JPH04349176A - 窒化珪素・サイアロン系セラミックスと金属との接合方法 - Google Patents
窒化珪素・サイアロン系セラミックスと金属との接合方法Info
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- JPH04349176A JPH04349176A JP40143290A JP40143290A JPH04349176A JP H04349176 A JPH04349176 A JP H04349176A JP 40143290 A JP40143290 A JP 40143290A JP 40143290 A JP40143290 A JP 40143290A JP H04349176 A JPH04349176 A JP H04349176A
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- Japan
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- metal
- ceramics
- silicon nitride
- ceramic
- bonding
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- Ceramic Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、窒化珪素・サイアロン
系セラミックスと金属との接合体の製造方法に関する。
系セラミックスと金属との接合体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】セラミックスは、金属に比べすぐれた耐
熱性・耐摩耗性・耐蝕性を有するが、低靭性・難加工性
という欠点も有する。このため、セラミックス単独で使
用されることは少なく、耐熱性・耐摩耗性・耐蝕性など
の必要特性を要求される部分にのみセラミックスを使用
し、靭性・加工性を要求される部分は金属とする、セラ
ミックス−金属接合体の形で使用されることがほとんど
である。セラミックス−金属接合体は、一般に拡散接合
法またはろう付け法により製造されるが、セラミックス
は金属との反応性に乏しいため、直接接合することは一
般に困難である。このため、セラミックスとの反応性に
富むチタン等の活性金属を添加した銀−銅−チタン系、
銅−チタン系等の母材金属より融点の低い合金をセラミ
ックス表面に液相または固相拡散で被覆し、セラミック
スとの密着性にすぐれたメタライズ層を形成し、該メタ
ライズ層を介してセラミックスと金属とを接合するか、
または活性金属層をセラミックスと金属との中間に挿入
し、セラミックスと金属とを接合する、活性金属法とよ
ばれる、セラミックス−金属接合体の製造方法が実用化
されている。
熱性・耐摩耗性・耐蝕性を有するが、低靭性・難加工性
という欠点も有する。このため、セラミックス単独で使
用されることは少なく、耐熱性・耐摩耗性・耐蝕性など
の必要特性を要求される部分にのみセラミックスを使用
し、靭性・加工性を要求される部分は金属とする、セラ
ミックス−金属接合体の形で使用されることがほとんど
である。セラミックス−金属接合体は、一般に拡散接合
法またはろう付け法により製造されるが、セラミックス
は金属との反応性に乏しいため、直接接合することは一
般に困難である。このため、セラミックスとの反応性に
富むチタン等の活性金属を添加した銀−銅−チタン系、
銅−チタン系等の母材金属より融点の低い合金をセラミ
ックス表面に液相または固相拡散で被覆し、セラミック
スとの密着性にすぐれたメタライズ層を形成し、該メタ
ライズ層を介してセラミックスと金属とを接合するか、
または活性金属層をセラミックスと金属との中間に挿入
し、セラミックスと金属とを接合する、活性金属法とよ
ばれる、セラミックス−金属接合体の製造方法が実用化
されている。
【0003】セラミックスは、アルミナ系、ジルコニア
系、炭化珪素系、窒化珪素・サイアロン系に大別される
が、耐熱性・耐摩耗性・耐蝕性を要求される構造部材と
して使用されるのは、高温強さおよび破壊靭性にすぐれ
た窒化珪素・サイアロン系であることが多い。窒化珪素
・サイアロン系は、すぐれた特性を有しているが、金属
との反応性に乏しく酸化物系セラミックスに比べ、金属
