JPH04350975A - 集積回路装置 - Google Patents

集積回路装置

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Publication number
JPH04350975A
JPH04350975A JP3152558A JP15255891A JPH04350975A JP H04350975 A JPH04350975 A JP H04350975A JP 3152558 A JP3152558 A JP 3152558A JP 15255891 A JP15255891 A JP 15255891A JP H04350975 A JPH04350975 A JP H04350975A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
emitting element
receiving element
light emitting
integrated circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP3152558A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Ogawa
小川 憲治
Masaaki Nakamura
政昭 仲村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP3152558A priority Critical patent/JPH04350975A/ja
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  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は集積回路装置に関し、特
に、入出力間の絶縁分離を必要とするフォトカプラ、あ
るいは、光起電力素子を備えた集積回路装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来までフォトカプラの代表的な例とし
ては、図4に示すように発光素子2を受光素子21と同
一平面上に配置し、両方の素子を覆うように透光性の樹
脂22を設け、更に、光を反射させるための白色の樹脂
23で被い、全体をモールド樹脂16で成形している。
【0003】また、フォトカプラの他の従来例は図4に
示すように、発光素子2と受光素子21を対向させて、
この間を透光性の樹脂22でつなぐ対向型の構造を有し
ている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のフ
ォトカプラは、基本的に対向型構造か、平面型構造に大
別されるが、いずれの構造においても、発光素子から受
光素子に光を導くための透光性樹脂を用いた構造(光結
合構造)がある程度の大きさとなるため、現在一般化し
ている薄型のフラットパッケージの中に組み込むことが
困難であった。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は発光素子
と、該発光素子と共にフォトカプラを構成する受光素子
とを備えた集積回路装置において、上記受光素子に空隙
を形成し、該空隙内に発光素子を収納したことである。
【0006】
【発明の作用】上記空隙に収納された発光素子から照射
された光は、空隙を介して対向している受光素子に達し
、電気信号に変換される。
【0007】
【実施例】本発明の実施例について、図面を参照して説
明する。図1〜図3は本発明の一実施例を示している。 リードフレーム1の上に発光素子2が設置されており、
これを覆うように受光素子3が設置されている。発光素
子2はボンディングワイヤ4によりリードフレームに電
気的に接続されており、受光素子3はボンディングワイ
ヤ6,7により、リードフレーム8に電気的に接続され
ている。ここで発光素子2の接続されたリードフレーム
は、リードフレーム1の陰になっており、リードフレー
ム9は、リードフレーム8の陰になっている。
【0008】受光素子3の裏面から側面にかけては酸化
膜10によりリードフレーム1とは完全に絶縁されてい
る。酸化膜の厚さを1.5μm程度にすれば、1000
V以上の絶縁耐圧を得ることができ、絶縁膜の厚さを厚
くすればより高い絶縁耐圧を得ることもできる。
【0009】ボンディングワイヤ6,7との接続部を除
き、受光素子3の表面も保護用の酸化膜11により覆わ
れているため、リードフレーム1とリードフレーム8,
9間の沿面距離も十分とることができ、絶縁耐圧の確保
ができる。
【0010】受光素子3と発光素子2の間には接着性の
ある絶縁性透光樹脂12が充填されており、光結合の安
定性と受光素子3の固定を合わせて実現している。
【0011】発光素子2は導電性の接着剤によりリード
フレーム1に固定されている。また、受光素子3の上側
になる空隙部分には金属膜13が設けられており、光を
反射して光結合効率を上げるようになっている。更に、
受光素子3の空隙部分の周囲にあたる単結晶領域14に
は、表面だけでなく底面から周囲にかけて拡散層15が
設けられており、発光素子2からの光を効率よく電気変
換できるようになっている。更にこれら全体はモールド
樹脂16により、薄型パッケージに成形されている。
【0012】次に、本実施例の受光素子の製造方法につ
いて、図2〜図3を参照して説明する。まず、表面部分
の必要とする拡散を終了した単結晶半導体基板17の裏
面を、異方性エッチングにより所定の深さまでエッチン
グする。この際、エッチング部分は発光素子を収納する
ための方形の領域18と後にダイシングによりチップを
切り離すための交差した溝状の領域19の二つからなる
【0013】次に裏面部分に拡散層15と酸化膜10を
形成し、更に発光素子を収納する空隙部分の表面に金属
膜13を形成し、ボンディング領域を除く表面全体に保
護用酸化膜11を形成する。この際、裏面の酸化膜形成
と表面の保護膜用の酸化膜の形成により、エッチング部
分の上部が完全に酸化膜20で形成されるようにする。 この後、それぞれのチップをダイシングにより切り離せ
ば、各チップに分離された受光素子3を得ることができ
る。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は受光素子
の空隙部に発光素子を収納する光結合構造とすることに
より、薄型パッケージに収納可能で、かつ光効率が良く
高感度のフォトカプラを得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示す断面図である。
【図2】一実施例の製造プロセスの一段階を示す断面図
である。
【図3】一実施例の製造プロセスの他の段階を示す断面
図である。
【図4】従来の集積回路の一例を示す断面図である。
【図5】従来の集積回路の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
1,5,8,9  リードフレーム 2  発光素子 3  受光素子 4,6,7  ボンディングワイヤ 10  酸化膜 11  保護用酸化膜 12  絶縁性透光樹脂 13  金属膜 14  単結晶領域 15  拡散層 16  モールド樹脂 17  単結晶半導体基板 18  方形の空隙 19  溝状の空隙 20  酸化膜 21  受光素子 22  透光性樹脂 23  白色の樹脂

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  発光素子と、該発光素子と共にフォト
    カプラを構成する受光素子とを備えた集積回路装置にお
    いて、上記受光素子に空隙を形成し、該空隙内に発光素
    子を収納したことを特徴とする集積回路装置。
  2. 【請求項2】  上記空隙は受光素子の形成された半導
    体層の裏面に形成されており、発光素子を収納した空隙
    は透光性物質で充填されている請求項1記載の集積回路
    装置。
  3. 【請求項3】  上記空隙上方の半導体層の表面には反
    射膜が形成されている請求項2記載の集積回路装置。
JP3152558A 1991-05-28 1991-05-28 集積回路装置 Pending JPH04350975A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3152558A JPH04350975A (ja) 1991-05-28 1991-05-28 集積回路装置

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JP3152558A JPH04350975A (ja) 1991-05-28 1991-05-28 集積回路装置

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JPH04350975A true JPH04350975A (ja) 1992-12-04

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ID=15543104

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JP3152558A Pending JPH04350975A (ja) 1991-05-28 1991-05-28 集積回路装置

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