JPH0435016B2 - - Google Patents
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- JPH0435016B2 JPH0435016B2 JP60107304A JP10730485A JPH0435016B2 JP H0435016 B2 JPH0435016 B2 JP H0435016B2 JP 60107304 A JP60107304 A JP 60107304A JP 10730485 A JP10730485 A JP 10730485A JP H0435016 B2 JPH0435016 B2 JP H0435016B2
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- Japan
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- fixed
- feedback
- resistance
- resistance value
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、低電流の電流−電圧変換回路、特に
フオト・ダイオードなどの光電素子を用いた測光
回路に関するものである。
フオト・ダイオードなどの光電素子を用いた測光
回路に関するものである。
従来の技術
近年、光計測の分野においては、微弱光の計測
が要求されてきており、光電素子の低光電流域を
精度良く測定することが必要となつてきている。
また、広いダイナミツクレンジを持つ光電素子、
例えば、フオト・ダイオードは数pAから数十μA
のダイナミツクレンジを持つており、これを有効
に利用するためにも、光電素子の低光電流域の計
測が必要となつてきている。
が要求されてきており、光電素子の低光電流域を
精度良く測定することが必要となつてきている。
また、広いダイナミツクレンジを持つ光電素子、
例えば、フオト・ダイオードは数pAから数十μA
のダイナミツクレンジを持つており、これを有効
に利用するためにも、光電素子の低光電流域の計
測が必要となつてきている。
フオト・ダイオードを用いた従来の測光回路
は、第４図に示すような回路で実現されてきた。
この回路では、帰還抵抗２２を切換手段２３で切
換え、回路の増幅度を変えて光電素子１の広いダ
イナミツクレンジに対応させている。しかしなが
ら、切換手段２３は、リレーやスイツチなど漏れ
電流が光電流より少ないものでなければ、光電素
子１の低光電流域において測定に誤差が生じる。
このため、切換手段２３には、リレーやスイツチ
が用いられるが、応答性が悪いことや消費電力が
大きいため電池駆動の測光器等への応用が困難で
あるなどの問題があつた。
は、第４図に示すような回路で実現されてきた。
この回路では、帰還抵抗２２を切換手段２３で切
換え、回路の増幅度を変えて光電素子１の広いダ
イナミツクレンジに対応させている。しかしなが
ら、切換手段２３は、リレーやスイツチなど漏れ
電流が光電流より少ないものでなければ、光電素
子１の低光電流域において測定に誤差が生じる。
このため、切換手段２３には、リレーやスイツチ
が用いられるが、応答性が悪いことや消費電力が
大きいため電池駆動の測光器等への応用が困難で
あるなどの問題があつた。
また、第５図に示すように、電池駆動の測光器
等への応用できる回路も考案されている（特公昭
58−37489号公報）。しかし、この回路では、電界
効果型トランジスタ（以降FETと略す）２５の
漏れ電流がフオトダイオード１の光電流と同程度
の数百pAのがあり、フオトダイオード１の低光
電流域での使用ができない。
等への応用できる回路も考案されている（特公昭
58−37489号公報）。しかし、この回路では、電界
効果型トランジスタ（以降FETと略す）２５の
漏れ電流がフオトダイオード１の光電流と同程度
の数百pAのがあり、フオトダイオード１の低光
電流域での使用ができない。
また、演算増幅器を用いた増幅回路としては、