との接合はより困難である。活性金属法は、窒化珪素・
サイアロン系でも金属と強固に接合できるすぐれた方法
であるが、活性金属層の融点が母材金属より低いため、
高温では接合体の接合強さは活性金属層自体の高温強さ
に支配されるようになる。
系、炭化珪素系、窒化珪素・サイアロン系に大別される
が、耐熱性・耐摩耗性・耐蝕性を要求される構造部材と
して使用されるのは、高温強さおよび破壊靭性にすぐれ
た窒化珪素・サイアロン系であることが多い。窒化珪素
・サイアロン系は、すぐれた特性を有しているが、金属
との反応性に乏しく酸化物系セラミックスに比べ、金属
との接合はより困難である。活性金属法は、窒化珪素・
サイアロン系でも金属と強固に接合できるすぐれた方法
であるが、活性金属層の融点が母材金属より低いため、
高温では接合体の接合強さは活性金属層自体の高温強さ
に支配されるようになる。
【0004】耐熱性を向上させるためには、より融点の
高い活性金属を用いればよいが、液相または固相拡散で
接合するためには、活性金属の融点または固相拡散温度
以上の高温での接合が必要となる。より高温でのセラミ
ックスと金属との接合は、両者の熱膨張係数差により生
じる接合後の冷却時に発生するセラミックスの内部残留
応力を大きくし、セラミックスに亀裂や割れが発生する
可能性が大きくなり、セラミックスと金属との中間に軟
質金属等の中間層を挿入したとしても、セラミックスの
残留応力を十分に緩和することはできなくなり、実用上
は限界がある。特に、窒化珪素・サイアロン系では熱膨
張係数が3〜4×10−6/℃と、アルミナ系の8×1
0−6/℃の半分以下であり、健全な接合体の製作はよ
り一層困難となる。このため、活性金属法によるセラミ
ックス−金属接合体の耐熱性は、耐熱性を室温での強さ
を保ち得る温度と定義すると、銀−銅−チタン系では3
00℃、銅−チタン系では600℃程度である。
高い活性金属を用いればよいが、液相または固相拡散で
接合するためには、活性金属の融点または固相拡散温度
以上の高温での接合が必要となる。より高温でのセラミ
ックスと金属との接合は、両者の熱膨張係数差により生
じる接合後の冷却時に発生するセラミックスの内部残留
応力を大きくし、セラミックスに亀裂や割れが発生する
可能性が大きくなり、セラミックスと金属との中間に軟
質金属等の中間層を挿入したとしても、セラミックスの
残留応力を十分に緩和することはできなくなり、実用上
は限界がある。特に、窒化珪素・サイアロン系では熱膨
張係数が3〜4×10−6/℃と、アルミナ系の8×1
0−6/℃の半分以下であり、健全な接合体の製作はよ
り一層困難となる。このため、活性金属法によるセラミ
ックス−金属接合体の耐熱性は、耐熱性を室温での強さ
を保ち得る温度と定義すると、銀−銅−チタン系では3
00℃、銅−チタン系では600℃程度である。
【0005】活性金属法以外の接合法は種々提案されて
いるが、活性金属法と同等またはそれ以下の接合温度で
接合強さが大きくかつ耐熱性も有する接合法はまだ実用
化されていない。銀−銅−チタン系、銅−チタン等の活
性金属より融点の高い金属を、蒸着等によりセラミック
ス表面に被覆する方法も研究されているが、セラミック
スとの反応が十分でないため、十分な接合強さは得られ
ていない。セラミックス−金属接合技術において、強固
なメタライズ層を形成させる方法として、特開平02−
145485号公報では、窒化アルミニウムの表面にチ
タンを蒸着しながら窒素イオンを注入し、ホットプレス
により窒化アルミニウム−モリブデン接合体を製作する
方法を提案し、特開平02−145486号公報では、
アルミナの表面にニオブを蒸着しながら不活性ガスイオ
ンを注入し、ホットプレスによりアルミナ−ニオブ接合
体を製作する方法を提案している。
いるが、活性金属法と同等またはそれ以下の接合温度で
接合強さが大きくかつ耐熱性も有する接合法はまだ実用
化されていない。銀−銅−チタン系、銅−チタン等の活
性金属より融点の高い金属を、蒸着等によりセラミック
ス表面に被覆する方法も研究されているが、セラミック
スとの反応が十分でないため、十分な接合強さは得られ
ていない。セラミックス−金属接合技術において、強固
なメタライズ層を形成させる方法として、特開平02−
145485号公報では、窒化アルミニウムの表面にチ
タンを蒸着しながら窒素イオンを注入し、ホットプレス
