JPH07252645A - 薄膜形成装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 基板に蒸着した薄膜に不純物が混入しないよ
うにする。 【構成】 真空槽１０内で蒸着材料１にレーザ光１３を
照射して加熱溶融することによって蒸発させて蒸気１６
をつくる。この場合に、レーザ光１３が蒸気１６にも照
射されるので、蒸気１６の一部がイオン化される。イオ
ン化された蒸気１６が加速手段１７で加速されて、イオ
ン化されなかった蒸気１６とともに基板８に蒸着する。
このように、蒸着材料１をレーザ光１３で直接加熱して
溶融するので、るつぼ２やその他の構成物が溶融した不
純物が蒸気１６に混入するのを防止でき、高純度の成膜
が可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体や光学膜等の
薄膜を形成する薄膜形成装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１１は、例えば、「薄膜ハンドブッ
ク」、日本学術振興会薄膜第１３１委員会編、オーム社
（昭和５８年１２月１０日）発行、第１２４頁に記載さ
れた従来の薄膜形成装置の構成図である。

【０００３】図１１において、１は蒸着材料、２は蒸着
材料１が充填されたるつぼ、３は通電加熱されることに
よって電子ビームを放出する加熱フィラメントで、るつ
ぼ２を加熱して蒸着材料１を溶解蒸発させる。４は蒸発
した蒸着材料１の蒸気、５は後述のグリッド６との間に
直流電圧を印加することによって電子ビームを放出する
イオン化フィラメントで、蒸気４の一部をイオン化す
る。６はグリッドで、イオン化フィラメント５から放出
された電子を引き出す。

【０００４】７は加熱フィラメント３及びイオン化フィ
ラメント５からの輻射熱を抑制する熱シールド板、８は
るつぼ２の上方に対向して配置される基板で、蒸着材料
の薄膜が形成される。９は基板８を保持して回転させる
回転機構、１０は真空槽、１１は真空槽１０内の排気を
する真空ポンプである。

【０００５】次に動作について説明する。図１１におい
て、真空槽１０内を真空ポンプ１１で排気する。そし
て、加熱フィラメント３を通電加熱するとともに、加熱
フィラメント３とるつぼ２との間に直流電圧を印加する
と、加熱フィラメント３から電子ビームが放出されるこ
とによって、蒸着材料１が加熱され蒸発して蒸気４が発
生する。

【０００６】さらに、イオン化フィラメント５を通電加
熱するとともに、イオン化フィラメント５とグリッド６
との間に直流電圧を印加すると、イオン化フィラメント
５から電子ビームが放出される。この電子ビームが蒸気
４に衝突して蒸気４の一部がイオン化される。イオン化
された蒸気４は接地電位の基板８と正電位のるつぼ２と
の間で加速される。

【０００７】そして、イオン化された蒸気４はイオン化
されていない他の蒸気４とともに基板８へ到達して基板
８上に薄膜が形成される。また、薄膜の形成中に基板８
を回転機構９により１０〜１００ｒｐｍ程度で回転させ
て、膜厚を回転方向に対して均一にする。さらに、熱シ
ールド板７によりるつぼ２及び両フィラメント３，５か
らの輻射熱が抑制される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜形成装置は
以上のように構成されているので、加熱フィラメント、
イオン化フィラメント及びグリッドが高温になるため、
各構成材料の一部が蒸発して蒸着材料の蒸気に不純物と
して混入する。また、蒸着材料の溶融中にるつぼの構成
材料から不純物が蒸着材料に混入して、この不純物が蒸
発して蒸着材料の蒸気に混入する。したがって、高純度
の成膜を得るのが困難であるという問題点があった。

【０００９】この発明は、以上のような問題点を解消す
るためになされたもので、蒸着材料の蒸気中への不純物
の混入を防止する薄膜形成装置を提供することを目的と
する。