例えば実開昭53−163186号公報のように、演算増
幅器の出力を抵抗分割し、その分割点から出力電
圧を帰還させることにより、大きな増幅度を得る
ものがある。このような方法で増幅度を変化させ
るためには、抵抗分割比を変化させて帰還量を変
える必要がある。このため、前述のリレーやスイ
ツチを使用する必要があり、電池駆動のように低
消費電力動作には対応できない。
例えば実開昭53−163186号公報のように、演算増
幅器の出力を抵抗分割し、その分割点から出力電
圧を帰還させることにより、大きな増幅度を得る
ものがある。このような方法で増幅度を変化させ
るためには、抵抗分割比を変化させて帰還量を変
える必要がある。このため、前述のリレーやスイ
ツチを使用する必要があり、電池駆動のように低
消費電力動作には対応できない。
発明が解決しようとする問題点
このような従来の回路では、リレー（消費電流
数十mA）やスイツチを用いなければならないた
め、低消費電力が実現できなかつたり、測定レン
ジを切り換えた自動計測ができず、電池駆動が求
められる測光器への応用が困難である。また、
FETを用いた前述の回路では、FETの漏れ電流
の影響が大きく、光電素子の低光電流域での使用
が困難となり、光電素子本来の広いダイナミツク
レンジが活用できない。
数十mA）やスイツチを用いなければならないた
め、低消費電力が実現できなかつたり、測定レン
ジを切り換えた自動計測ができず、電池駆動が求
められる測光器への応用が困難である。また、
FETを用いた前述の回路では、FETの漏れ電流
の影響が大きく、光電素子の低光電流域での使用
が困難となり、光電素子本来の広いダイナミツク
レンジが活用できない。
本発明は、かかる点に鑑みたもので、光電素子
の低光電流域から高光電流域までの広いダイナミ
ツクレンジに対して、増幅度を切り換えた光計測
を低消費電力で実現して、電池駆動の測光器等へ
の応用可能な測光回路を提供するものである。
の低光電流域から高光電流域までの広いダイナミ
ツクレンジに対して、増幅度を切り換えた光計測
を低消費電力で実現して、電池駆動の測光器等へ
の応用可能な測光回路を提供するものである。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、光電素子
からの光電流を増幅する増幅器と、抵抗値を変え
る可変素子を有する第一の抵抗部と、この第一の
抵抗部に直列接続された第二の抵抗部と、第一の
抵抗部と第二の抵抗部の接続点から増幅器の入力
へ負帰還させる帰還抵抗とを具備し、第一の抵抗
部と第二の抵抗部の直列回路を増幅器の出力端と
接地間に接続するとともに帰還抵抗の抵抗値を第
二の抵抗部の抵抗値より大きく増幅器の出力の値
に応じて可変素子の抵抗値を変化させる制御手段
を有する測光回路である。
からの光電流を増幅する増幅器と、抵抗値を変え
る可変素子を有する第一の抵抗部と、この第一の
抵抗部に直列接続された第二の抵抗部と、第一の
抵抗部と第二の抵抗部の接続点から増幅器の入力
へ負帰還させる帰還抵抗とを具備し、第一の抵抗
部と第二の抵抗部の直列回路を増幅器の出力端と
接地間に接続するとともに帰還抵抗の抵抗値を第
二の抵抗部の抵抗値より大きく増幅器の出力の値
に応じて可変素子の抵抗値を変化させる制御手段
を有する測光回路である。
作 用
本発明は上記した構成により、増幅器の負帰還
系の帰還量を増幅器の出力に応じて、制御手段に
より可変素子の抵抗値を変化させることで第一の
抵抗部の抵抗値を制御している。このように回路
系の増幅度を自動的に変えることで、光電素子の
低光電流域からの広いダイナミツクレンジを活用
できるようにしている。また第一の抵抗部が
FETなどの抵抗値が変化できる可変素子で構成
されているが、この第一の抵抗部と第二の抵抗部
の接続点に接続された帰還抵抗の抵抗値が、第二
の抵抗部の抵抗値より大きくしてあるので、可変
素子が最大の抵抗値を示したとき（FETの場合
は遮断時）の漏れ電流の影響が第二の抵抗部に流
れやすくなり、帰還抵抗に流れにくくなるので帰