により窒化アルミニウム−モリブデン接合体を製作する
方法を提案し、特開平02−145486号公報では、
アルミナの表面にニオブを蒸着しながら不活性ガスイオ
ンを注入し、ホットプレスによりアルミナ−ニオブ接合
体を製作する方法を提案している。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】特開平02−1454
85号公報および特開平02−145486号公報は、
主に電磁気材料として使用される窒化アルミニウムおよ
びアルミナのメタライズ方法に関するものであり、構造
部材としてのセラミックス、特に窒化珪素・サイアロン
系セラミックスと金属との耐熱接合技術に関する知見を
提供するものではない。
85号公報および特開平02−145486号公報は、
主に電磁気材料として使用される窒化アルミニウムおよ
びアルミナのメタライズ方法に関するものであり、構造
部材としてのセラミックス、特に窒化珪素・サイアロン
系セラミックスと金属との耐熱接合技術に関する知見を
提供するものではない。
【0007】本発明者等は、構造部材としては最も耐熱
性・耐摩耗性・耐蝕性にすぐれている窒化珪素・サイア
ロン系を対象に、融点の高い金属をセラミックス表面に
強固に密着させるメタライズ方法および該メタライズ層
を介してセラミックスと金属とを接合し、常温から接合
温度に近い高温まで接合強さが低下しないセラミックス
−金属接合体を製造する技術を開発するため、広範な研
究をおこない、従来技術では不可能であった常温から接
合温度に近い高温まで接合強さが低下しない、セラミッ
クスと金属との接合方法を発明した。
性・耐摩耗性・耐蝕性にすぐれている窒化珪素・サイア
ロン系を対象に、融点の高い金属をセラミックス表面に
強固に密着させるメタライズ方法および該メタライズ層
を介してセラミックスと金属とを接合し、常温から接合
温度に近い高温まで接合強さが低下しないセラミックス
−金属接合体を製造する技術を開発するため、広範な研
究をおこない、従来技術では不可能であった常温から接
合温度に近い高温まで接合強さが低下しない、セラミッ
クスと金属との接合方法を発明した。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、窒化珪素・サ
イアロン系セラミックスと金属との接合体において、活
性金属法と同等または以下の温度での接合が可能であり
、かつ常温から接合温度に近い高温まで接合強さが低下
しないセラミックス−金属接合体を製造することを目的
としてなされたものであり、窒化珪素・サイアロン系セ
ラミックスの表面に、金属を蒸着しながら不活性ガスイ
オンを注入することによりメタライズ層を形成し、該メ
タライズ層を介してセラミックスと金属とを接合するこ
とを特徴とする窒化珪素・サイアロン系セラミックスと
金属との接合方法であり、上記蒸着金属としてチタン、
ジルコニウム、ハフニウム、ニッケルを用いることがで
きる。
イアロン系セラミックスと金属との接合体において、活
性金属法と同等または以下の温度での接合が可能であり
、かつ常温から接合温度に近い高温まで接合強さが低下
しないセラミックス−金属接合体を製造することを目的
としてなされたものであり、窒化珪素・サイアロン系セ
ラミックスの表面に、金属を蒸着しながら不活性ガスイ
オンを注入することによりメタライズ層を形成し、該メ
タライズ層を介してセラミックスと金属とを接合するこ
とを特徴とする窒化珪素・サイアロン系セラミックスと
金属との接合方法であり、上記蒸着金属としてチタン、
ジルコニウム、ハフニウム、ニッケルを用いることがで
きる。
【0009】
【作用】本発明によるセラミックス−金属接合体を図1
に示す。図1(a)は、窒化珪素・サイアロン系セラミ
ックス1の表面にチタン、ジルコニウム、ハフニウム、
ニッケルのいずれかを蒸着しながら不活性ガスイオンを
注入する、いわゆるイオンビームミキシング処理をほど
こすことにより、セラミックスと密着力の大きいメタラ
イズ層3を形成させ、該メタライズ層を介してセラミッ
クスと金属2とを拡散接合して製造したセラミックス−
金属接合体である。図1(b)は、図1(a)の接合体
において、セラミックスの内部残留応力を緩和するため
に、中間層4をセラミックスと金属との中間に挿入し拡
散接合して製造したセラミックス−金属接合体である。
に示す。図1(a)は、窒化珪素・サイアロン系セラミ
