JPH0528059U - 光結合半導体装置 - Google Patents

光結合半導体装置

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JPH0528059U
JPH0528059U JP8444991U JP8444991U JPH0528059U JP H0528059 U JPH0528059 U JP H0528059U JP 8444991 U JP8444991 U JP 8444991U JP 8444991 U JP8444991 U JP 8444991U JP H0528059 U JPH0528059 U JP H0528059U
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JP
Japan
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receiving element
light
light receiving
insulating film
optically coupled
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Pending
Application number
JP8444991U
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Inventor
一哉 山越
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 絶縁沿面距離を確保しつつ装置の薄型化を図
る。 【構成】 発光ダイオード7と受光素子6とを光透過性
絶縁フィルム4を挾むように対向させ設置し、受光素子
6とMOSFET2との間の電気的接続を取るために、
接続電極3a、3bを用いてこれらの素子を光透過性絶
縁フィルム4上の印刷配線5に接続する。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、光結合半導体装置に関し、特に受光素子によって駆動されるスイッ チング素子が同一パッケージ内に内蔵されている光結合半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のこの種光結合半導体装置は、図4の断面図で示されるように、リードフ レームのアイランド1上に発光ダイオード7、受光素子6およびスイッチング素 子としてのMOSFET2をマウントし、受光素子6とMOSFET2との間を ボンディングワイヤ10で接続した後、発光ダイオード7と受光素子6とを対向 配置しその間に透明シリコン樹脂8を充填し、さらに全体をモールド樹脂9にて 封止したものである。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】
この従来の光結合半導体装置では、入力側と出力側との間の絶縁を確保するた め、発光ダイオードと受光素子との間に十分の間隔を取る必要がある。特に、発 光ダイオードと受光素子とがマウントされているアイランド間をブリッジしてい るシリコン樹脂8と、これを覆っているモールド樹脂9との界面では絶縁が破壊 されやすいので、ここでの絶縁の沿面距離を一定以上に確保する必要がある。そ のため、従来の光結合装置では、装置を薄型化することが困難であった。
【0004】 また、受光素子とMOSFETとの間の接続をボンディングワイヤによって行 っているため、ボンディングワイヤが入力側のリードフレームに接触しないよう にする必要があり、そのため入力側と出力側とのリードフレームの間隔を狭める ことができず、この点からも従来例は装置の薄型化に対応できない構造となって いた。
【0005】
【課題を解決するための手段】 本考案の光結合半導体装置は、光透過性の絶縁フィルムに印刷配線を施し、こ の印刷配線基板を用いて受光素子とスイッチング素子との接続を行うとともに、 発光素子と受光素子との間の光結合路内にその光透過性絶縁フィルムを介在せし めるものである。
【0006】
【実施例】
次に、本考案の実施例について図面を参照して説明する。 図1は、本考案の第1の実施例を示す断面図であり、図2は、その入力側部分 を省略した一部透視斜視図である。 図1、図2に示されるように、リードフレームのアイランド1a上にMOSF ET2がマウントされ、MOSFET2上に形成された接続電極3aと光透過性 絶縁フィルム4上の印刷配線5とが接続され、また、受光素子6の受光面上に形 成された接続電極3bと光透過性絶縁フィルム4上の印刷配線5とが接続されて いる。
【0007】 さらに、受光素子6と対向するようにリードフレームのアイランド1b上に発 光ダイオード7がマウントされ、光透過性絶縁フィルム4と、受光素子6および 発光ダイオード7との間には光結合のためのゲル状の透明シリコン樹脂8が充填 されている。そして、全体はモールド樹脂9にて成型されている。
【0008】 発光ダイオード7から出射した光は、透明シリコン樹脂8および光透過性絶縁 フィルム4を透過して受光素子6に達する。ここで発生した電圧、電流は光透過 性絶縁フィルム4上の印刷配線5を介して、MOSFET2に伝達され、このト ランジスタをオンさせる。
【0009】 本実施例では、入力側と出力側とを光学的に結合する透明シリコン樹脂8を縦 断するように絶縁フィルム4が挿入されているので、発光ダイオードと受光素子 との間を近づけても十分な絶縁沿面距離を確保することができる。また、受光素 子とMOSFETとの間をボンディングワイヤでは接続していないので、入力側 と出力側とを近づけてもワイヤによる短絡事故は発生しない。よって、この考案 により装置の薄型化が達成される。
【0010】 図3は、本考案の第2の実施例を示す断面図である。 本実施例では、MOSFET2がマウントされるアイランド1aと発光ダイオ ード7がマウントされるアイランド1bとが光透過性絶縁フィルム4に対して同 じ側に配置されている。これにより、図1に示す先の実施例と比べ、入出力側の 絶縁の沿面距離は短くなるが、装置の厚さはさらに薄くできる。また、本実施例 では、全てのダイボンデイングを同一平面上のアイランド上で行うことができ、 また、入力側アイランドと出力側アイランドとを対向させる必要がなくなるので 装置の組み立てが容易化される。
【0011】
【考案の効果】
以上説明したように、本考案は、光透過性絶縁フィルムに印刷配線されたパタ ーンを用いて受光素子とスイッチング素子との間の接続を行い、さらに発光素子 −受光素子間に前記光透過性絶縁フィルムを介在せしめたものであるので、本考 案によれば、ボンディングワイヤの短絡事故を招くことなく、また絶縁の沿面距 離を十分に確保しつつ装置の薄型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の第1の実施例を示す断面図。
【図2】図1に示した実施例の一部透視図。
【図3】本考案の第2の実施例を示す断面図。
【図4】従来例の断面図。
【符号の説明】
1、1a、1b リードフレームのアイランド 2 MOSFET 3a、3b 接続電極 4 光透過性絶縁フィルム 5 印刷配線 6 受光素子 7 発光ダイオード 8 透明シリコン樹脂 9 モールド樹脂 10 ボンディングワイヤ

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 発光素子と、該発光素子と光学的に結合
    された受光素子と、該受光素子の出力信号によって駆動
    されるスイッチング素子と、が同一パッケージ内に収納
    されている光結合半導体装置において、 前記受光素子と前記スイッチング素子とは光透過性絶縁
    フィルム上に形成された印刷配線によって接続され、か
    つ前記発光素子と前記受光素子とは前記光透過性絶縁フ
    ィルムを介して光学的に結合されていることを特徴とす
    る光結合半導体装置。
JP8444991U 1991-09-20 1991-09-20 光結合半導体装置 Pending JPH0528059U (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016533633A (ja) * 2013-09-26 2016-10-27 マイクロ モーション インコーポレイテッド プリント回路基板絶縁を用いた光アイソレータ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016533633A (ja) * 2013-09-26 2016-10-27 マイクロ モーション インコーポレイテッド プリント回路基板絶縁を用いた光アイソレータ

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