、
するための図、
【図２】は、本発明のバンプ製造装置の一実施例を説明
するための図、
するための図、
【図３】は、従来のバンプ製造方法を説明するための工
程順要部側断面図である。
程順要部側断面図である。
１１は、金線 （金属細線） 、
１１ａ は、金ボール （金属ボール） 、１１ｂ は
、バンプ、 １１ｃ は、ノッチ、 １１ｄ は、残置金線、 １２は、半導体チップ （基板） 、 １２ａ は、電極 （バンプ形成領域） 、２１と３１
は、キャピラリ、 ２１ａ と３１ａ は、貫通孔、 ３１ｂ は、側孔、 ２２は、ノッチ形成治具、 ３２は、ボンディングアーム、 ３３は、ウェッジ、 ３４は、ウェッジ駆動部、 ３４ａ は、電磁石、 ３４ｂ は、電源をそれぞれ示す。
、バンプ、 １１ｃ は、ノッチ、 １１ｄ は、残置金線、 １２は、半導体チップ （基板） 、 １２ａ は、電極 （バンプ形成領域） 、２１と３１
は、キャピラリ、 ２１ａ と３１ａ は、貫通孔、 ３１ｂ は、側孔、 ２２は、ノッチ形成治具、 ３２は、ボンディングアーム、 ３３は、ウェッジ、 ３４は、ウェッジ駆動部、 ３４ａ は、電磁石、 ３４ｂ は、電源をそれぞれ示す。
Claims (2)
- 【請求項１】 キャピラリ（２１）の先端に抜ける貫
通孔（２１ａ） から繰り出した金属細線（１１）を溶
融し、貫通孔（２１ａ） 内を貫通している金属細線（
１１）と連結した球状の金属ボール（１１ａ） をキャ
ピラリ（２１）の先端に形成する溶融工程と、前記キャ
ピラリ（２１）を介して前記金属ボール（１１ａ） を
基板（１２）の表面に設けたバンプ形成領域（１２ａ）
に押圧し、金属ボール（１１ａ） を円板状のバンプ
（１１ｂ） に変形してバンプ形成領域（１２ａ） に
接合する押圧工程と、前記キャピラリ（２１）が前記バ
ンプ形成領域（１２ａ） から離隔する際に、キャピラ
リ（２１）の先端と前記バンプ（１１ｂ） との間で前
記金属細線（１１）を引き千切る切断工程とを含んでな
るバンプ製造方法において、前記金属細線（１１）を引
き千切る前に、前記バンプ（１１ｂ） から一定距離離
れた金属細線（１１）の外周面にノッチ（１１ｃ） を
入れることを特徴とするバンプ製造方法。 - 【請求項２】 基板（１２）の表面に設けたバンプ形
成領域（１２ａ） と対面する先端に抜ける貫通孔（３
１ａ） と、側面から貫通孔（３１ａ） に至る側孔（
３１ｂ） とを有し、基板（１２）の方向に前進と後退
とを交互に行うボンディングアーム（３２）に保持され
て前記貫通孔（３１ａ） から金属細線（１１）を繰り
出すキャピラリ（３１）と、前記キャピラリ（３１）の
側孔（３１ｂ） 内に移動自在に配設されて楔状に尖っ
た先端を前記貫通孔（３１ａ） に向けた前記金属細線
（１１）の硬度より大きな硬度を有する材料よりなるウ
ェッジ（３３）と、予め定めたシーケンスにより前記側
孔（３１ｂ） 内で前記ウェッジ（３３）の前記貫通孔
（３１ａ） への接近と当該貫通孔（３１ａ） からの
離隔とを交互に行うウェッジ駆動部（３４）とを含んで
なることを特徴とするバンプ製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3119987A JPH04346436A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | バンプ製造方法とバンプ製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3119987A JPH04346436A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | バンプ製造方法とバンプ製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04346436A true JPH04346436A (ja) | 1992-12-02 |
Family
ID=14775106
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3119987A Withdrawn JPH04346436A (ja) | 1991-05-24 | 1991-05-24 | バンプ製造方法とバンプ製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPH04346436A (ja) |
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- 1991-05-24 JP JP3119987A patent/JPH04346436A/ja not_active Withdrawn
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19980806 |