ックス1の表面にチタン、ジルコニウム、ハフニウム、
ニッケルのいずれかを蒸着しながら不活性ガスイオンを
注入する、いわゆるイオンビームミキシング処理をほど
こすことにより、セラミックスと密着力の大きいメタラ
イズ層3を形成させ、該メタライズ層を介してセラミッ
クスと金属2とを拡散接合して製造したセラミックス−
金属接合体である。図1(b)は、図1(a)の接合体
において、セラミックスの内部残留応力を緩和するため
に、中間層4をセラミックスと金属との中間に挿入し拡
散接合して製造したセラミックス−金属接合体である。
【0010】本発明によるセラミックス−金属接合体は
、拡散接合法による製造方法について主として研究して
いるが、ろう材層を、図1(a)においては、メタライ
ズ層と金属との中間、図1(b)においては、メタライ
ズ層と中間層、および中間層と金属との中間に挿入すれ
ば、ろう付け法により接合体を製造することは可能であ
る。また、図1(b)において、残留応力を緩和するた
めに挿入する中間層は、単層のみならず複数層としたり
、メッシュ状とするなど、接合体の使用条件に応じた最
適な残留応力緩和法と組み合わせることができる。
、拡散接合法による製造方法について主として研究して
いるが、ろう材層を、図1(a)においては、メタライ
ズ層と金属との中間、図1(b)においては、メタライ
ズ層と中間層、および中間層と金属との中間に挿入すれ
ば、ろう付け法により接合体を製造することは可能であ
る。また、図1(b)において、残留応力を緩和するた
めに挿入する中間層は、単層のみならず複数層としたり
、メッシュ状とするなど、接合体の使用条件に応じた最
適な残留応力緩和法と組み合わせることができる。
【0011】以下に本発明によるセラミックス−金属接
合体の特徴を試験結果にもとづき述べる。常温から高温
までの接合強さを測定するために製造したセラミックス
−金属接合体を、図2(a)に示す。セラミックス1と
してはサイアロン、金属2としてはニッケル、メタライ
ズ金属3としては、活性が高いチタン、ジルコニウム、
ハフニウム、ニッケル、クロムを選定した。サイアロン
の大きさは20mm×20mm×長さ25mm、ニッケ
ルは20mm×20mm×厚み1mmの箔である。サイ
アロンの接合面は、あらかじめ所定の金属の蒸着と不活
性ガスイオンの注入とを組み合わせたイオンビームミキ
シング処理をおこない種々のメタライズ層を形成させた
。また比較のため、蒸着処理のみ、およびイオンビーム
ミキシング後蒸着処理したメタライズ層も形成させた。 接合面にメタライズ層を形成させた1対のサイアロン間
にニッケル箔を挿入し真空中で加熱加圧することにより
、図2(a)に示す接合体を製造した。
合体の特徴を試験結果にもとづき述べる。常温から高温
までの接合強さを測定するために製造したセラミックス
−金属接合体を、図2(a)に示す。セラミックス1と
してはサイアロン、金属2としてはニッケル、メタライ
ズ金属3としては、活性が高いチタン、ジルコニウム、
ハフニウム、ニッケル、クロムを選定した。サイアロン
の大きさは20mm×20mm×長さ25mm、ニッケ
ルは20mm×20mm×厚み1mmの箔である。サイ
アロンの接合面は、あらかじめ所定の金属の蒸着と不活
性ガスイオンの注入とを組み合わせたイオンビームミキ
シング処理をおこない種々のメタライズ層を形成させた
。また比較のため、蒸着処理のみ、およびイオンビーム
ミキシング後蒸着処理したメタライズ層も形成させた。 接合面にメタライズ層を形成させた1対のサイアロン間
にニッケル箔を挿入し真空中で加熱加圧することにより
、図2(a)に示す接合体を製造した。
【0012】本研究に使用したイオンビームミキシング
装置の概略を図4に示す。試料ホルダー5にセラミック
ス試料6を取付け、真空ポンプ7で真空チャンバー8内
を10−5Torr以下の高真空にした後、所定の金属
をいれた蒸発器9を蒸発器電源10で加熱し金属蒸気1
1を発生させ、試料に蒸着させながら、イオン発生用電
源12で通電されたイオン発生装置13に、イオン化す
るガス14をガスコントローラー15で制御しながら供
給し、発生したイオンビーム16を試料の表面に照射す
ることにより、試料表面に金属を蒸着させながら不活性
ガスイオンを注入したメタライズ層を形成させる。イオ
ンビームを照射しないことにより蒸着処理のみのメタラ
イズ層も形成できる。不活性ガスとしては、アルゴンガ
