JPH04348909A - 半導体ウェハの加工方法 - Google Patents
半導体ウェハの加工方法Info
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- JPH04348909A JPH04348909A JP2904491A JP2904491A JPH04348909A JP H04348909 A JPH04348909 A JP H04348909A JP 2904491 A JP2904491 A JP 2904491A JP 2904491 A JP2904491 A JP 2904491A JP H04348909 A JPH04348909 A JP H04348909A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die
- workpiece
- semiconductor wafer
- processing
- cutter
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- Granted
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェハーの加工方
法に係わり、特には、半導体ウェハーを加工するのに結
晶構造を利用する加工方法の改良に関する。
法に係わり、特には、半導体ウェハーを加工するのに結
晶構造を利用する加工方法の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図８、図９に示すように研削方法
によって加工している。例えば、テーブル２０にワーク
（シリコンウェハ）２１を図示しない固定具で固定し、
ガイドフランジ２２で保持されたブレード（砥石）２３
がスピンドル２４で回転された状態でブレード２３によ
りワーク２１に切り込みを与え、テーブル２０によりあ
る送り速度を与えて、ワーク２１を図１０の被加工物の
ように約０．３ｍｍ角の大きさに研削加工している。
によって加工している。例えば、テーブル２０にワーク
（シリコンウェハ）２１を図示しない固定具で固定し、
ガイドフランジ２２で保持されたブレード（砥石）２３
がスピンドル２４で回転された状態でブレード２３によ
りワーク２１に切り込みを与え、テーブル２０によりあ
る送り速度を与えて、ワーク２１を図１０の被加工物の
ように約０．３ｍｍ角の大きさに研削加工している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体ウェハーの加工方法では、図５の２点鎖線に
示すように被加工物の結晶構造の劈開面角度と違った面
、すなわち六方最密構造あるいは、面心立方構造等の面
心立方（１１１）面を四角に切断（研削）するために、
研削面に第９図のように必ずチッピングが生ずる。 また、研削砥石と被加工物との加工が研削加工のために
砥石が被加工物を打撃の状態で切断するのでチッピング
を生ずる要因ともなっている。
来の半導体ウェハーの加工方法では、図５の２点鎖線に
示すように被加工物の結晶構造の劈開面角度と違った面
、すなわち六方最密構造あるいは、面心立方構造等の面
心立方（１１１）面を四角に切断（研削）するために、
研削面に第９図のように必ずチッピングが生ずる。 また、研削砥石と被加工物との加工が研削加工のために
砥石が被加工物を打撃の状態で切断するのでチッピング
を生ずる要因ともなっている。
【０００４】このチッピングにより被加工物が加工後に
不良品となるばかりでなく、半導体の製品になった後に
も使用中に振動などによりチッピング部から欠けて漏電
する等の問題がある。
不良品となるばかりでなく、半導体の製品になった後に
も使用中に振動などによりチッピング部から欠けて漏電
する等の問題がある。
【０００５】本発明は上記従来の問題点に着目し、半導
体ウェハーの加工方法に係わり、特には、半導体ウェハ
ーを加工するのに結晶構造を利用する加工方法の提供を
目的としている。
体ウェハーの加工方法に係わり、特には、半導体ウェハ
ーを加工するのに結晶構造を利用する加工方法の提供を
目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
には、本発明に係わる発明では面心立方構造を有する半
導体ウェハーの加工方法において、半導体ウェハーの結
晶構造の劈開面角度に沿って半導体ウェハーを打ち抜く
加工である。
には、本発明に係わる発明では面心立方構造を有する半
導体ウェハーの加工方法において、半導体ウェハーの結
晶構造の劈開面角度に沿って半導体ウェハーを打ち抜く
加工である。
【０００７】
【作用】上記構成によれば、パンチ、ダイを用いて結晶
構造の劈開面の角度に合わせて打ち抜き加工を行うため
に、チッピング量が低減されるとともに加工精度が向上
する。また、加工方法が打ち抜きとなるため、加工工数
が削減でき原価を低減することができる。
構造の劈開面の角度に合わせて打ち抜き加工を行うため
に、チッピング量が低減されるとともに加工精度が向上
する。また、加工方法が打ち抜きとなるため、加工工数
が削減でき原価を低減することができる。
【０００８】
【実施例】以下に、本発明に係わる半導体ウェハーの加
工方法の実施例につき、図面を参照して詳細に説明する
。図１は本発明の打ち抜き治具の１実施例の全体構成図
である。図１において、ワーク（半導体ウェハ）１は、
ダイ２の上にワーク１の面心立方構造の一辺と平行な一
端を合わせて、ダイ２に配設された位置決め治具に合わ
せて固定される。ダイ２の上方には、打ち抜き形状に構
成されたカッタ刃３を有するパンチ４が配設され、図示
しないアクチュエータ等の駆動装置により、ベース５に
固設された主柱６に沿って上下方向に駆動される。 ダイ２の下方にはダイ２を保持するダイ支え７がベース