【００１０】

【課題を解決するための手段】請求項１は、真空槽内で
蒸着材料を加熱して蒸発させ、発生した蒸着材料の蒸気
の一部をイオン化して加速し、イオン化した蒸気を他の
蒸気とともに基板に蒸着させるようにした薄膜形成装置
において、レーザ発振装置から出力されるレーザ光を照
射手段から照射して蒸着材料を加熱するものである。

【００１１】請求項２は、請求項１において、蒸着材料
へのレーザ光の照射位置を照射手段を制御して変動させ
るものである。

【００１２】請求項３は、請求項２において、蒸着材料
の周辺部に照射するレーザ光の密度を中心部に照射する
レーザ光の密度より大きくしたものである。

【００１３】請求項４は、真空槽内で蒸着材料を加熱し
て蒸発させ、発生した蒸着材料の蒸気の一部をイオン化
して加速し、イオン化した蒸気を他の蒸気とともに基板
に蒸着させるようにした薄膜形成装置において、レーザ
発振装置により蒸着材料にレーザ光を照射手段から照射
して蒸着材料を加熱し、レーザ光が照射される蒸着材料
と真空槽内に設けられたレーザ光の照射手段との間に、
レーザ光が通過できる穴を有し蒸気が照射手段側へ移動
するのを阻止するシールド板を配置したものである。

【００１４】請求項５は、真空槽内で蒸着材料を加熱し
て蒸発させ、発生した蒸着材料の蒸気の一部をイオン化
して加速し、イオン化した蒸気を他の蒸気とともに基板
に蒸着させるようにした薄膜形成装置において、蒸着材
料に基板の方向に向かって開口した穴を設け、レーザ発
振装置から出力されたレーザ光を照射手段から穴内の蒸
着材料に照射して加熱するものである。

【００１５】請求項６は、真空槽内で蒸着材料を加熱し
て蒸発させ、発生した蒸着材料の蒸気の一部をイオン化
して加速し、イオン化した蒸気を他の蒸気とともに基板
に蒸着させるようにした薄膜形成装置において、第１の
レーザ発振装置から出力される第１のレーザ光を第１の
照射手段から蒸着材料に照射して加熱し、第２のレーザ
発振装置から出力される第２のレーザ光を第２の照射手
段から蒸着材料の蒸気に照射して蒸気の一部をイオン化
するものである。

【００１６】請求項７は、真空槽内で蒸着材料を加熱し
て蒸発させ、発生した蒸着材料の蒸気の一部をイオン化
して加速し、イオン化した蒸気を他の蒸気とともに基板
に蒸着させるようにした薄膜形成装置において、レーザ
発振装置から第１のレーザ光と第２のレーザ光とを出力
し、第１のレーザ光を第１の照射手段から蒸着材料に照
射して加熱し、第２のレーザ光を第２の照射手段から蒸
着材料の蒸気に照射して蒸気の一部をイオン化するもの
である。

【００１７】請求項８は、請求項６又は請求項７におい
て、蒸着材料の蒸気に照射した第２のレーザ光をミラー
で反射させ、反射した第２のレーザ光を再度蒸着材料の
蒸気に照射するものである。

【００１８】

【作用】請求項１では、レーザ発振装置から出力される
レーザ光を蒸着材料に照射して加熱するので、蒸着材料
のみが蒸気になる。また、レーザ光は発生した蒸気に対
しても照射されるので、蒸気の一部がイオン化される。

【００１９】請求項２では、蒸着材料へのレーザ光の照
射位置を変動させるので、蒸着材料の広い範囲にわたっ
て溶融させる。

【００２０】請求項３では、蒸着材料の周辺部に照射す
るレーザ光の密度を中心部に照射するレーザ光の密度よ
り大きくしたので、周辺部からの熱放散を補償して蒸発
面内の温度分布を均等化する。

【００２１】請求項４では、レーザ発振装置から出力さ
れるレーザ光を蒸着材料に照射して加熱するので、蒸着
材料のみが蒸気になる。また、発生した蒸気にもレーザ
光が照射されるので、一部がイオン化する。さらに、蒸
着材料とレーザ光の照射手段との間に配置したシールド
板により、蒸気が照射手段の方へ移動するのを阻止す
る。