スを使用した。イオン注入の条件は、各種条件でメタラ
イズ層を形成し、それぞれの蒸着金属について最も安定
したメタライズ層が形成できる条件で処理をおこなった
。セラミックスの金属との接合試験の結果を表1に示す
。接合温度は、活性金属法と同等または以下の900℃
を基準とした。加圧力は8MPa 、保持時間は30分
である。
装置の概略を図4に示す。試料ホルダー5にセラミック
ス試料6を取付け、真空ポンプ7で真空チャンバー8内
を10−5Torr以下の高真空にした後、所定の金属
をいれた蒸発器9を蒸発器電源10で加熱し金属蒸気1
1を発生させ、試料に蒸着させながら、イオン発生用電
源12で通電されたイオン発生装置13に、イオン化す
るガス14をガスコントローラー15で制御しながら供
給し、発生したイオンビーム16を試料の表面に照射す
ることにより、試料表面に金属を蒸着させながら不活性
ガスイオンを注入したメタライズ層を形成させる。イオ
ンビームを照射しないことにより蒸着処理のみのメタラ
イズ層も形成できる。不活性ガスとしては、アルゴンガ
スを使用した。イオン注入の条件は、各種条件でメタラ
イズ層を形成し、それぞれの蒸着金属について最も安定
したメタライズ層が形成できる条件で処理をおこなった
。セラミックスの金属との接合試験の結果を表1に示す
。接合温度は、活性金属法と同等または以下の900℃
を基準とした。加圧力は8MPa 、保持時間は30分
である。
【0013】
【表1】
接合できた接合体は、常温から高温までの接合強さを測
定するため、図2(b)に示す断面が幅4mm×高さ2
mm×長さ50mmの曲げ試験片を切り出し加工し、真
空中で常温から高温までの4点曲げ試験をおこなった。 常温から800℃までの曲げ試験の結果を図3に示す。 接合試験および曲げ試験結果から以下の知見が得られた
。 (1)メタライズした金属のなかで最も活性の高いチタ
ンは、イオン注入の有無にかかわらず900℃で接合す
るが、ジルコニウム、ハフニウム、ニッケルは、蒸着の
みでイオン注入をしないと900℃では接合しない。こ
れはイオン注入を併用することにより蒸着金属が活性化
し低い接合温度でも元素が拡散しやすくなるためである
と考えられる。ニッケルは、曲げ試験片製作中に破断し
たため、曲げ強さの測定はできなかったが、イオンビー
ムミキシング処理をしたメタライズ層の方が、より高温
の1,050℃で接合させた蒸着処理したメタライズ層
より明らかに接合状態は良好であった。クロムは、イオ
ン注入の有無にかかわらず接合しなかった。 (2)チタン、ジルコニウム、ハフニウムのいずれかを
、イオンビームミキシング処理して形成させたメタライ
ズ層を介して製造した接合体の接合強さは、常温から接
合温度の900℃に近い800℃までほぼ一定であり、
かつ100MPa程度と実用上十分な接合強さを有する
。一方、チタンの蒸着処理のみ、ハフニウムのイオンミ
キシング後蒸着処理したメタライズ層では、高温では接
合強さが低下する。これは、イオンミキシング処理によ
り密着力の大きいメタライズ層が形成されているためで
あると考えられる。
定するため、図2(b)に示す断面が幅4mm×高さ2
mm×長さ50mmの曲げ試験片を切り出し加工し、真
空中で常温から高温までの4点曲げ試験をおこなった。 常温から800℃までの曲げ試験の結果を図3に示す。 接合試験および曲げ試験結果から以下の知見が得られた
。 (1)メタライズした金属のなかで最も活性の高いチタ
ンは、イオン注入の有無にかかわらず900℃で接合す
るが、ジルコニウム、ハフニウム、ニッケルは、蒸着の
みでイオン注入をしないと900℃では接合しない。こ
れはイオン注入を併用することにより蒸着金属が活性化
し低い接合温度でも元素が拡散しやすくなるためである
と考えられる。ニッケルは、曲げ試験片製作中に破断し
たため、曲げ強さの測定はできなかったが、イオンビー
ムミキシング処理をしたメタライズ層の方が、より高温
の1,050℃で接合させた蒸着処理したメタライズ層
より明らかに接合状態は良好であった。クロムは、イオ
ン注入の有無にかかわらず接合しなかった。 (2)チタン、ジルコニウム、ハフニウムのいずれかを
、イオンビームミキシング処理して形成させたメタライ
ズ層を介して製造した接合体の接合強さは、常温から接
合温度の900℃に近い800℃までほぼ一定であり、
