JPH04350158A - 真空蒸着装置 - Google Patents

真空蒸着装置

Info

Publication number
JPH04350158A
JPH04350158A JP12423991A JP12423991A JPH04350158A JP H04350158 A JPH04350158 A JP H04350158A JP 12423991 A JP12423991 A JP 12423991A JP 12423991 A JP12423991 A JP 12423991A JP H04350158 A JPH04350158 A JP H04350158A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
metal ingot
metal
vapor deposition
ingot
vacuum evaporation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12423991A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazumi Yamaguchi
和己 山口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Kansai Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd, Kansai Nippon Electric Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Priority to JP12423991A priority Critical patent/JPH04350158A/ja
Publication of JPH04350158A publication Critical patent/JPH04350158A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この考案は、電子ビーム蒸着にお
ける真空蒸着装置に関し、特に半導体ウェーハにおける
電極形成に好適する装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の真空蒸着装置は、図2の
概略構成図に示すように、真空チャンバー内(図示せず
)で、ハース4内に収容した金属インゴット3に電子ビ
ームを照射し、プラネタドーム6に装着されているウェ
ーハ7に向かって、蒸着金属8を蒸発させてウェーハに
金属薄膜(図示せず)を付着させるものとなっていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
の真空蒸着装置は、蒸着する際において、電子ビーム5
で部分的に金属インゴット3を溶融させるため、蒸着さ
せていくにつれて、金属インゴット3に穴があき、穴の
底で溶融・蒸発するのでかげとなって蒸着膜の成膜速度
が低下する。それを、補うように、蒸着パワーが高くな
っていくため、蒸着させる金属が突沸を起こし、粒状で
蒸着されるという欠点があった。
【0004】
【課題を解決するための手段】この発明の電子ビーム蒸
着による真空蒸着装置は、装置内部に金属インゴットの
表面全体を溶融させることを目的としたレーザー光源を
設けたことを特徴としている。この発明はまた、金属イ
ンゴットを収容するハースにハースライナを取り付けた
ことを特徴とする。
【0005】
【作用】上記の構成によると、金属インゴットにレーザ
ー光をあてることによって、金属インゴットの表面全体
を溶融させることができ、これを実施することによって
、蒸着させる金属を、突沸の発生なく、正常な状態で、
真空蒸着させることが可能である。
【0006】また、ハースライナーは、金属インゴット
の熱がハースに放熱されることによる溶融困難ないし溶
融不足を防止する。
【0007】
【実施例】以下、この発明について図面を参照して説明
する。図1は、この発明の一実施例のレーザー光源を有
する真空蒸着装置の概略構成図である。図において、1
はレーザー光源、2はレーザー光源1より生成されたレ
ーザー光、3は金属インゴット、4はハース、5は電子
ビーム、6はプラネタドーム、7はウェーハである。
【0008】次に、上記レーザー光源を有する真空蒸着
装置の動作について説明する。この真空蒸着装置は、金
属インゴット3(例えば、ニッケルインゴット)に電子
ビーム5をあて、溶融すると同時に、電子ビーム5のあ
たっていない部分の金属インゴット3にレーザー光源1
で生成されたレーザー光2をあて、金属インゴット3の
表面全体を溶融した状態でプラネタドーム6に装着した
ウェーハ7に蒸着膜を形成するものである。
【0009】この実施例によれば、レーザー光2を金属
インゴット3にあてることにより、金属インゴット3の
電子ビーム5のあたらない部分を溶融することが可能と
なり、蒸着させる金属を突沸の発生なく、正常な状態で
蒸着することができるという利点がある。
【0010】
【実施例2】また、ハース4にはBN(窒化ボロン)等
よりなるハースライナ(図示せず)を取り付けると、ハ
ース4内の金属インゴット3の冷却し過ぎを防止し、も
ってレーザ光2による金属インゴット3の確実な溶融を
確保する。
【0011】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は従来の
電子ビームによる真空蒸着装置にレーザー光源を取り付
けたことにより、レーザー光を金属インゴットにあてる
ことが可能になり、金属インゴットの表面全体を溶融す
ることができ、ウェーハに金属を蒸着する際に発生する
突沸を防止することができ、正常な状態で蒸着できる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】  この発明のレーザー光源を有する真空蒸着
装置の概略構成図、
【図2】  従来の真空蒸着装置の概略構成図、
【符号の説明】
1  レーザー光源、 2  レーザー光、 3  金属インゴット、 4  ハース、 5  電子ビーム、 6  プラネタドーム、 7  ウェーハ、 8  蒸着金属、

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】電子ビームによる真空蒸着装置において、
    装置内部に、金属インゴット表面全体を溶融させるため
    のレーザー光源を設けたことを特徴とする真空蒸着装置
    。
  2. 【請求項2】金属インゴットを収容するハースにハース
    ライナを取り付けたことを特徴とする請求項1記載の真
    空蒸着装置。
JP12423991A 1991-05-29 1991-05-29 真空蒸着装置 Pending JPH04350158A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12423991A JPH04350158A (ja) 1991-05-29 1991-05-29 真空蒸着装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12423991A JPH04350158A (ja) 1991-05-29 1991-05-29 真空蒸着装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04350158A true JPH04350158A (ja) 1992-12-04

Family

ID=14880414

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12423991A Pending JPH04350158A (ja) 1991-05-29 1991-05-29 真空蒸着装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04350158A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2655094B2 (ja) 電子銃蒸着装置
JPH07252645A (ja) 薄膜形成装置
JPH0236673B2 (ja)
JPH0673543A (ja) 連続真空蒸着装置
JPS63155645A (ja) 表面平坦化方法
JP2001115255A (ja) 蒸着装置
JPH03287761A (ja) 薄膜形成装置
JPS60183721A (ja) 薄膜蒸着装置
JPH0336262A (ja) 真空成膜装置
JP2778137B2 (ja) 薄膜形成方法及びその装置
JPH07238368A (ja) 薄膜形成装置
JPS6091625A (ja) 薄膜の形成方法
JPS63233524A (ja) 金属膜の形成方法
JPS6043914B2 (ja) スパツタリング製膜方法
JPH02104659A (ja) 薄膜の製造装置
JPS61224416A (ja) 半導体装置製造用蒸着装置
JPS59172715A (ja) 分子線発生装置
JPH05339720A (ja) 薄膜形成装置
JPH01306555A (ja) 蒸発源用るつぼ
JPS597782B2 (ja) 蒸着装置
JPH0733570B2 (ja) 蒸着装置
JPS5948939A (ja) 膜形成法及び膜形成装置
JPH02104661A (ja) 薄膜形成装置
JPH11213937A (ja) 電子ビーム蒸着装置
JPH11329723A5 (ja)