５に固設されている。ダイ２およびダイ支え７には、打
ち抜いたワーク１を下方に落とすための中空の穴が設け
られている。
工方法の実施例につき、図面を参照して詳細に説明する
。図１は本発明の打ち抜き治具の１実施例の全体構成図
である。図１において、ワーク（半導体ウェハ）１は、
ダイ２の上にワーク１の面心立方構造の一辺と平行な一
端を合わせて、ダイ２に配設された位置決め治具に合わ
せて固定される。ダイ２の上方には、打ち抜き形状に構
成されたカッタ刃３を有するパンチ４が配設され、図示
しないアクチュエータ等の駆動装置により、ベース５に
固設された主柱６に沿って上下方向に駆動される。 ダイ２の下方にはダイ２を保持するダイ支え７がベース
５に固設されている。ダイ２およびダイ支え７には、打
ち抜いたワーク１を下方に落とすための中空の穴が設け
られている。
【０００９】図２はダイ２の一例を示し、打ち抜き形状
、寸法にあわせたカッタ穴８が多数形成されている。 また、ダイ２のカッタ穴８の一辺、例えば図２では六角
形の一辺Ａはダイ２に配設された位置決め治具２ａと平
行に配設されている。
、寸法にあわせたカッタ穴８が多数形成されている。 また、ダイ２のカッタ穴８の一辺、例えば図２では六角
形の一辺Ａはダイ２に配設された位置決め治具２ａと平
行に配設されている。
【００１０】図３はパンチ４の一例を示し、打ち抜き形
状、寸法にあわせたカッタ９が多数配設されている。カ
ッタ９の一辺９ａはダイ２に配設された位置決め治具２
ａと平行になるように図示しない位置決め治具により、
パンチ押さえ４ａに固設される。また、ワーク１には図
４、図５に示すようにその結晶構造（１１１面心立方構
造）の粒子に沿って平行に一端１ａが切断されている。
状、寸法にあわせたカッタ９が多数配設されている。カ
ッタ９の一辺９ａはダイ２に配設された位置決め治具２
ａと平行になるように図示しない位置決め治具により、
パンチ押さえ４ａに固設される。また、ワーク１には図
４、図５に示すようにその結晶構造（１１１面心立方構
造）の粒子に沿って平行に一端１ａが切断されている。
【００１１】図２、図３に示すカッタ穴８、カッタ９の
形状は、図５に示すようにワーク１が例えばシリコンの
場合にはその結晶構造（１１１面心立方構造）から劈開
面の角度（Θ）に合わせた正六角形となるように、ワー
ク１の結晶構造に合わせて形成されている。
形状は、図５に示すようにワーク１が例えばシリコンの
場合にはその結晶構造（１１１面心立方構造）から劈開
面の角度（Θ）に合わせた正六角形となるように、ワー
ク１の結晶構造に合わせて形成されている。
【００１２】図６は図１の一部拡大図であり、ダイ２に
はカッタ穴８が設けられ、また、ダイ２の位置決め治具
２ａに合わせてワーク１がダイ２の中に挿入されている
。パンチ４にはワーク１の厚さより高いカッタ３が設け
られており、図示しないアクチュエータ等の駆動装置に
より下降してワーク１を打ち抜いて中空穴に落としてい
る。
はカッタ穴８が設けられ、また、ダイ２の位置決め治具
２ａに合わせてワーク１がダイ２の中に挿入されている
。パンチ４にはワーク１の厚さより高いカッタ３が設け
られており、図示しないアクチュエータ等の駆動装置に
より下降してワーク１を打ち抜いて中空穴に落としてい
る。
【００１３】図７はワーク１の結晶構造とカッタ３およ
びダイ２の関係を示し、黒部Ｍはカッタ９（オス）とダ
イ２のカッタ穴８（メス）を示し、白部Ｎはダイ２のカ
ッタ穴８部の残部の一例を示す。
びダイ２の関係を示し、黒部Ｍはカッタ９（オス）とダ
イ２のカッタ穴８（メス）を示し、白部Ｎはダイ２のカ
ッタ穴８部の残部の一例を示す。
【００１４】上記構成において、次に作動を説明する。
図４に示すワーク１（例えば、シリコンウェハーの場合
には、現在では６インチ径、厚さ３００から９００ミク
ロンミリメートルの製品に合わせたシリコンウェハー）
の面心立方構造の一辺と平行な一端１ａをダイ２の位置
決め治具２ａに合わせてダイ２の中に挿入し固定させる
。次に、ダイ２の位置決め治具２ａと平行になる用に固
定されたパンチ４を駆動装置により下方に押し下げてワ
ーク１を打ち抜く。打ち抜かれたワーク１はカッタ穴８
より中空穴に落ちる。これにより、ワーク１は劈開面に
沿った形状の多数の被加工物１ａが得られる。
には、現在では６インチ径、厚さ３００から９００ミク
ロンミリメートルの製品に合わせたシリコンウェハー）
の面心立方構造の一辺と平行な一端１ａをダイ２の位置
決め治具２ａに合わせてダイ２の中に挿入し固定させる
。次に、ダイ２の位置決め治具２ａと平行になる用に固
定されたパンチ４を駆動装置により下方に押し下げてワ
ーク１を打ち抜く。打ち抜かれたワーク１はカッタ穴８
より中空穴に落ちる。これにより、ワーク１は劈開面に
沿った形状の多数の被加工物１ａが得られる。
【００１５】上記実施例では六角形で説明したが、形状
は六角形に囚われることなく他の形状でも良い。また、
大きさ、厚さも上記寸法に囚われることはなくこれ以上
、以下でも良い。さらに、上記実施例では、ダイ２に位
置決め治具を配設したが、ワーク１の挿入および固定が
ワーク１の粒子が一定に配設される場合には省略しても
良い。
は六角形に囚われることなく他の形状でも良い。また、
大きさ、厚さも上記寸法に囚われることはなくこれ以上
、以下でも良い。さらに、上記実施例では、ダイ２に位
置決め治具を配設したが、ワーク１の挿入および固定が
ワーク１の粒子が一定に配設される場合には省略しても
良い。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パンチ、ダイを用いて結晶構造の劈開面の角度に合わせ
て打ち抜き加工を行うために、チッピング量が低減され
るとともに加工精度が向上する。加工精度は従来ではダ