かつ100MPa程度と実用上十分な接合強さを有する
。一方、チタンの蒸着処理のみ、ハフニウムのイオンミ
キシング後蒸着処理したメタライズ層では、高温では接
合強さが低下する。これは、イオンミキシング処理によ
り密着力の大きいメタライズ層が形成されているためで
あると考えられる。
【0014】以上の知見から、本発明によれば、窒化珪
素・サイアロン系セラミックスと金属との接合体におい
て、活性金属法と同等または以下の温度で接合すること
が可能であり、かつ常温から接合温度に近い高温まで接
合強さが低下しないセラミックス−金属体を製造できる
ことが実験的に確認できた。
素・サイアロン系セラミックスと金属との接合体におい
て、活性金属法と同等または以下の温度で接合すること
が可能であり、かつ常温から接合温度に近い高温まで接
合強さが低下しないセラミックス−金属体を製造できる
ことが実験的に確認できた。
【0015】本試験では、金属としてニッケルを選定し
ているが、セラミックスのメタライズ層は金属と同等の
性質を有しており、かつ金属と金属との接合はセラミッ
クスと金属との接合に比べはるかに容易であることから
、金属をニッケルに限定する必要はなく、金属はメタラ
イズ層と接合できる材質であれば自由に選択できる。
ているが、セラミックスのメタライズ層は金属と同等の
性質を有しており、かつ金属と金属との接合はセラミッ
クスと金属との接合に比べはるかに容易であることから
、金属をニッケルに限定する必要はなく、金属はメタラ
イズ層と接合できる材質であれば自由に選択できる。
【0016】
【発明の効果】本発明によれば、活性金属法と同等また
は以下の接合温度で窒化珪素・サイアロン系セラミック
スと金属とを接合することができるだけでなく、常温か
ら接合温度に近い高温までほぼ一定の十分な接合強さを
有するセラミックス−金属接合体を製造することができ
、工業的な効果はきわめて大きい。
は以下の接合温度で窒化珪素・サイアロン系セラミック
スと金属とを接合することができるだけでなく、常温か
ら接合温度に近い高温までほぼ一定の十分な接合強さを
有するセラミックス−金属接合体を製造することができ
、工業的な効果はきわめて大きい。
【図1】(a),(b)は、本発明による接合体の構造
の断面図を示す。
の断面図を示す。
【図2】(a)は、本発明により製作した接合体の形状
の側面図である。(b)は、接合強さを測定するため(
a)の接合体から切出し加工した曲げ試験片の形状の説
明図である。
の側面図である。(b)は、接合強さを測定するため(
a)の接合体から切出し加工した曲げ試験片の形状の説
明図である。
【図3】曲げ試験による接合強さの試験結果を示す図で
ある。
ある。
【図4】セラミックス表面にメタライズ層を形成させる
ために使用したイオンビームミキシング装置の構造を示
す断面図である。
ために使用したイオンビームミキシング装置の構造を示
す断面図である。
1 窒化珪素・サイアロン系セラミックス2
金属 3 金属を蒸着しながら不活性ガスイオンを注入
したメタライズ層 4 中間層 5 試料ホルダー 6 セラミックス試料 7 真空ポンプ 8 真空チャンバー 9 蒸発器 10 蒸発器電源 11 金属蒸気 12 イオン発生用電源 13 イオン発生装置 14 ガス 15 ガスコントローラー 16 イオンビーム
金属 3 金属を蒸着しながら不活性ガスイオンを注入
したメタライズ層 4 中間層 5 試料ホルダー 6 セラミックス試料 7 真空ポンプ 8 真空チャンバー 9 蒸発器 10 蒸発器電源 11 金属蒸気 12 イオン発生用電源 13 イオン発生装置 14 ガス 15 ガスコントローラー 16 イオンビーム
Claims (2)
- 【請求項1】 窒化珪素・サイアロン系セラミックス
の表面に、金属を蒸着しながら不活性ガスイオンを注入
することによりメタライズ層を形成し、該メタライズ層
を介してセラミックスと金属とを接合することを特徴と
する窒化珪素・サイアロン系セラミックスと金属との接
合方法。 - 【請求項2】 蒸着金属がチタン、ジルコニウム、ハ
フニウム、ニッケルであることを特徴とする請求項1の
