JPH0528059U - 光結合半導体装置 - Google Patents
光結合半導体装置Info
- Publication number
- JPH0528059U JPH0528059U JP8444991U JP8444991U JPH0528059U JP H0528059 U JPH0528059 U JP H0528059U JP 8444991 U JP8444991 U JP 8444991U JP 8444991 U JP8444991 U JP 8444991U JP H0528059 U JPH0528059 U JP H0528059U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- receiving element
- light
- light receiving
- insulating film
- optically coupled
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁沿面距離を確保しつつ装置の薄型化を図
る。 【構成】 発光ダイオード7と受光素子6とを光透過性
絶縁フィルム4を挾むように対向させ設置し、受光素子
6とMOSFET2との間の電気的接続を取るために、
接続電極3a、3bを用いてこれらの素子を光透過性絶
縁フィルム4上の印刷配線5に接続する。
る。 【構成】 発光ダイオード7と受光素子6とを光透過性
絶縁フィルム4を挾むように対向させ設置し、受光素子
6とMOSFET2との間の電気的接続を取るために、
接続電極3a、3bを用いてこれらの素子を光透過性絶
縁フィルム4上の印刷配線5に接続する。
Description
【0001】
本考案は、光結合半導体装置に関し、特に受光素子によって駆動されるスイッ チング素子が同一パッケージ内に内蔵されている光結合半導体装置に関する。
【0002】
従来のこの種光結合半導体装置は、図4の断面図で示されるように、リードフ レームのアイランド1上に発光ダイオード7、受光素子6およびスイッチング素 子としてのMOSFET2をマウントし、受光素子6とMOSFET2との間を ボンディングワイヤ10で接続した後、発光ダイオード7と受光素子6とを対向 配置しその間に透明シリコン樹脂8を充填し、さらに全体をモールド樹脂9にて 封止したものである。
【0003】
この従来の光結合半導体装置では、入力側と出力側との間の絶縁を確保するた め、発光ダイオードと受光素子との間に十分の間隔を取る必要がある。特に、発 光ダイオードと受光素子とがマウントされているアイランド間をブリッジしてい るシリコン樹脂8と、これを覆っているモールド樹脂9との界面では絶縁が破壊 されやすいので、ここでの絶縁の沿面距離を一定以上に確保する必要がある。そ のため、従来の光結合装置では、装置を薄型化することが困難であった。
【0004】 また、受光素子とMOSFETとの間の接続をボンディングワイヤによって行 っているため、ボンディングワイヤが入力側のリードフレームに接触しないよう にする必要があり、そのため入力側と出力側とのリードフレームの間隔を狭める ことができず、この点からも従来例は装置の薄型化に対応できない構造となって いた。
【0005】
【課題を解決するための手段】 本考案の光結合半導体装置は、光透過性の絶縁フィルムに印刷配線を施し、こ の印刷配線基板を用いて受光素子とスイッチング素子との接続を行うとともに、 発光素子と受光素子との間の光結合路内にその光透過性絶縁フィルムを介在せし めるものである。
【0006】
次に、本考案の実施例について図面を参照して説明する。 図1は、本考案の第1の実施例を示す断面図であり、図2は、その入力側部分 を省略した一部透視斜視図である。 図1、図2に示されるように、リードフレームのアイランド1a上にMOSF ET2がマウントされ、MOSFET2上に形成された接続電極3aと光透過性 絶縁フィルム4上の印刷配線5とが接続され、また、受光素子6の受光面上に形 成された接続電極3bと光透過性絶縁フィルム4上の印刷配線5とが接続されて いる。
【0007】 さらに、受光素子6と対向するようにリードフレームのアイランド1b上に発 光ダイオード7がマウントされ、光透過性絶縁フィルム4と、受光素子6および 発光ダイオード7との間には光結合のためのゲル状の透明シリコン樹脂8が充填 されている。そして、全体はモールド樹脂9にて成型されている。
【0008】 発光ダイオード7から出射した光は、透明シリコン樹脂8および光透過性絶縁 フィルム4を透過して受光素子6に達する。ここで発生した電圧、電流は光透過 性絶縁フィルム4上の印刷配線5を介して、MOSFET2に伝達され、このト ランジスタをオンさせる。
【0009】 本実施例では、入力側と出力側とを光学的に結合する透明シリコン樹脂8を縦 断するように絶縁フィルム4が挿入されているので、発光ダイオードと受光素子 との間を近づけても十分な絶縁沿面距離を確保することができる。また、受光素 子とMOSFETとの間をボンディングワイヤでは接続していないので、入力側 と出力側とを近づけてもワイヤによる短絡事故は発生しない。よって、この考案 により装置の薄型化が達成される。
【0010】 図3は、本考案の第2の実施例を示す断面図である。 本実施例では、MOSFET2がマウントされるアイランド1aと発光ダイオ ード7がマウントされるアイランド1bとが光透過性絶縁フィルム4に対して同 じ側に配置されている。これにより、図1に示す先の実施例と比べ、入出力側の 絶縁の沿面距離は短くなるが、装置の厚さはさらに薄くできる。また、本実施例 では、全てのダイボンデイングを同一平面上のアイランド上で行うことができ、 また、入力側アイランドと出力側アイランドとを対向させる必要がなくなるので 装置の組み立てが容易化される。
【0011】
