JPH0434736U - - Google Patents

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JPH0434736U
JPH0434736U JP7638090U JP7638090U JPH0434736U JP H0434736 U JPH0434736 U JP H0434736U JP 7638090 U JP7638090 U JP 7638090U JP 7638090 U JP7638090 U JP 7638090U JP H0434736 U JPH0434736 U JP H0434736U
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vertical
vertical mos
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Description

【図面の簡単な説明】
第１図は本考案の一実施例のウエハ状態の平面
図、第２図はチエツク用チツプの断面図、第３図
はリーチスルー電圧とベース間距離との関係を示
す図、第４図は本考案の他の実施例のチエツク用
チツプの断面図、第５図は縦型ＭＯＳトランジス
タの断面図、第６図は縦型ＭＯＳトランジスタの
抵抗成分を示す図、第７図はオン抵抗とベース間
距離を示す図である。 １……Ｎ＋型基板、２……Ｎ型領域、３，３Ａ
……Ｐ型領域、４，４Ａ……Ｎ＋型領域、５……
ゲート電極、６……ゲート酸化膜、７……絶縁膜
、８……ソース電極、９……ドレイン電極。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 １ 半導体ウエハに多数個の縦型ＭＯＳトランジ
    スタチツプとともにチエツク用チツプを形成し、
    このチエツク用チツプは縦型ＭＯＳトランジスタ
    を構成する不純物領域と同時に形成した不純物領
    域を有し、かつこの不純物領域には試験用プロー
    ブを接触させて通電可能に構成したことを特徴と
    する半導体装置。 ２ チエツク用チツプの不純物領域は、縦型ＭＯ
    Ｓトランジスタのベース領域と同時に、またはソ
    ース領域と同時に形成した不純物領域である実用
    新案登録請求の範囲第１項記載の半導体装置。
JP1990076380U 1990-07-18 1990-07-18 半導体装置 Expired - Lifetime JP2530722Y2 (ja)

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JPH0434736U true JPH0434736U (ja) 1992-03-23
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107045995A (zh) * 2016-02-09 2017-08-15 富士电机株式会社 评价方法以及半导体装置的制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4998982A (ja) * 1972-12-29 1974-09-19
JPS59194444A (ja) * 1983-04-19 1984-11-05 Toshiba Corp モニタ−用半導体装置およびモニタ−方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4998982A (ja) * 1972-12-29 1974-09-19
JPS59194444A (ja) * 1983-04-19 1984-11-05 Toshiba Corp モニタ−用半導体装置およびモニタ−方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107045995A (zh) * 2016-02-09 2017-08-15 富士电机株式会社 评价方法以及半导体装置的制造方法
US10553505B2 (en) 2016-02-09 2020-02-04 Fuji Electric Co., Ltd. Assessment method, and semiconductor device manufacturing method
CN107045995B (zh) * 2016-02-09 2023-02-17 富士电机株式会社 评价方法以及半导体装置的制造方法

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Publication number Publication date
JP2530722Y2 (ja) 1997-03-26

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