還量の漏れ電流によを変化が低減でき、精度が良
くしかもダイナミツクレンジの広い測定回路が得
られる。
系の帰還量を増幅器の出力に応じて、制御手段に
より可変素子の抵抗値を変化させることで第一の
抵抗部の抵抗値を制御している。このように回路
系の増幅度を自動的に変えることで、光電素子の
低光電流域からの広いダイナミツクレンジを活用
できるようにしている。また第一の抵抗部が
FETなどの抵抗値が変化できる可変素子で構成
されているが、この第一の抵抗部と第二の抵抗部
の接続点に接続された帰還抵抗の抵抗値が、第二
の抵抗部の抵抗値より大きくしてあるので、可変
素子が最大の抵抗値を示したとき（FETの場合
は遮断時）の漏れ電流の影響が第二の抵抗部に流
れやすくなり、帰還抵抗に流れにくくなるので帰
還量の漏れ電流によを変化が低減でき、精度が良
くしかもダイナミツクレンジの広い測定回路が得
られる。
実施例
第１図は本発明の測光回路の一実施例を示し、
増幅器として演算増幅器を用いたものである。第
１図において、１はフオトダイオードなどの光電
素子、２は演算増幅器、３は帰還抵抗、４は第二
の抵抗部としての固定抵抗Ａ、５は固定抵抗Ｂ、
６は可変素子としてのFET、７はFET６を制御
する制御手段としての制御回路、８は出力であ
り、固定抵抗Ｂ５とFET６で第一の抵抗部とし
ての可変抵抗部１０を構成する。
増幅器として演算増幅器を用いたものである。第
１図において、１はフオトダイオードなどの光電
素子、２は演算増幅器、３は帰還抵抗、４は第二
の抵抗部としての固定抵抗Ａ、５は固定抵抗Ｂ、
６は可変素子としてのFET、７はFET６を制御
する制御手段としての制御回路、８は出力であ
り、固定抵抗Ｂ５とFET６で第一の抵抗部とし
ての可変抵抗部１０を構成する。
以上のように構成された本実施例の測光回路に
ついて、以下その動作を説明する。
ついて、以下その動作を説明する。
フオトダイオードなどの光電素子１に光が入射
すると、入射した光量に応じた光電流が発生す
る。この光電流は演算増幅器２に入力され、光電
流は増幅され、電圧値に変換される。ここで、増
幅度は帰還抵抗３によつて帰還される帰還量によ
つて決まる。演算増幅器２の出力８は、固定抵抗
Ａ４と可変抵抗部１０とで分圧される。さらに、
可変抵抗部１０を構成する固定抵抗Ｂ５とFET
６は直列に接続され、固定抵抗Ｂ５をFET６を
介して接地する。固定抵抗Ａ４と可変抵抗部１０
とで分圧された演算増幅器２の出力を帰還抵抗３
を介して演算増幅器２の負入力に帰するととも
に、可変抵抗部１０の抵抗値を変えて、固定抵抗
Ａ４と可変抵抗部１０との分圧比を変えることに
よつて帰還量を変える。すなわち、FET６をア
ナログ・スイツチとして動作させれば帰還抵抗３
への帰還量が変化する。
すると、入射した光量に応じた光電流が発生す
る。この光電流は演算増幅器２に入力され、光電
流は増幅され、電圧値に変換される。ここで、増
幅度は帰還抵抗３によつて帰還される帰還量によ
つて決まる。演算増幅器２の出力８は、固定抵抗
Ａ４と可変抵抗部１０とで分圧される。さらに、
可変抵抗部１０を構成する固定抵抗Ｂ５とFET
６は直列に接続され、固定抵抗Ｂ５をFET６を
介して接地する。固定抵抗Ａ４と可変抵抗部１０
とで分圧された演算増幅器２の出力を帰還抵抗３
を介して演算増幅器２の負入力に帰するととも
に、可変抵抗部１０の抵抗値を変えて、固定抵抗
Ａ４と可変抵抗部１０との分圧比を変えることに
よつて帰還量を変える。すなわち、FET６をア
ナログ・スイツチとして動作させれば帰還抵抗３
への帰還量が変化する。
ここで、FET６を中心とする回路の動作をさ
らに詳しく説明する。
らに詳しく説明する。
演算増幅器２の出力を出力電圧の下限値VLか
ら出力電圧の上限値VHの範囲とする（演算増幅
器２のダイナミツクレンジは光電素子１のそれに
比べて小さいので増幅度を変えてこれに対応する
ため出力電圧の上限・下限を定める）ため、制御
回路７でVL，VHを検出し、これに基づいてFET