イジング（研削）加工のためにチッピング量が１５ミク
ロンミリメータ以上発生しているのに対して、本案の劈
開面の切断精度は原子レベル（１０オングストローム）
となり、約千倍から一万倍の精度の向上が図られる。ま
た、加工方法が打ち抜きとなるため、加工工数が削減で
き原価が低減されるとともに半導体の製品になった後に
も使用中に振動などによりチッピング部から欠けて漏電
することがなくなるという優れた効果が得られる。
パンチ、ダイを用いて結晶構造の劈開面の角度に合わせ
て打ち抜き加工を行うために、チッピング量が低減され
るとともに加工精度が向上する。加工精度は従来ではダ
イジング（研削）加工のためにチッピング量が１５ミク
ロンミリメータ以上発生しているのに対して、本案の劈
開面の切断精度は原子レベル（１０オングストローム）
となり、約千倍から一万倍の精度の向上が図られる。ま
た、加工方法が打ち抜きとなるため、加工工数が削減で
き原価が低減されるとともに半導体の製品になった後に
も使用中に振動などによりチッピング部から欠けて漏電
することがなくなるという優れた効果が得られる。
【図１】本発明の打ち抜き治具の１実施例の全体構成図
。
。
【図２】ダイの一例を示す図。
【図３】パンチの一例を示す図。
【図４】ワークの一例を示す図。
【図５】図４に示すワークの一部の拡大図。
【図６】図１の一部拡大図。
【図７】ワークおよびダイとパンチの関係を説明する図
。
。
【図８】従来の研削加工を示す側面図。
【図９】従来の研削加工を示す平面図。
【図１０】従来の被加工物を示す図。
１ ワーク（半導体ウェハ）
２ ダイ
３ カツタ刃
４ パンチ
５ ベース
６ 主柱
７ ダイ支え
９ カッタ
Claims (1)
- 【請求項１】 面心立方構造を有する半導体ウェハー
の加工方法において、半導体ウェハーの結晶構造の劈開
面角度に沿って半導体ウェハーを打ち抜くことを特徴と
する半導体ウェハーの加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03029044A JP3077910B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 半導体ウェハの加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03029044A JP3077910B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 半導体ウェハの加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04348909A true JPH04348909A (ja) | 1992-12-03 |
| JP3077910B2 JP3077910B2 (ja) | 2000-08-21 |
Family
ID=12265395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03029044A Expired - Lifetime JP3077910B2 (ja) | 1991-01-31 | 1991-01-31 | 半導体ウェハの加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3077910B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994005476A1 (fr) * | 1992-08-31 | 1994-03-17 | New Man International Co., Ltd. | Procede et machine permettant de couper la pierre |
| EP0744796A1 (en) * | 1995-05-22 | 1996-11-27 | ALCATEL ITALIA S.p.A. | Method and device for carrying out the cleavage in ultra-high-vacuum environment of portions of a processed semiconductor wafer |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6053906B1 (ja) * | 2015-12-14 | 2016-12-27 | 株式会社Ｌｏｕｖｒｅｄｏ | ヘアドライヤー |
-
1991
- 1991-01-31 JP JP03029044A patent/JP3077910B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994005476A1 (fr) * | 1992-08-31 | 1994-03-17 | New Man International Co., Ltd. | Procede et machine permettant de couper la pierre |
| EP0744796A1 (en) * | 1995-05-22 | 1996-11-27 | ALCATEL ITALIA S.p.A. | Method and device for carrying out the cleavage in ultra-high-vacuum environment of portions of a processed semiconductor wafer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3077910B2 (ja) | 2000-08-21 |
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