【００２２】請求項５では、蒸着材料に基板の方向に向
かって開口した穴を設け、レーザ光を穴内の蒸着材料に
照射して加熱するので、蒸気を指向性よく基板へ向かっ
て飛ばすことができる。

【００２３】請求項６では、第１のレーザ発振装置から
出力される第１のレーザ光を蒸着材料に照射して加熱
し、第２のレーザ発振装置から出力される第２のレーザ
光を蒸着材料の蒸気に照射して蒸気の一部をイオン化す
る。

【００２４】請求項７では、レーザ発振装置から第１の
レーザ光と第２のレーザ光とを出力し、第１のレーザ光
で蒸着材料を加熱して蒸気を発生させ、第２のレーザ光
を蒸着材料の蒸気に照射して一部をイオン化する。

【００２５】請求項８では、請求項６又は請求項７にお
いて、蒸着材料の蒸気に照射した第２のレーザ光をミラ
ーで反射させ、反射した第２のレーザ光を再度蒸着材料
の蒸気に照射するので、蒸気の一部をイオン化させる。

【００２６】

【実施例】

実施例１．図１は、この発明の実施例を示す構成図であ
る。図１において、１、２、８〜１１は従来と同様であ
る。１２はレーザ光１３を出力するＹＡＧレーザ装置か
らなるレーザ発振装置で、蒸着材料１にレーザ光１３を
照射して加熱する。１４はレーザ発振装置１２から出力
されたレーザ光１３を伝送する光ファイバー、１５は真
空槽１０内の光ファイバー１４の先端に接続された照射
手段で、蒸着材料１に向かってコリメート化されたレー
ザ光１３を出射する。

【００２７】１６は蒸着材料１が蒸発して発生した蒸
気、１７は直流電源からなる加速手段で、るつぼ２と基
板８との間に直流電圧を印加する。１８は穴１８ａを設
けたシールド板で、蒸着材料１が充填されるるつぼ２と
照射手段１５との間に配置されて蒸気１６が照射手段１
５の方へ移動するのを防止する。１９はシールド板１８
の穴１８ａに固着した筒体で、レーザ光１３が通過でき
るように形成してある。これによって、レーザ光１３は
筒体１９内を通過して蒸着材料１へ照射されるととも
に、蒸気１６が照射手段１５へ付着するのを防止する。

【００２８】次に動作について説明する。図１におい
て、真空槽１０内を真空ポンプ１１で排気した後、レー
ザ発振装置１２から出力されたレーザ光１３を照射手段
１５からるつぼ２内の蒸着材料１の上面に照射する。こ
れによって、蒸着材料１はレーザ光１３で加熱溶融され
て蒸発し、蒸気１６が発生する。このとき蒸着材料１の
上方にある蒸気１６にも照射手段１５から出射されたレ
ーザ光１３が照射されるので、蒸気の一部が励起又はイ
オン化される。

【００２９】蒸着材料１がＴｉ等の高融点金属の場合、
レーザ光１３の出力は２ＫＷ程度が必要であり、光ファ
イバ１４で伝送可能である。イオン化された蒸気１６は
加速手段１７により加速されて、他のイオン化されなか
った蒸気１６とともに基板８に到達して薄膜が形成され
る。レーザ光１３は蒸着材料１へ直接照射されるので、
蒸着材料１のみを局所的に加熱するため、高純度の薄膜
を形成することができる。

【００３０】また、蒸気１６はシールド板１８で照射手
段１５の方向へ移動するのを阻止される。したがって、
蒸気１６が照射手段１５へ付着するのを防止できるの
で、レーザ光１３の照射光度が低下するのを軽減でき
る。