６の導通状態を制御する。例えば、制御回路７は
第２図に示す回路で実現できる。今、演算増幅器
２の出力が上限値VHを超えると、制御回路７は
FET６を非導通とする。帰還抵抗３と固定抵抗
Ａ４および固定抵抗Ｂ５の比が大きい（帰還抵抗
３》固定抵抗Ａ４＋固定抵抗Ｂ５）とすれば、帰
還抵抗３に演算増幅器２の出力が加わる。FET
６が導通時には、固定抵抗Ａ４と固定抵抗Ｂ５と
によつて演算増幅器２の出力が分圧されて帰還抵
抗３に加えられるから、FET６が非導通のとき
は、導通時に比べて帰還抵抗３を介する帰還量が
大きく、回路としての増幅度は小さくなる（負入
力へ帰還させるため）。したがつて、演算増幅器
２の出力は上限値VHより小さくなる。
ら出力電圧の上限値VHの範囲とする（演算増幅
器２のダイナミツクレンジは光電素子１のそれに
比べて小さいので増幅度を変えてこれに対応する
ため出力電圧の上限・下限を定める）ため、制御
回路７でVL，VHを検出し、これに基づいてFET
６の導通状態を制御する。例えば、制御回路７は
第２図に示す回路で実現できる。今、演算増幅器
２の出力が上限値VHを超えると、制御回路７は
FET６を非導通とする。帰還抵抗３と固定抵抗
Ａ４および固定抵抗Ｂ５の比が大きい（帰還抵抗
３》固定抵抗Ａ４＋固定抵抗Ｂ５）とすれば、帰
還抵抗３に演算増幅器２の出力が加わる。FET
６が導通時には、固定抵抗Ａ４と固定抵抗Ｂ５と
によつて演算増幅器２の出力が分圧されて帰還抵
抗３に加えられるから、FET６が非導通のとき
は、導通時に比べて帰還抵抗３を介する帰還量が
大きく、回路としての増幅度は小さくなる（負入
力へ帰還させるため）。したがつて、演算増幅器
２の出力は上限値VHより小さくなる。
また、演算増幅器２の出力が下限値VLより小
さくなつたときは、上述の動作が逆に起こるもの
である。
さくなつたときは、上述の動作が逆に起こるもの
である。
なお、従来の回路ではFETの漏れ電流が問題
となつたが、本実施例においては、帰還抵抗》固
定抵抗Ａ４であるため、FET６の漏れ電流のほ
とんどは固定抵抗Ａ４を流れるので、光電流増幅
におよぼす影響が小さい。さらに、FET６のド
レインＤを接地すれば、FET６のゲードＧ−ド
レインＤ間の漏れ電流が光電流増幅に影響するこ
とはなくなり、このゲートＧ−ドレインＤ間の漏
れ電流よりも小さいソースＳ−ドレイン間の漏れ
電流の影響のみとなる。
となつたが、本実施例においては、帰還抵抗》固
定抵抗Ａ４であるため、FET６の漏れ電流のほ
とんどは固定抵抗Ａ４を流れるので、光電流増幅
におよぼす影響が小さい。さらに、FET６のド
レインＤを接地すれば、FET６のゲードＧ−ド
レインＤ間の漏れ電流が光電流増幅に影響するこ
とはなくなり、このゲートＧ−ドレインＤ間の漏
れ電流よりも小さいソースＳ−ドレイン間の漏れ
電流の影響のみとなる。
以上のように、本実施例によれば、光電素子か
らの光電流を演算増幅器に供給し、演算増幅器出
力端に一端を接続した固定抵抗Ａと、この固定抵
抗Ａの他端に一端を接続し他端を接地し演算増幅
器出力でFETをON／OFFさせて抵抗値を変化さ
せる可変抵抗部と、固定抵抗と可変抵抗部の接続
点から演算増幅器の負入力に接続して負帰還をか
ける帰還抵抗とを設け、固定抵抗Ａの抵抗値を帰
還抵抗の抵抗値よりも小さくし、FETの漏れ電
流を固定抵抗Ａに流すことにより、FETのON／
OFF動作時にFETの漏れ電流による演算増幅器
の帰還量変化をなくし、増幅度を切り換えて演算
増幅器のダイナミツクレンジを超えて安定な光計
測ができる。
らの光電流を演算増幅器に供給し、演算増幅器出
力端に一端を接続した固定抵抗Ａと、この固定抵
抗Ａの他端に一端を接続し他端を接地し演算増幅
器出力でFETをON／OFFさせて抵抗値を変化さ
せる可変抵抗部と、固定抵抗と可変抵抗部の接続
点から演算増幅器の負入力に接続して負帰還をか
ける帰還抵抗とを設け、固定抵抗Ａの抵抗値を帰
還抵抗の抵抗値よりも小さくし、FETの漏れ電
流を固定抵抗Ａに流すことにより、FETのON／
OFF動作時にFETの漏れ電流による演算増幅器
