JPH04349614A - チャージアップ防止方法 - Google Patents
チャージアップ防止方法Info
- Publication number
- JPH04349614A JPH04349614A JP3149164A JP14916491A JPH04349614A JP H04349614 A JPH04349614 A JP H04349614A JP 3149164 A JP3149164 A JP 3149164A JP 14916491 A JP14916491 A JP 14916491A JP H04349614 A JPH04349614 A JP H04349614A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- pattern
- forming
- aqueous solution
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体、ＩＣ、ＬＳＩ
等の製造工程で荷電粒子線を用いて微細パターンを形成
する際のチャージアップ防止方法に関する。
等の製造工程で荷電粒子線を用いて微細パターンを形成
する際のチャージアップ防止方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の高集積化が進むにつれ、製造工
程においてチャージアップによるトラブルが問題になっ
ている。例えば、パターン形成に荷電粒子線を用いる場
合、露光時に荷電蓄積、すなわちチャージアップ現象が
起こり、パターンの変形、位置ズレ及びアライメント精
度の低下等の問題がある。
程においてチャージアップによるトラブルが問題になっ
ている。例えば、パターン形成に荷電粒子線を用いる場
合、露光時に荷電蓄積、すなわちチャージアップ現象が
起こり、パターンの変形、位置ズレ及びアライメント精
度の低下等の問題がある。
【０００３】チャージアップ防止に関する技術は、今ま
でにいくつか提案されている。たとえばパターン形成用
レジスト上にアルミニウム（特開昭６３−２２６９２６
号公報）や導電性ポリマー（特開昭６４−３７０１５号
公報）などを被覆して、チャージアップを防止する試み
がなされている。しかし、アルミニウムを被覆する方法
は、工程が複雑になる問題がある。また、導電性ポリマ
ーを用いる方法は、工程は簡単であるが、チャージアッ
プ防止効果が十分でない欠点を有する。その他チエニル
・アルカンスルホン酸化合物のポリマーが帯電防止材と
して有用なものであるとの報告もある（特開平２−２４
７２１９号公報）。しかし、このポリマーは非酸化性プ
ロトンを有し、強酸性を示すため、これをレジスト上に
直接塗布した場合にはレジストに悪影響を与える可能性
がある。また原料化合物はその製造が煩雑で、高価にな
る問題がある。
でにいくつか提案されている。たとえばパターン形成用
レジスト上にアルミニウム（特開昭６３−２２６９２６
号公報）や導電性ポリマー（特開昭６４−３７０１５号
公報）などを被覆して、チャージアップを防止する試み
がなされている。しかし、アルミニウムを被覆する方法
は、工程が複雑になる問題がある。また、導電性ポリマ
ーを用いる方法は、工程は簡単であるが、チャージアッ
プ防止効果が十分でない欠点を有する。その他チエニル
・アルカンスルホン酸化合物のポリマーが帯電防止材と
して有用なものであるとの報告もある（特開平２−２４
７２１９号公報）。しかし、このポリマーは非酸化性プ
ロトンを有し、強酸性を示すため、これをレジスト上に
直接塗布した場合にはレジストに悪影響を与える可能性
がある。また原料化合物はその製造が煩雑で、高価にな
る問題がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題を
解決するためになされたもので、その目的は荷電粒子線
露光時の荷電蓄積によるパターンの変形や位置ずれの防
止に、工程が簡単でしかも効果に優れたチャージアップ
防止方法を提供する点にある。
解決するためになされたもので、その目的は荷電粒子線
露光時の荷電蓄積によるパターンの変形や位置ずれの防
止に、工程が簡単でしかも効果に優れたチャージアップ
防止方法を提供する点にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、荷電粒子線を
用いてパターンを形成する際に生じるチャージアップを
防止するに当り、パターン形成用レジスト上に、下記一
般式（１）で示される化合物を含む水溶液を塗布し、し
かる後加熱処理により該レジスト上に導電性薄膜を形成
することを特徴とするチャージアップ防止方法に関する
。
用いてパターンを形成する際に生じるチャージアップを
防止するに当り、パターン形成用レジスト上に、下記一
般式（１）で示される化合物を含む水溶液を塗布し、し
かる後加熱処理により該レジスト上に導電性薄膜を形成
することを特徴とするチャージアップ防止方法に関する
。
【化１】
（式（１）中、Ｒ１ 、Ｒ２ およびＲ３ は水素原子
または炭素数１〜４のアルキル基、ｘは５０〜２０００
、好ましくは１００〜１５００の整数を示す。）
または炭素数１〜４のアルキル基、ｘは５０〜２０００
、好ましくは１００〜１５００の整数を示す。）
【００
０６】本発明の方法に用いられる一般式（１）で表わさ
れる化合物は、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９
１，１１３，２６６５−２６６６に記載の方法に従い製
造することができる。本発明が適用しうる化合物は、ス
ルホン酸基が芳香環に対して１／１０〜４／５の割合、
好ましくは２／５〜３／５の割合で導入させたものが用
いられる。
０６】本発明の方法に用いられる一般式（１）で表わさ
れる化合物は、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９
１，１１３，２６６５−２６６６に記載の方法に従い製
造することができる。本発明が適用しうる化合物は、ス
ルホン酸基が芳香環に対して１／１０〜４／５の割合、
好ましくは２／５〜３／５の割合で導入させたものが用
いられる。
【０００７】本発明の方法は、先づ、前記化合物を含む
水溶液をパターン形成用レジスト上に、直接、スピンコ
ート法により塗布する。前記水溶液の濃度は０．０５〜
３重量％、好ましくは０．１〜２重量％の範囲で適用さ
れる。
水溶液をパターン形成用レジスト上に、直接、スピンコ
ート法により塗布する。前記水溶液の濃度は０．０５〜
３重量％、好ましくは０．１〜２重量％の範囲で適用さ
れる。
【０００８】次いで、これを加熱して下記一般式（２）
で表わされる化合物を、前記レジスト上に膜厚１００〜
２０００Åで成膜させる。加熱の温度は４０〜２５０℃
、好ましくは７０〜２００℃の範囲で適用される。この
化合物はｐＨ１〜８の範囲にわたり１０−１〜１０−３
ｓ／ｃｍの導電性を示す。
で表わされる化合物を、前記レジスト上に膜厚１００〜
２０００Åで成膜させる。加熱の温度は４０〜２５０℃
、好ましくは７０〜２００℃の範囲で適用される。この
化合物はｐＨ１〜８の範囲にわたり１０−１〜１０−３
ｓ／ｃｍの導電性を示す。
【化２】
（式（２）中、ｘは５００〜２０００、好ましくは１０
０〜１５００の整数を示す。）
０〜１５００の整数を示す。）
【０００９】本発明の方法によるパターン形成用レジス
ト上への導電性薄膜形成はスピンコートおよび加熱処理
のみで膜形成ができるので工程が極めて簡単である。ま
た、本発明の方法はレボラック系レジスト、アクリル系
レジスト、シリコン系レジスト、スチレン系レジストな
ど、通常、パターン形成に用いられるレジストに適用さ
れる。
ト上への導電性薄膜形成はスピンコートおよび加熱処理
のみで膜形成ができるので工程が極めて簡単である。ま
た、本発明の方法はレボラック系レジスト、アクリル系
レジスト、シリコン系レジスト、スチレン系レジストな
ど、通常、パターン形成に用いられるレジストに適用さ
れる。
【００１０】
【実施例】以下実施例により本発明を説明する。
実施例１
芳香環に対してスルホン酸基が１／２の割合で導入さた
ポリアニリン（ｘ＝４００）１ｇを１００ｍｌの０．１
Ｍトリメチルアミン水溶液に溶解した。この水溶液をパ
ターン形成用レジストＲＥ５０００Ｐ（日立化成製）上
にスピンコート法で塗布し、１００℃でベークし導電性
薄膜５００Åを形成した。次いで、電子線照射し、テト
ラメチルアンモニウム水溶液で現像しパターンを形成し
たところ、パターンの位置ずれは全く認められなかった
。
ポリアニリン（ｘ＝４００）１ｇを１００ｍｌの０．１
Ｍトリメチルアミン水溶液に溶解した。この水溶液をパ
ターン形成用レジストＲＥ５０００Ｐ（日立化成製）上
にスピンコート法で塗布し、１００℃でベークし導電性
薄膜５００Åを形成した。次いで、電子線照射し、テト
ラメチルアンモニウム水溶液で現像しパターンを形成し
たところ、パターンの位置ずれは全く認められなかった
。
【００１１】
【発明の効果】本発明の方法によれば、荷電粒子線露光
時の荷電蓄積によるパターンの変形や位置ずれが防止で
きる。また、本発明は次のような利点も有する。 （１）一般式（１）で示される化合物はパターン形成用
レジストを侵すことなく、水溶液の状態でそのレジスト
上に直接塗布することができるため、操作が容易である
。 （２）電子線照射後、アルカリ現像する際にはパターン
形成と同時に導電性薄膜が溶解除去されるため、剥離工
程の省略も可能である。
時の荷電蓄積によるパターンの変形や位置ずれが防止で
きる。また、本発明は次のような利点も有する。 （１）一般式（１）で示される化合物はパターン形成用
レジストを侵すことなく、水溶液の状態でそのレジスト
上に直接塗布することができるため、操作が容易である
。 （２）電子線照射後、アルカリ現像する際にはパターン
形成と同時に導電性薄膜が溶解除去されるため、剥離工
程の省略も可能である。
Claims (1)
- 【請求項１】 荷電粒子線を用いてパターンを形成す
る際に生じるチャージアップを防止するに当り、パター
ン形成用レジスト上に、下記一般式（１）で示される化
合物を含む水溶液を塗布し、しかる後加熱処理により該
レジスト上に導電性薄膜を形成することを特徴とするチ
ャージアップ防止方法。 【化１】 （式（１）中、Ｒ１ 、Ｒ２ およびＲ３ は水素原子
または炭素数１〜４のアルキル基、ｘは５０〜２０００
の整数を示す。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03149164A JP3073051B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | チャージアップ防止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03149164A JP3073051B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | チャージアップ防止方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04349614A true JPH04349614A (ja) | 1992-12-04 |
| JP3073051B2 JP3073051B2 (ja) | 2000-08-07 |
Family
ID=15469199
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03149164A Expired - Lifetime JP3073051B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | チャージアップ防止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3073051B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10140141A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-05-26 | Showa Denko Kk | 帯電防止処理材の製造方法 |
| US5776659A (en) * | 1994-10-12 | 1998-07-07 | Fujitsu Limited | Ionizing radiation exposure method utilizing water soluble aniline antistatic polymer layer |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5160457A (en) | 1987-08-07 | 1992-11-03 | Allied-Signal Inc. | Thermally stable forms of electrically conductive polyaniline |
-
1991
- 1991-05-27 JP JP03149164A patent/JP3073051B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5776659A (en) * | 1994-10-12 | 1998-07-07 | Fujitsu Limited | Ionizing radiation exposure method utilizing water soluble aniline antistatic polymer layer |
| JPH10140141A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-05-26 | Showa Denko Kk | 帯電防止処理材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3073051B2 (ja) | 2000-08-07 |
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Legal Events
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