以上説明したように、本考案は、光透過性絶縁フィルムに印刷配線されたパタ ーンを用いて受光素子とスイッチング素子との間の接続を行い、さらに発光素子 −受光素子間に前記光透過性絶縁フィルムを介在せしめたものであるので、本考 案によれば、ボンディングワイヤの短絡事故を招くことなく、また絶縁の沿面距 離を十分に確保しつつ装置の薄型化を図ることができる。
【図1】本考案の第1の実施例を示す断面図。
【図2】図1に示した実施例の一部透視図。
【図3】本考案の第2の実施例を示す断面図。
【図4】従来例の断面図。
1、1a、1b リードフレームのアイランド 2 MOSFET 3a、3b 接続電極 4 光透過性絶縁フィルム 5 印刷配線 6 受光素子 7 発光ダイオード 8 透明シリコン樹脂 9 モールド樹脂 10 ボンディングワイヤ
Claims (1)
- 【請求項1】 発光素子と、該発光素子と光学的に結合
された受光素子と、該受光素子の出力信号によって駆動
されるスイッチング素子と、が同一パッケージ内に収納
されている光結合半導体装置において、 前記受光素子と前記スイッチング素子とは光透過性絶縁
フィルム上に形成された印刷配線によって接続され、か
つ前記発光素子と前記受光素子とは前記光透過性絶縁フ
ィルムを介して光学的に結合されていることを特徴とす
る光結合半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8444991U JPH0528059U (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 光結合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8444991U JPH0528059U (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 光結合半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0528059U true JPH0528059U (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=13830925
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8444991U Pending JPH0528059U (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 光結合半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528059U (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016533633A (ja) * | 2013-09-26 | 2016-10-27 | マイクロ モーション インコーポレイテッド | プリント回路基板絶縁を用いた光アイソレータ |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP8444991U patent/JPH0528059U/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016533633A (ja) * | 2013-09-26 | 2016-10-27 | マイクロ モーション インコーポレイテッド | プリント回路基板絶縁を用いた光アイソレータ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5865859B2 (ja) | 光結合装置 | |
| JP3734017B2 (ja) | 光モジュール | |
| JP3644927B2 (ja) | 面発光装置 | |
| JP2006351859A (ja) | 光結合装置の製造方法 | |
| US7307285B2 (en) | Optical semiconductor device and a method for manufacturing the same | |
| JP2001148504A (ja) | 光結合素子 | |
| JPH10294495A (ja) | 電子部品 | |
| JPH05110128A (ja) | 光電リレーの構造 | |
| JP3638328B2 (ja) | 表面実装型フォトカプラ及びその製造方法 | |
| JP3242476B2 (ja) | 光半導体装置 | |
| JP3816114B2 (ja) | 光結合装置 | |
| JPH0528059U (ja) | 光結合半導体装置 | |
| JP6226393B2 (ja) | 光結合装置 | |
| JP4131524B2 (ja) | 表面実装型フォトカプラ | |
| JPH05160432A (ja) | フォトカプラ | |
| JPH0645636A (ja) | 受発光素子およびこれを利用した受発光装置 | |
| US20240194660A1 (en) | Semiconductor apparatus and method for manufacturing semiconductor apparatus | |
| JP2549480Y2 (ja) | 光結合半導体装置 | |
| JPH0751801Y2 (ja) | ホトカプラ | |
| JP2005302828A (ja) | 光結合素子、およびそれを用いた電子機器 | |
| JPH04132273A (ja) | 半導体光結合装置 | |
| JP2026045791A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH04350975A (ja) | 集積回路装置 | |
| JP3232224B2 (ja) | 光結合素子 | |
| JPS5935001Y2 (ja) | 光双方向性サイリスタ |