の帰還量変化をなくし、増幅度を切り換えて演算
増幅器のダイナミツクレンジを超えて安定な光計
測ができる。
以下、本発明の第２の実施例について、図面を
参照にしながら説明する。
参照にしながら説明する。
第３図は、本発明の第２の実施例を示す測光回
路の回路図である。第３図において、１はフオト
ダイオードなどの光電素子、２は増幅器（演算増
幅器）、３は帰還抵抗、４は固定抵抗Ａで、以上
は第１図の構成と同様なものである。第１図の構
成と異なるのは、可変抵抗部１１の構成であり、
固定抵抗Ｂ１２、固定抵抗Ｃ１３、固定抵抗Ｄ１
４を並列に接続し、これらの固定抵抗のうちの１
つの固定抵抗Ｄ１４を直接接地するとともに、他
の固定抵抗Ｂ１２、固定抵抗Ｃ１３は、FET１
５，１６を介して接地した点であり、これら
FET１５，１６を制御する制御回路１７を設け
ている。
路の回路図である。第３図において、１はフオト
ダイオードなどの光電素子、２は増幅器（演算増
幅器）、３は帰還抵抗、４は固定抵抗Ａで、以上
は第１図の構成と同様なものである。第１図の構
成と異なるのは、可変抵抗部１１の構成であり、
固定抵抗Ｂ１２、固定抵抗Ｃ１３、固定抵抗Ｄ１
４を並列に接続し、これらの固定抵抗のうちの１
つの固定抵抗Ｄ１４を直接接地するとともに、他
の固定抵抗Ｂ１２、固定抵抗Ｃ１３は、FET１
５，１６を介して接地した点であり、これら
FET１５，１６を制御する制御回路１７を設け
ている。
上記のように構成した第２の実施例の測光回路
について、以下その動作を説明する。ただし、光
電素子１、演算増幅器２および帰還抵抗３の動作
は第１の実施例と同様であり、ここでの説明は省
略する。
について、以下その動作を説明する。ただし、光
電素子１、演算増幅器２および帰還抵抗３の動作
は第１の実施例と同様であり、ここでの説明は省
略する。
演算増幅器２の出力を出力電圧の下限値VLか
ら上限値VHの範囲とするため、制御回路１７で
VL，VHを検出し、これに基づいてFET１５、
FET１６の導通状態を制御する。固定抵抗Ｂ１
２、Ｃ１３およびＤ１４は、固定抵抗Ｂ１２＜固
定抵抗Ｃ１３《固定抵抗Ｄ１４の関係があるとす
る。今、FET１５が導通、FET１６が非導通で
あるとする。このとき、帰還抵抗３を介して帰還
される帰還量は固定抵抗Ａ４と固定抵抗Ｂ１２と
の比で決まる。固定抵抗Ｂ１２《固定抵抗Ｄ１４
であるから固定抵抗Ｄ１４は無視できる。ここ
で、演算増幅器２の出力が上限値VHを超えると、
制御回路１７はFET１５を非導通、FET１６を
導通にする。すると帰還量は固定抵抗Ａ４と固定
抵抗Ｃ１３との比で決まるので、帰還量は大きく
なる（固定抵抗Ｂ１２＜固定抵抗Ｃ１３のため）。
したがつて、増幅度は小さくなるから演算増幅器
２の出力は上限値VHより小さくなる。このよう
にして、FET１５が非導通、FET１６が導通で
あるとき、演算増幅器２の出力がさらに大きくな
り、上限値VHを超えると制御回路１７はFET１
５および１６を非導通とする。すると帰還量は、
固定抵抗Ａ４と固定抵抗Ｄ１４との比で決まるの
で、帰還量は大きくなる（固定抵抗Ｃ１３≪固定
抵抗Ｄ１４のため）。したがつて、増幅度は小さ
くなるから演算増幅器２の出力は上限値VHより
小さくなる。
ら上限値VHの範囲とするため、制御回路１７で
VL，VHを検出し、これに基づいてFET１５、
FET１６の導通状態を制御する。固定抵抗Ｂ１
２、Ｃ１３およびＤ１４は、固定抵抗Ｂ１２＜固
定抵抗Ｃ１３《固定抵抗Ｄ１４の関係があるとす
る。今、FET１５が導通、FET１６が非導通で
あるとする。このとき、帰還抵抗３を介して帰還
される帰還量は固定抵抗Ａ４と固定抵抗Ｂ１２と
の比で決まる。固定抵抗Ｂ１２《固定抵抗Ｄ１４
であるから固定抵抗Ｄ１４は無視できる。ここ
で、演算増幅器２の出力が上限値VHを超えると、
制御回路１７はFET１５を非導通、FET１６を
導通にする。すると帰還量は固定抵抗Ａ４と固定
抵抗Ｃ１３との比で決まるので、帰還量は大きく
なる（固定抵抗Ｂ１２＜固定抵抗Ｃ１３のため）。