【００３１】上記実施例１では蒸気１３を発生させイオ
ン化するのにＹＡＧレーザ装置を使用したものについて
説明したが、エキシマレーザ、炭酸ガスレーザ、アルゴ
ンレーザ、ヨーソレーザ、銅蒸気レーザ等の高出力レー
ザを単独あるいは複数台使用してもよい。

【００３２】実施例２．図２は、他の実施例を示す構成
図である。図２において、２０は真空槽１０に設けた窓
で、レーザ光１３が通過できるように構成されている。
このように照射手段１５を真空槽１０の外側に配置し
て、窓２０を通してレーザ光１３を蒸着材料１に照射す
ることによって、蒸着材料１の蒸気１６を発生させると
ともに、蒸気１６の一部がイオン化され、加速手段１７
で加速されて基板８に到達する。さらに照射手段１５に
蒸気１６が付着するのを防止できる。この場合、窓２０
の内側に蒸気１６が付着するので、定期的に清掃すると
か、窓２０を交換することでレーザ光１３の照射光度の
低下を防止できる。

【００３３】実施例３．図３は、さらに他の実施例を示
す構成図である。図３において、２１は照射手段１５の
レーザ光１３の方向を制御する位置制御機構で、蒸着材
料１に対してレーザ光１３をスキャンする。２２はるつ
ぼ２を回転させたり上下方向に移動させる移動機構であ
る。２３は照射手段１５のレーザ光１３が通過できるよ
うに照射手段１５の出射端に設けた筒体で、蒸気１６が
照射手段１５に付着するのを防止する。図３において、
位置制御機構２１により照射手段１５を制御して蒸着材
料１へのレーザ光１３の照射をスキャンする。これによ
って、蒸着材料１の蒸発が効率よくできるとともに、蒸
気１６の一部がイオン化され、加速手段１７で加速され
て基板８に到達する。また、移動機構２２で蒸着材料１
を回転させたり、上下方向へ移動させても同様の効果が
期待できる。

【００３４】実施例４．図４は、さらに他の実施例の要
部を示す平面図である。図４において、２４はレーザ光
１３の密度を大きくしてスキャンする大密度部で、蒸着
材料１の周辺部、即ちるつぼ２に近い側である。２５は
レーザ光１３の密度を大密度部２４より小さくしてスキ
ャンする小密度部で、蒸着材料１の上面の中心側であ
る。

【００３５】上記のように、蒸着材料１の周辺部へ照射
するレーザ光１３の密度を中心部へ照射するレーザ光１
３の密度より大きくすることによって、冷め易いるつぼ
２側の熱放散を補償するので、蒸着材料１をほぼ均一に
加熱するため、発生する蒸気１６の密度をほぼ均一化で
きる。さらに、蒸気１６にレーザ光１３が照射されるの
で、蒸気１６の一部がイオン化され、加速手段１７で加
速されて基板８に到達する。したがって、基板８へ蒸着
する膜厚の均一化が図り易くなる。

【００３６】レーザ光１３の密度の調整は、レーザ発振
装置１２の出力を調整して行うことができる。また、出
力を固定して蒸着材料１へのレーザ光１３の照射時間を
調整してもよい。さらに、スキャンの間隔ｄを蒸着材料
１の周辺部より中心部を大きくしてもよい。

【００３７】実施例５．図５は、さらに他の実施例を示
す構成図である。図５において、２６及び２７はレーザ
光１３が通過できる穴２６ａ及び２７ａを設けたシール
ド板で、蒸着材料１が充填されるるつぼ２と照射手段１
５との間に配置されて、蒸気１６が照射手段１５の方へ
移動するのを防止する。レーザ光１３を各筒体２６、２
７の穴２６ａ、２７ａを通過させて蒸着材料１に照射す
ることによって、蒸着材料１の蒸気が発生するとともに
レーザ光１３が蒸気１６に照射されるので、蒸気の一部
がイオン化され、加速手段１７で加速されて基板８に到
達する。

【００３８】実施例６．図６は、さらに他の実施例を示
す構成図である。図６において、２８はるつぼ２に充填
された蒸着材料で、基板８に向かって開口した穴２８ａ
と、穴２８ａに連通した横方向の穴２８ｂとが設けられ
ている。照射手段１５のレーザ光１３が穴２８ｂから照
射されて、穴２８ａ内の蒸着材料２８を加熱溶融する。
これによって、発生した蒸着材料２８の蒸気１６は穴２
８ａに案内されて基板８の方へ指向性をもたせて飛ばす
ことができる。そして、穴２８ａに発生した蒸気１６に
もレーザ光１３が照射されるので、蒸気の一部がイオン
化され、加速手段１７によって加速されて基板８に到達
する。蒸気１６に指向性をもたせることができるので、
基板８が高アスペクト比の微細コンタクトホールを有す
る半導体配線用バリア膜への蒸着などには、効率よくで
きる。

【００３９】実施例７．図７は、さらに他の実施例を示
す構成図である。図７において、２９はるつぼ２に充填
された蒸着材料で、基板８に向かって開口した穴２９ａ
が設けられている。照射手段１５はるつぼ２の斜め上方
に配置されて、レーザ光１３が蒸着材料２９の穴２９ａ
内に照射できるようにしてある。このような構成におい
て、レーザ光１３を蒸着材料２９の穴２９ａに照射する
ことによって、蒸着材料２９が溶融して蒸発する。発生
した蒸気１６にもレーザ光１３が照射されるので、蒸気
の一部がイオン化されて、加速手段１７で加速されて基
板８に到達する。

【００４０】この場合、発生した蒸気１６は穴２９ａに
案内されて、指向性をもって基板の方向へ飛ばせる。さ
らに、移動機構２２で蒸着材料２９を回転させたり、あ
るいは上下方向に移動させることによって、蒸着材料２
９を広範囲にわたって使用することができる。また、開
口した穴２９ａは、蒸着材料２９を上下方向に貫通した
穴にしても同様の効果が期待できる。

【００４１】実施例８．図８は、さらに他の実施例を示
す構成図である。図８において、３０はレーザ光３１を
出力するレーザ発振装置、３２はレーザ光３１を伝送す
る光ファイバー、３３は真空槽１０内の光ファイバー３
２の先端に接続された照射手段で、蒸着材料１の蒸気１
６に向かってコリメート化されたレーザ光３１を照射す
る。３４は照射手段３３の出射端に設けた筒体で、蒸気
１６が照射手段３３に付着するのを防止する。上記構成
において、照射手段１５から出射されたレーザ光１３を
蒸着材料１に照射して蒸気１６を発生させる。そして、
照射手段３３から出射されたレーザ光３１を蒸気１６に
照射して、蒸気１６の一部をイオン化し、加速手段１７
で加速して基板８へ蒸着させる。

【００４２】蒸着材料１を加熱溶融するレーザ発振装置
１２とは別に蒸気１６の一部をイオン化するレーザ発振
装置３０を設けたので、イオン化がより効果的にでき
る。なお、レーザ発振装置３０として、ＹＡＧレーザ、
エキシマレーザ、炭酸ガスレーザ、アルゴンガスレー
ザ、ヨーソレーザ、銅蒸気レーザ等のレーザ光源が使用
できる。

【００４３】実施例９．図９は、さらに他の実施例を示
す構成図である。図９において、レーザ光３１は蒸着材
料１を加熱するレーザ光１３を出力するレーザ発振器１
２から分光して出力したものである。その他の構成は実
施例８と同様である。このような構成においても、実施
例８と同様の効果が期待できる。

【００４４】実施例１０．図１０は、さらに他の実施例
を示す構成図である。図１０において、３５は蒸気１６
の通路を挟んで照射手段３３と対向して配置されたミラ
ーで、蒸気１６に照射されたレーザ光３１を反射して、
再度レーザ光３１を蒸気１６に照射する。３６は蒸気１
６の通路を挟んでミラー３５と対向して配置されたミラ
ーで、レーザ光３１を再度反射して蒸気１６に照射す
る。その他の構成は実施例８と同様である。このような
構成によれば、イオン化を多重化するので、イオン化が
さらに効果的にできる。