窒化珪素・サイアロン系セラミックスと金属との接合方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40143290A JPH04349176A (ja) | 1990-12-11 | 1990-12-11 | 窒化珪素・サイアロン系セラミックスと金属との接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40143290A JPH04349176A (ja) | 1990-12-11 | 1990-12-11 | 窒化珪素・サイアロン系セラミックスと金属との接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04349176A true JPH04349176A (ja) | 1992-12-03 |
Family
ID=18511259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40143290A Pending JPH04349176A (ja) | 1990-12-11 | 1990-12-11 | 窒化珪素・サイアロン系セラミックスと金属との接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04349176A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05117842A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-14 | Ulvac Japan Ltd | 金属とセラミツクスの接合法 |
| JP2008155245A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 接合方法 |
| CN114874024A (zh) * | 2022-06-22 | 2022-08-09 | 衡阳凯新特种材料科技有限公司 | 一种复合材料、复合材料的制造方法及活塞 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60235773A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-22 | 株式会社豊田中央研究所 | セラミツクス体の結合方法 |
| JPS61111981A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-30 | 株式会社豊田中央研究所 | セラミツク部品と金属部品との結合方法 |
| JPH02184577A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-19 | Hitachi Ltd | セラミツクス接合部材 |
-
1990
- 1990-12-11 JP JP40143290A patent/JPH04349176A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60235773A (ja) * | 1984-05-01 | 1985-11-22 | 株式会社豊田中央研究所 | セラミツクス体の結合方法 |
| JPS61111981A (ja) * | 1984-11-05 | 1986-05-30 | 株式会社豊田中央研究所 | セラミツク部品と金属部品との結合方法 |
| JPH02184577A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-19 | Hitachi Ltd | セラミツクス接合部材 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05117842A (ja) * | 1991-10-25 | 1993-05-14 | Ulvac Japan Ltd | 金属とセラミツクスの接合法 |
| JP2008155245A (ja) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Matsushita Electric Works Ltd | 接合方法 |
| CN114874024A (zh) * | 2022-06-22 | 2022-08-09 | 衡阳凯新特种材料科技有限公司 | 一种复合材料、复合材料的制造方法及活塞 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960402 |