したがつて、増幅度は小さくなるから演算増幅器
２の出力は上限値VHより小さくなる。このよう
にして、FET１５が非導通、FET１６が導通で
あるとき、演算増幅器２の出力がさらに大きくな
り、上限値VHを超えると制御回路１７はFET１
５および１６を非導通とする。すると帰還量は、
固定抵抗Ａ４と固定抵抗Ｄ１４との比で決まるの
で、帰還量は大きくなる（固定抵抗Ｃ１３≪固定
抵抗Ｄ１４のため）。したがつて、増幅度は小さ
くなるから演算増幅器２の出力は上限値VHより
小さくなる。
また、演算増幅器２の出力が下限値VLより小
さくなつたときは上述の動作が逆に起こるもので
ある。
さくなつたときは上述の動作が逆に起こるもので
ある。
なお、この測光回路でFET１５および１６は
非導通時に流れる漏れ電流よりも固定抵抗Ｄ１４
に流れる電流が十分大きくなるように設定すれ
ば、FETの漏れ電流は無視できる。
非導通時に流れる漏れ電流よりも固定抵抗Ｄ１４
に流れる電流が十分大きくなるように設定すれ
ば、FETの漏れ電流は無視できる。
以上のように、本実施例によれば、固定抵抗Ｂ
１２，１３とFET１５を直列に接続して接地す
るとともに、これに並列に固定抵抗Ｄ１４を設置
し、固定抵抗Ｄ１４にFET１５の漏れ電流より
も大きな電流を定常的に流すことにより、FET
１５の漏れ電流の影響をなくして、FET１５を
ON／OFFさせながら増幅度を切り換えて光計測
ができる。
１２，１３とFET１５を直列に接続して接地す
るとともに、これに並列に固定抵抗Ｄ１４を設置
し、固定抵抗Ｄ１４にFET１５の漏れ電流より
も大きな電流を定常的に流すことにより、FET
１５の漏れ電流の影響をなくして、FET１５を
ON／OFFさせながら増幅度を切り換えて光計測
ができる。
なお、第１の実施例において、FET1つの場合
について説明したが、第２の実施例のように複数
のFETを設けることで、３段階以上の増幅度の
切換えができることは言うまでもない。また、第
１の実施例および第２の実施例において、帰還抵
抗３に並列に帰還容量を設けて演算増幅器２の動
作の安定を図ることは言うまでもない。
について説明したが、第２の実施例のように複数
のFETを設けることで、３段階以上の増幅度の
切換えができることは言うまでもない。また、第
１の実施例および第２の実施例において、帰還抵
抗３に並列に帰還容量を設けて演算増幅器２の動
作の安定を図ることは言うまでもない。
発明の効果
本発明の測光回路は、光電素子からの光電流を
増幅する増幅器と、この増幅器の帰還抵抗と、増
幅器の出力に抵抗された第一、第二の抵抗部の直
列回路と、増幅器の出力に応じて第一の抵抗部の
抵抗値を変化させる制御手段を有し、帰還抵抗が
第一，第二の抵抗部の接続点に接続され、この帰
還抵抗の抵抗値を第二の抵抗部の抵抗値より大き
くすることにより、第一の抵抗部の抵抗値を制御
するFETなどの可変素子の漏れ電流が影響しな
いようにして、光電素子の低光電流域から広いダ
イナミツクレンジを使うことができるとともに電
池による駆動ができ、その実用的効果は大きい。
増幅する増幅器と、この増幅器の帰還抵抗と、増
幅器の出力に抵抗された第一、第二の抵抗部の直
列回路と、増幅器の出力に応じて第一の抵抗部の
抵抗値を変化させる制御手段を有し、帰還抵抗が
第一，第二の抵抗部の接続点に接続され、この帰
還抵抗の抵抗値を第二の抵抗部の抵抗値より大き
くすることにより、第一の抵抗部の抵抗値を制御
するFETなどの可変素子の漏れ電流が影響しな
いようにして、光電素子の低光電流域から広いダ
イナミツクレンジを使うことができるとともに電
池による駆動ができ、その実用的効果は大きい。
第１図は本発明の第１の実施例における測光回
路を示した図、第２図はその制御回路の構成を示
す図、第３図は第２の実施例における測光回路を
示した図、第４図及び第５図は従来の測光回路の
例を示した図である。 １……光電素子、２……演算増幅器、３……帰
還抵抗、４……固定抵抗Ａ、５……固定抵抗Ｂ、
６……FET、７……制御回路、１０……可変抵
