JPH043496Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 (a) 考案の技術分野 本考案はプラズマCVD装置のウエハローデン
グに係り、特に自動化を目指したローデング機構
に関する。

(b) 技術の背景 従来のCVD法に比しプラズマCVD法はプラズ
マ中での化学反応を利用するため低温（200〜350
℃）での成膜が可能であり、厚膜でしかも良質の
シリコン窒化膜（Si₃N₄）が形成され、例えばモ
ールドパツケージ型半導体デバイスの信頼性を向
上させる最終的な保護膜形成に有効である。プラ
ズマCVD装置には電極、反応炉等の形状及び試
料の配置による違いにより構置構成の異なる平行
平板電極形、円筒電極形、ホツトウオール（Hot
−wall）形がある。ホツトウオール型プラズマ
CVD装置は複数の電極側面にウエハを載置して
プラズマ処理する多数個処理が可能で量産に有効
であるが、電極構成が複雑であり試料の出し入れ
はバツチ処理が主体であり自動化されにくい。

(c) 従来技術と問題点 第１図はホツトウオール形プラズマCVD装置
を示す構成図、第２図は第１図の電極部を示す斜
視図である。第１図において反応管２の外側に加
熱ヒータ３を配置したホツトウオール減圧方式の
プラズマCVD装置１であつて、反応管２内に複
数の電極４を垂直に配し、電極４の間隙を一定間
隔に保ち図のように電源供給バー５で連結する。
電源供給バー５はコネクタを介して外部電源６に
接続されることにより対向する電極４，４′間に
プラズマが発生する。このように構成する電極４
の側面に半導体ウエハ７を載置し反応管２内に配
置し、エンドキヤツプ８を閉じて密閉し、反応管
２の終端に備えた排気口９より一定圧に減圧排気
すると共にヒータ３により炉内温度を一定温度に
加熱する。次いで反応ガスをガス導入口１０によ
り導入することにより反応ガスは排気口９へと拡
散されプラズマ中の電気エネルギーによつて反応
ガスは活性化し、半導体ウエハ７上に所望の薄膜
を被着形成させる。このように多数個処理できる
プラズマCVD装置１であるが、電極構成は第２
図に示すように複数の電極４が等間隔に並設さ
れ、電源供給バー５で係止される構成であり、電
極間隔が狭く、取付自由度が十分取れないため半
導体ウエハ７の電極４への取付及び取り外しはハ
ンドリングを主体としたバツチ処理であり、自動
化により作業効率向上を計つたローデング機構が
要請される。

(d) 考案の目的 本考案は上記の点に鑑み、自動化を計ったウエ
ハローデング装置を提案し、作業効率向上を計る
ことを目的とする。

(e) 考案の構成 上記目的は本考案によれば電極間に高周波電圧
を印加してプラズマ処理する化学気相成長装置の
ウエハローデング機構が、該電極を固定する台座
と、ウエハを載置し前後にスライドする櫛歯状の
アームとを有し、該台座及びアームを回転させる
回転機構により、該アーム上のウエハを該電極側
面に移替するよう構成されることによつて達せら
れる。

(f) 考案の実施例 以下、本考案の一実施例を図面により詳述す
る。第３図は本考案の一実施例であるウエハロー
デング装置を示す構成図、第４図ａ〜ｄは第３図
のウエハローデング装置を用いて試料を電極に移
替する操作手順を示すための概要図である。第３
図において、電極４を載置する台座１２と櫛歯状
のアーム１３を固定する支柱１４がエアシリンダ
ー１６の駆動により水平方向にスライド移動する
アーム機構１７で構成される。この台座１２とア
ーム機構１７がモータ１８の回転駆動により90°
回転する際アーム１３上の半導体ウエハ７を電極
４に移替させる。またモータ１８の逆回転により
復帰に際して電極４よりアーム１３上に移替して
取付け及び取外し可能にしたウエハローデング装
置１１である。アーム１３を固定する支柱１４は
フレーム１５を介してエアシリンダー１６と連結
するスライド部２０の軸に固定し、エアシリンダ
ー１６の駆動により水平方向に移動する。スライ
ド部２０に固定した回転アーム１９はモータ１８
の回転により駆動ベルト２１を介して回転し、台
座１２、アーム機構１７を90°回転させてアーム
１３上の半導体ウエハ７を電極４に移替させ、ま
た逆回転により復帰時アーム１３上に移替させる
よう構成されるウエハローデング装置１１であつ
て、その操作手順は第４図に示すように締付金具
２２により電極４を台座１２上に固定する。処理
面を下側にした半導体ウエハ７をアーム１３上に
載置し、エアシリンダー１６を駆動させてアーム
１３をスライドさせてａに示すように電極４間の
所定位置に移動させる。この状態でｂに示すよう
にモータ１８を矢印方向（第３図参照）に作動さ
せ、回転アーム１９を介して90°回転させること
により半導体ウエハ７は電極４に移替えられ電極
４の突起４′により係止される。次いでｃに示す
ように更に矢印方向に90°回転させると共にアー
ム１９を復帰させ、このアーム１９上に半導体ウ
エハ７を載置し前述したａと同様に電極４間にス
ライド移動させる。次いでｄに示すようにモータ
（第３図１８）を逆回転させて回転アームを介し
て90°回転させることにより半導体ウエハ７は電
極４の背面に移替えられる。上記操作により電極
４の両側面に処理すべき半導体ウエハ７を供給す
ることができる。このように半導体ウエハ７を載
置した電極４をプラズマCVD装置の反応室に収
容し所望の薄膜を半導体ウエハ上に成長させる。
完成した半導体ウエハ７を電極４より取り出す操
作は、第４図のｂ位置にセツトしたローデング機
構を左右90°回転させることによりアーム１３上
に移替えが可能であり、これにより従来のハンド
リング操作が自動化され作業効率が向上する。ま
た信頼性向上も期待できる。

(g) 考案の効果 以上詳細に説明したように本考案のウエハロー
デング装置を用いることにより自動化を目指した
プラズマCVD装置に有効であり、作業効率向上
が期待できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はホツトウオール形プラズマCVD装置
を示す構成図、第２図は第１図の電極部を示す斜
視図、第３図は本考案の一実施例であるウエハロ
ーデング装置を示す構成図、第４図はその操作時
の動作状態を示す図である。 図中１……プラズマCVD装置、２……反応管、
３……ヒータ、４……電極、５……電源供給バ
ー、６……外部電源、７……半導体ウエハ、８…
…エンドキヤツプ、９……排気口、１０……ガス
導入口、１１……ウエハローデング装置、１２…
…台座、１３……アーム、１４……支柱、１５…
…フレーム、１６……エアシリンダー、１７……
アーム機構、１８……モータ、１９……回転アー
ム、２０……スライド部、２１……駆動ベルト、
２２……締付金具。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 電極間に高周波電圧を印加してプラズマ処理す
   る化学気相成長装置のウエハローデング機構が、
   該電極を固定する台座と、ウエハを載置し前後に
   スライドする櫛歯状のアームを有し、該台座及び
   アームを回転させる回転機構により、該アーム上
   のウエハを該電極側面に移替するよう構成されて
   いることを特徴とするウエハローデング装置。