【００４５】実施例１１．上記実施例３及び実施例６〜
実施例１０では、照射手段１５、３３を真空槽１０内に
配置したものについて説明したが、いずれも実施例２に
示すように真空槽１０の外部に各照射手段１５、３３を
配置しても同様の効果が期待できる。

【００４６】

【発明の効果】請求項１は、レーザ光を蒸着材料に直接
照射して加熱するので、蒸着材料のみが蒸気になるた
め、蒸気中への不純物の混入を防止できる。また、発生
した蒸気にもレーザ光が照射されるので、蒸気の一部を
イオン化させることができる。

【００４７】請求項２は、請求項１において、蒸着材料
へのレーザ光の照射位置を変動させるので、蒸着材料の
広い範囲にわたって溶融させることができる。

【００４８】請求項３は、請求項２において、蒸着材料
の周辺部に照射するレーザ光の密度を中心部に照射する
レーザ光の密度より大きくしたので、蒸着材料の周辺部
からの熱放散を補償して蒸発面内の温度分布を均等化す
るため、蒸発面から発生する蒸気の密度を均等化でき
る。

【００４９】請求項４は、レーザ光を蒸着材料に直接照
射して加熱するので、蒸着材料のみが蒸気になるため、
蒸気中への不純物の混入を防止できる。また、発生した
蒸気にもレーザ光が照射されるので、蒸気の一部をイオ
ン化させることができる。さらに、蒸着材料の蒸気の発
生部とレーザ光の照射手段との間にシールド板を配置し
たので、蒸気が照射手段の方向へ移動するのを防止する
ため、蒸気が照射手段へ付着して照射強度を低下させる
のを軽減できる。

【００５０】請求項５は、蒸着材料に基板の方向に向か
って開口した穴を設け、レーザ光を穴内の蒸着材料に照
射して加熱するので、発生した蒸気に指向性をもたせて
基板に向かって飛ばすことができる。また、穴内で発生
した蒸気にレーザ光が照射されるので、蒸気の一部をイ
オン化させることができる。

【００５１】請求項６は、第１のレーザ発振装置から出
力される第１のレーザ光を蒸着材料に照射して加熱し、
第２のレーザ発振装置から出力される第２のレーザ光を
蒸着材料の蒸気に照射して蒸気の一部をイオン化するの
で、蒸気中に不純物が混入するのを防止するとともに、
蒸気の一部のイオン化もできる。

【００５２】請求項７は、レーザ発振装置から第１のレ
ーザ光と第２のレーザ光とを出力し、第１のレーザ光を
蒸着材料に照射して加熱し、第２のレーザ光を蒸着材料
の蒸気に照射して蒸気の一部をイオン化するので、蒸気
中に不純物が混入するのを防止するとともに、蒸気の一
部のイオン化もできる。

【００５３】請求項８は、請求項６又は請求項７におい
て、蒸着材料の蒸気に照射した第２のレーザ光をミラー
で反射させ、反射した第２のレーザ光を再度蒸気に照射
するので、蒸気の一部のイオン化が効率よくできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例１を示す構成図である。

【図２】この発明の実施例２を示す構成図である。

【図３】この発明の実施例３を示す構成図である。

【図４】この発明の実施例４を示す平面図である。

【図５】この発明の実施例５を示す構成図である。

【図６】この発明の実施例６を示す構成図である。

【図７】この発明の実施例７を示す構成図である。

【図８】この発明の実施例８を示す構成図である。

【図９】この発明の実施例９を示す構成図である。

【図１０】この発明の実施例１０を示す構成図である。

【図１１】従来の薄膜形成装置を示す構成図である。

【符号の説明】

１、２８、２９ 蒸着材料 ２ るつぼ ８ 基板 １０ 真空槽 １２、３０ レーザ発振装置 １３、３１ レーザ光 １５、３３ 照射手段 １６ 蒸気 １７ 加速手段 １８、２６、２７ シールド板 ２８、２９ 蒸着材料 ２８ａ、２９ａ 穴 ３５、３６ ミラー