抗部、１１……可変抵抗部、１２……固定抵抗
Ｂ、１３……固定抵抗Ｃ，１４……固定抵抗Ｄ、
１５，１６……FET、１７……制御回路。
路を示した図、第２図はその制御回路の構成を示
す図、第３図は第２の実施例における測光回路を
示した図、第４図及び第５図は従来の測光回路の
例を示した図である。 １……光電素子、２……演算増幅器、３……帰
還抵抗、４……固定抵抗Ａ、５……固定抵抗Ｂ、
６……FET、７……制御回路、１０……可変抵
抗部、１１……可変抵抗部、１２……固定抵抗
Ｂ、１３……固定抵抗Ｃ，１４……固定抵抗Ｄ、
１５，１６……FET、１７……制御回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光電素子と、この光電素子の光電流を増幅す
る増幅器と、一端を接地した抵抗値を変える可変
素子を有する第一の抵抗部と、前記第一の抵抗部
に直列接続された第二の抵抗部と、前記第一の抵
抗部と第二の抵抗部の接続点から前記増幅器の入
力へ負帰還させる帰還抵抗とを具備し、前記第一
の抵抗部と第二の抵抗部の直列回路を前記増幅器
の出力端と接地間に接続するとともに前記帰還抵
抗の抵抗値を前記第二の抵抗部の抵抗値より大き
くし、前記増幅器の出力の値に応じて前記可変素
子の抵抗値を変化させる制御手段を有する測光回
路。 ２ 第一の抵抗部が、可変素子と第一の固定抵抗
の直列回路と、前記直列回路に並列に接続された
第二の固定抵抗とを具備し、前記可変素子の抵抗
値が最大のときの前記直列回路の抵抗値より前記
第二の固定抵抗器の抵抗値が小さいようにした特
許請求の範囲第１項記載の測光回路。 ３ 可変素子が電界効果型トランジスタであり、
前記電界効果型トランジスタのソース端子が第一
の固定抵抗に接続され、前記電界効果型トランジ
スタのドレイン端子が接地された特許請求の範囲
第１項記載の測定回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60107304A JPS61265537A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 測光回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60107304A JPS61265537A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 測光回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61265537A JPS61265537A (ja) | 1986-11-25 |
| JPH0435016B2 true JPH0435016B2 (ja) | 1992-06-09 |
Family
ID=14455696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60107304A Granted JPS61265537A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 測光回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61265537A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53163186U (ja) * | 1977-05-27 | 1978-12-20 |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP60107304A patent/JPS61265537A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61265537A (ja) | 1986-11-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |