JP2506801B2 - 導電性有機膜の形成方法 - Google Patents
導電性有機膜の形成方法Info
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- JP2506801B2 JP2506801B2 JP62192966A JP19296687A JP2506801B2 JP 2506801 B2 JP2506801 B2 JP 2506801B2 JP 62192966 A JP62192966 A JP 62192966A JP 19296687 A JP19296687 A JP 19296687A JP 2506801 B2 JP2506801 B2 JP 2506801B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体製造工程において用いられる導電性有
機膜の形成方法に関するものである。
機膜の形成方法に関するものである。
従来の技術 半導体装置の微細化に伴い半導体装置の製造工程で電
子ビーム露光およびイオン注入が採用されるに至ってい
る。また、絶縁性基板上に形成したレジストの電子ビー
ム露光工程や、半導体基板中への不純物のイオン注入工
程では電子やイオンの帯電現象の問題が発生する不都合
があり、これを防止するために導電膜が用いられてい
る。
子ビーム露光およびイオン注入が採用されるに至ってい
る。また、絶縁性基板上に形成したレジストの電子ビー
ム露光工程や、半導体基板中への不純物のイオン注入工
程では電子やイオンの帯電現象の問題が発生する不都合
があり、これを防止するために導電膜が用いられてい
る。
しかしながら、従来から用いられている導電膜は、Al
やAuなどの金属膜であり、膜の形成および除去の工程が
複雑であることに加えて、半導体汚染の可能性があるな
どの問題点があった。このことに関連して種々の取り組
みがなされ、導電膜として各種の導電性有機膜が報告さ
れているが、回転塗布を用いて、0.1〜２μｍの導電性
薄膜を形成でき、しかも、金属不純物の含有量が1ppm以
下の材料は存在しなかった。
やAuなどの金属膜であり、膜の形成および除去の工程が
複雑であることに加えて、半導体汚染の可能性があるな
どの問題点があった。このことに関連して種々の取り組
みがなされ、導電膜として各種の導電性有機膜が報告さ
れているが、回転塗布を用いて、0.1〜２μｍの導電性
薄膜を形成でき、しかも、金属不純物の含有量が1ppm以
下の材料は存在しなかった。
発明が解決しようとする問題点 以上に述べたように、従来の方法の中で薄い導電性薄
膜の形成が可能であるのは複雑な工程が避けられない金
属膜を用いる方法であり、回転塗布による方法では殆ん
ど不可能に近かった。また、金属膜を導電膜としたとき
には、金属による汚染の可能性があるなどの問題もあっ
た。
膜の形成が可能であるのは複雑な工程が避けられない金
属膜を用いる方法であり、回転塗布による方法では殆ん
ど不可能に近かった。また、金属膜を導電膜としたとき
には、金属による汚染の可能性があるなどの問題もあっ
た。
問題点を解決するための手段 本発明は、上述した問題点を排除できる方法を実現す
るものであり、本発明は、半導体製造工程における帯電
防止のための導電性有機膜の形成方法であって、水また
はメチルアルコール中に、ポリスチレンスルフォン酸ア
ンモニウムを溶解してなる溶液を、回転塗布法を用いて
基板上に塗布し、こののち、熱処理を施すことにより、
金属不純物の含有量が1ppm以下の導電性有機膜を形成す
ることを特徴とする導電性有機膜の形成方法である。
るものであり、本発明は、半導体製造工程における帯電
防止のための導電性有機膜の形成方法であって、水また
はメチルアルコール中に、ポリスチレンスルフォン酸ア
ンモニウムを溶解してなる溶液を、回転塗布法を用いて
基板上に塗布し、こののち、熱処理を施すことにより、
金属不純物の含有量が1ppm以下の導電性有機膜を形成す
ることを特徴とする導電性有機膜の形成方法である。
前記方法においては、ポリスチレンスルフォン酸アン
モニウム溶解量が重量比で30％以下であることが好まし
い。
モニウム溶解量が重量比で30％以下であることが好まし
い。
また前記方法においては、熱処理温度が250℃以下で
あることが好ましい。
あることが好ましい。
作用 本発明の形成方法によれば、回転塗布法を用いて、金
属不純物の含有量が1ppm以下で、金属汚染のおそれがな
い導電性有機膜を0.1〜２μｍの極めて薄い厚さで形成
することができる。
属不純物の含有量が1ppm以下で、金属汚染のおそれがな
い導電性有機膜を0.1〜２μｍの極めて薄い厚さで形成
することができる。
実 施 例 第２図に示す化学構造を持つ、ポリスチレンスルフォ
ン酸アンモニウム（以下、AmSSと略記する）を水に薄解
させた溶液を所定の基板上に回転塗布法で塗布した。第
１図に塗布回転数と膜厚との関係を示す。
ン酸アンモニウム（以下、AmSSと略記する）を水に薄解
させた溶液を所定の基板上に回転塗布法で塗布した。第
１図に塗布回転数と膜厚との関係を示す。
水に溶解させるAmSSの量を重量比で５％以上、30％以
下の範囲に設定するとともに塗布回転数を1000回転以
上、7000回転以上の範囲に設定することにより、膜厚が
0.1μｍ以上、２μｍ以下の膜厚の導電性有機膜を形成
することができる。なお、図示するところから明らかな
ように、溶液に加えるAmSSの量、すなわち重量比を高く
するほど、また、回転数を小さくするほど厚い膜が形成
される。ただし、溶液中のAmSSが重量比で30％以上にな
ると、回転塗布時のストリエーションが大きくなる。ま
た、回転数を1000回転以下にしてもやはりストリエーシ
ョンが大きくなる。さらに、回転数を7000回転以上にす
るとAmSSを塗布する基板の保持が困難になる。第３図
は、膜厚を２μｍとしたAmSSのシート抵抗と塗布後の熱
処理温度との関係を示す図であり、熱処理温度が250℃
以下のとき低いシート抵抗を示す。また、このようにし
て形成したAmSS膜について、原子吸光分析を行った結
果、各種金属不純物の含有量が1ppm以下であることも確
認された。なお、AmSSを溶解させる溶液としては実施例
で示した水ならびにメチルアルコールが特に好ましかっ
た。
下の範囲に設定するとともに塗布回転数を1000回転以
上、7000回転以上の範囲に設定することにより、膜厚が
0.1μｍ以上、２μｍ以下の膜厚の導電性有機膜を形成
することができる。なお、図示するところから明らかな
ように、溶液に加えるAmSSの量、すなわち重量比を高く
するほど、また、回転数を小さくするほど厚い膜が形成
される。ただし、溶液中のAmSSが重量比で30％以上にな
ると、回転塗布時のストリエーションが大きくなる。ま
た、回転数を1000回転以下にしてもやはりストリエーシ
ョンが大きくなる。さらに、回転数を7000回転以上にす
るとAmSSを塗布する基板の保持が困難になる。第３図
は、膜厚を２μｍとしたAmSSのシート抵抗と塗布後の熱
処理温度との関係を示す図であり、熱処理温度が250℃
以下のとき低いシート抵抗を示す。また、このようにし
て形成したAmSS膜について、原子吸光分析を行った結
果、各種金属不純物の含有量が1ppm以下であることも確
認された。なお、AmSSを溶解させる溶液としては実施例
で示した水ならびにメチルアルコールが特に好ましかっ
た。
以上の説明では、単に導電性有機膜を形成する方法を
例示したが、このようにして形成したAmSS間を所定形状
に加工することにより抵抗を形成することも可能であ
る。この場合には、AmSS膜の膜厚，熱処理温度および形
状により抵抗値を制御できる。
例示したが、このようにして形成したAmSS間を所定形状
に加工することにより抵抗を形成することも可能であ
る。この場合には、AmSS膜の膜厚，熱処理温度および形
状により抵抗値を制御できる。
発明の効果 本発明によれば、回転塗布法を用いて、金属不純物の
含有量が1ppm以下で、金属汚染の恐れがなく、しかも膜
厚0.1〜２μｍの導電性有機膜を形成することができ、
電子ビームやイオンビームを用いる工程で問題となるチ
ャージアップの防止をはかる効果が奏されるばかりでな
く、場合によっては、この導電性有機膜を用いて抵抗を
形成することも可能である。
含有量が1ppm以下で、金属汚染の恐れがなく、しかも膜
厚0.1〜２μｍの導電性有機膜を形成することができ、
電子ビームやイオンビームを用いる工程で問題となるチ
ャージアップの防止をはかる効果が奏されるばかりでな
く、場合によっては、この導電性有機膜を用いて抵抗を
形成することも可能である。
第１図は本発明の形成方法で用いるポリスチレンスルフ
ォン酸アンモニウムの回転塗布膜厚と回転数との関係を
示す図、第２図はポリスチレンスルフォン酸アンモニウ
ムの化学構造図、第３図はポリスチレンスルフォン酸ア
ンモニウム薄膜のシート抵抗と熱処理温度との関係を示
す図である。
ォン酸アンモニウムの回転塗布膜厚と回転数との関係を
示す図、第２図はポリスチレンスルフォン酸アンモニウ
ムの化学構造図、第３図はポリスチレンスルフォン酸ア
ンモニウム薄膜のシート抵抗と熱処理温度との関係を示
す図である。
Claims (3)
- 【請求項１】半導体製造工程における帯電防止のための
導電性有機膜の形成方法であって、水またはメチルアル
コール中に、ポリスチレンスルフォン酸アンモニウムを
溶解してなる溶液を、回転塗布法を用いて基板上に塗布
し、こののち、熱処理を施すことにより、金属不純物の
含有量が1ppm以下の導電性有機膜を形成することを特徴
とする導電性有機膜の形成方法。 - 【請求項２】ポリスチレンスルフォン酸アンモニウム溶
解量が重量比で30％以下であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項に記載の導電性有機膜の形成方法。 - 【請求項３】熱処理温度が250℃以下であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項に記載の導電性有機膜の形
成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62192966A JP2506801B2 (ja) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | 導電性有機膜の形成方法 |
| US07/602,930 US5139922A (en) | 1987-04-10 | 1990-10-25 | Method of making resist pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62192966A JP2506801B2 (ja) | 1987-07-31 | 1987-07-31 | 導電性有機膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6437015A JPS6437015A (en) | 1989-02-07 |
| JP2506801B2 true JP2506801B2 (ja) | 1996-06-12 |
Family
ID=16300005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62192966A Expired - Lifetime JP2506801B2 (ja) | 1987-04-10 | 1987-07-31 | 導電性有機膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2506801B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11711020B2 (en) * | 2020-04-06 | 2023-07-25 | Astec International Limited | Transformers for multiphase power converters |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS589056A (ja) * | 1981-07-08 | 1983-01-19 | Sharp Corp | 感湿抵抗素子 |
-
1987
- 1987-07-31 JP JP62192966A patent/JP2506801B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6437015A (en) | 1989-02-07 |
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