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 真空槽内で蒸着材料を加熱して蒸発さ
   せ、発生した上記蒸着材料の蒸気の一部をイオン化して
   加速し、イオン化した蒸気を他の蒸気とともに基板に蒸
   着させるようにした薄膜形成装置において、レーザ発振
   装置から出力されるレーザ光を照射手段から照射して上
   記蒸着材料を加熱することを特徴とする薄膜形成装置。
2. 【請求項２】 請求項１において、蒸着材料へのレーザ
   光の照射位置を照射手段を制御して変動させることを特
   徴とする薄膜形成装置。
3. 【請求項３】 請求項２において、蒸着材料の周辺部に
   照射するレーザ光の密度を中心部に照射する上記レーザ
   光の密度より大きくしたことを特徴とする薄膜形成装
   置。
4. 【請求項４】 真空槽内で蒸着材料を加熱して蒸発さ
   せ、発生した上記蒸着材料の蒸気の一部をイオン化して
   加速し、イオン化した蒸気を他の蒸気とともに基板に蒸
   着させるようにした薄膜形成装置において、レーザ発振
   装置により上記蒸着材料にレーザ光を照射手段から照射
   して上記蒸着材料を加熱し、上記レーザ光が照射される
   上記蒸着材料と上記真空槽内に設けられた上記レーザ光
   の照射手段との間に、上記レーザ光が通過できる穴を有
   し上記蒸気が上記照射手段側へ移動するのを阻止するシ
   ールド板を配置したことを特徴とする薄膜形成装置。
5. 【請求項５】 真空槽内で蒸着材料を加熱して蒸発さ
   せ、発生した上記蒸着材料の蒸気の一部をイオン化して
   加速し、イオン化した蒸気を他の蒸気とともに基板に蒸
   着させるようにした薄膜形成装置において、上記蒸着材
   料に上記基板の方向に向かって開口した穴を設け、レー
   ザ発振装置から出力されたレーザ光を照射手段から上記
   穴内の上記蒸着材料に照射して加熱することを特徴とす
   る薄膜形成装置。
6. 【請求項６】 真空槽内で蒸着材料を加熱して蒸発さ
   せ、発生した上記蒸着材料の蒸気の一部をイオン化して
   加速し、イオン化した蒸気を他の蒸気とともに基板に蒸
   着させるようにした薄膜形成装置において、第１のレー
   ザ発振装置から出力される第１のレーザ光を第１の照射
   手段から上記蒸着材料に照射して加熱し、第２のレーザ
   発振装置から出力される第２のレーザ光を第２の照射手
   段から上記蒸着材料の上記蒸気に照射して上記蒸気の一
   部をイオン化することを特徴とする薄膜形成装置。
7. 【請求項７】 真空槽内で蒸着材料を加熱して蒸発さ
   せ、発生した上記蒸着材料の蒸気の一部をイオン化して
   加速し、イオン化した蒸気を他の蒸気とともに基板に蒸
   着させるようにした薄膜形成装置において、レーザ発振
   装置から第１のレーザ光と第２のレーザ光とを出力し、
   上記第１のレーザ光を第１の照射手段から上記蒸着材料
   に照射して加熱し、上記第２のレーザ光を第２の照射手
   段から上記蒸着材料の上記蒸気に照射して上記蒸気の一
   部をイオン化することを特徴とする薄膜形成装置。
8. 【請求項８】 請求項６又は請求項７において、蒸着材
   料の蒸気に照射した第２のレーザ光をミラーで反射さ
   せ、反射した上記第２のレーザ光を再度上記蒸着材料の
   上記蒸気に照射することを特徴とする薄膜形成装置。